JPH01144639A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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Publication number
JPH01144639A
JPH01144639A JP30369187A JP30369187A JPH01144639A JP H01144639 A JPH01144639 A JP H01144639A JP 30369187 A JP30369187 A JP 30369187A JP 30369187 A JP30369187 A JP 30369187A JP H01144639 A JPH01144639 A JP H01144639A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dust
cover
mold
resin
negative pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30369187A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiharu Yamauchi
俊治 山内
Yutaka Morita
豊 森田
Minoru Tanaka
實 田中
Kenichiro Sakamoto
坂本 研一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP30369187A priority Critical patent/JPH01144639A/ja
Priority to US07/206,743 priority patent/US4934920A/en
Publication of JPH01144639A publication Critical patent/JPH01144639A/ja
Priority to US07/436,747 priority patent/US5026668A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体製造装置の改良に関するものである
〔従来の技術〕
第4図ないし第5図は、例えば特開昭55−96642
号公報に開示されている従来の半導体製造装置を示す図
であり、第4図に於いて、(1)は半導体素子を封止成
形するモールド金型の止金型(以下、上型と記す) 、
(2)は上記上型(1)と一対の下金型(以下、下型と
記す) 、(3)は、モールド金型を型締加圧するプレ
ス、(4)はリードフレームとタブレット(図示せず以
下同様)をモールド金型へ自動供給するローダ、(5)
は封止成形されたリードフレームを自動排出するアンロ
ータ、(6)は上記アンロータ(5)によってランナー
と分離された封止成形後のリードフレームを収納するマ
ガジン、(6)は樹脂封止装置全体を覆う簡易カバーで
ある。
第5図に於いて、(7)はローダ(4)、及びアンロー
タ(5)に対して垂直方向よりプレス(3)に出入りし
、上型(1)と下型(2)を清掃するクリーナ、(8)
は上記クリーナ(7)より取出された集塵ダクト、(9
a)は」二型(1)が取付けられた上プラテン、(10
a)は下型(2)が取付けたれた下プラテン、(l])
は上記下プラテン0Qに連結されモールド金型を型締加
圧する為に上下駆動する油圧シリンダである。
次に動作をこ就いて説明する。ローダ(4)によってリ
ードフレームとタブレットを下型(2)上へ供給する。
次いで、油圧シリンダ0])により、下プラテンOQが
上昇し、型締加圧を行なう。型締後、モールド金型内で
タブレットを射出注入し封止成形、キュアを行なう。キ
ュア完了後、下プラテンαOが下降し、アンロータ(5
)によって成形品を取り出し、ランナ一部分を分離して
、成形リードフレームをマガジン(6)へ収納する。ア
ンロータ(5)によって成形品を取り出した後、クリー
ナ(7)により、上型(1)。
下型(2)の成形時に発生する樹脂パリの清掃を行なう
。この時同時に、集塵ダクト(8)に接続された集塵機
(図示せず)により樹脂パリの吸塵を行なう。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体製造装置は以上の様に構成されているので
、封止成形時に発生する樹脂パリやタブレットから発生
する樹脂粉末及び各アクチュエータ自身から発生する塵
埃等が簡易カバーを越えて外部へ発塵する為、同じアセ
ンブリ工程であるダイボンド装置や、ワイヤボンド装置
とは別のクリーンルームで生産しなければならず、半導
体素子が塵埃等に起因する不良の影響を受は易い樹脂封
止工程迄のアセンブリ工程のライン化が困難で、またオ
ペレータも個別に必要である等の問題点があった。又、
クリーナで吸塵しきれなかった樹脂パリがプレス周辺に
飛散して室内が汚れたり、アクチュエータや摺動部等の
寿命を損なう等の問題点もあった。
この発明は上記の様な問題点を解消する為になされたも
ので、低クラスのクリーンルーム内で生産できると共に
、樹脂パリによるアクチュエータや摺動部等の寿命の低
下を防止できる半導体製造装置を得ることを目的とする
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体製造装置は、発塵部分を防塵カバ
ーで覆い、防塵カバー内を集塵装置で吸引したものであ
る。
〔作用〕
この発明に於ける半導体製造装置は、防塵カバー内を吸
引することにより、カバー内が負圧となり、外部への発
塵が防止される。
〔発明の実施例〕
以下、発明の一実施例を図について説明する。
第一図に於いて、0は各ユニットを覆う防塵カバー、(
14a)、 (t4b)は上布防塵カバー(至)間に設
けられ、上下に開閉動作するシャッタ、第2図に於いて
Oυは上プラテン(9b)と連結され、固定された下プ
ラテン(10b)を摺動するタイバー、α→はボールネ
ジ、αηはボールネジσQヘモータの動力を伝達する減
速機、(至)はボールネジa・のナツト、α・はナツト
(ト)とタイバ(イ)を連結するホルダ、勾はタイバα
0が摺動するガイド、a])は防塵カバーα葎に取付け
られ集塵機に接続される集塵ダクト、(イ)はカバー内
にエアの流れが生ずる様に防塵カバーα葎の前方に下向
きに設けられた開口である。第3図に於いて、磐は装置
を覆うカバー、(ハ)は上記カバー(転)に接着された
防塵ゴム(ハ)はカバー(至)を取付けるカバー取付枠
、(1)はカバー(ト)をカバー取付枠(ハ)に固定す
るビスである。
次に動作について説明する。先ず、ローダ(4)側に設
けられたシャッタ(14a)が開き、ローダ(4)によ
って、リードフレームとタブレットがモールド金型へ供
給される。ローダ(4)によるワークの供給後、シャッ
タ(14a)が閉じると同時に、プレスの駆動モータが
起動し、減速機α力、ボールネジαQ、ナツト(至)、
ホルダa傷タイバα→を介して、上プラテン(9b)が
下降し、型締加圧を行なう。型締後、モールド金型にタ
ブレットを射出注入し、封止成形及びキュアを行なう。
キュア完了後、上プラテン(9b)が上昇すると同時に
アンロータ(5)側のシャッタ(14b)が開き、アン
ロータ(5)によって成形品の取出し、ランナ一部分と
の分離、及び成形リードフレームのマガジン(6)への
収納を行なう。アンロータ(5)によって成形品を取り
出した後、アンロータ(5)側のシャッタ(14b)が
閉じ、クリーナ(7)により上型(1)、下型(2)の
成形時に発生する樹脂パリの除去の為モールド金型のブ
ラッシングを行なう。
ブラッシング後、前面よりエアブロ−を行ない樹脂パリ
を集塵ダクトにυ内へ吹き飛ばす。防塵カバー(至)は
図示の如く、5つのブロックで構成され、上記動作の間
中、A、B、C部の防塵カバー(18a) 。
(lab) 、 (18c)内は、1機の集塵機に接続
されるA、B、C部毎に設けられた後方の集塵ダクト(
ハ)より常に最大8000mm Aq 、 6 rn”
 / minで吸引され、−10mm Aq程度の負圧
となって居り外部への発塵を防いでいる。
又、D部のカバー(18d)内はコントローラ、E部カ
バー(18e)内は精密機構部となっているが、他のユ
ニットと隔離されている為、塵埃等の影響を受けること
がない。
尚、上記実施例では、防塵カバーa葎を分割してシャッ
タα→を設けたものを示したが、全体を1つの防塵カバ
ーで覆っても良い。又、上記実施例では、集塵装置を接
続したものを示したが、ファン。
掃除機等であっても良い。又、−包1<−乃り飢角EE
 K、−することとは逆に外部圧力を上昇させても良い
又、上記実施例では半導体装置の樹脂封止装置の場合に
ついて説明したが、ダイボンダやワイヤボンダ等の他の
半導体装置の製造装置であっても良く、上記実施例と同
様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上の様にこの発明によれば、発塵部分を防塵カバーで
覆い、カバー内を吸引し、防塵カバー外と相対的に負圧
となる様、構成したので、外部への発塵が防止でき、低
クラスのクリーンルーム内での生産が可能となる効果が
ある。又逆に外部からの影響が少ない為悪影響下での生
産が可能となる効果もある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す正面図、第2図はそ
の要部側面図、第3図はその防塵カバーの部分断面図、
第4図は従来装置を示す正面図、第5図はその部分側面
図である。 図中、(1)は上型、(2)は下型、(3)はプレス、
(4)はローダ、(5)はアンロータ、(至)は防塵カ
バー、Q4はシャッタ、Qpの集塵ダクトである。 尚、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体素子をリードフレーム上でボンデング又は
    樹脂封止する半導体装置において、発塵部分を防塵カバ
    ーで包囲すると共に上記防塵カバー内を防塵カバー外と
    相対的に負圧にしたことを特徴とする半導体製造装置。
  2. (2)半導体素子をリードフレーム上にワイヤボンデン
    グした後に樹脂封止する半導体製造装置において、樹脂
    封止金型を防塵カバーで包囲すると共に上記防塵カバー
    内を防塵カバー外と相対的に負圧としたことを特徴とす
    る半導体製造装置。
  3. (3)半導体素子リードフレーム上にワイヤボンディン
    グした後に樹脂封止する半導体製造装置において、モー
    ルドプレス部と、このモールドプレス部に材料を供給す
    るインローダと、上記モールドプレス部から封止成形さ
    れたリードフレームを取り出すアンロータとを夫々個別
    に別々の防塵カバーで包囲すると共に各防塵カバー内を
    防塵カバーと相対的に負圧としたことを特徴とする半導
    体製造装置。
JP30369187A 1987-06-17 1987-11-30 半導体製造装置 Pending JPH01144639A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30369187A JPH01144639A (ja) 1987-11-30 1987-11-30 半導体製造装置
US07/206,743 US4934920A (en) 1987-06-17 1988-06-15 Apparatus for producing semiconductor device
US07/436,747 US5026668A (en) 1987-06-17 1989-11-15 Apparatus and method for producing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30369187A JPH01144639A (ja) 1987-11-30 1987-11-30 半導体製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01144639A true JPH01144639A (ja) 1989-06-06

Family

ID=17924080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30369187A Pending JPH01144639A (ja) 1987-06-17 1987-11-30 半導体製造装置

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JP (1) JPH01144639A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01269512A (ja) * 1988-04-21 1989-10-27 Toshiba Corp 半導体モールド装置
JP2009272655A (ja) * 1994-12-06 2009-11-19 Ebara Corp ポリッシング装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01269512A (ja) * 1988-04-21 1989-10-27 Toshiba Corp 半導体モールド装置
JP2009272655A (ja) * 1994-12-06 2009-11-19 Ebara Corp ポリッシング装置

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