JPH01250708A - 薄膜パターンの検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、薄膜パターンが形成された試料面に光を照射
し、その反射光または透過光を受光検知することによっ
て、前記薄膜パターンを検出する装置に係り、特に、試
料面に形成された薄膜の光学的効果によって、その反射
光または透過光に干渉現象が生じるような試料上の薄膜
パターンを検出するのに適した装置に関する。

〈従来の技術〉 近年、半導体装置製造分野あるいは液晶表示装置製造分
野などにおいて、基板上に形成された薄膜パターンを光
学的に検出する種々の装置が使用されている。

例えば、フォトリソグラフィー工程において使用される
プロキシミティ露光装置の場合、顕微鏡の対物レンズを
介して、基板および該基板に近接配置されたフォトマス
クに可視白色光を照射し、それぞれの反射光を受光検知
することによって、基板上に予め形成されているアライ
メントマークと、フォトマスク上のマスク用アライメン
トマークとの相対的な位置関係を検出し、その相対的な
位置のずれを修正して前記アライメントマーク間の位置
合わせを行っている。

〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、液晶表示装置のように、ガラス基板上に
透明電極膜パターンが形成され、その上にフォトレジス
ト、特に、ポジ型のフォトレジストが塗布された基板な
どを露光する場合には、フォトレジスト表面、フォトレ
ジストとガラス基板との界面、透明電極膜パターンの表
面、透明電極膜パターンとガラス基板との界面でそれぞ
れ反射された光が干渉し、しかも、その干渉光の強度は
、フォトレジストの膜厚や透明電極膜パターンの膜厚の
バラツキに伴って変化するために、観察像のコントラス
トが低下して、透明電橋膜パターンを精度良く検出する
ことができなかったり、パターン形状を誤って検出して
しまうという問題点がある。このような問題点は、上述
のような液晶表示装置用の基板のみならず、他のＦｉｒ
Ｉａパターンが形成される基板においても生じ得ること
である。

本発明は、このような問題点を解決するためになされた
ものであって、試料面に形成されたＩＪｌＩ！Ｊの光学
的効果によって、その反射光または透過光に干渉現象が
生じるような試料上の薄膜パターンを検出する際に、観
察像のコントラストを改善して、薄膜パターンの検出を
容易かつ精度よく行うことができる薄膜パターンの検出
装置を提供することを目的としている。

く問題点を解決するための手段〉 本発明は、このような目的を達成するために、次のよう
な構成をとる。

即ち、本発明に係る第１装置は、薄膜パターンが形成さ
れた試料面に光を照射し、その反射光または透過光を受
光検知することによって、前記薄膜パターンを検出する
装置において、前記受光検知される反射光または透過光
の波長帯を変移させる波長帯変移手段を備えたものであ
る。

また、本発明に係る第２装置は、波長帯変移手段によっ
て、受光検知される光の波長帯を変移設定し、各波長帯
における画像データに基づいて、各画像のコントラスト
を検出し、そのうちから所望のコントラストを与える波
長帯を求め、受光検知される光がこの波長帯になるよう
に、波長帯変移手段を制御するものである。

さらに、本発明に係る第３装置は、波長帯変移手段によ
って、受光検知される光の波長帯を変移設定し、各波長
帯における画像データを、それぞれ複数個のブロックに
分割し、位置的に対応した各群のブロックについて、所
望のコントラストをもつブロックそれぞれを検出し、そ
れらのブロックを合成して、一つの観察画像を得るもの
である。

以下、本発明に共通する原理を、ポジ型フォトレジスト
膜が塗布されたガラス基板上の透明電極膜パターンを検
出する場合を例にとって説明する。

第１０図は、薄膜パターンが形成された試料Ｓの断面図
である。

図中、符号ｌはガラス基板、２はガラス基板１上に形成
された透明電極膜パターン、３ばガラス基板１に塗布さ
れたポジ型のフォトレジスト膜である。このような試料
Ｓに観察用の照明光Ｌ０を照射したときの反射率は、次
のようになる。

（１）透明電極膜パターン２が形成されていない部分（
以下、フォトレジスト膜部分と称する）での反射率は、 ■　フォトレジスト膜３の表面（空気との境界面）から
の反射光り、と、 ■　フォトレジスト膜３とガラス基（反ｌとの境界面か
らの反射光Ｌ２と の干渉光の強度によって決まる。

（２）透明電極膜パターン２が形成されている部分（以
下、透明電極膜部分と称する）での反射率は、 ■　フォトレジスト膜３の表面（空気との境界面）から
の反射光り、と、 ■　透明電極膜パターン２とフォトレジスト膜３との境
界面からの反射光Ｌ４と、 ■　透明電極膜パターン２とガラス基板ｌとの境界面か
らの反射光し、と の干渉光の強度によって決まる。

それぞれの屈折率が一定であるとすれば、前記各反射率
は、透明電極膜パターン２およびフォトレジスト膜３の
厚み、および、受光検知される光の波長によって決定さ
れる。

第１１図は、フォトレジスト膜部分での分光反射率を示
している。ただし、反射率は、ガラス基板の反射率をｌ
として示されており、後に説明する第１２図〜第１４図
についても同様である。

第１１図より明らかなように、反射光Ｌ１と反射光Ｌ２
との位相が強め合う波長では反射率が高くなり、逆に、
位相が弱め合う波長では反射率が低くなっている。また
、フォトレジスト膜３の膜厚が変わると、同図に示した
分光反射率曲線のピークの位置が左右に移動するととも
に、その周期も変化する。

これに対し、第１０図では示されていないが、ガラス基
板１上に透明電極膜パターン２のみがある場合（フォト
レジスト膜３がない場合）の分光反射率は、第１２図の
ようになる。

第１２図より明らかなように、透明電極膜パターン２は
、その膜厚がｌθ〜４０ｎｍ程度の薄ＩＩ９であるから
、いわゆる可視領域において、第１１図に示したような
分光反射率曲線のピークが現れず、短波長になるに従っ
て反射率が単調に増加するだけである。この場合、透明
電極膜パターン２の厚みの変化は、反射率の増加の割合
の変化となって現れる。

透明電極膜パターン２の上にフォトレジスト膜３がある
部分（透明電極膜部分）の分光反射率曲線は、定性的に
は、第１１図と第１２図との曲線を合わせたもので、第
１３図に実線で示したような曲線へになる。なお、第１
３図に示した鎖線Ｂは、第１１図に示したフォトレジス
ト膜部分の分光反射率の曲線を参考的に示したものであ
る。

第１３図より明らかなように、透明電極膜部分の曲線Ａ
は、フォトレジス）Ｊｌｆｆ部分の曲＊Ｂに比較して、
短波長側で反射率の変化が大きく、また、反射率の平均
値も大きくなっている。

曲線Ａと曲線Ｂとが交差しているということは、波長帯
によって、透明電極膜部分の反射率が、フォトレジスト
膜部分の反射率よりも高くなる場合と低くなる場合とが
あることを示している。また、曲線Ａと曲線Ｂとが交差
している波長では、前記画部分における反射率に差がな
く、コントラストがとれないことを示している。

また、各曲線Ａ、Ｂのピーク位置と周期は、フォトレジ
スト膜３および透明７１極膜パターン２の各膜厚に応じ
て変化し、このような変化は、異なった基板間で生じる
ばかりでなく、同一基板内においても生じる。

ところで、透明電極部分（または、フォトレジスト膜部
分）の分光反射率の平均値（以下、平均反射率と称する
）は、曲線Ａ（または曲線Ｂ）を、受光検知される光の
波長帯の間で積分するごとによって知ることができる。

即ち、曲線Ａ（または曲線Ｂ）と、横軸、および受光検
知される光の波長帯の両端とで囲まれた領域の面積が、
その波長帯での平均反射率を示すことになる。

このことから、波長帯を変移させる手段を備えていない
従来装置によれば、受光検知される光の波長帯は例えば
第１３図に示したように、４００ｎｍ〜８００ｎｍの可
視領域に固定されるから、曲線Ａと曲線Ｂとでは平均反
射率に大きな差がなく、コントラストの差として光学的
に透明電極膜パターン２を検出することが困難であるこ
とが理解できる。

一方、第１３図において斜線領域で示したように、受光
検知される光を短波長側の適当な波長帯に変移させた場
合、透明電極膜部分の曲線Ａの平均反射率は、フォトレ
ジスト膜部分の曲線Ｂのそれよりもかなり高くなってい
る。このことは、透明電極膜部分が、フォトレジスト膜
部分よりも明るく観察されることを意味する。

次に、上述の説明では触れなかった受光検知される光の
バンド幅について説明する。

受光検知される光のバンド幅をあまり広（設定すると、
透明電極膜部分とフォトレジスト膜部分との間で平均反
射率の差、即ち、コントラストが小さくなるので、バン
ド幅を広げ過ぎるのは好ましくない、一方、バンド幅を
あまり狭く設定すると、薄膜パターンの膜厚のバラツキ
の影響が大きくなる。以下、第１４図を参照して説明す
る。

同図に斜線で示したようにバンド幅を相当狭く設定した
場合、基板上のある領域では、例えば、第１４図（ａ）
に示すように、曲線Ａの平均反射率が、曲線Ｂの平均反
射率よりも相当大きくなって、透明電橋膜パターン２を
明瞭に観察することができる。しかし、上述したように
、同一基板内においても、透明電極膜パターン２やフォ
トレジスト膜３の膜厚にバラツキがあるので、曲線Ａや
曲線Ｂのピークあるいは周期が変化する。

例えば、同一基板内の別の領域において、曲線Ａ、Ｂが
、第１４図Φ）に示すような曲線Ａ’、Ｂ’に変化した
とする。この場合、第１４図（ａ）と同じ波長帯の光で
観察すると、曲線Ａ′の平均反射率と曲線Ｂ′の平均反
射率との差がほとんどなく、コントラストが低下して透
明電極膜パターン２を光学的に検出することができない
、そこで、このような場合には、受光検知される光の波
長帯を第１４図（ｂ）に示したように２点鎖線に囲まれ
た波長帯にまで変移させることによって、透明電極膜パ
ターン２を観察することができる。

以上のことから、反射光に干渉が生じていても、受光検
知される光の波長帯を適当なところに変移させれば、観
察画像のコントラストが高くなり、透明電極膜パターン
２を光学的に検出できることがわかる。

く作用〉 本発明の第１装置によれば、受光検知される反射光また
は透過光の波長帯を変移させることによって、最もコン
トラストが良好なところで薄膜パターンが検出される。

また、第２装置によれば、コントラスト検出手段によっ
て、揚傷領域内のコントラストが最大となるように、波
長帯変移手段が制御されるので、例えば、描像領域ごと
にＴｌｉ膜パターンの膜厚にバラツキがあっても、コン
トラストが常に良好な状態で薄膜パターンが検出される
。

さらに、第３装置によれば、各波長帯ごとに得られた画
像をそれぞれ複数のブロックに分割し、そのうちの所望
のコントラストを与えるブロックを合成して一つの観察
画像を作成しているから、撮像領域内で薄膜パターンの
膜厚のバラツキかあっても、良好な状態で薄膜パターン
が検出される。

〈実施例〉 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１１」ｂ乞１１桝 第１図は、本発明の第１装置に係る実施例を示した概略
図である。

図中、符号Ｓは薄膜パターンが形成された試料であって
、例えば、第１０図において示したような液晶表示素子
基板である。

本実施例に係る薄膜パターンの検出装置は、例えば可視
光を照射する光源１０、波長帯変移部１２、観察光学系
１４、反射光を受光検知する撮像部１６などを含む、撮
像部１６としては、例えば、二次元ＣＣＤカメラなどが
使用される。この撮像部１６は、図示しないモニタテレ
ビなどに接続される。

波長帯変移部１２は、本実施例の特徴部分であって、光
源１０からの照射光りから、適当な波長帯をもつ光Ｌ′
を選択する機構を備えている。

以下、第２図〜第４図を参照して、波長帯変移部１２の
構成例を説明する。

第２図は、複数枚の帯域フィルタを使用した構成例であ
る。この構成例では、間欠的に回動駆動される回転板１
８に、それぞれ異なる波長帯の光を通過させる複数枚の
帯域フィルタ２０ａ、２０ｂ、・・・・・・を取り付け
ることによって、任意の帯域フィルタを、照射光りの光
路中にセットできるように構成されている。

この例によれば、オペレータが、例えばモニタテレビあ
るいは接眼鏡を見ながら、回転板！８を操作して各帯域
フィルタ２０ａ、２０ｂ、・・・・・・について観察像
のコントラストを確認することによって、最も明瞭な画
像を得られる帯域フィルタが選択される。

第３図は、プリズムモノクロメータを使用した例である
。この構成例では、光源１０から照射された光りを、入
ロスリット２２→凹面鏡２４→プリズム２６→反射鏡２
８→プリズム２６→凹面鏡２４→反射鏡３０→出ロスリ
ント３２を介して出射するようにしている。プリズム２
６は１！動可能に構成されており、その１工動角度を変
えることによって、出口スリット３２から所望の波長帯
の光Ｌ′が出射される。

この例によれば、第２図において説明した例と同様に、
最も良好なコントラストが得られるように、プリズム２
６の揺動角度が設定される。

なお、同図に示した出口スリット３２は、スリット幅を
任意に変えることができるように構成されている。した
がって、例えば、プリズム２６の揺動角度を設定した後
に、出口スリット３２のスリット幅を適当な幅に設定す
ることによって、さらに良好なコントラストを得ること
ができる。

また、この例でプリズム２６を揺動可能に構成すること
によって、出射光Ｌ′の波長帯を変移するように構成し
たが、プリズム２６を固定する代わりに出ロスリット３
２全体を水平移動可能に構成することによっても、出射
光Ｌ′の波長帯を変移をさせることができる。

さらに、この例の各部は種々変更実施可能であり、例え
ば、光源１０からの照射光りをプリズム２６に直接入射
させるように構成してもよい。

第４図は、回折格子モノクロメータを使用した例である
。この例では、回折格子３４を揺動可能に構成すること
によって、出射光Ｌ′の波長帯を変移させている。その
他の構成および作用は、第３図に示した例と同様である
。

以上のように、第１図に示した薄膜パターンの検出装置
は、試料Ｓに形成された薄膜パターンの膜厚のバラツキ
が比較的に小さい場合には、オペレータがそれほど頻繁
に波長帯変移部１２を操作する必要がないから、このよ
うな試料Ｓについは筒便な構成である本装置が適してい
る。

策ｌ盟亙勿災施炭 第５図は、本発明の第２装置に係る実施例の概略構成図
である。同図において、第１図と同一符号で示した部分
は、前述した第１装置と同じ構成であるから、ここでの
説明は省略する。

この実施例の特徴は、撮像部１６から出力される画像信
号をＡ／Ｄ変換器３６によってデジタル信号に変換して
、マイクロコンピュータ３８に取り込み、観察像のコン
トラストが最大になるように、マイクロコンピュータ３
８によって波長帯変移部１２を制御することにある。

マイクロコンビエータ３８は、入出力インターフエイス
４０．　　ＣＰ　Ｕ　（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓ
ｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）４２、ＲＯＭ　（Ｒｅａｄ　０ｎ
ｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）　４４．　　ＲＡＭ　（Ｒａｎｄ
ｏｍＡｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）　４６を含む。ＲＡ
Ｍ４６は、本発明の構成における画像データ記憶手段に
対応し、ＣＰＵ４２は、本発明の構成におけるコントラ
スト検出手段および制御手段に対応している。

以下、第６図に示した動作フローチャートに従って説明
する。

この実施例では、波長帯変移部１２からの出射光Ｌ′の
中心波長をλ１〜λ工の範囲内（例えば、可視光領域内
）で、一定の波長間隔（例えば、１０ｎｍ間隔）で変移
させる。

まず、波長帯変移部１２から中心波長がλ、の出射光Ｌ
′が照射される。このとき描像部１６によって検出され
た試料Ｓの画像データは、Ａ／Ｄ変換器３６を介してマ
イクロコンピュータ３８内に取り込まれて、ＲＡＭ４６
に格納される（ステップＳ１）。

第７図は、ＲＡＭ４６に格納された画像データを模式的
に示したもので、図中の斜辺領域は試料Ｓに形成された
薄膜パターンの画像データに対応している。

ＲＡＭ４６に画像データが取り込まれると、まず、Ｘ方
向の隣接画素間の画像データの差分の絶対値を順次算出
する（ステップＳ２）、そして、Ｘ方向の差分の絶対値
の加算値δ□（ｉ＝ｌｘｎ：ｎはＸ方向の画素数）を各
行ごとに算出しくステップＳ３）、加算値δ□の総和Σ
δ８゜を求める（ステップＳ４）。

次に、Ｘ方向と同様にして、Ｘ方向についての隣接画素
間の差分の絶対値を求め（ステップＳ５）、各列ごとの
差分の絶対値の加算値δｖｉ（ｉ＝ｌ〜ｒｒｚｍはＸ方
向の画素数）を算出しくステップＳ６）、これらの加算
値δ７□の総和Σδ１．を求める（ステップＳ７）、そ
して、上述したΣδ□とΣδ９．との和を算出する（ス
テップＳ８）。

ステップＳ８を終了すると、出射光Ｌ′の波長が最終の
波長λ８であるかどうかを確認しくステップＳ９）、λ
８でなければ波長帯変移部１２を制御して、波長帯を次
の波長帯（この場合、λ２）に変移させて（ステップ５
ＩＯ）、ステップＳ１に戻り、ステップＳ８までの処理
を行って、λ２におけるΣδ■十ΣδＶ、を求める。

以下、同様にλ、までの各波長についてΣδ口＋Σδｖ
盈を求める。第８図はこのようにして求められた、各波
長λ、〜λ８に対応したΣδ旧十Σδ１．の分布図であ
る。

波長へにおける処理が終了したことを確認すると（ステ
ップＳ９）、ステップＳｌｌに進んで、λ１〜λ８まで
の各Σδ、１＋ΣδＶ！のなかから最大値を求める（ス
テップ５１２）、そして、その最大値に対応した波長λ
□、になるように、波長帯変移部１２を制御する（ステ
ップ５１２）。

以上のように、この実施例によれば、撮像領域内のコン
トラストが最大になるように波長帯変移部Ｉ２が制御さ
れるので、試料ごとあるいは試料内の観察位置ごとに、
オペレータが波長帯変移部１２を操作する必要がなく、
作業の効率を向上させることができるとともに、薄膜パ
ターンの自動検出装置に好適である。

なお、撮像領域内のコントラストを検出するための手段
は、上述のような例に限られず、種々変更実施すること
ができる。例えば、ある波長帯における画像データのう
ち大きな値をとる画素を上位から複数点選んで、その平
均値を算出し、一方、小さな値をとる画素を下位から複
数点選んで、その平均値を算出し、これらの平均値の差
を、その画像の最大コントラストとしてもよい。

囲１１１災皇施班 ところで、上述した第２装置の実施例によれば、撮像領
域内で膜厚のバラツキの少ない試料の薄膜パターンを検
出する場合には適しているが、撮像領域内においてバラ
ツキの大きな試料の場合には、撮像領域内の何れかの位
置でコントラストが低下して、撮像領域内の全パターン
を検出することが困難である。

このような試料に対しては、次に説明する第３装置が適
している。

第３装置の実施例の概略構成は、第５図に示した装置と
同様であるから図示を省略する。なお、ＣＰＵ４２は、
第３装置におけるブロック検出手段および画像合成手段
に対応している。

以下、この実施例の動作を説明する。

、まず、第２装置の実施例において説明したと同様に波
長帯変移部１２の出射光Ｌ′の波長帯をλＩ〜λ、に順
に変移させ、それぞれの波長帯の画像データをＲＡＭ４
６に格納する。

次に、各画像データを、第９図（ａ）に示すように、複
数個のブロックに分割する。この例では、１６個のブロ
ックΔｌ、〜Δ１６＋　　（ｔ　＝　Ｌ−Ｎ　：　Ｎは
変移設定される波長帯の数）に分割している。

そして、位置的に対応した各群のブロック、例えば、Δ
１．．ΔＩｇ、・・・、Δ１□、・・・、Δ１８につい
て、上述したコントラスト算出処理と同様の処理を行っ
て、それぞれのブロックのコントラストを算出して、そ
のなかから、最大のコントラストをもつブロックΔ１１
１ＡＸを検出する。

以下、Δ２１〜Δ１６．の各群のブロックについても同
様の処理を行って、最大のコントラストをもつブロック
Δ２　、ａｘ〜Δ１６ＭＡＸを検出する。

このようにして検出された各ブロックΔＩ　ＨＡヨ〜Δ
１６．！ＡＸを合成して、一つの画像を合成する。

第９図（ｂ）は、このようにして合成された画像を示し
ている。

この第３装置の実施例によれば、撮像領域内においてｓ
厚のバラツキが大きくても、撮像領域内の薄膜パターン
全体を明瞭に検出することができる。

なお、上述した第１装置ないし第３装匝の各実施例では
、光源１０から照射された光りを波長帯変移部１２に入
射させることによって、波長帯変移部１２からの出射光
Ｌ′の波長帯を変移させ、これによって、撮像部１６で
受光検知される反射光の波長帯を変移させるように構成
したが、波長帯変移部１２を試料Ｓからの反射光の光路
中において、反射光の波長帯を直接的に変移させてもよ
い。

また、この発明における波長帯変移手段は、第２図〜第
４図において説明したような波長帯変移部１２に限られ
ず、例えば、波長帯変移部１２の代わりに分光放射率を
変移することができる光源や、分光感度特性を変移する
ことができる揚像部や、分光特性を変移することができ
る観察光学系などを使用あるいは併用しても同様の効果
を得ることができる。

さらに、本発明における波長帯変移手段は、例えば、第
３図および第４図において示した出口スリット３２のよ
うに、出射光Ｌ′のバンド幅を変移させることは必ずし
も必要ではなく、バンド幅を適当な幅に固定しておいて
もよい。

また、上述の実施例では、いわゆる同軸落射照明型の照
明系を例に採って説明したが、同軸ではない一般的な反
射照明を利用する照明系にも本発明を適用することがで
きる。

さらに、実施例では、試料面からの反射光を検出する場
合を例にとって説明したが、本発明は試料の透過光を受
光検知することによって、試料面の薄膜パターンを検出
する装置にも適用することができる。

また、本発明は液晶表示装置用の露光装置に限られず、
薄膜パターンを光学的に検出するための装置全般にわた
って適用できることは言うまでもない。

〈発明の効果〉 以上の説明から明らかなように、本発明に係る第１装置
によれば、受光検知される反射光または透過光の波長帯
を変移させるように構成したから、試料面からの反射光
に干渉を生じても、良好なコントラストで薄膜パターン
を検出することができる。

また、本発明に係る第２装置によれば、損保手段からの
信号に基づいて、盪像領域内のコントラストが最大にな
るように、波長帯変移手段を制御しているから、検出さ
れた画像のコントラストが自動的に最適な状態になり、
薄膜パターンの検出作業の効率向上および薄膜パターン
の自動検出を行う上で好都合である。

さらに、本発明に係る第３装置によれば、各波長帯の画
像データを複数個のブロックにそれぞれ分割し、位置的
に対応した各群のブロックについて、所望のコントラス
トをもつブロックをそれぞれ検出し、これらのブロック
を合成して画像を作成するから、描像領域内において薄
膜パターンの膜厚のバラツキが大きくても、パターン全
体を良好なコントラストで検出することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は本発明の第１装置に係る実施例の説明
図であり、第１図はその概略構成図、第２図は波長帯変
移部の第１構成例、第３図は波長帯変移部の第２構成例
、第４図は波長帯変移部の第３構成例である。 第５図〜第８図は本発明の第２装置に係る実施例の説明
図であり、第５図はその概略構成図、第６図は動作フロ
ーチャート、第７図は画像データの説明図、第８図は波
長帯選択動作の説明に供する図である。 第９図は本発明の第３装置に係る実施例における画像デ
ータ処理の説明図である。 第１０図〜第１４図は本発明の詳細な説明するための図
であって、第１Ｏ図は透明型ｌｌｉ膜パターンがフォト
レジスト膜で覆われた基板の断面図、第１１図はガラス
基板上にフォトレジスト膜のみがある場合の分光反射率
特性図、第１２図はガラス基板上に透明電極膜のみがあ
る場合の分光反射率特性図、第１３図は透明電極膜パタ
ーンがフォトレジスト１模で覆われた場合の分光反射率
特性図、第１４図は照明光の波長帯を狭く設定しすぎた
場合の分光反射率の変化を示した説明図である。 Ｓ・・・試料 ２・・・透明電極膜パターン １２・・・波長帯変移部 １６・・・撮像部 ３８・・・マイクロコンピュータ ４６・・・ＲＡＭ 出願人　大日本スクリーン製造株式会社代理人　弁理士
　　杉　　谷　　　勉 第１図 第１０図 第５図 第７図　　　　　　　第８図 ！１４−　　　　　　　　　　　」ゾΔ−〜 ＞　　　　　　。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）薄膜パターンが形成された試料面に光を照射し、
   その反射光または透過光を受光検知することによって、
   前記薄膜パターンを検出する装置において、 前記受光検知される反射光または透過光の波長帯を変移
   させる波長帯変移手段を備えたことを特徴とする薄膜パ
   ターンの検出装置。
2. （２）薄膜パターンが形成された試料面に光を照射し、
   その反射光または透過光を受光検知することによって、
   前記薄膜パターンを検出する装置において、 前記受光検知される反射光または透過光の波長帯を変移
   させる波長帯変移手段と、 前記試料面からの反射光または透過光を受光して試料面
   を撮像する撮像手段と、 前記波長帯変移手段によって変移設定された各波長帯に
   ついて、前記撮像手段から得られる各画像データを記憶
   する画像データ記憶手段と、前記画像データ記憶手段に
   記憶された各波長帯の画像データに基づき、各画像のコ
   ントラストを検出するコントラスト検出手段と、 前記各波長帯に対応した画像のコントラストのうちから
   、所望のコントラストを与える波長帯を求め、前記反射
   光または透過光が、この波長帯になるように、前記波長
   帯変移手段を制御する制御手段と を備えたことを特徴とする薄膜パターンの検出装置。
3. （３）薄膜パターンが形成された試料面に光を照射し、
   その反射光または透過光を受光検知することによって、
   前記薄膜パターンを検出する装置において、 前記受光検知される反射光または透過光の波長帯を変移
   させる波長帯変移手段と、 前記試料面からの反射光または透過光を受光して試料面
   を撮像する撮像手段と、 前記波長帯変移手段によって変移設定された各波長帯に
   ついて、前記撮像手段から得られる各画像データを記憶
   する画像データ記憶手段と、前記画像データ記憶手段に
   記憶された各波長帯の画像データを、それぞれ複数個の
   ブロックに分割し、位置的に対応する各群のブロックに
   ついて、所望のコントラストをもつブロックをそれぞれ
   検出するブロック検出手段と、 前記ブロック検出手段によって検出された所望のコント
   ラストをもつ複数個のブロックを合成する画像合成手段
   と を備えたことを特徴とする薄膜パターンの検出装置。