JPH01151285A - 半導体レーザ - Google Patents

半導体レーザ

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JPH01151285A
JPH01151285A JP30996487A JP30996487A JPH01151285A JP H01151285 A JPH01151285 A JP H01151285A JP 30996487 A JP30996487 A JP 30996487A JP 30996487 A JP30996487 A JP 30996487A JP H01151285 A JPH01151285 A JP H01151285A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
laser chip
cover glass
pin hole
output
Prior art date
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Pending
Application number
JP30996487A
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English (en)
Inventor
Yoshinori Sasaki
佐々木　義則
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体レーザに関し、特に半導体レーザ収容ケ
ース構成に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体レーザは第２図に示すように半導
体レーザチップ１より出射したレーザ光は拡散光となっ
ていることから、カバーガラス２をはめこんだケース７
の開口は十分大きい面積を有していた。そのため、上述
した従来の半導体レーザによれば、半導体レーザチップ
１を出射した光は十分大きな開口を有するカバーガラス
２を通して出光し、カバーガラス２からの出射光Ｂが光
学系１０等により反射し、戻り光Ｃとなり再びカバーガ
ラス２を透過し、モニタフォトダイオード８に入射する
こととなる。
（発明が解決しようとする問題点〕 本来モニタフォトダイオード８は半導体レーザチップ１
の出射光Ａを受光しその出力を用いて光出力をコントロ
ールするものであり、上記戻り光Ｃ等の外乱光の入射は
モニタ出力を乱し、半導体レーザ出力を一定出力にコン
トロールすることができなくなるという欠点がある。
本発明の目的は上記欠点を解消した半導体レーザを提供
することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は半導体レーザチップを収容するケース内に、半
導体レーザチップと、カバーガラスとの間で半導体レー
ザの光軸上にレーザ光が通過可能な少なくとも１ヶ以上
の孔を開口した遮へい体を有することを特徴とする半導
体レーザである。
〔実施例〕
次ニ本発明について図面を参照して説明する・第１図は
本発明の実施例の断面図である・図において、ケース７
内に収容された半導体レーザチップ１はサブマウント６
に着接し、サブマウント６はボール５に着接し、さらに
ステム４に接している。ステム４には半導体レーザチッ
プ１の後面光を受光させるモニタフォトダイオード８を
設けである。半導体レーザチップ１の前面出射光側には
半導体レーザチップ１の出射光軸上に１００．のピンホ
ール３０を設けた遮へい板３がボール５に着接し、さら
に前方にカバーガラス２をケース７の開口縁に接着させ
である。半導体レーザチップ１から出射した後面光はモ
ニタフォトダイオード８に照射し、前面光は遮へい板３
に設けたピンホール３０を通過してカバーガラス・２か
ら射出し１本来の半導体レーザの特性を損なうことなく
動作可能となる。
第２１！Ｉの従来例にて示す光学系１０等により発生す
る戻り光Ｃは実施例の場合、遮へい板３に設けたピンホ
ール３０を通過した光量分のみが後面光への外乱光成分
となるのみである。ピンホール３０を本実施例よりさら
に十分小さく、また半導体レーザチップ１に近接した位
置に遮へい板３を設ければさらに外乱光成分を減少させ
ることができる。
なお、遮へい板３は板状に限らず、またケース７と接触
しなくても同様の効果が得られる。さらにアレイレーザ
等の複数出射のレーザに対してはピンホールを複数配置
する等の変更も可能であることはいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は半導体レーザチップの出射
光のみが通過可能なピンホールを有する遮へい板を半導
体レーザチップとカバーガラスとの間に配置したため、
戻り光等の外乱によるモニタフォトダイオードの出力変
動がきわめて小さい半導体レーザを提供できる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例の断面図、第２図は従来例の断
面説明図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体レーザチップを収容するケース内に、半導
    体レーザチップと、カバーガラスとの間で半導体レーザ
    の光軸上にレーザ光が通過可能な少なくとも１ケ以上の
    孔を開口した遮へい体を有することを特徴とする半導体
    レーザ。
JP30996487A 1987-12-08 1987-12-08 半導体レーザ Pending JPH01151285A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0802591A2 (en) * 1996-04-18 1997-10-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Laser diode package having an optical power monitoring function
JP2016111237A (ja) * 2014-12-08 2016-06-20 浜松ホトニクス株式会社 量子カスケードレーザ装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0802591A2 (en) * 1996-04-18 1997-10-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Laser diode package having an optical power monitoring function
EP0802591A3 (en) * 1996-04-18 1998-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Laser diode package having an optical power monitoring function
US5920585A (en) * 1996-04-18 1999-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Laser diode package having an optical power monitoring function
CN1088885C (zh) * 1996-04-18 2002-08-07 三星电子株式会社 具有光输出监测功能的激光二极管组件
JP2016111237A (ja) * 2014-12-08 2016-06-20 浜松ホトニクス株式会社 量子カスケードレーザ装置
US10333279B2 (en) 2014-12-08 2019-06-25 Hamamatsu Photonics K.K. Quantum cascade laser device

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