JPH01154143A - 重合体の光加工法 - Google Patents

重合体の光加工法

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JPH01154143A
JPH01154143A JP62312175A JP31217587A JPH01154143A JP H01154143 A JPH01154143 A JP H01154143A JP 62312175 A JP62312175 A JP 62312175A JP 31217587 A JP31217587 A JP 31217587A JP H01154143 A JPH01154143 A JP H01154143A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的と利用分野] 本発明は紫外線照射により表面が改質、変質又は変色し
易い有m重合体に関するもので、380nm以下の紫外
レーザ光線等を照射すると照射された表層のみが効率的
に且つ選択的に改質、変質又は変色するため (i)光学的情報記録媒体、 (2)回折格子等の光学用素材、又は (3)  表面9表層を改質し易い樹脂(低疎水性化や
低表面抵抗化など) として有用な特徴のある特性を備えた樹脂を関係業界に
提供しようとするものである。
[先行技術と本発明の新規性] 大向等は、(i、Quchi、 lyl、 Ho5oi
、 andF、 Matsumoto、 J、 At)
Ill、  Polym、 Sci、。
Vol、20 、7983(i976) )ポリ(エチ
レン・ナフタレート−2・6)フィルム(以下PEN−
2・6と召す)に紫外線を照射すると、その光化学的な
変化は光の波長により異なり、 (i)波長375nm以下ではフィルムの表面のみが着
色(黄色)し、その表層に溶媒に不溶な生成物が生成す
る。これに対し、 (2)  382 n m附近の光では着色は最も著し
いが、フイルムの表層のみでなく全層にわたって不溶化
反応が起る。又、同時に高分子鎖の切断−劣化反応も起
る。
ことを報告している。これらの知見は375nm以下の
波長を有する紫外線をフォトマスクを通じて照射すると
、PEN−2・6の物性を劣化することなく任意の形状
をした黄色の微細パターン、即ち、使用したフォトマス
クのパターンをフィルムの表面に転写出来ることを示唆
している。然しながら、実用的には放電管などの弱い光
ではその着色は著しくない。又光により生成した着色不
溶物もフィルムの表面から剥離し易いなどの難点があっ
た。
本発明者等は水銀灯の如き弱い光の代りに紫外レーザ光
線等の高出力、高輝度の光源を使用して照射を試みたと
ころ、PEN−2・6の表層の変質変色は極めて顕著に
なることのほか、変質着色層が緻密でフィルム表面から
剥離し難いものとなると言う予期し得ない新しい知見を
得ることが出来た。
更に他の合成樹脂でPEN−2・6と同様な挙動を示す
樹脂について探索を行ったところ、(i)  重合体の
主鎖の大部分の骨格にナフタリン核。
アンスラセン核、又はビフェニール核の如き二つ以上の
芳香核を有する多環芳香族化合物を含む高分子。
(2)  イミド、エーテル・スルフォン、及びアリレ
ートのうち少くとも1種の結合を有する重合体で、その
重合体の主鎖の大部分の骨格に単環の芳香族化合物を含
む高分子。
は紫外レーザ光線等により表層が変質変色し易く且つそ
の変質変色層が剥離し難いことが判った。
これ等の重合体のうち単環芳香族のポリ(イミド)につ
いてはエキシマ・レーザなどによる照射が既にインター
ナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
(IBM)のアール・スリニバサン(R、S rini
vasan )等により検討され、“′ポリ(イミド)
を遠紫外線で食刻(E tching)する方法′”と
して特許として出願され又専門の雑誌にも報告が投稿さ
れている(特開昭59−69931、例えばJ、 Po
lym、Sci、、Polym、 Chem、  Ed
、。
Vol、22.2601 (i984) )。即ち、ア
ール・スリニバサン等はポリ(イミド)樹脂等に遠紫外
線のエキシマ・レーザを照射すると1000人又はそれ
以上の深さの食刻が瞬時に起ることを見出し、これを融
撥光分解(Ablative Photo  Deco
n+position)と名付は研究を行っている。そ
して、その時の照射エネルギー密度とパルス当りの食刻
の深さにつき検討し、食刻は成る値以上のエネルギー密
度(しきい値)に達しないと起らないことを認めている
。そしてArFレーザによる単環芳香族のポリ(イミド
)の食刻ではそのしきい値は約507FL J/ ci
であるとしているが本発明の如く照射表層が変質変色す
る現象についての報告は全く見当らない。この理由は不
詳であるが適切な照射条件−特に照射パワー密度−を選
定しないと優先的に食刻のみが起り変質変色が起らない
ためと思われる。
本発明の応用可能な分野の一つとしては前述の如く光学
的情報記録媒体として利用することが考えられる。従来
、情報をレーザ光線によって記録し且つ読み取る光学的
情報記録媒体としてはTe合金、TeFi化物、バルブ
形成媒体及び有機色素系が検討されている。そして、こ
れらの記録媒体はいづれも長所もあるが短所もあるとさ
れている。
例えば、l”e合金媒体は比較的書込み感度は高いが化
学的に不安定であり且つ構成材料に毒性のあるものを含
むと言う欠点があるとされている。
有機色素媒体についても種々の色素が開発されている。
この場合、有機色素は溶媒塗布又は蒸着により基板の片
面又は両面に付着される。基板としてはガラス、アルミ
ニウム、合成樹脂が通常使用されている。色素としては
ポリエステル・イエロー(特開昭55−161690)
 、スクアリリウム色素(特開昭56−46221) 
、アンスラキノン系色素(特開昭61−246092及
び273987 )を使用する方法が開示されている。
これらの従来技術に対し、本発明の新しい知見を光学的
記録媒体に応用する場合の特徴は(i]  Te合金、
 Te酸化物、有機色素などの如き特殊な記録媒体素材
は不必要であり、又、(′2J  バルブ形成媒体の如
ぎ特異な多層構造を構成する必要もない。
即ち、樹脂自体が記録媒体となるため媒体構成要素は極
めて簡易なものとすることが出来る。又、本発明の対象
高分子は所謂エンジニアリング・プラスチックであり化
学的、物理的特性は勿論のこと耐熱性にも優れた樹脂で
ある。従って、光学的情報記録媒体として化学的にも熱
的にも安定な素材を関連業界に提供し得ることになる。
記録媒体として最も簡単な構成は本発明の対象高分子を
記録媒体として利用すると同時に基板として使用するケ
ースである。このほか基板にガラス又はアルミニウムな
どの金属基板を使用しても何等差支えない。この場合に
は例えば本発明の対象高分子(不溶性のポリ(イミド)
の場合にはその前駆体であるポリアミド酸)を適切な溶
媒に溶かし、その溶液をガラスなどの基板上に塗布した
後溶媒を蒸発すること(ポリアミド酸の場合は高温で処
理して完全にイミド化すること)で所要の記録媒体用素
材を作ることが出来る。更に又、記録層の上、又は記録
層と基板との間に金属、酸化物、有橢物などを反射増幅
とか記録層の保護の為などに付加することも出来る。
本発明を回折格子等の光学用素材として、又はその作成
払として応用する場合の特徴は融撥分解による加工法に
比して光学系の汚染が少くて済むということである。一
般に融湯分解では分解生成物中に不揮発成分(高分子)
が含まれ易いためフォl−マスクが汚れたり、レンズの
曇りなどが生じ易いとされている。又、分解生成物は極
めて高速で高分子の表面から放出されるため融撥に際し
爆発的な擾乱が起る。従って、照射試料と相対する光学
系は試料面から少くとも数センチメートルは離した設計
とする必要があるとされている。これに対し本発明では
光による高分子の食刻が極力起らない条件で光加工する
ので不揮発性成分の生成は極めて少く、又融1發分解に
際しての擾乱も小さい特徴を有することになる。
し発明の概要] 本発明の対象高分子としては (i)  重合体の主鎖の大部分の骨格にナフタリン核
アンスラセン核、又はビフェニール核の如き二つ以上の
芳香核を含む高分子。
+2)  イミド、エーテル・スルフォン、及びアリレ
ートのうち少くとも1種の結合を有する重合体で、その
重合体の主鎖の大部分の骨格に単環の芳香族化合物を含
む高分子。
であり、その芳香核に一つ又は二つ以上の置換基を有す
るものも含まれる。
前記(i)に属する重合体としては例えば、(以下゛°
″として示したものはすべて商品名である)1)ナフタ
リン核を有するポリ(エステル)−例えばPEN−2・
6などのポリ(アルキレン・ナフタレート)。
2)ビフェニール核を有するポリ(イミド)−例えば宇
部興産社製の“ユービレックスーR,−8″、三菱化成
社製の“ノバックス″2日東電工社製の“ニドミツドU
−フィルムU、−フィルムT II等。
3)ビフェニール核を有するポリ(エーテル・ス)Lt
 7 、t > )−例えばCarborundum社
製の” A 5trel  360”。
がある。
前記(′2Jの範ちゅうに含まれる高分子としては下記
の如きものがある。
1)イミド結合を有する重合体−例えばデュポン社製の
゛カブトンパ、鐘淵化学社製の“アビカル″9日東電工
社製の“ニドミツドリーフィルムN ITなどのベンゼ
ンテトラカルボン酸と単環芳香族ジアミンとの縮重合ポ
リ(イミド)。
2〉エーテル・スルフォン結合を有する重合体−例えば
IC1社製の“VICTREX”、三井東圧化学社製の
T A L P A −1000,−10001C″、
住友ベークライト社製の“スミライトFS −1300
,−5300” 、住友化学工業社製の゛ニスペックス
ー31.−35”などの芳香族ポリ(エーテル・スルフ
ォン)。
3)アリレート結合を有する重合体−例えば鐘淵化学工
業社製の゛NAPフィルム F −1100゜F −2
100’”、ユニチカ社製の“Uポリマー″をフィルム
化した“エンプレートtJ1.tJ8.dtびにU84
”、住友化学工業社製の゛ニスペックス−RI+などの
ポリ(アリレート)。
尚、ポリ(アリレート)は芳香族ジカルボン酸とビスフ
ェール(−A又は−S)からなる高分子であるが、芳香
族ジカルボン酸と芳香族ジオールの代りにヒドロキシ芳
香族カルボン酸を出発原料とするポリ(アリレート)も
本発明の対象高分子の中に含まれる。更に又、本発明の
対象高分子同志をブレンドしたり、他の重合体と混合し
て使用したりしても良く、重合の段階で他のモノマーと
共重合したり、ブロック重合したりした重合体を使用す
ることも本発明の範ちゅうの中に含まれる。
これ等の重合体の中には結晶性の高分子く例えばPEN
−2・6)も含まれている。この場合には照射用素材と
して (i)  非晶質−未配向のままの素材(2]  −軸
又は二軸に延伸配向した素材(3)  延伸配向した後
熱処理、熱固定した素材のいづれの素材を使用しても良
い。この内、未配向の素材を光加工した後に延伸配向す
る場合には光加工後の素材に光学的な異方性を持たせる
ことが出来る。
照射には大部分の光が380nm以下の光を出す光源を
使用すれば良いが可視光を含んでも差支えはない。又断
続的な光を出すものでも連続的な光を11i射する光源
であっても何等差支えはない。望ましい光源としては光
化学プロセス用の高圧水銀灯。
短時間に大容量の光を放射するアルゴン又はキセノンを
含むパルス放電管のほか、エキシマ・レー曇アなどの紫
外線レーザも本発明の対象高分子を照射する光源として
適切である。紫外線レーザとしてはxe F、N2 、
Xe C1,Nd −YAG。
Kr F、Ar F、F2等のレーザのほか色素レーザ
などが光源として使用することが出来る。
光を照射するのに先立って本発明の対象高分子に光増感
剤(例えば色素)や触媒などを添加してから光を照射す
ることも出来る。又、照射は真空中、不活性ガス中、又
は空気中のいづれの雰囲気中で実施しても差支えない。
照射に当っての温度は一般に常温から 100℃の範囲
が良いが低温でも、或いは昇温しで光を照射しても良い
。照射の条件として大切なのは照射パワー密度とエネル
ギー密度であり、特にパワー密度を適切に選定する必要
がある。照射パワー密度は104W / ci以上から
30M W / cri、特に105W/cIiから2
0M W / ciの範囲で照射することが好ましい。
一般に高いパワー密度を使用すると変質、変色を効率的
に行うことが出来るが併行して食刻も生じ易い。低いパ
ワー密度で照射すると食刻は生じ難くなるが一定の変質
変色を行うのに長時間を要する。従って最適の条件が存
在するがこれは照射に使用する光の波長。
重合体の種類並びにフィルム厚、シート厚によっても異
なるものとなる。
フィルムの表面を改質する場合、例えば表面を疎水性か
ら親水性に改質するための照射条件は変色のための条件
より温和な条件ですむ場合が多い。
この場合でも本発明の対象高分子は他の高分子に比して
容易に表面が改質されるという特徴がある。
以下、実施例並びに比較例を挙げて本発明について説明
する。
実施例−IXe(Jレーザによる表層光加工xecタレ
ーザ(波長308nm )を使用し、照射パワー密度を
0.BM W / ciでエネルギー密度120mJ/
パルス、繰返し周波数が10Hz、パルス幅は半値全幅
で20ns、ビーム断面積は5IIvnx20繭で試料
フィルムを直接照射した。照射には(i)未延伸PEN
−2・6フイルム(65μ)(2)単環芳香族化合物の
ポリ(イミド)として、デュポン社製の″゛カプトン″
フイルム25μ)(3)多環縮合芳香族化合物のポリ(
イミド)としては、宇部興産社製の“ユービレックスー
Rフィルムと−Sフィルム″(いづれも25μ)を使用
した。
一般に記録情報の読み出しは記録媒体からの反射光又は
透過光の光量変化を光ピツクアップの受光部が検知する
ことで行われている。従ってテストはレーザの照射ショ
ツト数を1000まで変化させた時の変色(黒化度)を
透過光の光最変化で測定することにした。即ち、照射試
料を5mX10mのスリットに貼付け400〜800r
+mの波長範囲につぎその透過率を測定した。ショツト
数と600nmに於ける透過率の変化を第1−1表に示
した。
第1−1表 XeCRレーザによる表層加ニー照射ショ
ット数と600nmに於ける透過率(%)−ショツト数
が50以上で次第に黒化度が著しくなり、100ショッ
ト以上では透過率も極めて小さくなることが判った。更
に照射試料の表面抵抗についても測定を行った。表面抵
抗の測定には簡易表面抵抗測定器(横河電機製T Y 
P E 2755)を使用し、電極間距離を10問とし
て測定した。第1−2表にその結果示した。
第1−2表 XeCjレーザによる表層加ニー照射ショ
ット数と表面抵抗値(Ω)−照射により表面抵抗が著し
く低下し、表面が変質している。そして同一条件ではユ
ービレツクスの方がカプトンより表層が遥かに変質、改
質され易いことが上表から判る。
数表に二輪延伸PEN−2・6フイルム(75μ)の、
変色を伴わない範囲での表面改質の実施例を示した。変
色を伴わない表面改質の目安としては肉眼で判定し、 上限ショット数:これ以上だと着色が認められるように
なる上限照射ショッ ト数 下限ショット数:照射個所が他に比して明確に区別出来
るようになる最小の 照射ショツト数 とした。第1−3表に直接照射による表面改質のテスト
結果を示した。
第1−3表 xecrレーザによる表面改質−照射条件
と改質上・下限ショット数−比較のためにポリ(エチレ
ン・テレフタレート)フィルム、ポリ(カーボネート)
フィルムについて同様な直接照射改質テストを行った。
これらの試料は改質され難かった為照射パワー密度を5
.5M W / cdに上げてテストした。その結果(
i)  ポリ(エチレン・テレフタレート)フィルム判
定は難しいが改質下限ショツト数は少くとも500ショ
ット以上で1000シヨツト以下。
(2)  ポリ(カーボネート)フィルム下限ショット
数の判定は困難、改質上限ショット数は5000ショッ
ト程度。
であることが判った。
以上の如く表面を肉眼で判別出来る程度に改質するのに
、PEN−2・6は極めて低いパワー密度で且つ少いシ
ョツト数で効率良く改質出来ることが判った。
実施例−2KrFレーザによる表層光加工KrFレーザ
(波長248nm )を使用して、照射条件を第2−1
表の如く変化させ、黒化度か最も著しくなる条件を求め
た。いづれの実験でもパルス幅は半値全幅が20ns、
ビーム断面積は5sX20mであった。実験Nf19−
4では凸レンズ(焦点距離100HR)を使用して所定
のパワー密度を得るようにした。実験NQ 9−4以外
の照射は直接照射により行った。照射には二軸延伸PE
N−2・6フイルム(i,5μ)を用いた。
第2−1表 KrFレーザによる表層加ニー照躬条件と
黒化度〜 上表より繰返し周波数を変化させても一定の着色を得る
のに必要なショツト数は殆んど変らない。
更に繰返し周波数を50Hzまで変えたテストも試みた
がこの結論は変らなかった。然し、パワー密度を上げる
と少いショツト数でもその着色は著しい。
実験Nα9−4はPEN−2・6フイルム(i,5μ)
を穿孔する条件でのテストである。表層加工の場合の5
倍に近い照射パワー密度ではフィルムに孔があくことが
判る。
尚、黒化度とパワー密度との関係に影響を与える因子の
一つにフィルム厚がある。二軸延伸PEN−2・6フイ
ルムでは、フィルム厚が1.5μの場合、0.3〜3 
M W / Ciが表層加工に適しているが75μの場
合には0.5〜15MW/cdが適当である。
これはフィルム厚が厚い場合には高いパワー密度を使用
してもフィルムに孔があきにくく反面黒化度を上げ易い
ため高いパワー密度を使っても実用上支障が生じないた
めである。
手続補正歯 昭和63年 9月−>2日 ![寺四午庁長′臼゛殿 1、事件の表示 特願昭 62 − 312175  号2、発明の名称 紫外線により表面が変質変色し易い有機高分子(ほか1
名) 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 6、補正の内容 (i)明細書筒21頁末行以降に下記文章を加入する。
[実施例−3エキシマ・レーザによる表層光加工 ガス媒体としてKrF(発振波長248nm)を使用し
繰返し周波数1H7,パルス幅は20ns(半値全幅)
、パルス当りのエネルギー密度は35mJ/cm2  
(パワー密度0.176)IW /cm2 ) 。
照射ショツト数を100パルスと照射条件を全て一定と
して、市販のポリ(イミド)、ポリ(アリレート)、ポ
リ(エーテル・スルフォン)について照射テストを行っ
た。参考のためPEN−2,6についてもテストした。
光加工性の評価は島津製作所製自記分光光度計UV−3
00に積分球付属装置を取り付け、レーザ照射前の試料
の各波長(900,800,700゜600nm)にお
ける反射率を100%とした場合の照射後の試料の表面
反射率の変化を測定することにより行った。
テスト結果を第3−1表に示した。
上表よりテストに供したポリマーはいずれも4かめて低
いエネルギー密度で且つ少いショツト数で効率よく照射
個所の表面反射率が変化することが判った。
更にガス媒体をXeCΩ(発振波長3081m)、パル
ス当りのエネルギー密度を75mJ/ cm2  (パ
ワー密度0.375)1Δ/C…2)とした以外は第3
−1表と同一条件で照射した時の照射サンプルの表面反
射率の変化を測定したところ数表に示したような結果を
得た。
第3−2表 パ″内は商標名。
この照射条件ではいずれの試料の表面反射率も著しく変
化しなかったが表面が白化し描画性が発現することが判
った。」 以上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (i)重合体の主鎖の大部分の骨格に多環縮合芳香族化
    合物を含む重合体又は、 (ii)イミド、エーテル・スルフォン、及びアリレー
    トよりなる群から選ばれた少くとも1種の結合を含む重
    合体であってその重合体主鎖の大部分の骨格に単環の芳
    香族化合物を含む重合体を光による食刻が極力起こらな
    い条件で380nm以下の紫外レーザ光線等により照射
    し、当該重合体の表面を改質、変質又は変色させること
    を特徴とする前記高分子の光加工法。
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