JPH01152260A - 室温超伝導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は超伝導体、特に室温において超伝導を示す室温
超伝導体に関する。

〔従来の技術〕

一般に電流が固体中を流れ、熱効果が発生すると、電流
の流れを維持するには、系に付加的なエネルギーを供給
する必要がある。ある長さの距離におよんで電気的エネ
ルギーを伝達するには、かなりの量の付加的エネルギー
が必要となる。

この場合電流の流れを維持するに、常時付加的なエネル
ギーを必要としない唯一の材料は、超伝導体として知ら
れる伝導体の種類である。、超伝導性は、複数の電子ま
たは電子対の無摩擦流れのみならず、材料にかかわる磁
気的効果をも誘起させる。総べての超伝導体は極めて高
い負の感受率を有し、さらに磁気誘導電流が、外側磁界
が材料内部にまで浸透する事を阻止する材料表面に形成
される。

超伝導体は、数多くの応用に使用される。良く知られた
応用例に、超伝導磁石と磁気遮蔽がある。

また超伝導体は、ジョセフソン接合のような特殊の電気
的デイバイスにも使用される。このジョセフソン接合に
おいては、超伝導性材料と非超伝導性材料の双方が結合
されて、多数のコンピュータさらに、本発明の目的は、
非超伝導性材料を超伝導体に変換する特殊な構成の装置
を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の上記および他の目的は、素地、素地の上にマウ
ントされた負の感受率を有する金属の薄膜そして、薄膜
を酸化あるいは他の汚れから防止するための保護被膜か
ら成る、室温あるいは室温近くで利用可能な超伝導性デ
イバイスにより得られる０発明の一つの形に、負の感受
率の複数のクロムあるいはクロム合金の層と一つの保護
被膜を互い違いに素地の上にサンドイッチ状に重ねあわ
せ、電流伝達容量を増加させるのがある。

〔作　　用〕

例えば塩化ナトリウム被覆を施したマイカシートの素地
に、２．５〜２８０人の厚みにクロム薄膜、クロム鉄薄
膜、銀／クロム鉄合金、パラジウム／クロム合金などの
薄膜を蒸着形成し、遷移元素或は貴金属の保護被覆膜を
設けた超伝導体を作成する。この超伝導体は室温で感受
率が−１０−５−関係の応用分野に使用されるさいに結
合される。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来までは、超伝導体としての機能を有する既知の材料
は、絶対零度近くの比較的低温においてのみ、利用でき
た。最近、銅酸化物と黄土類元素を含む超伝導性材料は
液体窒素温度での使用が可能なように開発された。これ
らのより高温での伝導体は、確かに飛躍的な一歩を進め
たとは言え、これらのいずれもが、室温あるいは室温近
くでの機能を可能にしたものではない、結果として、こ
れら材料を常時低温で使用できるようなデイバイスを得
るために、特別な装置を必要とする。

本発明は、前述したような超伝導体の現状に鑑みてなさ
れたものであり、その目的は基本的には超伝導体の改良
にある。また、本発明の他の目的は室温あるいは室温近
くでの利用が可能である超伝導性デイバイスを提供する
ものである。

さらに他の本発明の目的は、クロミウム（以下、クロム
とする）またはクロム合金から成る超伝導性デイバイス
を提供することにある。

〜１／４πと大きな負値を示し、反磁性が強くなり室温
超伝導体が得られる。

薄膜が酸化されると超伝導性が劣化するので、保護被覆
膜は必須である。

〔実　施　例〕 以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。

バルク状のクロムは、ニール温度（３１１Ｋ）以下で反
強磁性を示す５これ以上では常磁性である。第１図は抵
抗と温度との関係であるが、曲線８はバルク状のクロム
の場合である０図示のごとく、バルク状のクロムの抵抗
は、ニール温度を中心にして明確なへこみ、つまり°“
抵抗値最小゛の凹部９を示す、全てのクロム基合金は同
様な抵抗値最小の特性を示すが、合金材の性質により、
ニール温度は純クロムのニール温度からずれる。

最近の研究では、クロムが大きい磁性モーメントを伴う
強磁性表面を持つことが示唆された。

（エル・イー・クレバノフ、ニス・グブリュー・ロビー
、ジー・リュー及びデー・エイ　ジャーレイ、Ｚ工乏左
匹・ｋ旦王ニー巻３０　（２＞、頁１０４８−１０５１
　（１９８４年））角分解光電子スペクトロ　スコピー
を用いた上記の著者等による表面研究が、この理論を認
めている。

後に、鉄薄膜上にデポジットしたクロム薄膜が、これら
二つの膜の界面における磁性モーメントを減少させる事
が判明した。実験は、塩化ナトリューム（ＮａＣ１）で
被覆されたガラス板に薄膜が真空蒸着されるような高真
空トルク磁力計の中で実施された。（ケイ・シュレーダ
ーとニス・バルア、　　　び　　　　〜Δ牡、巻５４−
７、頁８０７−８０８、＜１９８６年）〉これら板は磁
気計の磁界領域でタングステンの＃１線上に宙すりにし
、薄膜をコートした板とコートしてない板の両方の振動
周期を測定する。これら二つの板の振動周期を測定する
事により、界面における磁気双極子モーメントが、高い
精度で決定できる。表面原子あたり０，０５ボアー・マ
グネトロンに相当するモーメントの変化が、室温で決定
される。これらの実験から、クロム薄膜表面が鉄表面に
おけるモーメントに対して反平行線上にある力を有する
磁気線によって磁気的にバランスされている事が示唆さ
れた。これらの事実は、ジーとフリーマンによる計算と
良い一致をみている。（シー・エルジーとエイ・ジェイ
・フリーマン、砿＾及ｖ屡１■杓臘ｌ、巻５４−５７、
頁７７７−７７８、＜１９８６年）） 上記の高真空トルク磁力計は、クロム薄膜が強磁性モー
メントを示す１から４０ナノ・メーターの厚さを持つク
ロム薄膜に関係する双極子モーメントを測定するのに用
いられた。これら薄膜は強磁性でない素地の上に真空蒸
着される。これらクロムの薄膜内の強磁作表面相の形成
は、実験装置で容易に検出出来るが、薄膜の双極子モー
メントのいかなる増加も検知されない、トルク磁力計は
、系の感度を上げるために、０．０１ミリ径のタングス
テン細線からはなれ、上述のガラス板に代えて宙につる
された代表的な厚さとして０．０１ミリの薄いマイカ板
を用いている。この改良された系による測定では、マイ
カ板上への、クロム薄膜の蒸着膜もしくは、塩化ナトリ
ューム被覆のマイカ仮に対する場合では、板の振動周期
τのわずかであるが測定可能な増加を生じる事が示され
た。

振動周期のこの増加は、系の磁気モーメントの減少に対
応し、クロム薄膜が反磁性の強い事を明瞭に示す。

クロムの薄膜つまり４Ｘ１０”オングストローム以下の
厚さの膜が室温において、反磁性であるという示唆は、
予想もしえず、また当然受けいれられるものではなかっ
た。他の研究者の実験によると、クロムの超伝導性は１
．５に以上で消滅した。（ピー・エム・シュミット、ビ
ー・エヌ・カステラ口、エイチ・バルゾ、エイ・ニス・
クーパー及びニス・ジー・スペンサー、１Ｚグエ且二ｌ
土乙シフ１．４４、頁１８３３−１８３６（１９７３年
））厚さにして１０４オングストローム以上のバルク状
クロムは、バルク状態の材料温度に依存するが、反強磁
性か常磁性のいずれかである。（第１図参照）、常磁性
あるいは反磁性の代表的な薄膜の磁気双極子モーメント
は非常に小さい、従って、双極子モーメントが０．０１
ｍｍ程度の厚さを持つ被覆されたマイカ薄膜板の振動周
期に測定可能な程のなんらかの変化を生ずる事がありえ
ない、当然ながら振動周期の上に僅かな減少が反強磁性
薄膜に生ずる事になる。薄膜蒸着による系の質量増加に
より得られる系の振動周期のいかなる変化も、上記の系
では検出不可能であった。クロム薄膜により生ずる振動
周期の測定可能な増加の検出は、ＦＩＸ膜内での非常に
大きい反磁性双極子モーメントと関係するのみである。

第２図の真空チャンバーは、室温あるいは室温近くのニ
ール温度において、抵抗最低を示すクロムおよびクロム
合金の複数の薄膜試片を製造及び試験するなめに構成さ
れた。装置は、遮蔽された真空チャンバー４４を供給す
るためにベース４２とステンレス鋼ハウジング４３を具
備した周知の構造をもつ蒸着チャンバー４１を含む、装
置は、チャンバー内の高真空を形成、維持しえるポンプ
系４５に接続される。マイカ薄膜のごとき素地４０は、
約０．０１ｎｍ径で、約５ｃｍ長さのタングステン細線
５０によりチャンバー内に宙ずりされている。

一般的表示として示した電磁石５２は、チャンバーの外
側にとりつけられた。模式図で示した磁石は、チャンバ
ーを通る磁界（Ｈ）の強度を可変するための制御ユニッ
ト５１に接続される、互いに離れた一組の極５３と５４
を含む、素地はチャンバー内で得られた磁界に露出され
る。電磁石とつるされた素地は、被覆及び非被覆素地の
振動周期を測定するために用いられるトルク磁力計の一
部を構成する。レーザー５６はチャンバー壁内に設けた
窓５５の近くに位置され、素地表面上に入射光が当るよ
うに配置される０反射光は、素地の振動周期を正確に検
出及び測定しえるように、窓を通過してスケール５７に
反射される。

第一のタングステンの加熱コイル６０は、真空チャンバ
ーの基盤の上に取りつけられ、外部電源６３に導線６１
と６２により接続される。第二の加熱コイル７０は、同
様にチャンバーの中に取りつけられ、第二の外部電源７
３に導線７１と７２により接続される。加熱コイルは保
護板７８により互いに遮蔽される。現実には、重量既知
のクロムあるいはクロム合金は、第一加熱コイルに設置
され、蒸着される。蒸着されたクロム基材料は、シート
上に薄膜を形成するように素地上に均質に付着される。

保護被覆材料より成る第二の試片７５は、第二の加熱コ
イル中に置かれ、素地上の薄膜上に均質に蒸着される。

高真空環境から取り除く際に、膜を酸化あるいは他の汚
れから保護するために、被覆用材料は遷移元素あるいは
貴金属から選ばれる事が好ましい、以下で述べるように
、クロム薄膜は、負の感受率を持ち室温で超伝導体とし
て働くような材料である。もしも膜が酸化されたり、汚
れると、超伝導性は劣化する。

第２図に示した製造及び試験装置は、先ず塩化ナトリュ
ーム被覆のある場合とない場合とない場合のマイカ薄膜
シートの双極子モーメントを測定するために用いた。マ
イカ・シートとタングステン線ホールダーは、シート表
面が付加磁界に通常平行である平衡位置から数置だけず
れている事がわかった。シートとホールダー系の双極子
モーメント（μ）は、 μ　　−〔Ｖ　　　　Ｘ　　）Ｈ・・・（１）ｓ　　ｕ
　　　　　　　　ｓ　ｕ　　　　　　　　　　ｓ　　ｕ
ここで、■　　はシートとホールグーの合計体積、　ｕ Ｈは磁界強度、そしてＸ　　はＸ　　〉０の場合ｓｕ　
　　　　　ｓｕ のシートとホールグーの平均感受率である。磁界により
形成されるシートの振動周期（τ）は、このように簡単
に測定される。シートに作用するトルク（Ｔ１）は Ｔ１＝ＩωＩ′α　　・・・（２） ここで、■は被覆されてないシート系の慣性モーメント
、ω、は被覆されてないシートの角速度、そして、αは
スピン軸の角変位である。

被覆されていない系の慣性モーメントは、被覆されてい
る系のそれから０．１％以下でしか違わない、この差は
無視でき、■に対する一つの値は被覆そして非被覆マイ
カ・シートの両方に仮定できる。

１００振動周期にかかる時間を正確に測定し、系の角速
度を次式で求める。

ω＝２π／τ　　・・・（３） この場合に得られるクロム薄膜の感受率測定結果を実測
例１として表１に示す、ｍ伝導体の感受率は、代表的に
−１０−５と一１／４πの範囲のどこかに位置する。試
験されたクロム薄膜で認められた大きい負の値は、明確
にこれらの薄膜がこの範囲内にあり、従って超伝導体で
ある事を示唆するものである。

上述の実測例Ｉに参照した試験装置を用いて、実測例■
として２．８から２８０オングストロームの範囲の膜厚
をもつクロム薄膜を伴った数多くのサンプルについて試
験を繰り返した。ここでも再びクロム薄膜がこれらの範
囲内で強く反磁性を維持している事がしめされた。唯一
の場合だけ、８オングストローム厚の薄膜サンプルが酸
化されたため、すみやかに強磁性状態に変化し、この薄
膜の保護を必要とする事が示唆された。サンプル■は、
クロム９８％と鉄２％から成るクロム−鉄合金を用いて
被覆されている。この合金ＦＪＭの膜厚は、約９０オン
グストロームであった。この合金化サンプルは、事なる
磁界にさらされた。いずれの場合も測定された感受率は
、合金がクロム基材料の負の感受率に影響しない事が示
された。この第二の試験結果は、実測例２として表■に
示すようになる。

第三の試験の組は、上述と同し試験装置を用い、マイカ
　シート上のクロムあるいはクロム合金薄膜のいずれか
を持つサンプルにおよほす保護被覆の効果を示すために
実施された。パラジュームと銀の両方の保護被覆は、強
い負の感受率を示すクロム基ＦＩｊＨの上にほどこされ
た。これら元素の保護被覆は薄膜を酸化から防止し、く
わえて薄膜の感受率と減少させるので、結果としてサン
プルの超伝導性を増加させる事が判明した。この結果を
実測例■として表■に示す。

タングステン細線５０（第２図）に作用する磁界により
形成されるトルクと、実験装置内の常磁性マイカ・シー
トは、磁界線に平行な平坦なシート表面上に並ぶ傾向が
ある事がわかった。一方、保護被覆の有無にかかわらず
マイカ・シート上に蒸着された反磁性クロム薄膜は、磁
界線に対して直角な平坦シート表面上に並ぶ傾向がある
。薄膜の反磁性モーメントは一般に、振動周期を増加さ
せるに十分なほど強い、理由は、薄膜の体積（■ｃｒ’
がタングステン細線とマイカ・シートの合計された体積
（Ｖ　　　）より一桁小さいからであ　ｕ る、しかしながら、すくなくとも一つの試験サンプルに
おいて、ＦＩＩｔＥの反磁性モーメントが非常に大きい
ので、被覆されたシートは磁界線に平行に並ばず、シー
トが磁界線からそれた。この被覆シートは上記表■の試
験サンプルＶの場合である。

薄膜の反磁性双極子モーメントは常磁性シートとタング
ステン細線のそれより大きいので、従って、　ｒ Ｘ＞Ｘ−Ｖ／Ｖ　　　　・・・（６） ｃｒ　　　　　　ｓｕ　　　　　　　　　　ｓｕ上の関
係を用いて、サンプルの絶対感受率は、次のような関係
になる。

Ｘ　　　　＞　　１．５Ｘ１０−” 　ｒ 第３図は発明の第一の実施例を示す、−船釣に示した超
伝導デイバイス１０は、超伝導薄膜１５が蒸着される素
地１２を含む、素地は伝導性あるいは非伝導性のいずれ
かの材料がち成る。上述の通り、塩化ナトリュームが被
覆されたマイカ・シートは、実用に適している。薄膜は
、腹力弓生い負の感受率を持ち従って室温での超伝導体
として作用するような厚さまで素地に蒸着されるクロム
あるいはクロム合金から成る事が好ましい０次に保護被
覆Ｍ１７が有害な環境と酸化から腹を保護する目的で薄
膜にほどこされる。もしも薄膜が酸化されると、超伝導
性は劣化する。保護被覆膜は遷移元素あるいは貴金属で
構成される。パラジュームと銀の両方とも薄膜の保護性
が優れており、実験結果もこれら材料が感受率をさらに
負の方向にさせるので、結果として薄膜の超伝導性も向
上する事を示している。

他の方法として、保護被覆膜は、超伝導体が作用する不
活性雰囲気と置き換えられる。第３図の超伝導デイバイ
ス１０は平坦構造を示している。

ここでコンピューター回路２２のような他のデイバイス
と同等のデイバイスと作製する必要のあるいかなる適し
た形にも超伝導性デイバイスが取りえる０例えば、素地
は薄膜を伴った円柱状コアでありえるし、コア周囲の保
護被覆はいかなる長さの透過線の形をとりえる。

二つの端子１８と１９はクロム薄膜と電気的接続状態に
あるデイバイスに線で接合される。端子は導線２０−２
０により薄膜超伝導体を介して電流が流れるために電源
としての電池２１と接続される。

第４図は本発明の第二の実施例を図示したもので、クロ
ムもしくはクロム合金薄膜３３と保護被覆３４をそれぞ
れが含む多層二重層ユニット３２−３２が、サンドイッ
チ構造を形成するように違いちがいに配置される。ここ
で再び、クロム基の薄膜の厚さがｆＩＩ御されるので、
結果として薄膜は超伝導性となる。従って、各々の′ｆ
Ｎ膜は別個の超伝導体として作用し、薄膜と混合してデ
イバイスの電流あるいは信号伝達能力を増加させる。い
がなる数の層が、使用されるネットワークの要求におお
じで素地上に配置される０発明の第二の実施例において
、二つの極３６と３７を含む電磁石３５は、電流を多層
構造中に導くために用いられる。

第５図は発明の他の具体例を図示したもので、超伝導ク
ロム薄膜８１と保護性の上下への被覆８３を含むやはり
多層ユニット８０−８０を含む。

層構造のユニットはガラスあるいはマイカ素地８５の上
にマウントされ、電気的に互いを孤立される非伝導性の
ストリップ８６により分離される。

この種の分離は、ある種の高周波数信号伝達への応用と
か、超伝導性股間の電流を調整するための系における制
御のようなある種の応用に必要である。プラスチック製
の外部遮蔽８７は系全体を外部力から物理的に保護する
目的で系全体に巻かれる。

発明の他の例が第６図に示される。それは二つのｐ型部
９０と９１を持つ一つのｎ型半導体８９から成る。これ
らｐ型部は、クロム薄膜９３及び９５並びに絶縁Ｍ９２
と接続する。これら薄膜の形はすでに述べた通り、薄膜
が負の感受率を持ち、従って超伝導体として作用しえる
ものであれば良い、入力及び出力デイバイスでありえる
超伝導体重［９３と９５は絶縁膜９２と９６により保持
され、それぞれ保護膜９７と９９により腐食からも保護
される。これら保護膜はパラジュームのような金属か絶
縁体でありえる。ｐ型部の少なくとも二つはクロム薄膜
９４と保護被覆９８で形成される電気的接続器により接
合される。ここで再び、薄膜の形は、超伝導性質をもつ
接続器を供給しえるものであればよいし、被覆は腐食や
酸化から膜を保護する。

なお、本発明が以上のように提出した構成を基に発明さ
れてきたが、これは発明された構成に限定されるもので
なく、本発明は特許請求範囲内で考えられるいかなる改
良及び変化をも含むものである。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように、本発明によると、素地上に
負の感受率を有する金属薄膜を蒸着し、金属薄膜を酸化
から防止する保護被覆膜を設けることにより、室温で超
伝導性を有する室温超伝導体が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はバルク状の固体クロムの抵抗と温度との関係を
示す特性図、第２図は本発明の室温超伝導体の製造及び
特性測定に用いる真空デポジットチャンバーの構成を示
す説明図、第３図は本発明の第１の実施例の構成を示す
斜視図、第４図乃至第６図は本発明の第２乃至第４の実
施例の構成を示す断面図である。 ８・・・曲線、９・・・凹部、１０・・・超伝導デイバ
イス、１２・・・素地、１５・・・超伝導薄膜、１７・
・・保護被覆膜、１８・・・端子、１９・・・端子、２
０・・・導線、２１・・・電池、２２・・・コンピュー
タ回路、３２・・・二重層ユニット、３３・・・薄膜、
３４・・・保護被覆、３５・・・電磁石、３６．３７・
・・極、４０・・・素地、４１・・・蒸着チャンバー、
４２・・・ベース、４３・・ハウジング、４４・・・真
空チャンバー、４５・・・ポンプ系、５０・・・タング
ステン細線、５１・・・制御ユニット、５２・・・電磁
石、５３．５４・・・極、５５−・・窓、５６・・レー
ザー、５７・・スケール、６０・・・加熱コイル、６１
．６２・・・導線、６３・・・外部電源、６５・・試片
、７０・・・加熱コイル、７１．７２・・・導線、７３
・・・外部電源、７５・・・試片、７８・・・保護板、
８０・・・多層ユニット、８１・・・薄膜、８３・・・
被覆、８５・・・素地、８６・・・ストリップ、８７・
・・外部遮蔽、８つ・・・ｎ型半導体、９０・・・ｐ型
部、９１・・・ｐ型部、９２・・・絶縁膜、９３・・・
薄膜、９４・・・薄膜、９５・・・薄膜、９６・・・絶
縁膜、９７・・・保護膜、９８・・保護被覆、９９・・
・保護膜。 特許出願人　シラキューズ、ユニバーシティ図面の浄亡 Ｆ／Ｇ、５ 自発手続補正書 昭和６３年９９日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、素地と、この素地上に蒸着され、室温において負の
   感受率を有する金属薄膜と、この金属薄膜を酸化から防
   止する手段とを有することを特徴とする室温超伝導体。 ２、金属薄膜がクロムより成ることを特徴とする請求項
   １に記載の室温超伝導体。 ３、クロム薄膜を酸化から防止する手段が不活性雰囲気
   であることを特徴とする請求項２に記載の室温超伝導体
   。 ４、クロム薄膜を酸化から防止する手段が薄膜上の外側
   の被覆膜であることを特徴とする請求項２に記載の室温
   超伝導体。 ５、被覆膜がクロム薄膜の感受率をより負の値に設定す
   るようにクロム薄膜と所定の特性関係にある材料から成
   ることを特徴とする請求項４に記載の室温超伝導体。 ６、外側の被覆膜が貴金属及び遷移元素の群から選択さ
   れる元素であるこを特徴とする請求項５に記載の室温超
   伝導体。 ７、クロムが薄膜の負の感受率に不利に影響しない少な
   くとも他の元素と合金化していることを特徴とする請求
   項２に記載の室温超伝導体。 ８、他の元素が貴金属及び遷移元素からなる群より選択
   されていることを特徴とする請求項７に記載の室温超伝
   導体。 ９、金属薄膜の負の感受率が−１０＾−＾５と−１／４
   πの間にあることを特徴とする請求項１に記載の室温超
   伝導体。 １０、金属薄膜に電流を導入する手段が具備されてなる
   ことを特徴とする請求項範囲２に記載の室温超伝導体。 １１、電流を導入する手段が電源であることを特徴とす
   る請求項１０に記載の室温超伝導体。 １２、電流を導入する手段が磁石であることを特徴とす
   る請求項１０に記載の室温超伝導体。 １３、素地が非伝導材料より成ることを特徴とする請求
   項１に記載の室温超伝導体。 １４、素地が円柱状コアで、金属薄膜と外側の被覆膜が
   コアをとりまくように配されていることを特徴とする請
   求項４に記載の室温超伝導体。 １５、素地と、この素地上に交互にマウントされ、負の
   感受率を持つクロム薄膜を含む複数の多層構造ユニット
   と、それぞれの多層構造ユニット上に配され、前記クロ
   ム薄膜を酸化から防止する材料からなる外側被覆とを有
   することを特徴とする室温超伝導体。 １６、多層構造ユニット間に位置する絶縁バリヤーを含
   むことを特徴とする請求項１５に記載の室温超伝導体。 １７、絶縁バリヤーが制御された電子流をクロム薄膜間
   に移動させるように構成されていることを特徴とする請
   求項１５に記載の室温超伝導体。 １８、素地と多層構造ユニットを囲む外側遮蔽を含むこ
   とを特徴とする請求項１５に記載の室温超伝導体。 １９、クロム薄膜が−１０＾−＾５と−１／４πの負の
   感受率を有することを特徴とする請求項１５に記載の室
   温超伝導体。 ２０、クロム薄膜の少なくとも一つが、クロム薄膜の感
   受率を負に保つ他の元素の少なくとも一つにより合金化
   されていることを特徴とする請求項１５に記載の室温超
   伝導体。 ２１、他の元素が貴金属及び遷移元素から成る群から選
   択されていることを特徴とする請求項２０に記載の室温
   超伝導体。 ２２、各々の多層構造ユニット上に配される外側被覆が
   パラジュームであることを特徴とする請求項１５に記載
   の室温超伝導体。 ２３、各々の多層構造ユニットの外側被覆が銀であるこ
   とを特徴とする請求項１５に記載の室温超伝導体。 ２４、電流を少なくとも一つのクロム薄膜に導入する手
   段が具備されてなることを特徴とする請求項１５に記載
   の室温超伝導体。 ２５、ｐ型部及びｎ型部を有する一つの半導体と、この
   半導体表面にマウントされる絶縁層と、前記ｐ型部及び
   ｎ型部の一つと接触する少なくとも一つの電気的端子と
   、前記絶縁層上にマウントされ、負の感受率を持つクロ
   ム薄膜と、このクロム薄膜上に配され、前記クロム薄膜
   を腐食から防止する保護被覆膜とを有することを特徴と
   する室温超伝導体。 ２６、負の感受率を持つクロム薄膜が、少なくとも二つ
   の同様な型の部がクロム薄膜に接続された薄膜接続部と
   、この薄膜接続部上に設けられ、前記薄膜接続部を腐食
   から防止する保護被覆膜とを具備して成ることを特徴と
   する請求項２５に記載の室温超伝導体。 ２７、保護被覆膜がパラジュームから成ることを特徴と
   する請求項２６に記載の室温超伝導体。 ２８、保護被覆膜が絶縁材料から成ることを特徴とする
   請求項２６に記載の室温超伝導体。