JPH01138767A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH01138767A JPH01138767A JP62298112A JP29811287A JPH01138767A JP H01138767 A JPH01138767 A JP H01138767A JP 62298112 A JP62298112 A JP 62298112A JP 29811287 A JP29811287 A JP 29811287A JP H01138767 A JPH01138767 A JP H01138767A
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- light
- emitting
- light emitting
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Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光通信や光計測に応用分野をもつ半導体発
光装置に関するものである。
光装置に関するものである。
〔従来の技術)
第3図は、例えば従来のチップキャリア型端面発光ダイ
オード(以下、チップキャリアLEDという)を示す外
観図である。この図において、1はBeO(ベリリア)
からなるブロック本体、2a、2bは前記ブロック本体
1の一表面上にAuメツキ等により施されたパターン電
極、3は端面発光LEDチップC以下、LEDチップと
いう)、4は前記LEDチップ3とパターン電極2bと
を接続する金線、7は発光端面、8は光が出射される発
光点、9は出射された光ビームである。
オード(以下、チップキャリアLEDという)を示す外
観図である。この図において、1はBeO(ベリリア)
からなるブロック本体、2a、2bは前記ブロック本体
1の一表面上にAuメツキ等により施されたパターン電
極、3は端面発光LEDチップC以下、LEDチップと
いう)、4は前記LEDチップ3とパターン電極2bと
を接続する金線、7は発光端面、8は光が出射される発
光点、9は出射された光ビームである。
次に動作について説明する。
パターン電極2a、2b間に電圧を印加することにより
、金線4を通してLEDチップ3内に形成されているp
n接合部に順方向電流を供給する。pn接合部(活性層
)に注入された電子・正孔は互いの再結合により活性層
のバンドギャップにおよそ相当する波長の光を発生する
。活性層はLEDチップ3内にストライブ状に形成され
ており、各所で発生した光は発光端面7の発光点8より
出射され、光ビーム9となって空間的に広がりながら進
行する。
、金線4を通してLEDチップ3内に形成されているp
n接合部に順方向電流を供給する。pn接合部(活性層
)に注入された電子・正孔は互いの再結合により活性層
のバンドギャップにおよそ相当する波長の光を発生する
。活性層はLEDチップ3内にストライブ状に形成され
ており、各所で発生した光は発光端面7の発光点8より
出射され、光ビーム9となって空間的に広がりながら進
行する。
光通信などにおいては、出射された光ビーム9は光ファ
イバ(図示せず)との光結合により、光ファイバ内に入
射させ、遠方へ伝送される。
イバ(図示せず)との光結合により、光ファイバ内に入
射させ、遠方へ伝送される。
従来のチップキャリアLEDは、以上のように構成され
ており、出射された光ビーム9は空間的に広がりながら
進行する。したがって、光ビーム9の断面積は、発光点
8付近で最も小さくなフており、光ファイバとの光結合
の際、高い結合効率を得るためには、光ファイバを発光
端面7に限りなく近づけなければならない。このような
光結合では高度な技術が必要とされ、LEDチップ3あ
るいは光ファイバを破損する危険性が非常に高いという
問題点があった。
ており、出射された光ビーム9は空間的に広がりながら
進行する。したがって、光ビーム9の断面積は、発光点
8付近で最も小さくなフており、光ファイバとの光結合
の際、高い結合効率を得るためには、光ファイバを発光
端面7に限りなく近づけなければならない。このような
光結合では高度な技術が必要とされ、LEDチップ3あ
るいは光ファイバを破損する危険性が非常に高いという
問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、LEDチップと光ファイバとの高効率な光
結合を容易に実現することができる半導体発光装置を得
ることを目的とする。
れたもので、LEDチップと光ファイバとの高効率な光
結合を容易に実現することができる半導体発光装置を得
ることを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
この発明に係る半導体発光装置は、ブロック本体にマウ
ントされる半導体発光素子の発光端面前方の前記ブロッ
ク本体に所要形状の凹部を形成し、この凹部内に光ビー
ムを集光する集光性レンズを装着したものである。
ントされる半導体発光素子の発光端面前方の前記ブロッ
ク本体に所要形状の凹部を形成し、この凹部内に光ビー
ムを集光する集光性レンズを装着したものである。
〔作用)
この発明においては、発光点から出射された光は集光性
レンズにより集光され、集光性レンズの前方のある位置
で焦点を結ぶ。したがって、光ファイバと光結合を行う
際、光の焦点位置にファイバ端を設置すれば、LEDチ
ップと接触することなく、高い結合効率を容易に得るこ
とができる。
レンズにより集光され、集光性レンズの前方のある位置
で焦点を結ぶ。したがって、光ファイバと光結合を行う
際、光の焦点位置にファイバ端を設置すれば、LEDチ
ップと接触することなく、高い結合効率を容易に得るこ
とができる。
(実施例)
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第1図はこの発明の一実施例を示す半導体発光装置の外
観斜視図である。
観斜視図である。
第1図において、第3図と同一符号は同じものを示し、
6は前記LEDチップ3の発光端面7の前方のブロック
本体1に装着された集光性レンズで、例えば球レンズで
ある。
6は前記LEDチップ3の発光端面7の前方のブロック
本体1に装着された集光性レンズで、例えば球レンズで
ある。
また、第2図は球レンズ装着部の詳細を示す拡大斜視図
であり、5は前記発光端面7の前方のブロック本体1に
形成された凹部で、例えばブロック本体1の一辺に1/
4球状を有する形状に形成され、この凹部5にシリコン
樹脂等を用いて球レンズ6が装着される。
であり、5は前記発光端面7の前方のブロック本体1に
形成された凹部で、例えばブロック本体1の一辺に1/
4球状を有する形状に形成され、この凹部5にシリコン
樹脂等を用いて球レンズ6が装着される。
次に動作について説明する。
LEDチップ3にストライブ状に形成されている活性層
(発光領域)は、発光端面7の下縁中央部にその端(発
光点8)を持つ。活性層に電流を注入して、電子・正孔
の再結合により発生した光は、発光端面7の発光点8よ
り外部へ放射される。光ビーム9は発光点8の前方に装
着されている球レンズ6に1旦入射し、球レンズ6内で
屈折して再び外部へ放射される。ここで、あらかじめ球
レンズ6の装着用に形成された凹部5と発光端面7の位
置関係、および球レンズ6の大きさを適当に選んでおけ
ば、発光点8から出射した光は球レンズ6により集光さ
せることができ、球レンズ6の前方で焦点を結ぶ。
(発光領域)は、発光端面7の下縁中央部にその端(発
光点8)を持つ。活性層に電流を注入して、電子・正孔
の再結合により発生した光は、発光端面7の発光点8よ
り外部へ放射される。光ビーム9は発光点8の前方に装
着されている球レンズ6に1旦入射し、球レンズ6内で
屈折して再び外部へ放射される。ここで、あらかじめ球
レンズ6の装着用に形成された凹部5と発光端面7の位
置関係、および球レンズ6の大きさを適当に選んでおけ
ば、発光点8から出射した光は球レンズ6により集光さ
せることができ、球レンズ6の前方で焦点を結ぶ。
なお、上記実施例では、光を集光するために球レンズ6
を装着したものを示したが、これは球レンズ6に限らず
、円柱形状を有する集光性ロッドレンズを装着してもよ
い。
を装着したものを示したが、これは球レンズ6に限らず
、円柱形状を有する集光性ロッドレンズを装着してもよ
い。
また、上記実施例ではチップキャリア型端面発光ダイオ
ードの場合について説明したが、チップキャリア型レー
ザダイオード(LD)であっても、あるいはチップキャ
リア型でなくともリード端子を有するTOタイプパッケ
ージに実装する場合のサブマウントに応用してもよく、
上記実施例と同様の効果を奏する。
ードの場合について説明したが、チップキャリア型レー
ザダイオード(LD)であっても、あるいはチップキャ
リア型でなくともリード端子を有するTOタイプパッケ
ージに実装する場合のサブマウントに応用してもよく、
上記実施例と同様の効果を奏する。
さらに、上記実施例では球レンズ6を装着するための凹
部5の形状を1/4球状の場合について説明したが、凹
部5の形状はこれに限らず角形であっても、また、■形
またはその他の形状であっても良い。
部5の形状を1/4球状の場合について説明したが、凹
部5の形状はこれに限らず角形であっても、また、■形
またはその他の形状であっても良い。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明は、半導体発光素子の発
光端面前方のブロック本体に所要形状の凹部を形成し、
この凹部内に光ビームを集光する集光性レンズを装着し
たので、半導体発光素子と集光性レンズとの位置が容易
に定まり、光を効率よく集光することができる。また、
その結果、半導体発光素子や光ファイバを破損すること
なく、光ファイバとの高い結合効率が容易に得られる効
果がある。
光端面前方のブロック本体に所要形状の凹部を形成し、
この凹部内に光ビームを集光する集光性レンズを装着し
たので、半導体発光素子と集光性レンズとの位置が容易
に定まり、光を効率よく集光することができる。また、
その結果、半導体発光素子や光ファイバを破損すること
なく、光ファイバとの高い結合効率が容易に得られる効
果がある。
第1図はこの発明の一実施例を示す半導体発光装置の外
観斜視図、第2図は、第1図の要部の詳細を示す部分拡
大斜視図、第3図は従来のチップキャリア型端面発光ダ
イオードを示す外観斜視図である。 図において、1はブロック本体、2a、 2bはパター
ン電極、3はLEDチップ、4は金線、5は凹部、6は
球レンズ、7は発光端面、8は発光点、9は光ビームで
ある。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 第3図 手続補正書(自発) 1、事件の表示 特願昭62−298112弓2、
発明の名称 半導体発光装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号名
称 (601)三菱電機株式会社代表者志岐守哉 4、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号三
菱電機株式会社内 氏名 (7375)弁理士大岩増雄7.了゛6、。 (連絡先03(213) 3421特許部)′;□ 、
1 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 明細書第5頁12行の「1旦」を、「−旦」と補正する
。 以 上
観斜視図、第2図は、第1図の要部の詳細を示す部分拡
大斜視図、第3図は従来のチップキャリア型端面発光ダ
イオードを示す外観斜視図である。 図において、1はブロック本体、2a、 2bはパター
ン電極、3はLEDチップ、4は金線、5は凹部、6は
球レンズ、7は発光端面、8は発光点、9は光ビームで
ある。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 第3図 手続補正書(自発) 1、事件の表示 特願昭62−298112弓2、
発明の名称 半導体発光装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号名
称 (601)三菱電機株式会社代表者志岐守哉 4、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号三
菱電機株式会社内 氏名 (7375)弁理士大岩増雄7.了゛6、。 (連絡先03(213) 3421特許部)′;□ 、
1 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 明細書第5頁12行の「1旦」を、「−旦」と補正する
。 以 上
Claims (1)
- 半導体発光素子がブロック本体にマウントされ、前記
半導体発光素子の発光端面から光ビームを出射する半導
体発光装置において、前記半導体発光素子の発光端面前
方の前記ブロック本体に所要形状の凹部を形成し、この
凹部内に前記光ビームを集光する集光性レンズを装着し
たことを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62298112A JPH01138767A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62298112A JPH01138767A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01138767A true JPH01138767A (ja) | 1989-05-31 |
Family
ID=17855320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62298112A Pending JPH01138767A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01138767A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006108694A (ja) * | 1999-01-26 | 2006-04-20 | Presstek Inc | レーザイメージング装置及びレーザダイオードパッケージ |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP62298112A patent/JPH01138767A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006108694A (ja) * | 1999-01-26 | 2006-04-20 | Presstek Inc | レーザイメージング装置及びレーザダイオードパッケージ |
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