JPH01134985A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH01134985A JPH01134985A JP29352287A JP29352287A JPH01134985A JP H01134985 A JPH01134985 A JP H01134985A JP 29352287 A JP29352287 A JP 29352287A JP 29352287 A JP29352287 A JP 29352287A JP H01134985 A JPH01134985 A JP H01134985A
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- semiconductor laser
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 24
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
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Landscapes
- Weting (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザ装置に関し、特に製造工程に
おける選択エツチングの平易性と良好な再成長界面の実
現を可能とするレーザ構造に関するものである。
おける選択エツチングの平易性と良好な再成長界面の実
現を可能とするレーザ構造に関するものである。
第３図は、例えば＋１旧ｇｈ−Ｐｏｗｅｒ Ｓｉｎｇｌ
ｅ ＭｏｄｅＯｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｉｎｄｅｘ−
Ｇｕｉｄｅｄ Ｉｎｎｅｒ ５ｔｒｉｐｅ （Ｉ２Ｓ）
Ｌａｓｅｒ ｂｙ ＭＯＣＶＤ” Ｎ、Ｋａｎｅｎｏ＋
”Ｉ’−Ｋａｄｏｗａｋｉ＋ Ｓ、Ｈｉｎａｔａ。
ｅ ＭｏｄｅＯｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｉｎｄｅｘ−
Ｇｕｉｄｅｄ Ｉｎｎｅｒ ５ｔｒｉｐｅ （Ｉ２Ｓ）
Ｌａｓｅｒ ｂｙ ＭＯＣＶＤ” Ｎ、Ｋａｎｅｎｏ＋
”Ｉ’−Ｋａｄｏｗａｋｉ＋ Ｓ、Ｈｉｎａｔａ。
Ｔ、Ａｏｙａｇｌ＋ Ｙ、Ｓｅｉｗａ＋ Ｙ６Ｍｉｈａ
ｓｈｉ＋ Ｋ、Ｉｋｅｄａ ａｎｄＷ、５ｕｓａｋｉ
＋ Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔ
ｈｅ １８ｔｈＳｏｌｌｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ （１９８６）ｐｐ、
１７３−１７６、に示された従来の屈折率導波型半導体
レーザ装置の例を示す断面図である。図において、１ｌ
ｌＨ約１００μｍ厚のｎ型ＧａＡＢ基板、（２１ｎ Ｆ
Ｊ １）Ｌｍ厚のｎ型ＧａＡ ａバッファ層、（３）は
約２声ｍ厚のｎ型ＡＬ０．３５ＧａＯ，６５Ａｓ下クラ
ッド層、（４）ニ約０．１２メｍ厚のｐ型Ｇ ａ Ａ
ｓ活性層、（５）ハ約０−５）１ｍ厚のＩ） Ｗ ”０
．２５Ｇｇｏ、７５Ａ＄光ガイド層、（７）に約１．ｇ
ｍ厚のｎ型ＡＪｏ、５Ｇａ ｏ、ｓＡ ｓ電流ブロック
層で、その一部はエツチングにより除去さｎ５、ストラ
イブ状の溝が形成される。この溝形成は、硫酸系エラチ
ャン） （Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２： Ｈ２Ｏ−６：１：
１，５°Ｃ）を用いて行なりれる。
ｓｈｉ＋ Ｋ、Ｉｋｅｄａ ａｎｄＷ、５ｕｓａｋｉ
＋ Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔ
ｈｅ １８ｔｈＳｏｌｌｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ （１９８６）ｐｐ、
１７３−１７６、に示された従来の屈折率導波型半導体
レーザ装置の例を示す断面図である。図において、１ｌ
ｌＨ約１００μｍ厚のｎ型ＧａＡＢ基板、（２１ｎ Ｆ
Ｊ １）Ｌｍ厚のｎ型ＧａＡ ａバッファ層、（３）は
約２声ｍ厚のｎ型ＡＬ０．３５ＧａＯ，６５Ａｓ下クラ
ッド層、（４）ニ約０．１２メｍ厚のｐ型Ｇ ａ Ａ
ｓ活性層、（５）ハ約０−５）１ｍ厚のＩ） Ｗ ”０
．２５Ｇｇｏ、７５Ａ＄光ガイド層、（７）に約１．ｇ
ｍ厚のｎ型ＡＪｏ、５Ｇａ ｏ、ｓＡ ｓ電流ブロック
層で、その一部はエツチングにより除去さｎ５、ストラ
イブ状の溝が形成される。この溝形成は、硫酸系エラチ
ャン） （Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２： Ｈ２Ｏ−６：１：
１，５°Ｃ）を用いて行なりれる。
５°Ｃの低温としているのに、エツチング速度を低下さ
せて制御性を向上し、Ａｉ。、２５Ｇｇ ｏ、７ｓ Ａ
ｓ光ガイド層（６）のエツチングを避けるためである。
せて制御性を向上し、Ａｉ。、２５Ｇｇ ｏ、７ｓ Ａ
ｓ光ガイド層（６）のエツチングを避けるためである。
（８）ケ約１．５７ｍ厚のｐ型ＡＡｏ、２□Ｇａ Ｏ，
’７３Ａｓ上クラッド層、（９）Ｈ約１．Ｉｔｒｎ厚の
ｐ型ＧａＡｓコンタクト層である。
’７３Ａｓ上クラッド層、（９）Ｈ約１．Ｉｔｒｎ厚の
ｐ型ＧａＡｓコンタクト層である。
なお、各層＋２１〜＋９１ ｉいずれもＭＯＣＶＤ （
ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成さｎ、る
が、ｘｉｉｆック１ｍ （７） ｖで成長しメサストラ
イプ溝を形成した後、２回目の成長によりＨｌ、ｓ）ｔ
ｍ厚のｐ型ＡＪ、ｏ、、Ｇａ ０４３Ａｂ（８）、約１
μｍ厚のｐ型ＧａＡ ｓコンタクト層（９）が形成され
、る。
ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成さｎ、る
が、ｘｉｉｆック１ｍ （７） ｖで成長しメサストラ
イプ溝を形成した後、２回目の成長によりＨｌ、ｓ）ｔ
ｍ厚のｐ型ＡＪ、ｏ、、Ｇａ ０４３Ａｂ（８）、約１
μｍ厚のｐ型ＧａＡ ｓコンタクト層（９）が形成され
、る。
従来のｌＳ型半導体レーザ装置に上記のように構成され
、ｎ型ＧａＡｓ基板ｉｌ＋とコンタクト層（９）の間に
、ｐｎ接合の順方向バイアスが印加されると、電／ｆｆ
ｉは電流ブロック層（７）のストライプ状溝部から活性
層（４）へ集中して流れ上、下のクラッド層（８）。
、ｎ型ＧａＡｓ基板ｉｌ＋とコンタクト層（９）の間に
、ｐｎ接合の順方向バイアスが印加されると、電／ｆｆ
ｉは電流ブロック層（７）のストライプ状溝部から活性
層（４）へ集中して流れ上、下のクラッド層（８）。
（３）から正孔と電子が注入される。注入されたキャリ
アはへテロ接合界面におけるバリアにより、活性層（４
１内に閉じ込めらｎ、て、貴結合し発光する。
アはへテロ接合界面におけるバリアにより、活性層（４
１内に閉じ込めらｎ、て、貴結合し発光する。
従来例の屈折率導波型レーザでは、電流ブロック層（７
）、上クラッド層（８）各ＡＬＧａＡｓ 層のＡＬ組成
比？変え、前者の屈折率を後者よりも小さくすることに
より、実効的に横方向の屈折率分布は、発光領域でステ
ップ状に高くなっている。このためレーザビームの横方
向の広がりが制限され、基本モードで発振する。
）、上クラッド層（８）各ＡＬＧａＡｓ 層のＡＬ組成
比？変え、前者の屈折率を後者よりも小さくすることに
より、実効的に横方向の屈折率分布は、発光領域でステ
ップ状に高くなっている。このためレーザビームの横方
向の広がりが制限され、基本モードで発振する。
従来の屈折率導波型半導体レーザ装置に、ＡヱＧａＡｓ
のみを材料として、ｔｉｆ流ブロブロック層）、光力イ
ト層（５）が構成されているため、ストライプｍｆｒ硫
酸系エッチャントｆ用いたエツチングにより形成する際
、光ガイド層（５）までエツチングしないようにするた
めの制御性が非常に困難であること、またストライプ溝
形成後の再成長時において、酸化され、易いＡｆＧａＡ
ｓｆガイド層（５）が露出しているため、再成長界面特
性とじて良好なものを得難いなどの問題点があった。
のみを材料として、ｔｉｆ流ブロブロック層）、光力イ
ト層（５）が構成されているため、ストライプｍｆｒ硫
酸系エッチャントｆ用いたエツチングにより形成する際
、光ガイド層（５）までエツチングしないようにするた
めの制御性が非常に困難であること、またストライプ溝
形成後の再成長時において、酸化され、易いＡｆＧａＡ
ｓｆガイド層（５）が露出しているため、再成長界面特
性とじて良好なものを得難いなどの問題点があった。
この発明に、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、ストライプ溝を選択エツチングにより形成
できるとともに、再成長界面の問題を解決できる半導体
レーザ装置を得ることを目的とする。
れたもので、ストライプ溝を選択エツチングにより形成
できるとともに、再成長界面の問題を解決できる半導体
レーザ装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置ハ、光ガイド層と′電
流ブロック層の間に、光ガイド層と同じ伝導型の薄いＧ
ａＩｎＰ層を設けたものである。
流ブロック層の間に、光ガイド層と同じ伝導型の薄いＧ
ａＩｎＰ層を設けたものである。
この発明においてａ％Ｇａ１ｎＰｉエツチングストッパ
ー層として用いるため、硫酸系エッチャントによるＧａ
Ａ＠、 ＡＪＧａＡｓ系材料の選択エツチングが可能と
なる。さらに、エツチングストッパー層のＧａＩｎＰ上
に再成長を行なった際、Ｇａ１ｎＰが酸化されにくいと
いう特徴から、再成長界面における界面準位密度に減少
し、良好な界面特性を有する半導体レーザ装置ｉｆを得
ることが可能になる。
ー層として用いるため、硫酸系エッチャントによるＧａ
Ａ＠、 ＡＪＧａＡｓ系材料の選択エツチングが可能と
なる。さらに、エツチングストッパー層のＧａＩｎＰ上
に再成長を行なった際、Ｇａ１ｎＰが酸化されにくいと
いう特徴から、再成長界面における界面準位密度に減少
し、良好な界面特性を有する半導体レーザ装置ｉｆを得
ることが可能になる。
ＷＪ１図に、この発明の一実施例を示す断面図であり、
（６）を除＜１１）〜（９）の各部分は、上記従来装置
と同−又は相当のものである。図において、１ｌｌｉ約
１００μｍ厚のｎ型ＧａＡｓ基板、（２）は約１．Ａｍ
厚のｎ型バッファ層、（３１ホ約２）Ａｍ厚のｎ型Ａ
ＬｘＧａ 、−ｘＡ ＠（Ｘ−０，３５）下クラッド層
、（４）は約０．１２．４ｍ厚のｐ型ＧａＡａ活性層、
（６１ニ約０．５．Ａｍ厚のｐ型ＡＬ ｘＧａ 、−ｘ
Ａ ｓ（ｘ＝０−２５ ）光ガイド層、（６）に約０．
１μｍ＃のｐ型ＧａＩｎＰエツチングストッパー層であ
り、ｆ７１ｉ約１）Ａｍのｎ型ＡｊｘＧａ１−ｘＡｓ
（ｘ−０，５） ｉｆ流ジブロック層ある。（２）〜（
７）の各層Ｈ、ＭＯＣＶＤ法により形成されるが、第１
回目の成長にここまでとし、ＩＡ酸系エッチャントによ
りブロック層（７）にメサ・ストライプ状溝を形成する
。この際、（６１のＧａ１ｎＰストツパ一層はエツチン
グさｎないため、（６）の光ガイド層は保護される。メ
サ・ストライプ状溝形成後、第２回目の成長を行ない、
約１．５ｆｉｍ厚のｐ 型Ａ ＪＸＧ ａ ｒ −ｘＡ
ｓ （ｘ＝０．２７）上クラッド層（８）および約１μ
ｍ厚のｐ型ＧａＡｓコンタクト層（９）を形成する。
（６）を除＜１１）〜（９）の各部分は、上記従来装置
と同−又は相当のものである。図において、１ｌｌｉ約
１００μｍ厚のｎ型ＧａＡｓ基板、（２）は約１．Ａｍ
厚のｎ型バッファ層、（３１ホ約２）Ａｍ厚のｎ型Ａ
ＬｘＧａ 、−ｘＡ ＠（Ｘ−０，３５）下クラッド層
、（４）は約０．１２．４ｍ厚のｐ型ＧａＡａ活性層、
（６１ニ約０．５．Ａｍ厚のｐ型ＡＬ ｘＧａ 、−ｘ
Ａ ｓ（ｘ＝０−２５ ）光ガイド層、（６）に約０．
１μｍ＃のｐ型ＧａＩｎＰエツチングストッパー層であ
り、ｆ７１ｉ約１）Ａｍのｎ型ＡｊｘＧａ１−ｘＡｓ
（ｘ−０，５） ｉｆ流ジブロック層ある。（２）〜（
７）の各層Ｈ、ＭＯＣＶＤ法により形成されるが、第１
回目の成長にここまでとし、ＩＡ酸系エッチャントによ
りブロック層（７）にメサ・ストライプ状溝を形成する
。この際、（６１のＧａ１ｎＰストツパ一層はエツチン
グさｎないため、（６）の光ガイド層は保護される。メ
サ・ストライプ状溝形成後、第２回目の成長を行ない、
約１．５ｆｉｍ厚のｐ 型Ａ ＪＸＧ ａ ｒ −ｘＡ
ｓ （ｘ＝０．２７）上クラッド層（８）および約１μ
ｍ厚のｐ型ＧａＡｓコンタクト層（９）を形成する。
Ｇａ Ｉ ｎＰストッパー層ｔｅ＋Ｈ１硫酸系エッチャ
ントに対する耐性が強いため、ｎ型ＡＡＧａＡｓブロッ
ク層（７）のメサ状溝のエツチングの際、エツチングに
ストッパー層に達すると同時に停止する。従って、スト
ッパー層（６）下のＡＬＧａＡａ、光ガイド層（５）は
、全くエツチングされることなく保護さｎ、る。このよ
うに、本発明においては、レーザ動作上重要なＡＬＧａ
Ａｓ光ガイド層（５）がエツチングされてしまうなどの
、従来例で生じ易い欠点を完壁に除外することが可能と
なる。
ントに対する耐性が強いため、ｎ型ＡＡＧａＡｓブロッ
ク層（７）のメサ状溝のエツチングの際、エツチングに
ストッパー層に達すると同時に停止する。従って、スト
ッパー層（６）下のＡＬＧａＡａ、光ガイド層（５）は
、全くエツチングされることなく保護さｎ、る。このよ
うに、本発明においては、レーザ動作上重要なＡＬＧａ
Ａｓ光ガイド層（５）がエツチングされてしまうなどの
、従来例で生じ易い欠点を完壁に除外することが可能と
なる。
また、ＱａｌｎＰエツチングストッパー層（６）にＧａ
１ｎＰ自身がＡＪＧａＡｓに比して、自然酸化されにく
いため、再成長により生じるＡＪＧａＡｓ上クラッド層
（８）との界面特性が大幅に改善されることが期待され
る０ 第２図は、他の実施例を示す断面図である。この場合は
第１図の実施例と同様、薄く挿入したＧａＩｎＰ層（６
１を選択エツチング時のストッパー層として利用し、リ
ッジ構造を形成した半導体レーザ装置である。
１ｎＰ自身がＡＪＧａＡｓに比して、自然酸化されにく
いため、再成長により生じるＡＪＧａＡｓ上クラッド層
（８）との界面特性が大幅に改善されることが期待され
る０ 第２図は、他の実施例を示す断面図である。この場合は
第１図の実施例と同様、薄く挿入したＧａＩｎＰ層（６
１を選択エツチング時のストッパー層として利用し、リ
ッジ構造を形成した半導体レーザ装置である。
他に、活性層１ＡＪＧａＡｓ系材料にした場合あるい１
ＧａＩｎＰ系材料にした場合においても同様に、メサ状
溝形成あるいｉ ＩＪッジ導波路構造の形成を硫酸系エ
ラチャントラ用いたエツチングにより行なう際にも、Ｇ
ａ１ｎＰ工ツチングストツパー層を使用することが可能
である。
ＧａＩｎＰ系材料にした場合においても同様に、メサ状
溝形成あるいｉ ＩＪッジ導波路構造の形成を硫酸系エ
ラチャントラ用いたエツチングにより行なう際にも、Ｇ
ａ１ｎＰ工ツチングストツパー層を使用することが可能
である。
以上のように、この発明にょｎば硫酸系エッチャントに
耐性の強いＧａ１ｎＰ ｆ ＧａＡｓ ＊ ＡＬＧａＡ
ｓ系材料との選択エツチング材として、半導体レーザ装
置を構成しているため、メサ状の溝あるいＶ、ｒ ＩＪ
ッジ構造が正確にしかも制御性良く得られる効果がある
。
耐性の強いＧａ１ｎＰ ｆ ＧａＡｓ ＊ ＡＬＧａＡ
ｓ系材料との選択エツチング材として、半導体レーザ装
置を構成しているため、メサ状の溝あるいＶ、ｒ ＩＪ
ッジ構造が正確にしかも制御性良く得られる効果がある
。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体レーザ装置の
断面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す断面図、
第３図は従来の半導体レーザ装置の一実施例を示す断面
図である。 図において、（３）にｎ型ＡＬＧａＡｓ下クラッド層、
＋４１ｉｐ型ＧａＡｓ活性層、（５１ｉ１）型ＡＪＧ
ａ Ａ ｓ光ガイド層、（６）はｐ型Ｇａ１ｎＰエツチ
ングストッパー層、（７）ｆ’ｆｎ型Ａ２ＧａＡａブロ
ック層、（８１ＨＩ）型ＡＡＧａＡｓ上クラッド層であ
る。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
断面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す断面図、
第３図は従来の半導体レーザ装置の一実施例を示す断面
図である。 図において、（３）にｎ型ＡＬＧａＡｓ下クラッド層、
＋４１ｉｐ型ＧａＡｓ活性層、（５１ｉ１）型ＡＪＧ
ａ Ａ ｓ光ガイド層、（６）はｐ型Ｇａ１ｎＰエツチ
ングストッパー層、（７）ｆ’ｆｎ型Ａ２ＧａＡａブロ
ック層、（８１ＨＩ）型ＡＡＧａＡｓ上クラッド層であ
る。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）半導体基板上に、少なくとも第１のクラッド層、
活性層及び第２のクラッド層、電磁ブロック層がＡｌＧ
ａＡｓ系材料を用いて順に形成される半導体レーザ装置
において、硫酸系エッチャントに対する耐性の強いＧａ
ＩｎＰ層を電流ブロック層の下に挿入し、これをエッチ
ングストッパー層として用いることを特徴とする半導体
レーザ装置。 - （２）メサ形の溝が選択エッチングにより形成されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レー
ザ装置。 - （３）リッチ（Ｒｉｄｇｅ）導波路構造が選択エッチン
グにより形成されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29352287A JPH01134985A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29352287A JPH01134985A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01134985A true JPH01134985A (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=17795831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29352287A Pending JPH01134985A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01134985A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0444366A2 (en) * | 1990-02-28 | 1991-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser with inverse mesa-shaped groove section |
| EP0462816A2 (en) * | 1990-06-21 | 1991-12-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser producing visible light |
| EP0477013A2 (en) * | 1990-09-20 | 1992-03-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a semiconductor laser |
| US5255279A (en) * | 1990-05-09 | 1993-10-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device, and a method for producing a compound semiconductor device including the semiconductor laser device |
| JPH08213697A (ja) * | 1995-10-24 | 1996-08-20 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
-
1987
- 1987-11-19 JP JP29352287A patent/JPH01134985A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0444366A2 (en) * | 1990-02-28 | 1991-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser with inverse mesa-shaped groove section |
| US5255279A (en) * | 1990-05-09 | 1993-10-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device, and a method for producing a compound semiconductor device including the semiconductor laser device |
| US5360762A (en) * | 1990-05-09 | 1994-11-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device, and a method for producing a compound semiconductor device including the semiconductor laser device |
| EP0695006A1 (en) * | 1990-05-09 | 1996-01-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | A method for producing a compound semiconductor laser device |
| EP0785603A3 (en) * | 1990-05-09 | 1997-11-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device and a method of producing the same |
| EP0462816A2 (en) * | 1990-06-21 | 1991-12-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser producing visible light |
| US5161167A (en) * | 1990-06-21 | 1992-11-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser producing visible light |
| EP0477013A2 (en) * | 1990-09-20 | 1992-03-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a semiconductor laser |
| US5210767A (en) * | 1990-09-20 | 1993-05-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| JPH08213697A (ja) * | 1995-10-24 | 1996-08-20 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
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