JPH01146238A - 電子ビーム装置 - Google Patents
電子ビーム装置Info
- Publication number
- JPH01146238A JPH01146238A JP62303135A JP30313587A JPH01146238A JP H01146238 A JPH01146238 A JP H01146238A JP 62303135 A JP62303135 A JP 62303135A JP 30313587 A JP30313587 A JP 30313587A JP H01146238 A JPH01146238 A JP H01146238A
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- JP
- Japan
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- lens
- electron beam
- optical system
- auxiliary lens
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- Pending
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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- 235000006732 Torreya nucifera Nutrition 0.000 description 2
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- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は任意の断面形状を有する電子ビームを発生させ
る電子ビーム装置に係り、特に電子ビームの投影倍率を
可変とするのに好適な電子ビーム露光装置及びその類似
装置に関する。
る電子ビーム装置に係り、特に電子ビームの投影倍率を
可変とするのに好適な電子ビーム露光装置及びその類似
装置に関する。
従来、任意断面形状の電子ビームを発生させる電子ビー
ム露光装置は、特開昭59−169131や特開昭61
−183926のように、予め、所望の形状の穴の開い
たアパーチャを用意し、このアパーチャ上で電子ビーム
を偏向することによって穴の形状を選択し、所望の電子
ビームの断面形状を得る。そして、このアパーチャの像
(成形像)を照射光学系によって試料上に投影するよう
になっていたので、投影倍率は通常、ある値に固定して
用いていた。
ム露光装置は、特開昭59−169131や特開昭61
−183926のように、予め、所望の形状の穴の開い
たアパーチャを用意し、このアパーチャ上で電子ビーム
を偏向することによって穴の形状を選択し、所望の電子
ビームの断面形状を得る。そして、このアパーチャの像
(成形像)を照射光学系によって試料上に投影するよう
になっていたので、投影倍率は通常、ある値に固定して
用いていた。
上記従来技術では、試料面上での任意図形の大きさを制
御しようとして投影倍率を変化させるときには、照射光
学系を構成する縮小レンズと対物レンズを同時に変化さ
せることが必要で、操作が煩雑であり、対物レンズの使
用条件が変化することにより偏向歪形状が変化するなど
幾つかの問題があった。
御しようとして投影倍率を変化させるときには、照射光
学系を構成する縮小レンズと対物レンズを同時に変化さ
せることが必要で、操作が煩雑であり、対物レンズの使
用条件が変化することにより偏向歪形状が変化するなど
幾つかの問題があった。
本発明の目的は、操作性に優れ、容易に電子ビームの投
影倍率を制御できる電子ビーム露光装置及びその類似装
置を提供することにある。
影倍率を制御できる電子ビーム露光装置及びその類似装
置を提供することにある。
上記の目的は、第1図に示すように、任意形状の穴を持
つアパーチャ1と、成形光学系によって作られるこの成
形像を試料上に投影する照射光学系の間に、縮小レンズ
2と連動する補助レンズ3を設けて、この補助レンズ3
の動作に応じて縮小レンズ2を制御することにより達成
される。
つアパーチャ1と、成形光学系によって作られるこの成
形像を試料上に投影する照射光学系の間に、縮小レンズ
2と連動する補助レンズ3を設けて、この補助レンズ3
の動作に応じて縮小レンズ2を制御することにより達成
される。
補助レンズ3の焦点距離fcは、補助レンズ3とアパー
チャ1間の間隔りに対してfc>L なる関係が成り立
っている。したがって、補助レンズ3は、アパーチャ1
の虚像をアパーチャ位置より電子銃(図示せず)側に作
る。このため、縮小レンズ2は、虚像煮4に作られるア
パーチャ像を物点として対物レンズ(図示せず)の物点
5に結像するように動作条件を制御する。このようにす
れば、対物レンズの使用条件は常に一定のまま、アパー
チャ1の成形像の投影倍率を変化させることができる。
チャ1間の間隔りに対してfc>L なる関係が成り立
っている。したがって、補助レンズ3は、アパーチャ1
の虚像をアパーチャ位置より電子銃(図示せず)側に作
る。このため、縮小レンズ2は、虚像煮4に作られるア
パーチャ像を物点として対物レンズ(図示せず)の物点
5に結像するように動作条件を制御する。このようにす
れば、対物レンズの使用条件は常に一定のまま、アパー
チャ1の成形像の投影倍率を変化させることができる。
さらに、縮小レンズ2の倍率を適当に設定すると、縮小
レンズ2は短焦点のレンズとなり、補助レンズ3の焦点
距離の変化にたいして、縮小レンズ2の焦点距離をわず
かに変化させれば良く、制御性が向上する。
レンズ2は短焦点のレンズとなり、補助レンズ3の焦点
距離の変化にたいして、縮小レンズ2の焦点距離をわず
かに変化させれば良く、制御性が向上する。
以下、本発明の一実施例を第2図により説明する。第2
図の光学系は、従来の可変成形光学系のアパーチャ1を
単純な矩形から任意形状の穴を持つアパーチャに変更し
たもので、−例として第3図の(b)のような形状が考
えられる。従来型の可変成形方式では、成形偏向電圧を
制御することにより矩形の二辺を第3図(a)のように
変化させることが可能で、矩形の縦横比を自由に選ぶこ
とができた。ここで、任意断面形状の電子ビームを得よ
うとして1例えば第3図の(b)のような形状のアパー
チャを用いた場合を考える。第3図(b)の図形の試料
面上での投影倍率を変化させるためには、第3図(b)
の実線で示した状態から点線で示した状態へ変化させね
ばならない。このような制御は、従来のように一1成形
偏向電圧の制御のみでは実現しえない。
図の光学系は、従来の可変成形光学系のアパーチャ1を
単純な矩形から任意形状の穴を持つアパーチャに変更し
たもので、−例として第3図の(b)のような形状が考
えられる。従来型の可変成形方式では、成形偏向電圧を
制御することにより矩形の二辺を第3図(a)のように
変化させることが可能で、矩形の縦横比を自由に選ぶこ
とができた。ここで、任意断面形状の電子ビームを得よ
うとして1例えば第3図の(b)のような形状のアパー
チャを用いた場合を考える。第3図(b)の図形の試料
面上での投影倍率を変化させるためには、第3図(b)
の実線で示した状態から点線で示した状態へ変化させね
ばならない。このような制御は、従来のように一1成形
偏向電圧の制御のみでは実現しえない。
これを実現するには、投影倍率を変化させる必要がある
。第2図の光学系で補助レンズ3がない場合に試料面上
に焦点が合った状態を変化させずに投影倍率を変化させ
るには、縮小レンズ2と対物レンズ20の使用条件を変
更する以外手段がない。このように、照射系を構成する
レンズの使用条件を変更することは、軸ズレや偏向歪形
状の変化を伴うので、実際に使用するに当たっては避け
ねばならない。
。第2図の光学系で補助レンズ3がない場合に試料面上
に焦点が合った状態を変化させずに投影倍率を変化させ
るには、縮小レンズ2と対物レンズ20の使用条件を変
更する以外手段がない。このように、照射系を構成する
レンズの使用条件を変更することは、軸ズレや偏向歪形
状の変化を伴うので、実際に使用するに当たっては避け
ねばならない。
ここで、対物レンズ20を一定の条件で使用するために
は、縮小レンズ2で作られる像の位置に対物レンズ20
の物点から動かないことが望ましし)、l そこで、アパーチャ1と縮小レンズ2の中間に長焦点の
補助レンズ3を設け、補助レンズ3によってアパーチャ
1の虚像(図示せず)をアパーチャ1より電子銃26側
に作り、縮小レンズ2によって対物物点5上に結像させ
九ば、対物レンズ20の条件を一定のまま、投影倍率を
変化させることができる。このとき、アパーチャ1と補
助レンズ3間の距離し、補助レンズ3の焦点距離をfc
とすると、fc>L なる関係が成り立つことが必要で
ある。
は、縮小レンズ2で作られる像の位置に対物レンズ20
の物点から動かないことが望ましし)、l そこで、アパーチャ1と縮小レンズ2の中間に長焦点の
補助レンズ3を設け、補助レンズ3によってアパーチャ
1の虚像(図示せず)をアパーチャ1より電子銃26側
に作り、縮小レンズ2によって対物物点5上に結像させ
九ば、対物レンズ20の条件を一定のまま、投影倍率を
変化させることができる。このとき、アパーチャ1と補
助レンズ3間の距離し、補助レンズ3の焦点距離をfc
とすると、fc>L なる関係が成り立つことが必要で
ある。
さらに、縮小レンズ2は、通常1/10から1150程
度の倍率をもつので、補助レンズ3より短焦点レンズと
なり、補助レンズ3の動作に対応する焦点変化は小さい
。このたあ、試料上での描画精度の制約が緩い場合には
、縮小レンズ2の条件を変更しないことも可能である。
度の倍率をもつので、補助レンズ3より短焦点レンズと
なり、補助レンズ3の動作に対応する焦点変化は小さい
。このたあ、試料上での描画精度の制約が緩い場合には
、縮小レンズ2の条件を変更しないことも可能である。
第4図は、補助レンズ3を縮小レンズ2の前段に作られ
る電子ビームのクロスオーバ像の位置に設けた場合を示
す実施例である。ただし、可変成形光学系では、アパー
チャ1の結像関係とクロスオーバ結像関係とは一般に一
致しないので、第4図にはクロスオーバ結像のみを示し
た。さらに、上部の電子銃、成形光学系、下部の対物レ
ンズは省略した。ここで、クロスオーバ像の位置に補助
レンズ3の中心を一致させると、補助レンズ3の動作は
クロスオーバ結像にほとんど変化を与えないので、補助
レンズ3を動作させ投影倍率の制御を行ったときでも、
試料上での電子ビームの電流変動を抑えることができる
という利点を持つ。
る電子ビームのクロスオーバ像の位置に設けた場合を示
す実施例である。ただし、可変成形光学系では、アパー
チャ1の結像関係とクロスオーバ結像関係とは一般に一
致しないので、第4図にはクロスオーバ結像のみを示し
た。さらに、上部の電子銃、成形光学系、下部の対物レ
ンズは省略した。ここで、クロスオーバ像の位置に補助
レンズ3の中心を一致させると、補助レンズ3の動作は
クロスオーバ結像にほとんど変化を与えないので、補助
レンズ3を動作させ投影倍率の制御を行ったときでも、
試料上での電子ビームの電流変動を抑えることができる
という利点を持つ。
本発明によれば、簡単な操作で任意図形の投影倍率を変
化させることができ、試料面上での任意図形の転写精度
を向上させることがでる。さらに、クロスオーバ結像に
対して補助レンズ動作の影響を無視できるので、投影倍
率を偏向した場合でも、試料上での電子ビームの電流変
動を抑えることができる。
化させることができ、試料面上での任意図形の転写精度
を向上させることがでる。さらに、クロスオーバ結像に
対して補助レンズ動作の影響を無視できるので、投影倍
率を偏向した場合でも、試料上での電子ビームの電流変
動を抑えることができる。
第1@は本発明の原理を表す光学系の説明図、第2図は
本発明の一実施例を示す装置の要部縦断面図、第3図は
矩形ビームと任意図形ビームの倍率制御の方法を比較し
た説明図、第4図は本発明の別の実施例を示す光学系の
説明図である。 1・・・アパーチャ、2・・・縮小レンズ、3・・・補
助レンズ、4・・・補助レンズの虚像点、5・・・対物
物点、20・・・対物レンズ、26・・・電子銃、27
・・・アパーチャ、28・・・成形偏向器、29・・・
成形レンズ、誉1記 背−′+ 茅3図 (L) 茅2図 等4図
本発明の一実施例を示す装置の要部縦断面図、第3図は
矩形ビームと任意図形ビームの倍率制御の方法を比較し
た説明図、第4図は本発明の別の実施例を示す光学系の
説明図である。 1・・・アパーチャ、2・・・縮小レンズ、3・・・補
助レンズ、4・・・補助レンズの虚像点、5・・・対物
物点、20・・・対物レンズ、26・・・電子銃、27
・・・アパーチャ、28・・・成形偏向器、29・・・
成形レンズ、誉1記 背−′+ 茅3図 (L) 茅2図 等4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電子ビームの発生源と、前記発生源からの電子ビー
ムの断面形状と大きさを任意に成形するための成形光学
系と、前記成形光学系によつて成形された電子ビームの
成形像を試料面上に投影する照射光学系と、前記電子ビ
ームを試料面上で偏向する偏向系とを具備する電子ビー
ム装置において、照射光学系を構成する1個ないし複数
のレンズ群と連動する補助レンズを前記照射光学系の前
段で、かつ、前記成形光学系より試料側に設け、前記成
形像を常に対物レンズの一定の物点位置に結像させ、前
記成形像の試料上への投影倍率を可変とするよう構成し
たことを特徴とする電子ビーム装置。 2、前記補助レンズを長焦点とし、前記成形光学系によ
つて作られる前記成形像の虚像を前記補助レンズによつ
て結像させるよう構成したことを特徴とする特許請求の
範囲第1項の記載の電子ビーム装置。 3、前記成形光学系によつて、前記照射光学系の前段に
形成される電子ビームのクロスオーバ像の位置と、前記
補助レンズの中心とが一致するように構成したことを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子ビーム装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62303135A JPH01146238A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 電子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62303135A JPH01146238A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 電子ビーム装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01146238A true JPH01146238A (ja) | 1989-06-08 |
Family
ID=17917303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62303135A Pending JPH01146238A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 電子ビーム装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01146238A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009170322A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
-
1987
- 1987-12-02 JP JP62303135A patent/JPH01146238A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009170322A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
US8124940B2 (en) | 2008-01-18 | 2012-02-28 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam apparatus |
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