JPH01136365A - シヨツトキー型ダイオード - Google Patents
シヨツトキー型ダイオードInfo
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- JPH01136365A JPH01136365A JP29411187A JP29411187A JPH01136365A JP H01136365 A JPH01136365 A JP H01136365A JP 29411187 A JP29411187 A JP 29411187A JP 29411187 A JP29411187 A JP 29411187A JP H01136365 A JPH01136365 A JP H01136365A
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- schottky
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- schottky electrode
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路のレベルシフトやスイッチン
グに用いるダイオードに係り、特に従来より高いレベル
シフト電圧あるいは低容量である特性を備え、かつ直列
抵抗を小さくするのに好適なショットキー型ダイオード
に関する。
グに用いるダイオードに係り、特に従来より高いレベル
シフト電圧あるいは低容量である特性を備え、かつ直列
抵抗を小さくするのに好適なショットキー型ダイオード
に関する。
従来のショットキー型ダイオードでは半導体基板のｎま
たはｎ十領域の上にショットキー電極を設けていた。こ
のようなダイオードの例としてはアイ・イー・イー・イ
ー、ジャーナル オブ ソリッド ステート サーキツ
ツ、１９７８年８月。
たはｎ十領域の上にショットキー電極を設けていた。こ
のようなダイオードの例としてはアイ・イー・イー・イ
ー、ジャーナル オブ ソリッド ステート サーキツ
ツ、１９７８年８月。
４２０〜４２１頁（ＩＥＥＥ ＪＯＬＩＲＮＡＬ ＯＦ
５ＯＬＩＤ−３ＴＡＴＥ ＣＩＲＣＵＩＴＳ、 ＶＯ
Ｌ、 ５Ｃ１３，ｐｐ４２０〜４２１ ）に述べられて
いる。
５ＯＬＩＤ−３ＴＡＴＥ ＣＩＲＣＵＩＴＳ、 ＶＯ
Ｌ、 ５Ｃ１３，ｐｐ４２０〜４２１ ）に述べられて
いる。
上記従来技術はｎまたはｎ十層の空乏層による容量につ
いて配慮されておらず、高速のスイッチング用などには
不適当であった。そこで、ショットキー電極下のｎまた
はｎ十層を取り除くことを試みたところ、容量を小さく
し、またレベルシフト電圧が高くなる（ダイオードの順
方向電流電圧特性が高電圧側にシフトする）効果がある
ことが分った。しかしｎまたはｎ十層を取り除くことに
よって新たに問題が発生した。すなわち、従来のダイオ
ードでは電極の幅を大きくするとそれに反比例して直列
抵抗は小さくなったが、ショットキー電極下のｎまたは
ｎ十層を除いたデイオードでは該電極下が高抵抗層とな
っているために、電極の幅全体に渡って電流が一様に流
れず、ある幅以上ではそれに比例して直列抵抗は小さく
ならないという問題があった。
いて配慮されておらず、高速のスイッチング用などには
不適当であった。そこで、ショットキー電極下のｎまた
はｎ十層を取り除くことを試みたところ、容量を小さく
し、またレベルシフト電圧が高くなる（ダイオードの順
方向電流電圧特性が高電圧側にシフトする）効果がある
ことが分った。しかしｎまたはｎ十層を取り除くことに
よって新たに問題が発生した。すなわち、従来のダイオ
ードでは電極の幅を大きくするとそれに反比例して直列
抵抗は小さくなったが、ショットキー電極下のｎまたは
ｎ十層を除いたデイオードでは該電極下が高抵抗層とな
っているために、電極の幅全体に渡って電流が一様に流
れず、ある幅以上ではそれに比例して直列抵抗は小さく
ならないという問題があった。
本発明の目的はある程度幅の大きいショットキー型ダイ
オードの容量を小さくあるいはレベルシフト電圧を高く
するとともに直列抵抗を小さくすることにある。
オードの容量を小さくあるいはレベルシフト電圧を高く
するとともに直列抵抗を小さくすることにある。
上記目的は、半導体基板上に設けたショットキー電極と
、該近傍に設けた高濃度不純物領域上のオーミック電極
とから成るダイオードの、ショットキー電極下の半導体
基板の中心部のみを比較的高濃度の不純物領域とし該周
辺を低不純物領域とすることによって達成される。
−〔作用〕 ショットキー電極下の半導体基板の中心部の比較的高濃
度（半導体によって異なるが例えばＧ ａ Ａ ｓの場
合１ ｘ １０” 〜６ ｘ Ｉ Ｑ１７個／ａｊ程度
）の層はショットキー電極下の半導体層の抵抗を下げシ
ョットキー電極と配線とのコンタクト穴付近に電流が集
申せ、ず、そこか″ら離れたショットキー電極の長手（
幅）方向にも電流が流れるようにする。これによってダ
イオードの直列抵抗がその幅が大きくなるのにともない
小さくなるようにすることができる。この比較的高濃度
不純物領域の周辺を低濃度（例えばＧａＡｓの場合ｌＸ
ｌ０”〜１ｘ１０ｔｔ個／ｄ、好ましくは１ｘｉｏｚｓ
個／ｄ以下）として、比較的高濃度の領域の容量と直列
に低容量の部分がショットキー電極とオーミック電極の
間に入るようにした。それによって、ダイオード全体の
容量を小さくし、またその印加電圧依存性も小さくでき
る。また、オーミック電極下の高濃度領域をショットキ
ー電極より十分（好ましくは０．２μｍ程度）離すこと
によって低濃度領域を厚くし、レベルシフト電圧を高く
できる。
、該近傍に設けた高濃度不純物領域上のオーミック電極
とから成るダイオードの、ショットキー電極下の半導体
基板の中心部のみを比較的高濃度の不純物領域とし該周
辺を低不純物領域とすることによって達成される。
−〔作用〕 ショットキー電極下の半導体基板の中心部の比較的高濃
度（半導体によって異なるが例えばＧ ａ Ａ ｓの場
合１ ｘ １０” 〜６ ｘ Ｉ Ｑ１７個／ａｊ程度
）の層はショットキー電極下の半導体層の抵抗を下げシ
ョットキー電極と配線とのコンタクト穴付近に電流が集
申せ、ず、そこか″ら離れたショットキー電極の長手（
幅）方向にも電流が流れるようにする。これによってダ
イオードの直列抵抗がその幅が大きくなるのにともない
小さくなるようにすることができる。この比較的高濃度
不純物領域の周辺を低濃度（例えばＧａＡｓの場合ｌＸ
ｌ０”〜１ｘ１０ｔｔ個／ｄ、好ましくは１ｘｉｏｚｓ
個／ｄ以下）として、比較的高濃度の領域の容量と直列
に低容量の部分がショットキー電極とオーミック電極の
間に入るようにした。それによって、ダイオード全体の
容量を小さくし、またその印加電圧依存性も小さくでき
る。また、オーミック電極下の高濃度領域をショットキ
ー電極より十分（好ましくは０．２μｍ程度）離すこと
によって低濃度領域を厚くし、レベルシフト電圧を高く
できる。
以下１本発明の実施例１を第１図、により説明する。第
１図（Ａ）は本発明のショットキー型ダイオードの縦断
面図であり、ＧａＡｓ半絶縁性基板５上にショットキー
電極６を設け、その中心部を比較的高濃度（Ｇ ａ 、
Ａ ｓｉの場合１ｘ１０１６〜６×１０１７個／ａｄ程
度）の不純物層２、その周辺を低濃度（Ｉ Ｘ １０１
番〜１×１０エフ個／ ａＩ、”好ましくは１ｘｉｏｚ
６個／ａｉ以下）の不純物層１とし。
１図（Ａ）は本発明のショットキー型ダイオードの縦断
面図であり、ＧａＡｓ半絶縁性基板５上にショットキー
電極６を設け、その中心部を比較的高濃度（Ｇ ａ 、
Ａ ｓｉの場合１ｘ１０１６〜６×１０１７個／ａｄ程
度）の不純物層２、その周辺を低濃度（Ｉ Ｘ １０１
番〜１×１０エフ個／ ａＩ、”好ましくは１ｘｉｏｚ
６個／ａｉ以下）の不純物層１とし。
ｎ＋ （５ｘｌＯ１７個／ｄ８度）層４と、低濃度層
１の間は０．２〜０．３μｍ程度の側壁８によって分離
し、その下を比較的高濃度（ＩＸＩＯ１８〜６×１０１
７個／ｃｘ１．好ましくは１×１０１７個／ｄ程度）の
不純物層３としている。ｎ＋ Ａ’ｆ４のオーミック電
極７は、ＳｉＯｘ膜１１と燐シリケートガラス膜１２で
ショットキー電極から絶縁された配線９によって左右の
ものが結線されショットキー型ダイオードを構成してい
る。オーミック電極は左右に設けたが、直列抵抗がある
程度高くなっても良い場合には、片方だけにしてもよい
、第１図（Ｂ）は、実施例１のダイオードの平面図（フ
ォトマスク図）であり、ショットキー電極６の長手方向
がダイオードの幅である。コンタクト穴１２は、ショッ
トキー電極に電圧を印加するための配線を、コンタクト
穴１３はオーミック電極に配線を接続するためのもので
ある。ショットキー電極の抵抗がある程度高くても良い
時には、コンタクト穴１２は１つだけでもよい、第２図
（Ａ）〜第２図（Ｄ）に実施例１のダイオードの作製工
程を示す、まず、第２図（Ａ）に示すように、ＧａＡｓ
半絶縁性基板５上に化学気相堆積法により厚さ１５ｎｍ
のＳ ｉ Ｏｘ薄膜２３を形成し、その上に厚さ１．１
μｍのフォトレジスト２１を被着する。
１の間は０．２〜０．３μｍ程度の側壁８によって分離
し、その下を比較的高濃度（ＩＸＩＯ１８〜６×１０１
７個／ｃｘ１．好ましくは１×１０１７個／ｄ程度）の
不純物層３としている。ｎ＋ Ａ’ｆ４のオーミック電
極７は、ＳｉＯｘ膜１１と燐シリケートガラス膜１２で
ショットキー電極から絶縁された配線９によって左右の
ものが結線されショットキー型ダイオードを構成してい
る。オーミック電極は左右に設けたが、直列抵抗がある
程度高くなっても良い場合には、片方だけにしてもよい
、第１図（Ｂ）は、実施例１のダイオードの平面図（フ
ォトマスク図）であり、ショットキー電極６の長手方向
がダイオードの幅である。コンタクト穴１２は、ショッ
トキー電極に電圧を印加するための配線を、コンタクト
穴１３はオーミック電極に配線を接続するためのもので
ある。ショットキー電極の抵抗がある程度高くても良い
時には、コンタクト穴１２は１つだけでもよい、第２図
（Ａ）〜第２図（Ｄ）に実施例１のダイオードの作製工
程を示す、まず、第２図（Ａ）に示すように、ＧａＡｓ
半絶縁性基板５上に化学気相堆積法により厚さ１５ｎｍ
のＳ ｉ Ｏｘ薄膜２３を形成し、その上に厚さ１．１
μｍのフォトレジスト２１を被着する。
ショットキー電極下の比較的高濃度の不純物領域２とな
る部分のフォトレジストに窓開けを行って。
る部分のフォトレジストに窓開けを行って。
７５ｋａＶのエネルギーで４ Ｘ １０”ａＩＩ−”（
７） ” Ｓ ｉ ＋イオンを注入し、１層２を形成す
る０次に、このＳｉ０ｇ膜とフォトレジストを除去した
後、ショットキー電極６となるタングステンシリサイド
膜を２００ｎｍの厚さで被着して、フォトレジスト工程
とドライエツチングによってそれを加工し。
７） ” Ｓ ｉ ＋イオンを注入し、１層２を形成す
る０次に、このＳｉ０ｇ膜とフォトレジストを除去した
後、ショットキー電極６となるタングステンシリサイド
膜を２００ｎｍの厚さで被着して、フォトレジスト工程
とドライエツチングによってそれを加工し。
第２図（Ｂ）に示すように１層２より両側０．５μｍ程
度大きいショットキー電１１６を形成する。
度大きいショットキー電１１６を形成する。
次に第２図（Ｃ）に示すように化学気相堆積法で５０ｎ
ｍの５ｉＯａ膜を形成し、７５ｋｅＶのエネルギーで４
Ｘ１０”（２１″″２のｚｓ Ｓｉ＋イオンを注入し、
ショットキー電極と自己整合して１１層３を形成する。
ｍの５ｉＯａ膜を形成し、７５ｋｅＶのエネルギーで４
Ｘ１０”（２１″″２のｚｓ Ｓｉ＋イオンを注入し、
ショットキー電極と自己整合して１１層３を形成する。
次に第２図（Ｄ）に示すように３００ｎｍのＳ ｉ Ｏ
ｘ膜を化学気相堆積法によって形成し、ＣＦ４ガスを使
った異方性の強い反応性イオンエツチングによってショ
ットキー電極の側面だけに５ｉｆＩＬ膜を残し、１２５
ｋｅＶのエネルギーで２ Ｘ Ｉ Ｑ ”ａｓ−”（１
）” Ｓ ｉ ＋ イオ’）を注入してｎ中層４を形成
する。
ｘ膜を化学気相堆積法によって形成し、ＣＦ４ガスを使
った異方性の強い反応性イオンエツチングによってショ
ットキー電極の側面だけに５ｉｆＩＬ膜を残し、１２５
ｋｅＶのエネルギーで２ Ｘ Ｉ Ｑ ”ａｓ−”（１
）” Ｓ ｉ ＋ イオ’）を注入してｎ中層４を形成
する。
次に、化学気相堆積法によって１１００ｎの５ｉｆｔ膜
を被着して、各不純物層１，２，３゜４を電気的に活性
化するために８００℃の温度で１５分のアニールを行う
、以下は第１図に示したオーミック電極と配線を設ける
工程である。すなわち、オーミック電極７を形成するた
めに、５ｉｆｔ膜１１に通常のフォトエツチング工程で
窓開けした後、その他の部分にはフォトレジストを残し
たまま電子ビーム蒸着法を用いてＡｕＧｅｖＮｉ及びＡ
ｕを堆積して不要部分をフォトレジストの除去とともに
リーフトオフではがし、熱処理を行って合金化し、オー
ミック電極を形成する０次に、ショットキー電極に通常
のフォトレジスト工程でコンタクト穴１２をあけた後、
化学気相堆積法で燐シリケートガラス膜１０を被着し、
フォトレジスト工程でコンタクト穴１２及び１３を開け
、ＭｏおよびＡｕを堆積し、再びフォトレジスト工程と
、イオンミリングでＡｕとＭｏを加工して配線９を形成
して全ての工程を終了する。
を被着して、各不純物層１，２，３゜４を電気的に活性
化するために８００℃の温度で１５分のアニールを行う
、以下は第１図に示したオーミック電極と配線を設ける
工程である。すなわち、オーミック電極７を形成するた
めに、５ｉｆｔ膜１１に通常のフォトエツチング工程で
窓開けした後、その他の部分にはフォトレジストを残し
たまま電子ビーム蒸着法を用いてＡｕＧｅｖＮｉ及びＡ
ｕを堆積して不要部分をフォトレジストの除去とともに
リーフトオフではがし、熱処理を行って合金化し、オー
ミック電極を形成する０次に、ショットキー電極に通常
のフォトレジスト工程でコンタクト穴１２をあけた後、
化学気相堆積法で燐シリケートガラス膜１０を被着し、
フォトレジスト工程でコンタクト穴１２及び１３を開け
、ＭｏおよびＡｕを堆積し、再びフォトレジスト工程と
、イオンミリングでＡｕとＭｏを加工して配線９を形成
して全ての工程を終了する。
本発明では容量を下げるためにショットキー電極下を低
不純物層１としたときに、ショットキー電極下が高抵抗
となって電流がコンタクト穴１２から近い部分だけに集
中して流れ、幅を広くした時にコンタクト穴から離れた
部分が有効に働かなくなるのを防ぐため、比較的高濃度
の不純物層２をショットキー電極の中心部に設けた。ｎ
中層４はショットキー電極６より離した方が容量を小さ
くできるが、低濃度領域１とｎ層 Ｍ４の間の構造によ
って電流電圧特性や容量電圧特性が異なる。
不純物層１としたときに、ショットキー電極下が高抵抗
となって電流がコンタクト穴１２から近い部分だけに集
中して流れ、幅を広くした時にコンタクト穴から離れた
部分が有効に働かなくなるのを防ぐため、比較的高濃度
の不純物層２をショットキー電極の中心部に設けた。ｎ
中層４はショットキー電極６より離した方が容量を小さ
くできるが、低濃度領域１とｎ層 Ｍ４の間の構造によ
って電流電圧特性や容量電圧特性が異なる。
この部分の構造が異なるものを実施例２（第３図）、実
施例３（第４図）に示す、実施例２では。
施例３（第４図）に示す、実施例２では。
実施例１の１１層３がなく、第２図（Ｃ）の工程を省い
て作製でき、従来のダイオードよりも容量は小さくなる
。また、直列抵抗はやや高くなるが、レベルシフト電圧
が０．５Ｖ近く高くなる順方向（電流電圧特性が高電圧
側にシフトする）、実施例３は実施例１の１１層３の位
置にｎ中層４を設けたもので第２図（Ｃ）の工程でｎ層
を形成するイオン注入にかえてｎ中層４を形成するイオ
ン注入を行い第２図（Ｄ）の工程を省いて作製でき、電
流電圧特性は従来のものとほぼ同じである。容量は実施
例１よりやや大きくなるがその電圧依存性は従来のダイ
オードより小さく、バイアス０．４Ｖ程度までゼロバイ
アスの時とほとんど変らない。
て作製でき、従来のダイオードよりも容量は小さくなる
。また、直列抵抗はやや高くなるが、レベルシフト電圧
が０．５Ｖ近く高くなる順方向（電流電圧特性が高電圧
側にシフトする）、実施例３は実施例１の１１層３の位
置にｎ中層４を設けたもので第２図（Ｃ）の工程でｎ層
を形成するイオン注入にかえてｎ中層４を形成するイオ
ン注入を行い第２図（Ｄ）の工程を省いて作製でき、電
流電圧特性は従来のものとほぼ同じである。容量は実施
例１よりやや大きくなるがその電圧依存性は従来のダイ
オードより小さく、バイアス０．４Ｖ程度までゼロバイ
アスの時とほとんど変らない。
実施例１では１１層３を設けたことにより、直列抵抗や
電流電圧特性は従来のものとほとんど（０，０５Ｖ程度
高電圧側にシフトする）変らない、容量は実施例２と同
程度に小さい。
電流電圧特性は従来のものとほとんど（０，０５Ｖ程度
高電圧側にシフトする）変らない、容量は実施例２と同
程度に小さい。
上記実施例ではＧ ａ Ａ ｓ半絶縁性基板を用いたが
、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＡＱＧａＡｓ、Ｉ ｎＰなどの
化合物半導体や、Ｓｉ、Ｇｏなどを用いてもよい、また
、ショットキー電極には、Ｗ、ＡＱ。
、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＡＱＧａＡｓ、Ｉ ｎＰなどの
化合物半導体や、Ｓｉ、Ｇｏなどを用いてもよい、また
、ショットキー電極には、Ｗ、ＡＱ。
Ｔｉ、Ｍｏ、ＣｒやＷ／Ａａのな２層膜を用いてもよい
。
。
本発明によれば、ショットキー電極下に比較的高濃度の
不純物領域２を設けたことにより、これがない場合、＠
ｊｌｏμｍ程度で直列抵抗が１０００程度で飽和してし
まうのに対し、幅１００μｍにして１２Ω（従来のダイ
オードは１０Ω）に小さくできる効果があった。これに
加え、容量は従来の１７３以下になり、電圧依存性も小
さくまたレベルシフト電圧を従来より０．５Ｖ程度高く
できる（実施例２）効果があった。
不純物領域２を設けたことにより、これがない場合、＠
ｊｌｏμｍ程度で直列抵抗が１０００程度で飽和してし
まうのに対し、幅１００μｍにして１２Ω（従来のダイ
オードは１０Ω）に小さくできる効果があった。これに
加え、容量は従来の１７３以下になり、電圧依存性も小
さくまたレベルシフト電圧を従来より０．５Ｖ程度高く
できる（実施例２）効果があった。
また、ショットキー電極下の周辺部が低濃度不純物領域
となっているので逆方向のリーク電流も小さくなる効果
がある。
となっているので逆方向のリーク電流も小さくなる効果
がある。
°第１図（Ａ）は本発明の実施例１の縦断面図、第１図
（Ｂ）はその平面図（フォトマスク図）。 第２図（Ａ）〜第２図（Ｄ）は実施例１の作製工程図、
第３図は実施例２の縦断面図、第４図は実施例３の縦断
面図である。 １・・・ｎ″″（Ｐ−）層、２・・・ｎ−ｎ中層、３・
・・（ｎ〜ｎ＋）層、４− ｎ中層、５−ＧａＡｓ基板
、６・・・ショットキー電極、７・・・オーミック電極
、８・・・側壁（ＳｉＯｘ膜）、９・・・配線、１０・
・・燐シリケートガラス膜、１１ 、２３−８ ｉ Ｏ
ｘ膜、１２゜１３・・・コンタクト穴、２１・・・フォ
トレジスト、第 Ｉ 配 （八） （Ｂ） 掲 ２ 図 （ハ） （Ｃ） （Ｄ） 鴇 ３［！１ 猶 ４Ｉ！１
（Ｂ）はその平面図（フォトマスク図）。 第２図（Ａ）〜第２図（Ｄ）は実施例１の作製工程図、
第３図は実施例２の縦断面図、第４図は実施例３の縦断
面図である。 １・・・ｎ″″（Ｐ−）層、２・・・ｎ−ｎ中層、３・
・・（ｎ〜ｎ＋）層、４− ｎ中層、５−ＧａＡｓ基板
、６・・・ショットキー電極、７・・・オーミック電極
、８・・・側壁（ＳｉＯｘ膜）、９・・・配線、１０・
・・燐シリケートガラス膜、１１ 、２３−８ ｉ Ｏ
ｘ膜、１２゜１３・・・コンタクト穴、２１・・・フォ
トレジスト、第 Ｉ 配 （八） （Ｂ） 掲 ２ 図 （ハ） （Ｃ） （Ｄ） 鴇 ３［！１ 猶 ４Ｉ！１
Claims (1)
- １、半導体基板上のショットキー電極と該半導体基板の
高不純物濃度領域上のオーミック電極より成るショット
キー型ダイオードにおいて、ショットキー電極下の半導
体基板の中心部を比較的高濃度の不純物領域とし、該高
濃度不純物領域の周辺部を低不純物濃度領域としたこと
を特徴とするショットキー型ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29411187A JPH01136365A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | シヨツトキー型ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29411187A JPH01136365A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | シヨツトキー型ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01136365A true JPH01136365A (ja) | 1989-05-29 |
Family
ID=17803433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29411187A Pending JPH01136365A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | シヨツトキー型ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01136365A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5376812A (en) * | 1989-04-12 | 1994-12-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2008101827A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Hoshizaki Electric Co Ltd | 自動製氷機の運転方法 |
-
1987
- 1987-11-24 JP JP29411187A patent/JPH01136365A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5376812A (en) * | 1989-04-12 | 1994-12-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2008101827A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Hoshizaki Electric Co Ltd | 自動製氷機の運転方法 |
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