JPH01143382A - 光増幅器 - Google Patents
光増幅器Info
- Publication number
- JPH01143382A JPH01143382A JP30224587A JP30224587A JPH01143382A JP H01143382 A JPH01143382 A JP H01143382A JP 30224587 A JP30224587 A JP 30224587A JP 30224587 A JP30224587 A JP 30224587A JP H01143382 A JPH01143382 A JP H01143382A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical
- semiconductor laser
- input
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 82
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/5063—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 operating above threshold
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/5063—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 operating above threshold
- H01S5/5072—Gain clamping, i.e. stabilisation by saturation using a further mode or frequency
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光通信、光情報処理等の光を信号として用い
るシステムにおける、半導体より成る光利得媒質を用い
た光増幅器に関する。
るシステムにおける、半導体より成る光利得媒質を用い
た光増幅器に関する。
従来の技術
光通信や光コンビューテング等の光を信号として用いる
通信及び情報処理は、光が高速であること、電磁誘導に
影響されにくいこと等から実用化２ヘー。
通信及び情報処理は、光が高速であること、電磁誘導に
影響されにくいこと等から実用化２ヘー。
が期待されている。しかしながら、信号光は伝送路中の
吸収や散乱等によって減衰を受けるので、伝送の途中で
増幅をする必要がある。この光増幅の一つの手段として
考えられているのが、半導体レーザ増幅器を用いた光増
幅である（例えば、エレクトロニクス・レターズ、第２
３ 巻、 第２０ 号。
吸収や散乱等によって減衰を受けるので、伝送の途中で
増幅をする必要がある。この光増幅の一つの手段として
考えられているのが、半導体レーザ増幅器を用いた光増
幅である（例えば、エレクトロニクス・レターズ、第２
３ 巻、 第２０ 号。
１０５２〜１ｏ５３頁）。
第４図に従来の光増幅器の一例を示す。４０１はファブ
リペロ−型の半導体レーザでありレーザ発振のためのキ
ャリア密度が変わるだめ、利得の飽和や共振器の光学長
の変化が生じ、光出力対光入力特性に非線形性がつきま
とった。
リペロ−型の半導体レーザでありレーザ発振のためのキ
ャリア密度が変わるだめ、利得の飽和や共振器の光学長
の変化が生じ、光出力対光入力特性に非線形性がつきま
とった。
そこで本発明者らは上記の非線形性を改善するだめに第
３図に示すような構成を用いた。すなわち、半導体レー
ザ３０１に電流源３０２からしきい値電流以上のバイア
ス電流を供給し、レーザ光へ３０３を生じさせる。しき
い値キャリア密度をＮｔｈ とすると、レーザ発振を
している時の活性層内のキャリア密度はほぼＮｔｈ に
等しく保たれる。この状態で光アイソレータ３０４を通
して光３ベーン 入力３０５を半導体レーザ３０１に入射させる。
３図に示すような構成を用いた。すなわち、半導体レー
ザ３０１に電流源３０２からしきい値電流以上のバイア
ス電流を供給し、レーザ光へ３０３を生じさせる。しき
い値キャリア密度をＮｔｈ とすると、レーザ発振を
している時の活性層内のキャリア密度はほぼＮｔｈ に
等しく保たれる。この状態で光アイソレータ３０４を通
して光３ベーン 入力３０５を半導体レーザ３０１に入射させる。
集光のためのレンズは図示していない。この時、半導体
レーザの他方の端面からは光出力３０６が出射される。
レーザの他方の端面からは光出力３０６が出射される。
光出力３０６は光入力３０５が半導体レーザ３０１の中
で増幅されたものであシ、双方の波長は同一である。し
たがって光入力３０５の波長をレーザ光３０３の波長と
ずらしておくことにより、波長フィルタ３０７を用いて
光出力３０６のみを選択的にとシ出すことができる。さ
て、光入力３０５の強度をしきい値電流を工ｔｈとおく
。４０２は、半導体レーザ４０１に供給されるバイアス
電流を示してお虱この値はＩｔｈ より低く且つ、光
入力４０３に対して半導体レーザ４０１の活性層が利得
を持つように設定される。
で増幅されたものであシ、双方の波長は同一である。し
たがって光入力３０５の波長をレーザ光３０３の波長と
ずらしておくことにより、波長フィルタ３０７を用いて
光出力３０６のみを選択的にとシ出すことができる。さ
て、光入力３０５の強度をしきい値電流を工ｔｈとおく
。４０２は、半導体レーザ４０１に供給されるバイアス
電流を示してお虱この値はＩｔｈ より低く且つ、光
入力４０３に対して半導体レーザ４０１の活性層が利得
を持つように設定される。
従って半導体レーザは自らのレーザ発振は起こさない。
光入力４０３の波長は半導体レーザの利得がほぼ最大と
なる波長に選ばれるのが普通である。
なる波長に選ばれるのが普通である。
４０４は光アイソレータとレンズより成る部品であり、
光入力４０３を集光して半導体レーザ４０１の活性層に
入射させる。このような状態の時、光入力４０３は半導
体レーザ４０１の中で約１ｏ〜１００倍程度の強度に増
幅され光出力４０５として取シ出される。
光入力４０３を集光して半導体レーザ４０１の活性層に
入射させる。このような状態の時、光入力４０３は半導
体レーザ４０１の中で約１ｏ〜１００倍程度の強度に増
幅され光出力４０５として取シ出される。
発明が解決しようとする問題点
ところが上記した構成によると、光増幅のために半導体
レーザ４０１の中で電子と正孔の再結合が起こる。その
ため、電子と正孔の密度が半導体レーザ４０１内部の光
子密度の増加と共に減少することになり、次のような２
つの問題点を誘起する。すなわち第１の問題点は第６図
の光出力対光入力特性中に示した１０曲線のように、光
入力が大きくなると利得が飽和し、光出力の増加量が小
さくなってしまう。次に、第２の問題点は、正孔と電子
の密度の減少に伴う屈折率の増加によシ半導体レーザ４
０１の共振器の光学長が変わり第５図の２，３の曲線の
ように特性が非線形になることである。これは、光学長
の変化により共振器内を往復する光が互いに強め合った
シ弱め合ったシするからである。
レーザ４０１の中で電子と正孔の再結合が起こる。その
ため、電子と正孔の密度が半導体レーザ４０１内部の光
子密度の増加と共に減少することになり、次のような２
つの問題点を誘起する。すなわち第１の問題点は第６図
の光出力対光入力特性中に示した１０曲線のように、光
入力が大きくなると利得が飽和し、光出力の増加量が小
さくなってしまう。次に、第２の問題点は、正孔と電子
の密度の減少に伴う屈折率の増加によシ半導体レーザ４
０１の共振器の光学長が変わり第５図の２，３の曲線の
ように特性が非線形になることである。これは、光学長
の変化により共振器内を往復する光が互いに強め合った
シ弱め合ったシするからである。
ところが増幅器の特性は、入力に対する出力の６ ベー
ジ 関係が線形であることが望まれるので、第６図のような
非線形応答はこの光増幅器の特性における大きな問題点
であった。
ジ 関係が線形であることが望まれるので、第６図のような
非線形応答はこの光増幅器の特性における大きな問題点
であった。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上記のような問題点を解決するために、半導体
レーザを用いた光増幅器において、バイアス電流をしき
い値電流より大きく設定してレーザ発振を起こすことに
よシ、外部から注入される光入力の強度に関係なく半導
体レーザの活性層中の正孔と電子の密度を固定すること
を主眼としており、以上の構成のほかに半導体レーザに
対して光を一方的に注入するだめの手段と、半導体レー
ザ固有の発振によるレーザ光を遮断し且つ光入力を増幅
したことによって得られる光出力のみを選択的に通過さ
せる手段とを具備して成るものである。
レーザを用いた光増幅器において、バイアス電流をしき
い値電流より大きく設定してレーザ発振を起こすことに
よシ、外部から注入される光入力の強度に関係なく半導
体レーザの活性層中の正孔と電子の密度を固定すること
を主眼としており、以上の構成のほかに半導体レーザに
対して光を一方的に注入するだめの手段と、半導体レー
ザ固有の発振によるレーザ光を遮断し且つ光入力を増幅
したことによって得られる光出力のみを選択的に通過さ
せる手段とを具備して成るものである。
作 用
上記した構成によれば、光入力の変化による正孔と電子
の密度の変動がないため、利得及び共振器の光学長が一
定に維持できるので光出力対光入力特性の線形性が保た
れる。
の密度の変動がないため、利得及び共振器の光学長が一
定に維持できるので光出力対光入力特性の線形性が保た
れる。
６ ヘ一／゛
実施例
第１図に本発明による実施例の構成図を示す。
１ｏ１は半導体レーザでしきい値電流が工ｔｈ である
。これに電流源１０２からＩｔｈ より高い値のバイ
アス電流を供給する。よって、活性層１０３より波長λ
１のレーザ光１０４が横電界姿態（以下、ＴＥモードと
記す。）で出射される。さてとの状態において外部よシ
波長λ２の光入力１０６を注入する。１０７ 、１０８
はそれぞれ光アイソレータ、レンズであシ、光入力１０
６が活性層１０３に注入され、且つ半導体レーザー０１
からの出射光が光入力１０４と逆方向に進行するのを防
いでいる。半導体レーザー０１の右側の端面からはレー
ザ光１０４と、増幅光１０９、すなわち光入力１０６が
活性層１０３中で増幅されて出力される光の２種類の光
が出射される。これらの光はレンズ１１０で平行光線に
変換され、波長フィルター１０６に入射する。波長フィ
ルター１０５は波長λ を通さず波長λ２を通すように
作られている。よって、増幅光１０９のみが選択的に波
７ベーノ 長フィルター１０５から出力される。尚、λ２は、λ１
と等しくなく且つ半導体レーザ１０１が利得を有する
波長域内に設定される。
。これに電流源１０２からＩｔｈ より高い値のバイ
アス電流を供給する。よって、活性層１０３より波長λ
１のレーザ光１０４が横電界姿態（以下、ＴＥモードと
記す。）で出射される。さてとの状態において外部よシ
波長λ２の光入力１０６を注入する。１０７ 、１０８
はそれぞれ光アイソレータ、レンズであシ、光入力１０
６が活性層１０３に注入され、且つ半導体レーザー０１
からの出射光が光入力１０４と逆方向に進行するのを防
いでいる。半導体レーザー０１の右側の端面からはレー
ザ光１０４と、増幅光１０９、すなわち光入力１０６が
活性層１０３中で増幅されて出力される光の２種類の光
が出射される。これらの光はレンズ１１０で平行光線に
変換され、波長フィルター１０６に入射する。波長フィ
ルター１０５は波長λ を通さず波長λ２を通すように
作られている。よって、増幅光１０９のみが選択的に波
７ベーノ 長フィルター１０５から出力される。尚、λ２は、λ１
と等しくなく且つ半導体レーザ１０１が利得を有する
波長域内に設定される。
さて、発明者らは、上記した構成によると、半導体レー
ザの共振器内の光入力の光子密度が成る値以下の時、活
性層１０３の正孔と電子の密度が光入力１０６の値に関
係なく一定に保たれることを、実験的及び理論的に確か
めた。以下にその機構について説明する。
ザの共振器内の光入力の光子密度が成る値以下の時、活
性層１０３の正孔と電子の密度が光入力１０６の値に関
係なく一定に保たれることを、実験的及び理論的に確か
めた。以下にその機構について説明する。
第２図Ａ、Ｂはそれぞれ、共振器内のレーザ光の光子密
度と共振器内の光入力の光子密度の関係、及び活性層１
０３中の電子密度と共振器内の光入力の光子密度の関係
を示す。光入力が零の時、半導体し〜ザはＴＥモードで
発振をしている。この時の共振器内のレーザ光の光子密
度をＰ。とする。
度と共振器内の光入力の光子密度の関係、及び活性層１
０３中の電子密度と共振器内の光入力の光子密度の関係
を示す。光入力が零の時、半導体し〜ザはＴＥモードで
発振をしている。この時の共振器内のレーザ光の光子密
度をＰ。とする。
第２図Ｂ中のＮｔｈはしきい値キャリア密度である。供
給される電流が”ｔｈ より大きいときのキャリア密
度はＮｔｈ に固定される。次に、光入力１０６を注
入して、共振器内の光入力の光子密度を上げていくと、
光入力に対する光増幅とし＝ザ発振とが共存する。しか
しながら、バイアス電流が一定なので総利得は一定であ
るから、光入力の光子密度が上昇すると光増幅が盛んに
なり、レーザ発振に費せる利得が減少する。従って第２
図Ａのような関係になシ、光入力の光子密度がＰ工のと
きにレーザ光の光子密度はほぼ零になる。ところが、光
入力の光子密度がＰｌより小さいときは、第２図Ａに示
したようにレーザ発振が維持されているから、第２図Ｂ
に示しだように電子密度はＮｔｈに保たれる。ここが本
発明の要点である。
給される電流が”ｔｈ より大きいときのキャリア密
度はＮｔｈ に固定される。次に、光入力１０６を注
入して、共振器内の光入力の光子密度を上げていくと、
光入力に対する光増幅とし＝ザ発振とが共存する。しか
しながら、バイアス電流が一定なので総利得は一定であ
るから、光入力の光子密度が上昇すると光増幅が盛んに
なり、レーザ発振に費せる利得が減少する。従って第２
図Ａのような関係になシ、光入力の光子密度がＰ工のと
きにレーザ光の光子密度はほぼ零になる。ところが、光
入力の光子密度がＰｌより小さいときは、第２図Ａに示
したようにレーザ発振が維持されているから、第２図Ｂ
に示しだように電子密度はＮｔｈに保たれる。ここが本
発明の要点である。
電子密度が一定に保たれるから、利得は常に一定に保た
れ、且つ光学長も一定に保たれる。第３図Ａ、Ｂはそれ
ぞれ外部からの光入力の強度に対する透過率すなわち光
入力に対する増幅光の強度の比と、増幅光の強度を示す
。Ｅ、は、共振器内の光入力の光子密度がＰエ になる
時の光入力の値である。光入力がＥｉ以下のときは第３
図Ａのように透過率は一定に保たれている。従って、増
幅光と光入力の関係は第３図Ｂに示すように線形になる
。従ってＥ０以下の光入力が入射するような条９ベーノ 外下では、線形応答のできる光増幅器が構成できる。
れ、且つ光学長も一定に保たれる。第３図Ａ、Ｂはそれ
ぞれ外部からの光入力の強度に対する透過率すなわち光
入力に対する増幅光の強度の比と、増幅光の強度を示す
。Ｅ、は、共振器内の光入力の光子密度がＰエ になる
時の光入力の値である。光入力がＥｉ以下のときは第３
図Ａのように透過率は一定に保たれている。従って、増
幅光と光入力の関係は第３図Ｂに示すように線形になる
。従ってＥ０以下の光入力が入射するような条９ベーノ 外下では、線形応答のできる光増幅器が構成できる。
尚、本実施例では、光入力の偏波方向は指定せず、レー
ザ光との波長の違いを利用して増幅光とレーザ光とを分
離したが、光入力の偏波方向を半導体レーザ１０１内部
で横磁界モードになるように設定すれば、波長フィルタ
ー１０５のかわシに偏光子を用いることによシ、増幅光
とレーザ光を容易に分離できる。この場合、２つの光の
波長は同一でもかまわない。
ザ光との波長の違いを利用して増幅光とレーザ光とを分
離したが、光入力の偏波方向を半導体レーザ１０１内部
で横磁界モードになるように設定すれば、波長フィルタ
ー１０５のかわシに偏光子を用いることによシ、増幅光
とレーザ光を容易に分離できる。この場合、２つの光の
波長は同一でもかまわない。
発明の効果
本発明によれば、信号光に対する強度の増幅を線形に行
なうことのできる光増幅器が容易に構成できる。また電
子と正孔の濃度を従来例と比べて高く設定するので、そ
れらの寿命を短くすることができ、高速動作に適してい
る。
なうことのできる光増幅器が容易に構成できる。また電
子と正孔の濃度を従来例と比べて高く設定するので、そ
れらの寿命を短くすることができ、高速動作に適してい
る。
第１図は本発明の光増幅器の一実施例の構成図、第２図
Ａは本発明による実施例の共振器内のレーザ光の光子密
度と共振器内の光入力の光子密度の１ｏヘ−７ 関係を示す図、第２図Ｂは本発明による実施例の活性層
中の電子密度と共振器内の光入力の光子密度の関係を示
す図、第３図Ａは本発明による実施例の光入力の透過率
と光入力の関係を示す図、第３図Ｂは本発明による実施
例の増幅光対光入力の関係を示す図、第４図は従来の増
幅器の構成図、第５図は従来例の光出力対光入力の関係
を示す図である。 １０１・・・・・・半導体レーザ、１０２・・・・・・
電流源、１０３・・・・・・活性層、１０４・・・・・
・レーザ光、１０５・・・・・・波長フィルター、１０
６・・・・・・光入力、１０７・・・・・・光マイソレ
ータ、１０８・・・・・・レンズ、１ｏ９・・・・・・
増幅光、１１０・・・・・・レンズ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第３
図 ４θ／−一一手導イ木ンーブ 第５図
Ａは本発明による実施例の共振器内のレーザ光の光子密
度と共振器内の光入力の光子密度の１ｏヘ−７ 関係を示す図、第２図Ｂは本発明による実施例の活性層
中の電子密度と共振器内の光入力の光子密度の関係を示
す図、第３図Ａは本発明による実施例の光入力の透過率
と光入力の関係を示す図、第３図Ｂは本発明による実施
例の増幅光対光入力の関係を示す図、第４図は従来の増
幅器の構成図、第５図は従来例の光出力対光入力の関係
を示す図である。 １０１・・・・・・半導体レーザ、１０２・・・・・・
電流源、１０３・・・・・・活性層、１０４・・・・・
・レーザ光、１０５・・・・・・波長フィルター、１０
６・・・・・・光入力、１０７・・・・・・光マイソレ
ータ、１０８・・・・・・レンズ、１ｏ９・・・・・・
増幅光、１１０・・・・・・レンズ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第３
図 ４θ／−一一手導イ木ンーブ 第５図
Claims (1)
- 半導体レーザと、前記半導体レーザにしきい値電流以上
のバイアス電流を供給する電流源と、前記半導体レーザ
に外部からの光を一方的に入射させる手段と、前記半導
体レーザが発生するレーザ光を選択的に遮断し且つ前記
半導体レーザの内部を通過してきた前記外部から光を選
択的に通過させる手段とを持つことを特徴とする光増幅
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30224587A JPH0817259B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30224587A JPH0817259B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 光増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143382A true JPH01143382A (ja) | 1989-06-05 |
| JPH0817259B2 JPH0817259B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=17906698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30224587A Expired - Lifetime JPH0817259B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817259B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0493776A2 (en) * | 1990-12-31 | 1992-07-08 | Gte Laboratories Incorporated | Semiconductor optical amplifier with wideband electrical response |
| EP0639876A1 (fr) * | 1993-08-20 | 1995-02-22 | Alcatel N.V. | Amplificateur optique à semi-conducteur, présentant une non-linéarité réduite |
| WO1996013084A1 (de) * | 1994-10-21 | 1996-05-02 | Besse Pierre Andre | Verfahren zur bekämpfung der sättigung und der nichtlinearen effekte in optischen halbleiterverstärkern |
| EP0812041A2 (en) * | 1996-06-05 | 1997-12-10 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Optical short pulse reshaping device |
| FR3114887A1 (fr) | 2020-10-06 | 2022-04-08 | Marc Grosman | Amplificateur optique a ondes progressives dont l'amplification est commandee par des transistors a effet de champ |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP30224587A patent/JPH0817259B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0493776A2 (en) * | 1990-12-31 | 1992-07-08 | Gte Laboratories Incorporated | Semiconductor optical amplifier with wideband electrical response |
| EP0493776A3 (en) * | 1990-12-31 | 1992-10-21 | Gte Laboratories Incorporated | Semiconductor optical amplifier with wideband electrical response |
| EP0639876A1 (fr) * | 1993-08-20 | 1995-02-22 | Alcatel N.V. | Amplificateur optique à semi-conducteur, présentant une non-linéarité réduite |
| FR2709189A1 (fr) * | 1993-08-20 | 1995-02-24 | Alcatel Nv | Amplificateur optique à semiconducteur, présentant une non-linéarité réduite. |
| WO1996013084A1 (de) * | 1994-10-21 | 1996-05-02 | Besse Pierre Andre | Verfahren zur bekämpfung der sättigung und der nichtlinearen effekte in optischen halbleiterverstärkern |
| EP0812041A2 (en) * | 1996-06-05 | 1997-12-10 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Optical short pulse reshaping device |
| EP0812041A3 (en) * | 1996-06-05 | 1998-10-28 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Optical short pulse reshaping device |
| FR3114887A1 (fr) | 2020-10-06 | 2022-04-08 | Marc Grosman | Amplificateur optique a ondes progressives dont l'amplification est commandee par des transistors a effet de champ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0817259B2 (ja) | 1996-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Rigrod | Gain saturation and output power of optical masers | |
| Ultanir et al. | Stable dissipative solitons in semiconductor optical amplifiers | |
| JPH07307511A (ja) | 半導体飽和可能吸収材を用いた衝突パルス・モード・ロック・リング状ファイバ・レーザ | |
| JP3328881B2 (ja) | 半導体光パルス圧縮導波路素子及び半導体光パルス発生レーザ | |
| US3641459A (en) | Apparatus and method for narrowing the pulse width and stabilizing the repetition rate in semiconductor lasers exhibiting self-induced pulsing | |
| US3999146A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH01143382A (ja) | 光増幅器 | |
| KR100519920B1 (ko) | 포화 흡수체와 이득 고정 광 증폭기가 집적된 초고속광신호 처리장치 | |
| US5894488A (en) | Light source with stabilized broadband and associated optical fiber gyroscope | |
| JPS5912421A (ja) | 非線形光双安定素子 | |
| JP2000151028A (ja) | 調整可能な安定化利得を有する半導体光増幅器とそのような増幅器を使用する光システム | |
| JPH0572591A (ja) | 光ループメモリ | |
| JPWO2002061502A1 (ja) | 光制御方法および装置 | |
| Bakonyi et al. | 10Gbit/s RZ transmission over 5000km with gain-clamped semiconductor optical amplifiers and saturable absorbers | |
| US3644841A (en) | Frequency-stabilized single mode ring lasers | |
| JPH01145885A (ja) | 光増幅器 | |
| JP2005135956A (ja) | 半導体光増幅器およびその製造方法ならびに光通信デバイス | |
| JPS6146084A (ja) | 光増幅器 | |
| KR100293844B1 (ko) | 비선형광트랜지스터 | |
| Kumavor et al. | All-optical lyot-filter-assisted flip-flop operation using a semiconductor optical amplifier | |
| JPH04247676A (ja) | 面発光半導体モードロックレーザ | |
| Wang et al. | Distributed feedback laser amplifiers combining the functions of amplifiers and channel filters | |
| Lu et al. | Wavelength conversion using a T-gate laser | |
| JPS6289378A (ja) | 周波数安定化半導体レ−ザ装置 | |
| JPS6138935A (ja) | 高速光−光スイツチング素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080221 Year of fee payment: 12 |