JPH01157456A - 超電導セラミックス成形体の製造方法 - Google Patents
超電導セラミックス成形体の製造方法Info
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- JPH01157456A JPH01157456A JP62315050A JP31505087A JPH01157456A JP H01157456 A JPH01157456 A JP H01157456A JP 62315050 A JP62315050 A JP 62315050A JP 31505087 A JP31505087 A JP 31505087A JP H01157456 A JPH01157456 A JP H01157456A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Inorganic Fibers (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、超電導セラミックス成形体の製造方法に関
するものである。
するものである。
従来、超電導セラミックスからなる線材やフィルム等を
成形する方法として、次のような方法が考えられている
。
成形する方法として、次のような方法が考えられている
。
例えば、線材は、銅などの金属チューブに、超電導材料
粉末を入れて、複合伸線加工により製造することが考え
られている。
粉末を入れて、複合伸線加工により製造することが考え
られている。
また、フィルムは、スパッタ法により、基板上に超電導
材料薄膜を形成することにより製造することが考えられ
ている。
材料薄膜を形成することにより製造することが考えられ
ている。
ところが、上記線材の製造法は、複合伸線加工を金属の
チューブ内で行うため、超電導特性に重要な酸化物組成
、結晶子のサイズや配向の制御が困難であり、高いＴｃ
５Ｊｃを得るには技術的に問題が多い。
チューブ内で行うため、超電導特性に重要な酸化物組成
、結晶子のサイズや配向の制御が困難であり、高いＴｃ
５Ｊｃを得るには技術的に問題が多い。
また、上記フィルムの製造法として挙げたスパッタ法に
ついても、薄膜酸化物の組成の制御が困難であるという
問題がある。
ついても、薄膜酸化物の組成の制御が困難であるという
問題がある。
そこで、この発明は、従来の線材やフィルムの製造法の
ように、金属チューブや基材を必要とせず、しかも超電
導特性に優れた超電導セラミックスの成形体を得る方法
を提供しようとするものである。
ように、金属チューブや基材を必要とせず、しかも超電
導特性に優れた超電導セラミックスの成形体を得る方法
を提供しようとするものである。
この発明は、上記の問題点を解決するために、グラファ
イト母材の層間に、超電導セラミックスの形成材料を侵
入せしめてグラファイト７間化合物を形成した後、この
グラファイト層間化合物を酸素存在下において加熱焼成
するようにしたのである。
イト母材の層間に、超電導セラミックスの形成材料を侵
入せしめてグラファイト７間化合物を形成した後、この
グラファイト層間化合物を酸素存在下において加熱焼成
するようにしたのである。
この方法によると、グラファイト母材は酸化されてＣＯ
ｚとなって除去され、グラフ１イト母材の層間に存在す
る超電導セラミックスの形成材料がグラファイト母材の
形状をした超電導セラミックスになる。
ｚとなって除去され、グラフ１イト母材の層間に存在す
る超電導セラミックスの形成材料がグラファイト母材の
形状をした超電導セラミックスになる。
〔実施例〕
この発明において使用するグラファイト母材としては、
いかなるものでもよい０例えば、ＰＡＮ系、ピッチ系あ
るいは気相成長系のグラファイトファイバ、ＨＯＰＧ、
Ｋ ｉ ｓ ｈグラファイト、天然黒鉛、ポリイミド、
ポリオキサジアゾール、ポリフェニレンビニレン等のポ
リマーを焼成して得られたグラファイトフィルム、炭素
繊維やグラフアイル等の基材上に炭化水素のＣＶＤやプ
ラズマＣＶＤを行い、その後の熱処理によって得られる
グラファイトファイバまたはフィルムなどを使用するこ
とができる。
いかなるものでもよい０例えば、ＰＡＮ系、ピッチ系あ
るいは気相成長系のグラファイトファイバ、ＨＯＰＧ、
Ｋ ｉ ｓ ｈグラファイト、天然黒鉛、ポリイミド、
ポリオキサジアゾール、ポリフェニレンビニレン等のポ
リマーを焼成して得られたグラファイトフィルム、炭素
繊維やグラフアイル等の基材上に炭化水素のＣＶＤやプ
ラズマＣＶＤを行い、その後の熱処理によって得られる
グラファイトファイバまたはフィルムなどを使用するこ
とができる。
次に、グラファイト母材の層間に侵入させる材料（イン
タカラント）としては、超電導セラミックスを構成する
元素そのものやこれらの化合物があり、例えば次のよう
なものがある。
タカラント）としては、超電導セラミックスを構成する
元素そのものやこれらの化合物があり、例えば次のよう
なものがある。
ハロゲン化物−ＣｕＣＩｌ ｚＳＣｕＢｒｘ、ＹｔＪ３
、ＳｎＣ１＊、ＥｕＣｌ 、、ＧｄＣＩｌ、、ＴｂｆＪ
！３、ｈＣＮ、、ＨｏＣｌ ３、ＥｒＣ１：ｌ、ＴｎＣ
ｌｓｙｂｃｚ、、ＬｕＣ１３ アルカリ金属、アルカリ土類金属−ＣａＳＳｒ、 Ｂａ
希土類金属−３ｎＳＥｕ、 Ｙｂ 上記インタカラントをグラファイト母材の層間に侵入さ
せてグラファイト７１間化合物を形成するには、グラフ
ァイト母材とインタカラントとをオートクレーブ等の反
応器に入れ、減圧下で所定の温度に加熱することにより
合成することができる。
、ＳｎＣ１＊、ＥｕＣｌ 、、ＧｄＣＩｌ、、ＴｂｆＪ
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ｌｓｙｂｃｚ、、ＬｕＣ１３ アルカリ金属、アルカリ土類金属−ＣａＳＳｒ、 Ｂａ
希土類金属−３ｎＳＥｕ、 Ｙｂ 上記インタカラントをグラファイト母材の層間に侵入さ
せてグラファイト７１間化合物を形成するには、グラフ
ァイト母材とインタカラントとをオートクレーブ等の反
応器に入れ、減圧下で所定の温度に加熱することにより
合成することができる。
このようにして得られたグラファイト眉間化合物を加熱
焼成することにより、眉間のインタカラントをセラミッ
クス化する。即ち、ファイバまたはフィルムの形状をし
たグラファイト層間化合物を酸素存在下において６００
℃以上加熱すると、グラファイト母材は酸化されてＣＯ
ｚとなって除去され、インタカラントがセラミックス化
され、グラファイト母材の形状に対応したファイバある
いはフィルムの超電導セラミックスが得られる。
焼成することにより、眉間のインタカラントをセラミッ
クス化する。即ち、ファイバまたはフィルムの形状をし
たグラファイト層間化合物を酸素存在下において６００
℃以上加熱すると、グラファイト母材は酸化されてＣＯ
ｚとなって除去され、インタカラントがセラミックス化
され、グラファイト母材の形状に対応したファイバある
いはフィルムの超電導セラミックスが得られる。
得られた超電導セラミックスのファイバまたはフィルム
を、融点より１０℃程度低い温度で焼純してもよい。
を、融点より１０℃程度低い温度で焼純してもよい。
実施例１
ピンチ系炭素繊維（アコモ社 Ｔｈｏｒｎｅｌ ｐ−１
２０）を３３００℃で熱処理してグラファイトファイバ
を得た。
２０）を３３００℃で熱処理してグラファイトファイバ
を得た。
このグラファイトファイバを母材として、ＣｕＣＲ＊、
Ｙ（Ｊ、、Ｂａをグラファイトの層間に侵入させる。
Ｙ（Ｊ、、Ｂａをグラファイトの層間に侵入させる。
まず、Ｂａを１０００〜１５００℃で反応させ、次いで
、ＣｕＣ１ｚ、ＹＣｌ、を５００℃で１５日間反応させ
る。
、ＣｕＣ１ｚ、ＹＣｌ、を５００℃で１５日間反応させ
る。
このようにして得られたファイバ状のグラファイト層間
化合物を酸素存在下において６００〜８００℃で加熱焼
成してセラミックス化を行った。
化合物を酸素存在下において６００〜８００℃で加熱焼
成してセラミックス化を行った。
得られたファイバ状のセラミックスの抵抗の温度特性を
四端子法で測定したところ、７０にで抵抗値が急激に低
下することが確認できた。
四端子法で測定したところ、７０にで抵抗値が急激に低
下することが確認できた。
（発明の効果〕
この発明によれば、以上のようにファイバやフィルム等
のグラファイトの形状に対応した超電導セラミックスの
単独の成形体を得ることができるという効果がある。
のグラファイトの形状に対応した超電導セラミックスの
単独の成形体を得ることができるという効果がある。
特許出願人 住友電気工業株式会社
同 代理人 鎌 １） 文 二
手続補正書（鮫）
１．事件の表示
昭和 ６２年特許願第３１５０５０号
２、発明の名称
超電導セラミックス成形体の製造方法
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
補正の内容
（１）明細書第５真下から４行目の「アコモ社」を「ア
モコ社」に訂正します。
モコ社」に訂正します。
（２）同第６頁第２行目のｒ １０００〜１５００″Ｃ
で」を「８００〜１５００″ＣでｌＯ日日間に訂正しま
す。
で」を「８００〜１５００″ＣでｌＯ日日間に訂正しま
す。
（３）同第６頁第３行目の「反応させる。」の次に下記
を追加します。
を追加します。
記
「反応容器の真空度は１０−４〜１０−’ｐａとして反
応を開始させた。」
応を開始させた。」
Claims (3)
- （１） グラファイト母材の層間に、超電導セラミック
スの形成材料を侵入せしめてグラファイト層間化合物を
形成した後、このグラファイト層間化合物を酸素存在下
において加熱焼成することを特徴とする超電導セラミッ
クス成形体の製造方法。 - （２） 上記グラファイト母材がファイバの形状である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の超電導
セラミックス成形体の製造方法。 - （３） 上記グラファイト母材がフィルムの形状である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の超電導
セラミックス成形体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62315050A JPH01157456A (ja) | 1987-12-12 | 1987-12-12 | 超電導セラミックス成形体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62315050A JPH01157456A (ja) | 1987-12-12 | 1987-12-12 | 超電導セラミックス成形体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01157456A true JPH01157456A (ja) | 1989-06-20 |
Family
ID=18060829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62315050A Pending JPH01157456A (ja) | 1987-12-12 | 1987-12-12 | 超電導セラミックス成形体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01157456A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0648710A1 (de) * | 1993-10-16 | 1995-04-19 | Philips Patentverwaltung GmbH | Verfahren zur Herstellung eines feinen monodispersen Oxidpulvers, feines, monodisperses Oxidpulver, keramische Zusammensetzung und deren Verwendung |
-
1987
- 1987-12-12 JP JP62315050A patent/JPH01157456A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0648710A1 (de) * | 1993-10-16 | 1995-04-19 | Philips Patentverwaltung GmbH | Verfahren zur Herstellung eines feinen monodispersen Oxidpulvers, feines, monodisperses Oxidpulver, keramische Zusammensetzung und deren Verwendung |
| JPH07187668A (ja) * | 1993-10-16 | 1995-07-25 | Philips Electron Nv | 単分散酸化物微粉末の製造方法、単分散酸化物微粉末、かかる粉末を含むセラミック組成物 |
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