JPH01141323A - 顕微反射分光装置 - Google Patents
顕微反射分光装置Info
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- JPH01141323A JPH01141323A JP62299425A JP29942587A JPH01141323A JP H01141323 A JPH01141323 A JP H01141323A JP 62299425 A JP62299425 A JP 62299425A JP 29942587 A JP29942587 A JP 29942587A JP H01141323 A JPH01141323 A JP H01141323A
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 105
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 56
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 49
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 7
- 238000002798 spectrophotometry method Methods 0.000 claims description 5
- 238000001055 reflectance spectroscopy Methods 0.000 claims description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 47
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000012925 reference material Substances 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000277269 Oncorhynchus masou Species 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は顕微反射分光装置、特にその分光反射率測定の
ための補正手法の改良に関する。
ための補正手法の改良に関する。
一部に、′JA微反射分光装置は、反射照明が可能な顕
微鏡に分光測光装置を取付けることによって、微細な領
域の分光反射率を測定するものである。
微鏡に分光測光装置を取付けることによって、微細な領
域の分光反射率を測定するものである。
この種の装置による反射率の測定は、被検試料からの反
射光の強度と、分光反射率が既知の基準反射面からの反
射光の強度とを、同一条件で測定しそれらの値を比較し
て求めていた。つまり、ます紬微鏡の物体位置に基準反
射面を置いて光学系により分光装置に導かれた反射光束
を分光し、基準反射面からの反射光の強度を波長の関数
として求める0次に基準反射面を被検試料と換え、同様
の測定を行なう。
射光の強度と、分光反射率が既知の基準反射面からの反
射光の強度とを、同一条件で測定しそれらの値を比較し
て求めていた。つまり、ます紬微鏡の物体位置に基準反
射面を置いて光学系により分光装置に導かれた反射光束
を分光し、基準反射面からの反射光の強度を波長の関数
として求める0次に基準反射面を被検試料と換え、同様
の測定を行なう。
ここで、諸量について、
φref(λ):基準反射面の分光反射率1ref(λ
):標準反射面の反射光の測定強度φsp (λ) :
被検試料の分光反射率rsp(λ):被検試料の反射光
の測定強度とおくと、被検試料の分光反射率φsp (
λ)は、次式で与えられる。
):標準反射面の反射光の測定強度φsp (λ) :
被検試料の分光反射率rsp(λ):被検試料の反射光
の測定強度とおくと、被検試料の分光反射率φsp (
λ)は、次式で与えられる。
Iref(λ)
即ち、2つの測定11ref(λ)、l5p(λ)と既
知である基準反射面の分光反射率φref(λ)とによ
り、+11式に基づいて被検試料の分光反射率が求めら
れるのである。被検試料の反射光の実際の測定強度は、
光源及び検出器の分光特性、さらには光学系の分光透過
率の影響により、例えば第8図(A)に示す如(測定さ
れるが、このような換算によって、第8図(B)に例示
する如き物理量としての分光反射率特性が求められる。
知である基準反射面の分光反射率φref(λ)とによ
り、+11式に基づいて被検試料の分光反射率が求めら
れるのである。被検試料の反射光の実際の測定強度は、
光源及び検出器の分光特性、さらには光学系の分光透過
率の影響により、例えば第8図(A)に示す如(測定さ
れるが、このような換算によって、第8図(B)に例示
する如き物理量としての分光反射率特性が求められる。
尚、このような顕微反射分光法の詳細については、1l
orsL Pilfer著”Microscope P
hoto metry″(Springer−Verl
ag+ 1977)に記載されている。
orsL Pilfer著”Microscope P
hoto metry″(Springer−Verl
ag+ 1977)に記載されている。
しかしながら、前記した従来の方法では、測定が細部に
わたって非常に時間を要する場合には、測定途中に光源
及び検出器の特性変化を確認することが必要になる。こ
の時、被検試料と基イ許反射面とを交換して前記した手
順で装置の状態の補正を行うことが必要で、操作上大変
煩わしく、しかも被検試料の所望の部分に対して再度の
アライメントを行うのに時間を要するという問題点があ
った。
わたって非常に時間を要する場合には、測定途中に光源
及び検出器の特性変化を確認することが必要になる。こ
の時、被検試料と基イ許反射面とを交換して前記した手
順で装置の状態の補正を行うことが必要で、操作上大変
煩わしく、しかも被検試料の所望の部分に対して再度の
アライメントを行うのに時間を要するという問題点があ
った。
特に、最近半導体製造工程の酸化膜等の膜厚管理のため
に、顕微反射分光装置が多く使用されるようになってき
た。これは薄膜干渉の原理を応用したもので、干渉縞の
ピーク波長ないしは反射率から膜厚を求める技術である
。半導体製造工程では測定に必要な時間の短縮や経費の
節減の目的から、上記の問題は一層重要となってきてい
る。そして、被検試料へのゴミの付着等を考えると、出
来るだけ測定途中で被検試料と標準反射面とを交換した
くない。さらに、ウェハのローダ−等を使用しての自動
測定では、自動測定途中での補正確認作業はさらに困難
となる。
に、顕微反射分光装置が多く使用されるようになってき
た。これは薄膜干渉の原理を応用したもので、干渉縞の
ピーク波長ないしは反射率から膜厚を求める技術である
。半導体製造工程では測定に必要な時間の短縮や経費の
節減の目的から、上記の問題は一層重要となってきてい
る。そして、被検試料へのゴミの付着等を考えると、出
来るだけ測定途中で被検試料と標準反射面とを交換した
くない。さらに、ウェハのローダ−等を使用しての自動
測定では、自動測定途中での補正確認作業はさらに困難
となる。
本発明は、この様な従来の問題点に鑑みてなされたもの
で、測定途中でも被検試料を被検位置から移動する必要
なしに装置の状態を補正確認することが可能で、簡単に
しかも正確な顕微分光測光が可能な顕微反射分光装置を
提供することを目的とするものである。
で、測定途中でも被検試料を被検位置から移動する必要
なしに装置の状態を補正確認することが可能で、簡単に
しかも正確な顕微分光測光が可能な顕微反射分光装置を
提供することを目的とするものである。
本発明による顕微反射分光装置は、被検試料の拡大像を
所定位置に形成するための測定用対物レンズと、前記所
定位置に形成される物体像の少なくとも一部の光束を取
り入れて分光測光するための分光測光手段と、基準対物
レンズと該基準対物レンズの物体側に一体的に設けられ
た基準反射面とを有して該基準反射面の像を前記物体像
の形成される所定位置に形成するための基準光学系と、
前記測定用対物レンズによる被検試料像と前記基準光学
系による前記基準反射面の像とのそれぞれの光束を前記
分光測光手段へ択一的に導くための切換手段とを有する
ものである。
所定位置に形成するための測定用対物レンズと、前記所
定位置に形成される物体像の少なくとも一部の光束を取
り入れて分光測光するための分光測光手段と、基準対物
レンズと該基準対物レンズの物体側に一体的に設けられ
た基準反射面とを有して該基準反射面の像を前記物体像
の形成される所定位置に形成するための基準光学系と、
前記測定用対物レンズによる被検試料像と前記基準光学
系による前記基準反射面の像とのそれぞれの光束を前記
分光測光手段へ択一的に導くための切換手段とを有する
ものである。
そして、前記切換手段は、前記測定用対物レンズと前記
基準光学系とを交換する構成とすることが望ましく、よ
り具体的には、前記測定用対物レンズと前記基準光学系
とを回転動作によって切り換えるレボルバ−であり、前
記基準光学系の基I(反射面から該基準光学系の前記レ
ボルバ−胴付面までの距離は、前記被検試料面から前記
測定用対物レンズの前記レボルバ−胴付面までの距離よ
り小さいことが望ましい。
基準光学系とを交換する構成とすることが望ましく、よ
り具体的には、前記測定用対物レンズと前記基準光学系
とを回転動作によって切り換えるレボルバ−であり、前
記基準光学系の基I(反射面から該基準光学系の前記レ
ボルバ−胴付面までの距離は、前記被検試料面から前記
測定用対物レンズの前記レボルバ−胴付面までの距離よ
り小さいことが望ましい。
上記の如き本願発明においては、被検試料の測定に使用
する測定用対物レンズとは別に、ノN準反射面をその反
射光を受ける基準対物レンズと一体化して設けた基準光
学系とを設け、測定用対物レンズと基準光学系とを交換
可能としたため、従来の如く被検試料を基準反射面と置
き換える必要がなく、光学系の交換のみという簡単な操
作で測定ができ、被検試料を物体位置に設置した状態で
顕微反射分光装置の補正が行なえるので、測定が容易か
つ迅速になる。しかも、基準反射面が基準対物レンズと
一体的に構成されているため、基準反射面の反射特性の
経年変化が少なく、極めて精度の高い測定を行うことが
可能となる。
する測定用対物レンズとは別に、ノN準反射面をその反
射光を受ける基準対物レンズと一体化して設けた基準光
学系とを設け、測定用対物レンズと基準光学系とを交換
可能としたため、従来の如く被検試料を基準反射面と置
き換える必要がなく、光学系の交換のみという簡単な操
作で測定ができ、被検試料を物体位置に設置した状態で
顕微反射分光装置の補正が行なえるので、測定が容易か
つ迅速になる。しかも、基準反射面が基準対物レンズと
一体的に構成されているため、基準反射面の反射特性の
経年変化が少なく、極めて精度の高い測定を行うことが
可能となる。
そして、測定用対物レンズと前記基準光学系とをレボル
バ−の回転動作によって切り換える構成とすれば、切換
が極めて簡単であり、従来の顕微反射分光装置の基本的
構成として用いられている顕微鏡装置をそのまま用いて
簡単に構成することが可能となる。
バ−の回転動作によって切り換える構成とすれば、切換
が極めて簡単であり、従来の顕微反射分光装置の基本的
構成として用いられている顕微鏡装置をそのまま用いて
簡単に構成することが可能となる。
第1図は本発明による顕微反射分光装置の一実施例の概
略構成を示す図である。この装置は全体として、顕微鏡
10と分光装置20とに大別して構成されており、顕微
鏡10によって拡大された物体像のうちの、所望の領域
の光束が分光装置20に導かれて測定される。
略構成を示す図である。この装置は全体として、顕微鏡
10と分光装置20とに大別して構成されており、顕微
鏡10によって拡大された物体像のうちの、所望の領域
の光束が分光装置20に導かれて測定される。
顕微鏡10においては、光源1からの光束がコンデンサ
ーレンズL1によって集光されて、半透過鏡2及び測定
用対物レンズL2を介して被検試料3に供給される。被
検試料3からの反射光は、測定用対物レンズLtによっ
て集光されて、半透過鏡2及び俯視プリズム4を通って
、中間光学系り、を形成するレンズ群り。とり。との間
に集光されて、ここに被検試料の像■1が形成される。
ーレンズL1によって集光されて、半透過鏡2及び測定
用対物レンズL2を介して被検試料3に供給される。被
検試料3からの反射光は、測定用対物レンズLtによっ
て集光されて、半透過鏡2及び俯視プリズム4を通って
、中間光学系り、を形成するレンズ群り。とり。との間
に集光されて、ここに被検試料の像■1が形成される。
そして、この像位置に配置される絞り5によって、被検
試料上の任意の領域からの光束が分光装置20に導かれ
る。顕微鏡10の射出瞳が分光装置20の入口スリット
6に一致するように構成されており、入口スリット6に
入射した光束は、光路屈曲用反射鏡7の反射を受けたの
ち、凹面回折格子8でスペクトルに分解され、ディテク
ターD上にスペクトル像を形成する。ディテクターDは
マルチチャンネル検出素子であり、スペクトルの強度分
布を自動的に測定し、被検試料3上の所望の領域につい
ての分光測光がなされ°る。ディテクターDとしては、
マルチチャンネル検出素子に限らず、出ロスリフ)と1
個の光電検出器とを組み合わせ、出ロスリフト上で波長
走査するように構成することも可能であることはいうま
でもない。
試料上の任意の領域からの光束が分光装置20に導かれ
る。顕微鏡10の射出瞳が分光装置20の入口スリット
6に一致するように構成されており、入口スリット6に
入射した光束は、光路屈曲用反射鏡7の反射を受けたの
ち、凹面回折格子8でスペクトルに分解され、ディテク
ターD上にスペクトル像を形成する。ディテクターDは
マルチチャンネル検出素子であり、スペクトルの強度分
布を自動的に測定し、被検試料3上の所望の領域につい
ての分光測光がなされ°る。ディテクターDとしては、
マルチチャンネル検出素子に限らず、出ロスリフ)と1
個の光電検出器とを組み合わせ、出ロスリフト上で波長
走査するように構成することも可能であることはいうま
でもない。
測定用対物レンズL2による被検試料3からの光束は、
俯視プリズム4で一部反射されて、接眼レンズ11.の
前側焦点位置にも物体像I2を形成し、接眼レンズLt
を通して被検試料面を観察することが可能である。接眼
レンズLEによる物体面の観察は、俯視プリズム4を挿
入することによって可能となるが、測定の精度を向上さ
せるためには、俯視プリズム4を例えば第1図の紙面に
対して垂直方向に移動させることによって光路から外し
、全ての光束を分光装置に轟くように構成することも可
能である。
俯視プリズム4で一部反射されて、接眼レンズ11.の
前側焦点位置にも物体像I2を形成し、接眼レンズLt
を通して被検試料面を観察することが可能である。接眼
レンズLEによる物体面の観察は、俯視プリズム4を挿
入することによって可能となるが、測定の精度を向上さ
せるためには、俯視プリズム4を例えば第1図の紙面に
対して垂直方向に移動させることによって光路から外し
、全ての光束を分光装置に轟くように構成することも可
能である。
このような構成において、切換手段30により測定用対
物レンズ鏡筒101 と基準光学系鏡筒100とがW4
微鏡10の本体に対して交換可能に構成されている。基
準光学系鏡筒100には、基準対物レンズし、とその物
体側に基準反射面Rが一体的に設けられている。切換手
段30によって測定用対物レンズ鏡筒101と基準光学
系鏡筒100とが切換られることによって、基準対物レ
ンズL、lを通して同一の光源からの照明光が基準反射
面Rに供給され、基準反射面Rからの反射光が分光測光
装置20に導かれる。
物レンズ鏡筒101 と基準光学系鏡筒100とがW4
微鏡10の本体に対して交換可能に構成されている。基
準光学系鏡筒100には、基準対物レンズし、とその物
体側に基準反射面Rが一体的に設けられている。切換手
段30によって測定用対物レンズ鏡筒101と基準光学
系鏡筒100とが切換られることによって、基準対物レ
ンズL、lを通して同一の光源からの照明光が基準反射
面Rに供給され、基準反射面Rからの反射光が分光測光
装置20に導かれる。
ここで、測定用対物レンズ鏡筒101 と切換可能に配
置される基準光学系鏡筒100とは、レボルバ−によっ
て切換られる構成とすれば、従来の顕微鏡装置をそのま
ま使用することが可能となる。
置される基準光学系鏡筒100とは、レボルバ−によっ
て切換られる構成とすれば、従来の顕微鏡装置をそのま
ま使用することが可能となる。
そして、この場合第2図(A)及び(B)に示す如く、
顕微鏡光軸へ×に対して所定角度だけ傾斜した回転軸m
を中心として回転可能に構成されたレボルバ−31に、
基準光学系鏡筒100と測定用対物レンズ鏡筒101
とが、それぞれ螺合装着されており、レボルバ−31の
回転によって両者が交互に顕微鏡光軸Axに対して所定
位置に配置される。
顕微鏡光軸へ×に対して所定角度だけ傾斜した回転軸m
を中心として回転可能に構成されたレボルバ−31に、
基準光学系鏡筒100と測定用対物レンズ鏡筒101
とが、それぞれ螺合装着されており、レボルバ−31の
回転によって両者が交互に顕微鏡光軸Axに対して所定
位置に配置される。
そして、基準光学系鏡筒100と測定用対物レンズ鏡筒
101とをレボルバ−の回転によって切換るためには、
それぞれの長さについて、第2図(A)及び(B)に示
すように構成することが必要である。即ち、第2図(A
)に示した基準光学系鏡筒100の先端部からレボルバ
−胴付面31aまでの距離lは、第2図(B)に示す測
定用対物レンズ鏡筒101のレボルバ−31への胴付面
31aから物体面3までの距離しよりも小さく構成する
ことが必要である。これによって、レボルバ−31の回
転によって測定用対物レンズ鏡筒101に換えて、基準
光学系鏡筒100を被検試料面を移動させることなく即
座に配置することができる。
101とをレボルバ−の回転によって切換るためには、
それぞれの長さについて、第2図(A)及び(B)に示
すように構成することが必要である。即ち、第2図(A
)に示した基準光学系鏡筒100の先端部からレボルバ
−胴付面31aまでの距離lは、第2図(B)に示す測
定用対物レンズ鏡筒101のレボルバ−31への胴付面
31aから物体面3までの距離しよりも小さく構成する
ことが必要である。これによって、レボルバ−31の回
転によって測定用対物レンズ鏡筒101に換えて、基準
光学系鏡筒100を被検試料面を移動させることなく即
座に配置することができる。
第3図は、本発明に用いる基準光学系鏡筒100の具体
的構成例を示す断面図である。図示したとおり、基準対
物レンズし!を構成する2群のレンズL xa、 L
tmは、鏡筒110に固定支持され、基準反射面Rは
支持環120によって鏡筒110に着脱可能に装着され
ている。基準反射面Rは平行平面ガラス板にクロム等を
蒸着して形成されており、この基準反射面の分光反射率
特性は、この装置によって予め測定しておき、既知の値
として測定に用いられる。
的構成例を示す断面図である。図示したとおり、基準対
物レンズし!を構成する2群のレンズL xa、 L
tmは、鏡筒110に固定支持され、基準反射面Rは
支持環120によって鏡筒110に着脱可能に装着され
ている。基準反射面Rは平行平面ガラス板にクロム等を
蒸着して形成されており、この基準反射面の分光反射率
特性は、この装置によって予め測定しておき、既知の値
として測定に用いられる。
ところで、基準光学系鏡筒100と測定用対物レンズ鏡
筒101 とを切換る手段としては、上記の如くレボル
バ−による場合に限らず、測定用対物レンズとは別に基
準対物レンズを顕微鏡本体内に内蔵する構成とし、切換
手段によって測定用対物レンズからの光束を分光装置に
導く場合と、内蔵基準対物レンズからの光束を分光装置
に導く場合とで、例えば揺動鏡によって光路を切り換え
る構成とすることも可能である。この場合に上記した2
通りの測定のためにレボルバ−を回転させることなく、
単に光路を切り換えるという簡単な操作で測定を行うこ
とが可能となるため、装置の簡単化及び自動化のために
は好ましい。
筒101 とを切換る手段としては、上記の如くレボル
バ−による場合に限らず、測定用対物レンズとは別に基
準対物レンズを顕微鏡本体内に内蔵する構成とし、切換
手段によって測定用対物レンズからの光束を分光装置に
導く場合と、内蔵基準対物レンズからの光束を分光装置
に導く場合とで、例えば揺動鏡によって光路を切り換え
る構成とすることも可能である。この場合に上記した2
通りの測定のためにレボルバ−を回転させることなく、
単に光路を切り換えるという簡単な操作で測定を行うこ
とが可能となるため、装置の簡単化及び自動化のために
は好ましい。
口による′ 法
次に、本発明における測定方法について、図面を参照し
つつ説明する。
つつ説明する。
従来の方法では、被検試料に換えて基準反射面を配置す
ることによって、基準反射面についての分光反射率を被
検試料の測定と全く同じ光学系で行っているため、前記
の+11式に基づいて、2つの測定量1sp(λ) 、
1ref(λ)及び基準反射面の既知の分光反射率φr
ef(λ)から被検試料の反射率φsp (λ)を求め
ることが出来る。しかし、本発明の方法では基準反射面
Rを測定する光学系と被検試料3を測定する光学系が異
なるので、前記の(1)式はそのままでは使えない。
ることによって、基準反射面についての分光反射率を被
検試料の測定と全く同じ光学系で行っているため、前記
の+11式に基づいて、2つの測定量1sp(λ) 、
1ref(λ)及び基準反射面の既知の分光反射率φr
ef(λ)から被検試料の反射率φsp (λ)を求め
ることが出来る。しかし、本発明の方法では基準反射面
Rを測定する光学系と被検試料3を測定する光学系が異
なるので、前記の(1)式はそのままでは使えない。
貰足王抜土
このため、本発明では基準対物レンズLmを、第3図に
示したごとく、基準反射面Rを保持している支持環12
0を対物レンズ鏡筒110に対して取りはずし可能とし
、基準対物レンズL5が測定用対物レンズL2と異なる
ことによる誤差を補正するための補正係数を求めておく
必要がある。
示したごとく、基準反射面Rを保持している支持環12
0を対物レンズ鏡筒110に対して取りはずし可能とし
、基準対物レンズL5が測定用対物レンズL2と異なる
ことによる誤差を補正するための補正係数を求めておく
必要がある。
そして、この補正係数を測定に用いる各測定用対物レン
ズに固有の量として記憶しておくことによって、第2図
の(A)と(B)とに示したように、測定用対物レンズ
と基準光学系とをレボルバ−31によって切換るだけの
簡単な操作によって、分光反射率の測定を行うことが可
能となる。即ち、第2図に示す如く、f<Lであるため
、物体位置に被検試料3を配置したまま、第2図の(A
>の如く基準光学系鏡筒100を配置することができ、
この状態で装置の補正を行なう。この時、基準反射面R
からの反射光を分光装置に導き、分光して反射光の強度
を波長の関数として求めることが出来る。次に第2図(
B)の状態に切換で被検試料3からの反射光の強度を同
様の手順で測定する。
ズに固有の量として記憶しておくことによって、第2図
の(A)と(B)とに示したように、測定用対物レンズ
と基準光学系とをレボルバ−31によって切換るだけの
簡単な操作によって、分光反射率の測定を行うことが可
能となる。即ち、第2図に示す如く、f<Lであるため
、物体位置に被検試料3を配置したまま、第2図の(A
>の如く基準光学系鏡筒100を配置することができ、
この状態で装置の補正を行なう。この時、基準反射面R
からの反射光を分光装置に導き、分光して反射光の強度
を波長の関数として求めることが出来る。次に第2図(
B)の状態に切換で被検試料3からの反射光の強度を同
様の手順で測定する。
ここで、まず第4図(A>(B)を参照して、装置の補
正係数の求め方について説明し、次ぎに第5図(A)(
B)を参照して、実際の測定の方法について説明する。
正係数の求め方について説明し、次ぎに第5図(A)(
B)を参照して、実際の測定の方法について説明する。
第4図は、測定用対物レンズと基準対物レンズとが異な
ることによる影響を打消す為の補正係数を求めるための
手順を説明する図である。第4図(A)の状態では前記
したように基準対物レンズ鏡筒から基準反射面Rの支持
環120を外して、測光状態の物体面に置き、測定用対
物レンズL2を通して基準反射面Rの反射光の分光強度
を測定する。第4図(B)の状態では、基準反射面Rの
支持環120を基準対物レンズ鏡筒110に装着して、
基準対物レンズLmをによって基準反射面の反射光の分
光強度を測定する。この時、それぞれの値について、 φ、(λ):光源の分光特性 φLl (λ):コンデンサレンズの分光i3過率φL
t (λ):測定用対物レンズの分光透過率φ14 (
λ):中間光学系の分光透過率φLm(λ):基準対物
レンズの分光透過率φD (λ):検出系の分光特性 Φ1.f(λ):基準反射面の分光反射率■ (λ)−
基準反射面Rの測定用対物レンズによる反射光の測定強
度−第4図(A)ビ(λ):基準反射面Rの基準対物レ
ンズによる反射光の測定強度−第4図(B)と置くと、
各測定強度l (λ)、ビ(λ)は次の様になる。
ることによる影響を打消す為の補正係数を求めるための
手順を説明する図である。第4図(A)の状態では前記
したように基準対物レンズ鏡筒から基準反射面Rの支持
環120を外して、測光状態の物体面に置き、測定用対
物レンズL2を通して基準反射面Rの反射光の分光強度
を測定する。第4図(B)の状態では、基準反射面Rの
支持環120を基準対物レンズ鏡筒110に装着して、
基準対物レンズLmをによって基準反射面の反射光の分
光強度を測定する。この時、それぞれの値について、 φ、(λ):光源の分光特性 φLl (λ):コンデンサレンズの分光i3過率φL
t (λ):測定用対物レンズの分光透過率φ14 (
λ):中間光学系の分光透過率φLm(λ):基準対物
レンズの分光透過率φD (λ):検出系の分光特性 Φ1.f(λ):基準反射面の分光反射率■ (λ)−
基準反射面Rの測定用対物レンズによる反射光の測定強
度−第4図(A)ビ(λ):基準反射面Rの基準対物レ
ンズによる反射光の測定強度−第4図(B)と置くと、
各測定強度l (λ)、ビ(λ)は次の様になる。
! (λ)・φ、(λ)φLl(λ)(φw (λ))
2・Φ7.f(λ)φ1.(λ)φ0(λ)・・・(2
)ビ(λ)−φ3(λ)φLl(λ)(φLll (λ
))2・Φ1..(λ)φ1.(λ)φ、(λ)・・・
(3)(2)式を(3)式によって除することにより■
(λ)/l’(λ)− (φLt(λ)/φLM(λ))2 ・・・(4)とな
る。
2・Φ7.f(λ)φ1.(λ)φ0(λ)・・・(2
)ビ(λ)−φ3(λ)φLl(λ)(φLll (λ
))2・Φ1..(λ)φ1.(λ)φ、(λ)・・・
(3)(2)式を(3)式によって除することにより■
(λ)/l’(λ)− (φLt(λ)/φLM(λ))2 ・・・(4)とな
る。
(4)式において、■ (λ)とI’(λ)との各測定
は比較的短時間で行なえば光源及び検出器の特性は一定
であると仮定して良い。
は比較的短時間で行なえば光源及び検出器の特性は一定
であると仮定して良い。
をとり、゛これがこの測定用対物レンズを用いた場合の
補正係数Cとなる。即ち、 ■ (λ) と定義される。この値は前記第4図(A)(B)の手順
であらかじめ測定してメモリーしておくことが出来る。
補正係数Cとなる。即ち、 ■ (λ) と定義される。この値は前記第4図(A)(B)の手順
であらかじめ測定してメモリーしておくことが出来る。
尚、上記の(2)及び′3)式においては、コンデンサ
レンズの分光透過率φLl (λ)として照明光学系全
体の透過率を代表させ、中間光学系の分光透過率φ5.
(λ)として対物レンズと分光装置の検出器りまでに介
在する光学系の透過率を代表させることとした。
レンズの分光透過率φLl (λ)として照明光学系全
体の透過率を代表させ、中間光学系の分光透過率φ5.
(λ)として対物レンズと分光装置の検出器りまでに介
在する光学系の透過率を代表させることとした。
次に、上記のようにして測定用対物レンズについての補
正係数Cが求められた後、通常の測定が行われ、第5図
(A)に示した基準対物レンズL8による補正のための
測定と、第5図(B)に示す測定用対物レンズL2によ
る被検試料の測定とが行われる。第5図(A)に示す状
態にて、基準反射面Rについて基準対物レンズを通して
測定し、次に第5図(B)の如き状態にて、測定用対物
レンズを通して被検試料3の反射光の強度を測定する。
正係数Cが求められた後、通常の測定が行われ、第5図
(A)に示した基準対物レンズL8による補正のための
測定と、第5図(B)に示す測定用対物レンズL2によ
る被検試料の測定とが行われる。第5図(A)に示す状
態にて、基準反射面Rについて基準対物レンズを通して
測定し、次に第5図(B)の如き状態にて、測定用対物
レンズを通して被検試料3の反射光の強度を測定する。
このとき一般に基準対物レンズの補正系数を決める第4
図(A)(B)の操作からは時間的経過があるため、光
源及び検出器の特性は変化しそれぞれ次のように置くこ
ととする。
図(A)(B)の操作からは時間的経過があるため、光
源及び検出器の特性は変化しそれぞれ次のように置くこ
ととする。
φ°、(λ):測定時の光源の分光特性φ゛。(λ):
測定時の検出系の分光特性i (λ):基準反射面Rの
測定用対物レンズによる反射光の測定強度−第5図(A
)1゛(λ):基準反射面Rの基準対物レンズによる反
射光の測定強度−第5図(B)従って、測定衣の各測定
強度i (λ)、i’(λ)は次の様に表される。
測定時の検出系の分光特性i (λ):基準反射面Rの
測定用対物レンズによる反射光の測定強度−第5図(A
)1゛(λ):基準反射面Rの基準対物レンズによる反
射光の測定強度−第5図(B)従って、測定衣の各測定
強度i (λ)、i’(λ)は次の様に表される。
i (λ)=φ’s(λ)φLl(λ) (φ1II(
λ))2・Φ1.f(λ)φL3φ゛D(λ) ・・・
(5)il(λ)=φ’s(λ)φLl(λ) (φL
i1 (λ))2・Φ□(λ)φ1.φ°。(λ)
・・・(6)上記(6)式を(5)式で除すれば、 il(λ)/i (λ)= (φL!(λ)/φLR(λ))2・Φ1.(λ)/Φ
、。、(λ)・・・(7) (4)式を代入し、整理すると となる。従って、上記(8)式は となり、前記(1)弐と同様の形になって2つの測定M
i ’ (λ)、i (λ)と既知の量である補正係
数Cとφro?(λ)より被検試料の分光反射率が求ま
る。従って、実際の測定の際には第7図(A)(B)の
手順のみで良い。
λ))2・Φ1.f(λ)φL3φ゛D(λ) ・・・
(5)il(λ)=φ’s(λ)φLl(λ) (φL
i1 (λ))2・Φ□(λ)φ1.φ°。(λ)
・・・(6)上記(6)式を(5)式で除すれば、 il(λ)/i (λ)= (φL!(λ)/φLR(λ))2・Φ1.(λ)/Φ
、。、(λ)・・・(7) (4)式を代入し、整理すると となる。従って、上記(8)式は となり、前記(1)弐と同様の形になって2つの測定M
i ’ (λ)、i (λ)と既知の量である補正係
数Cとφro?(λ)より被検試料の分光反射率が求ま
る。従って、実際の測定の際には第7図(A)(B)の
手順のみで良い。
遣定王抜1
上記一連の説明では、基準反射面の分光反射率Φrar
(λ)として補正基準対物レンズの反射率を用いたが、
任意の分光反射率を持つ物質を基準反射面Rとして用い
ることによって、同様の手順で装置の補正をする事も可
能である。この場合、基準対物レンズから基準反射面R
をとり外すことなく補正係数Cを求める事ができる。
(λ)として補正基準対物レンズの反射率を用いたが、
任意の分光反射率を持つ物質を基準反射面Rとして用い
ることによって、同様の手順で装置の補正をする事も可
能である。この場合、基準対物レンズから基準反射面R
をとり外すことなく補正係数Cを求める事ができる。
特に半導体製造工程で使用する場合のように基準物質(
たとえばS+)の分光反射率が既知である試料がある場
合は有効である。つまり、第6図(A)の測定において
基準反射面Rのかわりに、基準物質をシリコンSt と
して、その分光反射率Φ1(λ)が既知であるとする。
たとえばS+)の分光反射率が既知である試料がある場
合は有効である。つまり、第6図(A)の測定において
基準反射面Rのかわりに、基準物質をシリコンSt と
して、その分光反射率Φ1(λ)が既知であるとする。
この場合、前記第4図(A>及び(B)に示した測定用
対物レンズの補正係数Cを求める手順において、特に第
4図(A>の測定用対物レンズを用いて基準反射面Rの
反射光強度■ (λ)を求める代わりに、法準物質とし
てのシリコンの反射光強度I (λ)を求める点のみが
異なる。
対物レンズの補正係数Cを求める手順において、特に第
4図(A>の測定用対物レンズを用いて基準反射面Rの
反射光強度■ (λ)を求める代わりに、法準物質とし
てのシリコンの反射光強度I (λ)を求める点のみが
異なる。
この場合の補正係数をC′とおけば、上記(9)式は以
下の01式のようになる。
下の01式のようになる。
i (λ)
従って、基準反射面Rの分光反射率Φ、。f (λ)が
未知であっても安定なものでありさえすれば良く、前記
第5図(A)(B)に示した測定手順と同様にして、被
検試料の測定を正確かつ簡単に行うことが可能である。
未知であっても安定なものでありさえすれば良く、前記
第5図(A)(B)に示した測定手順と同様にして、被
検試料の測定を正確かつ簡単に行うことが可能である。
以下この第2の測定手法の詳細について説明する。
第4図(A)の手順において、基準反射面Rの代わりに
、基準物質としてのシリコンStを配置し、その分光反
射率をφ□(λ)とすれば、上記(2)式及び(3)式
は、それぞれ ■ (λ)・φ、(λ)φ1.(λ)(φL2 (λ)
)2、Φ5.(λ)φ、3(λ)φ、(λ)・・・0υ
1’(λ)・φ、(λ)φLl(λ)(φL11 (λ
))2・Φrot(λ)φ1.(λ)φ、(λ)・・・
aのとなる。
、基準物質としてのシリコンStを配置し、その分光反
射率をφ□(λ)とすれば、上記(2)式及び(3)式
は、それぞれ ■ (λ)・φ、(λ)φ1.(λ)(φL2 (λ)
)2、Φ5.(λ)φ、3(λ)φ、(λ)・・・0υ
1’(λ)・φ、(λ)φLl(λ)(φL11 (λ
))2・Φrot(λ)φ1.(λ)φ、(λ)・・・
aのとなる。
(111式を(2)式によって除することにより!’(
λ) φL11(λ) Φrat(j)とな
り、この値が基準反射面R以外に分光反射率が既知の基
準物質を用いて、装置の較正を行う場合の補正係数C′
となる。
λ) φL11(λ) Φrat(j)とな
り、この値が基準反射面R以外に分光反射率が既知の基
準物質を用いて、装置の較正を行う場合の補正係数C′
となる。
次ぎに、第5図(A)及び(B)に示した実際の測定に
おいて、基準反射面Rの測定強度i (λ)及び被検試
料3の測定強度i’(λ)は、それぞれ前記(5)式及
び(6)式と同様であり、前記(7)式より・ ・・・Q4) となる。ここで、上記測成より、 φ[2(λ) l(λ) Φraf(λ)と
なり、これを上記Oa式に代入すれば、i (λ)
I(λ) となる。従って、 となる、ここで、 ビ(λ)/■ (λ) は装置に固
有の値であり、補正係数C′として、1’(λ)/】(
λ)−〇′ と圓けば、 i (λ) となり、この式は上記01式に他ならない。
おいて、基準反射面Rの測定強度i (λ)及び被検試
料3の測定強度i’(λ)は、それぞれ前記(5)式及
び(6)式と同様であり、前記(7)式より・ ・・・Q4) となる。ここで、上記測成より、 φ[2(λ) l(λ) Φraf(λ)と
なり、これを上記Oa式に代入すれば、i (λ)
I(λ) となる。従って、 となる、ここで、 ビ(λ)/■ (λ) は装置に固
有の値であり、補正係数C′として、1’(λ)/】(
λ)−〇′ と圓けば、 i (λ) となり、この式は上記01式に他ならない。
この式において、基準反射面Rの反射率Φrat(λ)
は何ら関与しておらず、被検試料3の反射率φ□(λ)
の測定に際しては、基準反射面Rの反射率は既知である
必要がない。シリコンの分光反射率Φ1.(λ)が既知
でありさえすれば、基準反射面Rの分光反射率が未知で
あっても測定が可能である。そして、第7図(A)(B
)の実際の測定時に、基準光学系と測定対物レンズ鏡筒
との切換の際に基準反射面Rの特性に変化がなければよ
く、実用上は極めて暗度良い測定が可能となる。
は何ら関与しておらず、被検試料3の反射率φ□(λ)
の測定に際しては、基準反射面Rの反射率は既知である
必要がない。シリコンの分光反射率Φ1.(λ)が既知
でありさえすれば、基準反射面Rの分光反射率が未知で
あっても測定が可能である。そして、第7図(A)(B
)の実際の測定時に、基準光学系と測定対物レンズ鏡筒
との切換の際に基準反射面Rの特性に変化がなければよ
く、実用上は極めて暗度良い測定が可能となる。
尚、シリコン等の分光反射率が理論的に求められている
物質を基準物質として用いるに際して、測定用対物レン
ズの開口数(N、^、)が大きい場合には、その分光反
射率φ、!(λ)として、開口数を考慮して理論分光反
射率を求めることが望ましい。
物質を基準物質として用いるに際して、測定用対物レン
ズの開口数(N、^、)が大きい場合には、その分光反
射率φ、!(λ)として、開口数を考慮して理論分光反
射率を求めることが望ましい。
このような本発明における第2の測定手法によれば、シ
リコンSi等の分光反射率が正確に既知となっている物
質を基準物質として用いることによって、測定をより簡
単に行うことが可能となる。
リコンSi等の分光反射率が正確に既知となっている物
質を基準物質として用いることによって、測定をより簡
単に行うことが可能となる。
尚、上記の各測定手法においては、測定用対物レンズが
異なる倍率の複数を用いる場合には、補正係数は個々の
対物レンズ毎にそれぞれ予め求めておくことが必要であ
る。そして、複数の測定用対物レンズのうち使用する測
定用対物レンズに固有の補正係数を用い、上記(9)式
或いは01式に基づいて、被検試料の分光反射率を求め
ることは言うまでもない。
異なる倍率の複数を用いる場合には、補正係数は個々の
対物レンズ毎にそれぞれ予め求めておくことが必要であ
る。そして、複数の測定用対物レンズのうち使用する測
定用対物レンズに固有の補正係数を用い、上記(9)式
或いは01式に基づいて、被検試料の分光反射率を求め
ることは言うまでもない。
第6図は上述の測定手法lについての測定手順を示す図
であり、第7図は測定手法2の手順を示す図である。各
手順図としては、成る1つの測定用対物レンズを用いる
場合の手順のみを示したが、複数の測定用対物レンズを
用いる場合には、各測定用対物レンズに固有の補正係数
を同様の手順にて求めておき、それぞれについて補正を
行うことは前述の通りである。
であり、第7図は測定手法2の手順を示す図である。各
手順図としては、成る1つの測定用対物レンズを用いる
場合の手順のみを示したが、複数の測定用対物レンズを
用いる場合には、各測定用対物レンズに固有の補正係数
を同様の手順にて求めておき、それぞれについて補正を
行うことは前述の通りである。
第6図に示すとおり、基準反射面として基準光学系に内
蔵される基準反射面Rを用いる測定手法1の場合には、
まずステップS、において、基準光学系鏡筒から基準反
射面Rを取り外して測定用対物レンズで強度I (λ)
を測定し、ステップSすにて、基準対物レンズを通して
基準反射面Rの強度1’ (λ)を測定する。ステッ
プS、では、前記(4)式により補正係数Cを求める。
蔵される基準反射面Rを用いる測定手法1の場合には、
まずステップS、において、基準光学系鏡筒から基準反
射面Rを取り外して測定用対物レンズで強度I (λ)
を測定し、ステップSすにて、基準対物レンズを通して
基準反射面Rの強度1’ (λ)を測定する。ステッ
プS、では、前記(4)式により補正係数Cを求める。
この補正係数Cの値はステップS、にて記憶される。ス
テップSlからステップS4までにより、測定用対物レ
ンズについての補正係数Cが求められる。次ぎに、実際
の測定においては、ステップS、で基準光学系にて基準
反射面Rの強度i (λ)が測定され、ステップS、に
て測定用対物レンズにより被検試料の強度i/ (λ
)が測定され、ステップS、にて、上記(9)式に基づ
いて被検試料の反射率Φ、2(λ)が求められる。
テップSlからステップS4までにより、測定用対物レ
ンズについての補正係数Cが求められる。次ぎに、実際
の測定においては、ステップS、で基準光学系にて基準
反射面Rの強度i (λ)が測定され、ステップS、に
て測定用対物レンズにより被検試料の強度i/ (λ
)が測定され、ステップS、にて、上記(9)式に基づ
いて被検試料の反射率Φ、2(λ)が求められる。
第7図に示すように、シリコンSi等の分光反射率が理
論的にも正確に求められている物質を基準として用い場
合の測定手法2の場合には、まずステップS1において
、測定用対物レンズで基準物質としてのシリコンの強度
■ (λ)を測定し、ステップS、にて、基準対物レン
ズを通して基準反射面Rの強度1’ (λ)を測定す
る。ステップS3では、前記G1式により補正係数C′
を求める。
論的にも正確に求められている物質を基準として用い場
合の測定手法2の場合には、まずステップS1において
、測定用対物レンズで基準物質としてのシリコンの強度
■ (λ)を測定し、ステップS、にて、基準対物レン
ズを通して基準反射面Rの強度1’ (λ)を測定す
る。ステップS3では、前記G1式により補正係数C′
を求める。
この補正係数C′の値はステップS4にて記憶される。
ステップSlからステップS4までにより、基準物質と
してシリコンを用いた場合の測定用対物レンズについて
の補正係数C′が求められる。
してシリコンを用いた場合の測定用対物レンズについて
の補正係数C′が求められる。
そして、被検試料についての実際の測定は、第6図に示
した場合と同様のステップS、からステ。
した場合と同様のステップS、からステ。
ブS7によってなされ、ステップS7による被検試料の
反射率Φ3.〈λ)が、上記OI式によって求められる
。
反射率Φ3.〈λ)が、上記OI式によって求められる
。
上記の各手順においては、第1図に示した実施例の概略
構成図に示す如く、ステップS+、Szの測定値に基づ
くステップS、での補正係数Cの計算は演算手段40で
なされ、ステップS4での記憶は記憶手段50に格納さ
れ、ステップS1と82との切換のための測定用対物レ
ンズ鏡筒101と基準光学系鏡筒100との切換も演算
手段40を含むコンピュータ60によって自動的になさ
れる構成とすることが望ましい。そして、実際の測定に
おいても、コンピュータ60により、ステップSSとス
テップS、との切換、及び補正係数を記憶手段60から
呼び出して計算するステップS。
構成図に示す如く、ステップS+、Szの測定値に基づ
くステップS、での補正係数Cの計算は演算手段40で
なされ、ステップS4での記憶は記憶手段50に格納さ
れ、ステップS1と82との切換のための測定用対物レ
ンズ鏡筒101と基準光学系鏡筒100との切換も演算
手段40を含むコンピュータ60によって自動的になさ
れる構成とすることが望ましい。そして、実際の測定に
おいても、コンピュータ60により、ステップSSとス
テップS、との切換、及び補正係数を記憶手段60から
呼び出して計算するステップS。
の各操作も自動的に行うことが望ましい。そして、キー
ボード70により所定の被検試料に対して所望の測定用
対物レンズを用いて被検試料の各部位について自動測定
するための手順を支持するように入力することとし、全
ての操作を自動化することも可能である。
ボード70により所定の被検試料に対して所望の測定用
対物レンズを用いて被検試料の各部位について自動測定
するための手順を支持するように入力することとし、全
ての操作を自動化することも可能である。
以上の様に本発明によれば、被検試料を試料面上に置い
たまま装置の補正が可能であり、従来の如く被検試料の
代わりに所定の基準反射面をセツティングする等の手間
が省略でき、測定能率が向上する。また、本発明では、
基準反射面を基準対物レンズ鏡筒内に組み込む為、汚れ
等の付着の可能性が少なく、基準反射面の特性が変化し
にくいという利点もある。
たまま装置の補正が可能であり、従来の如く被検試料の
代わりに所定の基準反射面をセツティングする等の手間
が省略でき、測定能率が向上する。また、本発明では、
基準反射面を基準対物レンズ鏡筒内に組み込む為、汚れ
等の付着の可能性が少なく、基準反射面の特性が変化し
にくいという利点もある。
また、半導体製造工程の膜厚管理等でゴミの付着を特に
きらう場合は、電動ターレット及びウェハーローダ−等
を組み合わせることによって自動測定を行う場合が多く
、このような自動運転中にも適当な時に装置の状態を補
正することも可能になり、大幅な自動化及び高精度化が
可能になる。
きらう場合は、電動ターレット及びウェハーローダ−等
を組み合わせることによって自動測定を行う場合が多く
、このような自動運転中にも適当な時に装置の状態を補
正することも可能になり、大幅な自動化及び高精度化が
可能になる。
さらに、対物レンズごとに補正係数C或いはC′をメモ
リーする事により、対物レンズに起因する相異量を補正
する事ができるため、測定用対物レンズを変更するたび
にキャリプレーシランを実行する必要はなく、連続して
測定用対物レンズを変換して倍率を変更し、試料上の任
意の各部を測定する事が可能である。
リーする事により、対物レンズに起因する相異量を補正
する事ができるため、測定用対物レンズを変更するたび
にキャリプレーシランを実行する必要はなく、連続して
測定用対物レンズを変換して倍率を変更し、試料上の任
意の各部を測定する事が可能である。
第1図は本発明によるSJi微反射分光装置の概略構成
図、第2図(A)(B)はレボルバ−による基準光学系
鏡筒と測定用対物レンズ鏡筒との切換の様子を示す説明
図、第3図は基準光学系鏡筒の具体的構成例を示す断面
図、第4図(A)(B)は補正係数を求める手法を示す
説明図、第5図(A)(B)は実際の測定の操作を示す
説明図、第6圀は測定手法lの手順の説明図、第7図は
測定手法2の手順の説明図、第8図(A)は被検試料に
ついての測定される強度特性の例を示し、第8図(B)
は物理量として求められる被検試料の分光反射率特性の
例を示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕 lO・・・顕微鏡装置 20・・・分光測光手段 30・・・切換手段(レボルバ−) 31a・・・レボルバ−胴付面 L2・・・測定用対物レンズ 3・・・被検試料 出願人 日本光学工業株式会社 代理人 弁理士 渡 辺 隆 男 ′10 第1 図 (A) (f3) 第2図 第5図 測定値 I (λ) φ、(λ) Φrat(λ) (A) 第4 測′〒値 1’ (λ) Φref(λ) (B’) 図 把1定値 i−←リー Φref(λ) (A) 第5図 月11」ニー財と φ0(λ) Φsr(λ) (B)
図、第2図(A)(B)はレボルバ−による基準光学系
鏡筒と測定用対物レンズ鏡筒との切換の様子を示す説明
図、第3図は基準光学系鏡筒の具体的構成例を示す断面
図、第4図(A)(B)は補正係数を求める手法を示す
説明図、第5図(A)(B)は実際の測定の操作を示す
説明図、第6圀は測定手法lの手順の説明図、第7図は
測定手法2の手順の説明図、第8図(A)は被検試料に
ついての測定される強度特性の例を示し、第8図(B)
は物理量として求められる被検試料の分光反射率特性の
例を示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕 lO・・・顕微鏡装置 20・・・分光測光手段 30・・・切換手段(レボルバ−) 31a・・・レボルバ−胴付面 L2・・・測定用対物レンズ 3・・・被検試料 出願人 日本光学工業株式会社 代理人 弁理士 渡 辺 隆 男 ′10 第1 図 (A) (f3) 第2図 第5図 測定値 I (λ) φ、(λ) Φrat(λ) (A) 第4 測′〒値 1’ (λ) Φref(λ) (B’) 図 把1定値 i−←リー Φref(λ) (A) 第5図 月11」ニー財と φ0(λ) Φsr(λ) (B)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)被検試料の拡大像を所定位置に形成するための測定
用対物レンズと、前記所定位置に形成される物体像の少
なくとも一部の光束を取り入れて分光測光するための分
光測光手段と、基準対物レンズと該基準対物レンズの物
体側に一体的に設けられた基準反射面とを有して該基準
反射面の像を前記物体像の形成される所定位置に形成す
るための基準光学系と、前記測定用対物レンズによる被
検試料像と前記基準光学系による前記基準反射面の像と
のそれぞれの光束を前記分光測光手段へ択一的に導くた
めの切換手段とを有することを特徴とする顕微反射分光
装置。 2)前記切換手段は、前記測定用対物レンズと前記基準
光学系とを交換することを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の顕微反射分光装置。 3)前記切換手段は、前記測定用対物レンズと前記基準
光学系とを回転動作によって切り換えるレボルバーであ
り、前記基準光学系の基準反射面から該基準光学系の前
記レボルバー胴付面までの距離は、前記被検試料面から
前記測定用対物レンズの前記レボルバー胴付面までの距
離より小さいことを特徴とする特許請求の範囲第2項記
載の顕微反射分光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62299425A JP2623613B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 顕微反射分光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62299425A JP2623613B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 顕微反射分光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01141323A true JPH01141323A (ja) | 1989-06-02 |
JP2623613B2 JP2623613B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=17872401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62299425A Expired - Lifetime JP2623613B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 顕微反射分光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2623613B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006153764A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Nikon Corp | 分光装置 |
JP2017015488A (ja) * | 2015-06-30 | 2017-01-19 | 株式会社ニコン | 撮像装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012128113A1 (ja) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | コニカミノルタセンシング株式会社 | 反射特性測定装置、および反射特性測定方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5533542A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-08 | Matsushita Electric Works Ltd | Dry preservation container |
JPS56155832A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-02 | Olympus Optical Co Ltd | Measuring method for absorbance |
JPS6134429A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-18 | Hitachi Ltd | 分光光度計 |
JPS61273516A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-03 | Japan Spectroscopic Co | フ−リエ変換顕微鏡 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP62299425A patent/JP2623613B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2017015488A (ja) * | 2015-06-30 | 2017-01-19 | 株式会社ニコン | 撮像装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2623613B2 (ja) | 1997-06-25 |
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