JPH0632347B2 - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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- JPH0632347B2 JPH0632347B2 JP1153369A JP15336989A JPH0632347B2 JP H0632347 B2 JPH0632347 B2 JP H0632347B2 JP 1153369 A JP1153369 A JP 1153369A JP 15336989 A JP15336989 A JP 15336989A JP H0632347 B2 JPH0632347 B2 JP H0632347B2
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- algainp
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はＡｌＧａＩｎＰなどの材料で構成され、横モー
ドが制御された半導体レーザおよびその製造方法に関す
る。
ドが制御された半導体レーザおよびその製造方法に関す
る。
従来の技術 ７００ｎｍ以下の可視光の波長で発光する半導体レーザ
は光ディスク、レーザプリンタ、バーコードリーダなど
に用いる光源として注目されている。中でもＧａＡｓを
基板とし、これに格子整合するＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ（以下
の説明ではＧａＩｎＰと略記する）または（ＡｌｘＧａ
1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（以下の説明ではＡｌＧａＩｎＰと
略記する）を活性層、ＡｌＧａＩｎＰをクラッド層とす
るダブルヘテロ接合型半導体レーザはＧａＡｓに格子整
合する７−９族化合物半導体の中で最も短い波長の光を
出すことができるので可視光半導体レーザの材料として
有望である。
は光ディスク、レーザプリンタ、バーコードリーダなど
に用いる光源として注目されている。中でもＧａＡｓを
基板とし、これに格子整合するＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ（以下
の説明ではＧａＩｎＰと略記する）または（ＡｌｘＧａ
1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（以下の説明ではＡｌＧａＩｎＰと
略記する）を活性層、ＡｌＧａＩｎＰをクラッド層とす
るダブルヘテロ接合型半導体レーザはＧａＡｓに格子整
合する７−９族化合物半導体の中で最も短い波長の光を
出すことができるので可視光半導体レーザの材料として
有望である。
第３図に従来の横モード制御型のＡｌＧａＩｎＰ系半導
体レーザのおのおのの製作工程における断面構造を示
す。まず最初に第３図（ａ）に示すように、（１００）
面を主面とするｎ型ＧａＡｓ基板３０１の表面に、ｎ型
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３０２、ＧａＩｎＰ活性層３
０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３０４、ｐ型Ｇａ
ＩｎＰバッファ層３０５をＭＯ−ＶＰＥ法（有機金属気
相成長法）で順次結晶成長する。次に、＜０１１＞方向
にストライプ状に形成したＳｉＯ2膜３０６をマスクと
してｐ型ＧａＩｎＰバッファ層３０５を例えばＣＣｌ4
ガスを用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により
エッチングし、さらにｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３
０４を例えば４０℃の熱濃硫酸でエッチングすると第３
図（ｂ）に示すようになる。次にＳｉＯ2膜３０６をマ
スクとしてＭＯ−ＶＰＥ法によりｎ型ＧａＡｓ電流ブロ
ック層３０７を選択的に結晶成長すると第３図（ｃ）に
示すようになる。選択成長のマスクとして用いたＳｉＯ
2膜３０６を除去したのち全面にｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層３０８をＭＯ−ＶＰＥ法により結晶成長すると第３
図（ｄ）に示すようにストライプが埋め込まれる。最後
に表面にＡｕ／Ｚｎ／Ａｕからなるｐ型オーミックコン
タクト層３０９を形成し、裏面を研磨およびエッチング
して基板を薄くしたのちＡｕ−Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕからな
るｎ型オーミックコンタクト層３１０を形成すると第３
図（ｅ）に示すように従来の横モード制御型のＡｌＧａ
ＩｎＰ系半導体レーザが完成する。
体レーザのおのおのの製作工程における断面構造を示
す。まず最初に第３図（ａ）に示すように、（１００）
面を主面とするｎ型ＧａＡｓ基板３０１の表面に、ｎ型
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３０２、ＧａＩｎＰ活性層３
０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３０４、ｐ型Ｇａ
ＩｎＰバッファ層３０５をＭＯ−ＶＰＥ法（有機金属気
相成長法）で順次結晶成長する。次に、＜０１１＞方向
にストライプ状に形成したＳｉＯ2膜３０６をマスクと
してｐ型ＧａＩｎＰバッファ層３０５を例えばＣＣｌ4
ガスを用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により
エッチングし、さらにｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３
０４を例えば４０℃の熱濃硫酸でエッチングすると第３
図（ｂ）に示すようになる。次にＳｉＯ2膜３０６をマ
スクとしてＭＯ−ＶＰＥ法によりｎ型ＧａＡｓ電流ブロ
ック層３０７を選択的に結晶成長すると第３図（ｃ）に
示すようになる。選択成長のマスクとして用いたＳｉＯ
2膜３０６を除去したのち全面にｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層３０８をＭＯ−ＶＰＥ法により結晶成長すると第３
図（ｄ）に示すようにストライプが埋め込まれる。最後
に表面にＡｕ／Ｚｎ／Ａｕからなるｐ型オーミックコン
タクト層３０９を形成し、裏面を研磨およびエッチング
して基板を薄くしたのちＡｕ−Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕからな
るｎ型オーミックコンタクト層３１０を形成すると第３
図（ｅ）に示すように従来の横モード制御型のＡｌＧａ
ＩｎＰ系半導体レーザが完成する。
この従来のレーザにおいて、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック
層３０７は電気的には電流の狭窄層の役割を果たし、光
に対してはｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３０４よりも
屈折率が大きくＧａＩｎＰ活性層３０３で発光した光を
吸収するので吸収型のアンチ導波層の役割を果たしてい
る。そのため、この従来の横モード制御型のＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザは低しきい値でエーザ発振する。
層３０７は電気的には電流の狭窄層の役割を果たし、光
に対してはｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３０４よりも
屈折率が大きくＧａＩｎＰ活性層３０３で発光した光を
吸収するので吸収型のアンチ導波層の役割を果たしてい
る。そのため、この従来の横モード制御型のＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザは低しきい値でエーザ発振する。
発明が解決しようとする課題 このような従来の横モード制御型のＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザにおいては、横モードの制御が行なわれては
いるものの活性層と平行な方向の屈折率による光の閉じ
こめは行なわれてはおらず利得導波性が強く残るため活
性層と平行な方向の導波光の波面が曲がってしまい、そ
の結果として大きな非点隔差ができてしまうという問題
点があった。従って従来の横モード制御型のＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザを光学機器に応用しようとする場
合、通常の凸レンズ一枚ではレーザ光を平行光にしたり
一点に集光したりすることができないため応用範囲が限
定されてしまっていた。
導体レーザにおいては、横モードの制御が行なわれては
いるものの活性層と平行な方向の屈折率による光の閉じ
こめは行なわれてはおらず利得導波性が強く残るため活
性層と平行な方向の導波光の波面が曲がってしまい、そ
の結果として大きな非点隔差ができてしまうという問題
点があった。従って従来の横モード制御型のＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザを光学機器に応用しようとする場
合、通常の凸レンズ一枚ではレーザ光を平行光にしたり
一点に集光したりすることができないため応用範囲が限
定されてしまっていた。
また、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層は活性層で発光した
光を吸収するので活性層を導波する光に対しては損失と
なるためこの損失の分だけ発振しきい値が増加するとい
う問題点もあった。
光を吸収するので活性層を導波する光に対しては損失と
なるためこの損失の分だけ発振しきい値が増加するとい
う問題点もあった。
課題を解決するための手段 本発明はこのような従来の横モード制御型のＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザにおける問題点を解決するためにな
されたもので、（１）ＧａＡｓ基板上に一方導電型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層、活性層およびストライプ部分で
厚さが厚くなった他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
を有し、前記ストライプの両側の前記他方導電型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層の表面に前記他方導電型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層よりも屈折率の低いＡｌＧａＩｎＰある
いはＡｌＩｎＰ層が一対のストライプ状に形成されてい
て、さらにその外側に一方導電型電流ブロック層が形成
された構成、（２）（１００）を主面とするＧａＡｓ基
板上に一方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、活性層お
よび＜０１＞方向に形成されたストライプ部分で厚さ
が厚く断面形状が逆メサ形状をした他方導電型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層を有し、前記他方導電型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層の逆メサ表面に前記他方導電型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層よりも屈折率の低いＡｌＧａＩｎＰある
いはＡｌＩｎＰ層が形成されていて、さらにその外側に
一方導電型電流ブロック層が形成された構成、（３）Ｇ
ａＡｓ基板上に一方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、
活性層およびストライプ部分で厚さが厚くなった他方導
電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を有し、レーザ光の出射
端面近傍の領域の前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層の前記ストライプの両側表面に前記他方導電型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層よりも屈折率の低いＡｌＧａＩｎ
ＰあるいはＡｌＩｎＰ層が一対のストライプ状に形成さ
れていて、さらにその外側および前記屈折率の低いＡｌ
ＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層が形成されていない領
域の前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の前記ス
トライプの両側表面に一方導電型電流ブロック層が形成
された構成、（４）（１００）を主面とするＧａＡｓ基
板上に一方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、活性層お
よび他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を形成する工
程、前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を＜０１
＞方向にストライプ状で逆メサ形状になっており該ス
トライプ部分で厚さが厚くなるようにエッチング加工す
る工程、前記前記逆メサ形状の前記他方導電型ＡｌＧａ
ＩｎＰ層の逆メサ側面に前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層よりも屈折率の低いＡｌＧａＩｎＰあるいは
ＡｌＩｎＰ層を選択的に形成する工程、表面に露出した
前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の表面に一方
導電型電流ブロック層を選択的に形成する工程、および
前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層のストライプ
上、屈折率の低いＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層
の表面および前記一方導電型電流ブロック層の表面に他
方導電型コンタクト層を形成する工程を備えた構成を有
するものである。
ｎＰ系半導体レーザにおける問題点を解決するためにな
されたもので、（１）ＧａＡｓ基板上に一方導電型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層、活性層およびストライプ部分で
厚さが厚くなった他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
を有し、前記ストライプの両側の前記他方導電型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層の表面に前記他方導電型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層よりも屈折率の低いＡｌＧａＩｎＰある
いはＡｌＩｎＰ層が一対のストライプ状に形成されてい
て、さらにその外側に一方導電型電流ブロック層が形成
された構成、（２）（１００）を主面とするＧａＡｓ基
板上に一方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、活性層お
よび＜０１＞方向に形成されたストライプ部分で厚さ
が厚く断面形状が逆メサ形状をした他方導電型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層を有し、前記他方導電型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層の逆メサ表面に前記他方導電型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層よりも屈折率の低いＡｌＧａＩｎＰある
いはＡｌＩｎＰ層が形成されていて、さらにその外側に
一方導電型電流ブロック層が形成された構成、（３）Ｇ
ａＡｓ基板上に一方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、
活性層およびストライプ部分で厚さが厚くなった他方導
電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を有し、レーザ光の出射
端面近傍の領域の前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層の前記ストライプの両側表面に前記他方導電型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層よりも屈折率の低いＡｌＧａＩｎ
ＰあるいはＡｌＩｎＰ層が一対のストライプ状に形成さ
れていて、さらにその外側および前記屈折率の低いＡｌ
ＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層が形成されていない領
域の前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の前記ス
トライプの両側表面に一方導電型電流ブロック層が形成
された構成、（４）（１００）を主面とするＧａＡｓ基
板上に一方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、活性層お
よび他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を形成する工
程、前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を＜０１
＞方向にストライプ状で逆メサ形状になっており該ス
トライプ部分で厚さが厚くなるようにエッチング加工す
る工程、前記前記逆メサ形状の前記他方導電型ＡｌＧａ
ＩｎＰ層の逆メサ側面に前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層よりも屈折率の低いＡｌＧａＩｎＰあるいは
ＡｌＩｎＰ層を選択的に形成する工程、表面に露出した
前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の表面に一方
導電型電流ブロック層を選択的に形成する工程、および
前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層のストライプ
上、屈折率の低いＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層
の表面および前記一方導電型電流ブロック層の表面に他
方導電型コンタクト層を形成する工程を備えた構成を有
するものである。
作用 上述の本発明の構成により本発明は、以下のような作用
効果を有する。
効果を有する。
構成（１）および（２）においてはストライプの両側に
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層よりも屈折率の小さいＡｌＧ
ａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層が形成されているので活
性層と平行な方向にも光を閉じこめて導波させることが
でき、さらにその外側に一方導電型ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層が形成されているのでＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌ
ＩｎＰ層を電流ブロック層として用いる場合に比べ熱放
散が良くなる。また、ストライプの両側のＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層よりも屈折率の小さいＡｌＧａＩｎＰある
いはＡｌＩｎＰ層が他方導電型の場合、活性層と平行な
方向にも光を閉じこめて導波させることができ、さらに
屈折率の小さい他方導電型ＡｌＧａＩｎＰあるいは他方
導電型ＡｌＩｎＰ層からも活性層への電流注入が行なわ
れるので電流注入によって活性層の屈折率が低下しても
導波モードへの影響は少ない。従って活性層に平行な方
向および垂直な方向ともに安定に屈折率導波されるので
非点隔差も従来例で示したレーザよりもはるかに小さく
なる。
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層よりも屈折率の小さいＡｌＧ
ａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層が形成されているので活
性層と平行な方向にも光を閉じこめて導波させることが
でき、さらにその外側に一方導電型ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層が形成されているのでＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌ
ＩｎＰ層を電流ブロック層として用いる場合に比べ熱放
散が良くなる。また、ストライプの両側のＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層よりも屈折率の小さいＡｌＧａＩｎＰある
いはＡｌＩｎＰ層が他方導電型の場合、活性層と平行な
方向にも光を閉じこめて導波させることができ、さらに
屈折率の小さい他方導電型ＡｌＧａＩｎＰあるいは他方
導電型ＡｌＩｎＰ層からも活性層への電流注入が行なわ
れるので電流注入によって活性層の屈折率が低下しても
導波モードへの影響は少ない。従って活性層に平行な方
向および垂直な方向ともに安定に屈折率導波されるので
非点隔差も従来例で示したレーザよりもはるかに小さく
なる。
構成（３）ではレーザの出射端面の近傍ではストライプ
の両側にクラッド層よりも屈折率の小さいＡｌＧａＩｎ
ＰあるいはＡｌＩｎＰ層が設けられているため導波光が
完全にストライプに閉じこめられており、出射する光は
非点隔差が小さくなることであり、しかも屈折率の小さ
いＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層が埋め込まれた
領域以外の領域では従来例と同じ利得導波成分が残るの
でレーザ発振の縦モードはマルチモードになることであ
る。これにより半導体レーザは戻り光などの擾乱に対し
ても影響をあまり受けない安定な動作を行なうことがで
きる。
の両側にクラッド層よりも屈折率の小さいＡｌＧａＩｎ
ＰあるいはＡｌＩｎＰ層が設けられているため導波光が
完全にストライプに閉じこめられており、出射する光は
非点隔差が小さくなることであり、しかも屈折率の小さ
いＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層が埋め込まれた
領域以外の領域では従来例と同じ利得導波成分が残るの
でレーザ発振の縦モードはマルチモードになることであ
る。これにより半導体レーザは戻り光などの擾乱に対し
ても影響をあまり受けない安定な動作を行なうことがで
きる。
また構成（４）の製造方法では逆メサ側面に形成された
クラッド層よりも屈折率の小さい他方導電型ＡｌＧａＩ
ｎＰあるいは他方導電型ＡｌＩｎＰ層の側面も逆メサ形
状であり、幅を狭くすることができる。従って屈折率導
波のストライプ幅を狭くしてなおかつ電流注入のストラ
イプ幅も同時に狭くすることができるので、低しきい値
電流で単一横モード発振を得ることができる。
クラッド層よりも屈折率の小さい他方導電型ＡｌＧａＩ
ｎＰあるいは他方導電型ＡｌＩｎＰ層の側面も逆メサ形
状であり、幅を狭くすることができる。従って屈折率導
波のストライプ幅を狭くしてなおかつ電流注入のストラ
イプ幅も同時に狭くすることができるので、低しきい値
電流で単一横モード発振を得ることができる。
実施例 以下、本発明を実施例にしたがって説明する。第１図に
本発明の第１の実施例のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の各製造工程における模式的断面構造図を示す。まず最
初に第１図（ａ）に示すように、例えば（１００）面を
主面とするｎ型ＧａＡｓ基板１０１の表面に、ｎ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層１０２（例えばｘ＝０．６、キャ
リア密度５×１０17ｃｍ-3、厚さ１μｍ）、ＧａＩｎＰ
活性層１０３（例えば厚さ０．２μｍ）、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層１０４（例えばｘ＝０．６、キャリア
密度１×１０18ｃｍ-3、厚さ０．７μｍ）、ｐ型ＧａＩ
ｎＰバッファ層１０５（例えばキャリア密度３×１０18
ｃｍ-3、厚さ０．３μｍ）をＭＯ−ＶＰＥ法でｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１０１に格子整合させて順次結晶成長する。次
に、例えば＜０１＞方向に例えば幅４μｍのストライ
プ状に形成したＳｉＯ2膜１０６をマスクとしてｐ型Ｇ
ａＩｎＰバッファ層１０５を例えばＣＣｌ4ガスを用い
たＲＩＥによりエッチングし、さらにｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１０４を例えば４０℃の熱濃硫酸で例えば
４分間エッチングしてｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
０４がストライプの外側で厚さが０．２μｍ残るように
すると、第１図（ｂ）に示すようになる。この実施例で
はストライプを＜０１＞方向に形成しているのでスト
ライプの両側面のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４
は逆メサ形状にエッチングされる。次にＳｉＯ2膜１０
６を選択成長のマスクとしてｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層１０４よりも屈折率の低いｐ型ＡｌＩｎＰ層１０７
（例えばキャリア密度５×１０17ｃｍ-3、厚さ０．５μ
ｍ）およびｐ型ＧａＡｓ層１０８（例えばキャリア密度
５×１０18ｃｍ-3、厚さ０．３μｍ）を結晶成長すると
第１図（ｃ）に示すようになる。次にｐ型ＧａＡｓ層１
０８の表面に例えば幅８μｍのストライプ状にＳｉＯ2
膜１０９を形成し、ＳｉＯ2膜１０９をマスクとしてｐ
型ＧａＡｓ層１０８を例えばＨ2ＳＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ
＝１： １： １０の混合液で３０秒間エッチングし、
さらにｐ型ＡｌＩｎＰ層１０７を例えば３０℃の熱硫酸
でエッチングすると第１図（ｄ）に示すように逆メサ形
状のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４の側面に逆メ
サ状にｐ型ＡｌＩｎＰ層１０７が形成される。次にＳｉ
Ｏ2膜１０９を選択成長のマスクとしてｎ型ＧａＡｓ電
流ブロック層１１０を結晶成長すると第１図（ｅ）に示
すようになる。さらにＳｉＯ2膜１０９を除去した後全
面にｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１（例えばキャリア
密度５×１０18ｃｍ-3、厚さ３μｍ）をＭＯ−ＶＰＥ法
により結晶成長すると第１図（ｆ）に示すようにストラ
イプが埋め込まれる。最後に表面にＣｒ／Ａｕ行からな
るｐ型オーミックコンタクト電極１１２を形成し、裏面
を研磨およびエッチングして基板を薄くしたのちＡｕ−
Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるｎ型オーミックコンタクト電
極１１３を形成すると第１図（ｇ）に示すように本発明
の第１の実施例のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザが完成
する。
本発明の第１の実施例のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の各製造工程における模式的断面構造図を示す。まず最
初に第１図（ａ）に示すように、例えば（１００）面を
主面とするｎ型ＧａＡｓ基板１０１の表面に、ｎ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層１０２（例えばｘ＝０．６、キャ
リア密度５×１０17ｃｍ-3、厚さ１μｍ）、ＧａＩｎＰ
活性層１０３（例えば厚さ０．２μｍ）、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層１０４（例えばｘ＝０．６、キャリア
密度１×１０18ｃｍ-3、厚さ０．７μｍ）、ｐ型ＧａＩ
ｎＰバッファ層１０５（例えばキャリア密度３×１０18
ｃｍ-3、厚さ０．３μｍ）をＭＯ−ＶＰＥ法でｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１０１に格子整合させて順次結晶成長する。次
に、例えば＜０１＞方向に例えば幅４μｍのストライ
プ状に形成したＳｉＯ2膜１０６をマスクとしてｐ型Ｇ
ａＩｎＰバッファ層１０５を例えばＣＣｌ4ガスを用い
たＲＩＥによりエッチングし、さらにｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１０４を例えば４０℃の熱濃硫酸で例えば
４分間エッチングしてｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
０４がストライプの外側で厚さが０．２μｍ残るように
すると、第１図（ｂ）に示すようになる。この実施例で
はストライプを＜０１＞方向に形成しているのでスト
ライプの両側面のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４
は逆メサ形状にエッチングされる。次にＳｉＯ2膜１０
６を選択成長のマスクとしてｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層１０４よりも屈折率の低いｐ型ＡｌＩｎＰ層１０７
（例えばキャリア密度５×１０17ｃｍ-3、厚さ０．５μ
ｍ）およびｐ型ＧａＡｓ層１０８（例えばキャリア密度
５×１０18ｃｍ-3、厚さ０．３μｍ）を結晶成長すると
第１図（ｃ）に示すようになる。次にｐ型ＧａＡｓ層１
０８の表面に例えば幅８μｍのストライプ状にＳｉＯ2
膜１０９を形成し、ＳｉＯ2膜１０９をマスクとしてｐ
型ＧａＡｓ層１０８を例えばＨ2ＳＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ
＝１： １： １０の混合液で３０秒間エッチングし、
さらにｐ型ＡｌＩｎＰ層１０７を例えば３０℃の熱硫酸
でエッチングすると第１図（ｄ）に示すように逆メサ形
状のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４の側面に逆メ
サ状にｐ型ＡｌＩｎＰ層１０７が形成される。次にＳｉ
Ｏ2膜１０９を選択成長のマスクとしてｎ型ＧａＡｓ電
流ブロック層１１０を結晶成長すると第１図（ｅ）に示
すようになる。さらにＳｉＯ2膜１０９を除去した後全
面にｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１（例えばキャリア
密度５×１０18ｃｍ-3、厚さ３μｍ）をＭＯ−ＶＰＥ法
により結晶成長すると第１図（ｆ）に示すようにストラ
イプが埋め込まれる。最後に表面にＣｒ／Ａｕ行からな
るｐ型オーミックコンタクト電極１１２を形成し、裏面
を研磨およびエッチングして基板を薄くしたのちＡｕ−
Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるｎ型オーミックコンタクト電
極１１３を形成すると第１図（ｇ）に示すように本発明
の第１の実施例のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザが完成
する。
また、上述の本発明の第１の実施例の中でｐ型ＡｌＩｎ
Ｐ層１０７の代わりにｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
０４よりも屈折率の低いｐ型ＡｌＧａＩｎＰを用いても
良い。
Ｐ層１０７の代わりにｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
０４よりも屈折率の低いｐ型ＡｌＧａＩｎＰを用いても
良い。
上述の本発明の第１の実施例の特徴とするところは構造
的にはストライプの両側にｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層１０４よりも屈折率の小さいｐ型ＡｌＧａＩｎＰある
いはｐ型ＡｌＩｎＰ層１０７が形成されているので活性
層と平行な方向にも光を閉じこめて導波させることがで
き、さらに屈折率の小さいｐ型ＡｌＧａＩｎＰあるいは
ｐ型ＡｌＩｎＰ層１０７からも活性層への電流注入が行
なわれるので電流注入によって活性層の屈折率が低下し
てもＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４のストライプの内
側と外側（ｐ型ＡｌＩｎＰ層１０７を形成した領域）と
の屈折率の差はほとんど変化しないため導波モードへの
影響は少ない。従って活性層に平行な方向および垂直な
方向ともに安定に屈折率導波されるので非点隔差も従来
例で示したレーザよりもはるかに小さくなることであ
る。またストライプの両側に埋め込まれるｐ型ＡｌＩｎ
Ｐ層の熱伝導率は０．０９Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇでありＧａ
Ａｓの０．５４Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇよりも低い値である
が、本発明の第１の実施例ではｐ型ＡｌＩｎＰ層が埋め
込まれているのはストライプの両側の溝の部分のみであ
りその外側はｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層であるので、
ｐ型ＡｌＩｎＰ層によって活性層の近傍で発生した熱の
放散が悪くなることはない。さらに上述の本発明の第１
の実施例においてｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１を結
晶成長させた場合、表面が平坦になりｐ型オーミックコ
ンタクト電極１１２とのコンタクト面積が広くコンタク
ト抵抗を下げやすいという特徴もある。
的にはストライプの両側にｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層１０４よりも屈折率の小さいｐ型ＡｌＧａＩｎＰある
いはｐ型ＡｌＩｎＰ層１０７が形成されているので活性
層と平行な方向にも光を閉じこめて導波させることがで
き、さらに屈折率の小さいｐ型ＡｌＧａＩｎＰあるいは
ｐ型ＡｌＩｎＰ層１０７からも活性層への電流注入が行
なわれるので電流注入によって活性層の屈折率が低下し
てもＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４のストライプの内
側と外側（ｐ型ＡｌＩｎＰ層１０７を形成した領域）と
の屈折率の差はほとんど変化しないため導波モードへの
影響は少ない。従って活性層に平行な方向および垂直な
方向ともに安定に屈折率導波されるので非点隔差も従来
例で示したレーザよりもはるかに小さくなることであ
る。またストライプの両側に埋め込まれるｐ型ＡｌＩｎ
Ｐ層の熱伝導率は０．０９Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇでありＧａ
Ａｓの０．５４Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇよりも低い値である
が、本発明の第１の実施例ではｐ型ＡｌＩｎＰ層が埋め
込まれているのはストライプの両側の溝の部分のみであ
りその外側はｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層であるので、
ｐ型ＡｌＩｎＰ層によって活性層の近傍で発生した熱の
放散が悪くなることはない。さらに上述の本発明の第１
の実施例においてｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１を結
晶成長させた場合、表面が平坦になりｐ型オーミックコ
ンタクト電極１１２とのコンタクト面積が広くコンタク
ト抵抗を下げやすいという特徴もある。
また上述の本発明の第１の実施例の製造工程における特
徴は逆メサ側面に形成されたｐ型ＧａＩｎＰクラッド層
１０４よりも屈折率の小さいｐ型ＡｌＧａＩｎＰあるい
はｐ型ＡｌＩｎＰ層１０７の側面も逆メサ形状であり、
幅を狭くすることができることである。従って屈折率導
波のストライプ幅を狭くしてなおかつ電流注入のストラ
イプ幅も同時に狭くすることができるので、低しきい値
電流で単一横モード発振を得ることができる。
徴は逆メサ側面に形成されたｐ型ＧａＩｎＰクラッド層
１０４よりも屈折率の小さいｐ型ＡｌＧａＩｎＰあるい
はｐ型ＡｌＩｎＰ層１０７の側面も逆メサ形状であり、
幅を狭くすることができることである。従って屈折率導
波のストライプ幅を狭くしてなおかつ電流注入のストラ
イプ幅も同時に狭くすることができるので、低しきい値
電流で単一横モード発振を得ることができる。
本発明の第２の実施例を第２図に示す。第２図におい
て、２０１はｎ型ＧａＡｓ基板、２０２はｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層、２０３はＧａＩｎＰ活性層、２０４
はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、２０５はｐ型ＧａＩ
ｎＰバッファ層、２０７はｐ型ＡｌＩｎＰ層、２１０は
ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層、２１１はｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層、２１２はｐ側オーミックコンタクト電極、
２１３はｎ側オーミックコンタクト電極である。第２図
においてはレーザの断面構造が領域Ａと領域Ｂとで異な
り、領域Ａでは断面構造は本発明の第１の実施例と同じ
構造であり領域Ｂでは断面構造は従来例と同じである。
て、２０１はｎ型ＧａＡｓ基板、２０２はｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層、２０３はＧａＩｎＰ活性層、２０４
はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、２０５はｐ型ＧａＩ
ｎＰバッファ層、２０７はｐ型ＡｌＩｎＰ層、２１０は
ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層、２１１はｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層、２１２はｐ側オーミックコンタクト電極、
２１３はｎ側オーミックコンタクト電極である。第２図
においてはレーザの断面構造が領域Ａと領域Ｂとで異な
り、領域Ａでは断面構造は本発明の第１の実施例と同じ
構造であり領域Ｂでは断面構造は従来例と同じである。
本発明の第２の実施例の特徴は領域Ａではストライプの
両側にｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０４よりも低い
屈折率のｐ型ＡｌＩｎＰ層２０７が設けられているため
導波光が完全にストライプに閉じこめられており、従っ
て領域Ａでは活性層に平行な方向および垂直な方向とも
に屈折率導波されているので領域Ａから出射する光は非
点隔差が小さくなることであり、しかも領域Ｂでは従来
例と同じ利得導波成分が残るのでレーザ発振の縦モード
はマルチモードになることである。これにより本発明の
第２の実施例の半導体レーザは戻り光などの擾乱に対し
ても影響をあまり受けない安定な動作を行なうことがで
きる。また本発明の第２の実施例の半導体レーザの製作
は従来例と本発明の第１の実施例とを組み合わせること
によって行なうことができる。
両側にｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０４よりも低い
屈折率のｐ型ＡｌＩｎＰ層２０７が設けられているため
導波光が完全にストライプに閉じこめられており、従っ
て領域Ａでは活性層に平行な方向および垂直な方向とも
に屈折率導波されているので領域Ａから出射する光は非
点隔差が小さくなることであり、しかも領域Ｂでは従来
例と同じ利得導波成分が残るのでレーザ発振の縦モード
はマルチモードになることである。これにより本発明の
第２の実施例の半導体レーザは戻り光などの擾乱に対し
ても影響をあまり受けない安定な動作を行なうことがで
きる。また本発明の第２の実施例の半導体レーザの製作
は従来例と本発明の第１の実施例とを組み合わせること
によって行なうことができる。
なお、本発明の第１（あるいは第２）の実施例において
逆メサ側面に形成されたｐ型ＧａＩｎＰクラッド層１０
４（あるいは２０４）よりも屈折率の小さいｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰあるいはｐ型ＡｌＩｎＰ層１０７（あるいは２
０７）の代わりに半絶縁性ＡｌＧａＩｎＰあるいは半絶
縁性ＡｌＩｎＰ層またはｎ型ＡｌＧａＩｎＰあるいはｎ
型ＡｌＩｎＰ層を形成してもよい。
逆メサ側面に形成されたｐ型ＧａＩｎＰクラッド層１０
４（あるいは２０４）よりも屈折率の小さいｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰあるいはｐ型ＡｌＩｎＰ層１０７（あるいは２
０７）の代わりに半絶縁性ＡｌＧａＩｎＰあるいは半絶
縁性ＡｌＩｎＰ層またはｎ型ＡｌＧａＩｎＰあるいはｎ
型ＡｌＩｎＰ層を形成してもよい。
この場合、半絶縁性またはｎ型ＡｌＧａＩｎＰあるいは
ＡｌＩｎＰ層は屈折率によるストライプへの光の閉じこ
めとストライプ以外の部分に流れる電流の阻止の役割を
果たす。これだけの役割だけを実現すればよいのであれ
ば第１図においてｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層の部分も
半絶縁性またはｎ型ＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ
層にしてしまえばよいが、ＡｌＩｎＰ層の熱伝導率は
０．０９Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇでありＧａＡｓの０．５４Ｗ
／ｃｍ・ｄｅｇよりも低い値であるから、熱放散が悪く
なってしまう。本発明においてはｎ型ＧａＡｓ電流ブロ
ック層１１０（あるいは２１０）がストライプの両側の
ほぼ全面にわたって設けられているので熱放散が良くな
る。
ＡｌＩｎＰ層は屈折率によるストライプへの光の閉じこ
めとストライプ以外の部分に流れる電流の阻止の役割を
果たす。これだけの役割だけを実現すればよいのであれ
ば第１図においてｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層の部分も
半絶縁性またはｎ型ＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ
層にしてしまえばよいが、ＡｌＩｎＰ層の熱伝導率は
０．０９Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇでありＧａＡｓの０．５４Ｗ
／ｃｍ・ｄｅｇよりも低い値であるから、熱放散が悪く
なってしまう。本発明においてはｎ型ＧａＡｓ電流ブロ
ック層１１０（あるいは２１０）がストライプの両側の
ほぼ全面にわたって設けられているので熱放散が良くな
る。
また、上述の本発明の第１および第２の実施例において
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の表面にｐ型ＧａＩｎＰ
層を形成した構造について説明したが、これはｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層とｐ型ＧａＩｎＰ層との界面ある
いはｐ型ＧａＩｎＰ層とｐ型ＧＡｓ層との界面のヘテロ
接合界面に存在する価電子帯のスパイクによる電流のバ
リア効果を低減するために挿入されるものであり、これ
らの各層のキャリア密度を高くすればｐ型ＧａＩｎＰ層
は不要である。また、上述の本発明の第１および第２の
実施例において導電型は逆であっても良いことはいうま
でもない。
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の表面にｐ型ＧａＩｎＰ
層を形成した構造について説明したが、これはｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層とｐ型ＧａＩｎＰ層との界面ある
いはｐ型ＧａＩｎＰ層とｐ型ＧＡｓ層との界面のヘテロ
接合界面に存在する価電子帯のスパイクによる電流のバ
リア効果を低減するために挿入されるものであり、これ
らの各層のキャリア密度を高くすればｐ型ＧａＩｎＰ層
は不要である。また、上述の本発明の第１および第２の
実施例において導電型は逆であっても良いことはいうま
でもない。
また、上述の本発明の第１および第２の実施例において
ストライプの方位は＜０１＞方向にとったがストライ
プの方位を＜０１１＞方向にとった場合にはストライプ
が逆メサではなく台形状の順メサになるのが、同様の効
果が得られることはいうまでもない。
ストライプの方位は＜０１＞方向にとったがストライ
プの方位を＜０１１＞方向にとった場合にはストライプ
が逆メサではなく台形状の順メサになるのが、同様の効
果が得られることはいうまでもない。
発明の効果 以上説明したように本発明は、以下のような効果を有す
る。
る。
本発明の第１の実施例においてはストライプの両側にＡ
ｌＧａＩｎＰクラッド層よりも屈折率の小さいＡｌＧａ
ＩｎＰあるいはＡｌｌｎＰ層が形成されているので活性
層と平行な方向にも光を閉じこめて導波させることがで
き、さらにその外側にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層が形
成されているのでＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層
を電流ブロック層として用いる場合に比べ熱放散が良く
なる。また、ストライプの両側のＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層よりも屈折率の小さいＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌ
ＩｎＰ層がｐ型の場合、活性層と平行な方向にも光を閉
じこめて導波させることができ、さらに屈折率の小さい
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰあるいはｐ型ＡｌＩｎＰ層からも活
性層への電流注入が行なわれるので電流注入によって活
性層の屈折率が低下しても導波モードへの影響は少な
い。従って活性層に平行な方向および垂直な方向ともに
安定に屈折率導波されるので非点隔差も従来例で示した
レーザよりもはるかに小さくなる。
ｌＧａＩｎＰクラッド層よりも屈折率の小さいＡｌＧａ
ＩｎＰあるいはＡｌｌｎＰ層が形成されているので活性
層と平行な方向にも光を閉じこめて導波させることがで
き、さらにその外側にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層が形
成されているのでＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層
を電流ブロック層として用いる場合に比べ熱放散が良く
なる。また、ストライプの両側のＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層よりも屈折率の小さいＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌ
ＩｎＰ層がｐ型の場合、活性層と平行な方向にも光を閉
じこめて導波させることができ、さらに屈折率の小さい
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰあるいはｐ型ＡｌＩｎＰ層からも活
性層への電流注入が行なわれるので電流注入によって活
性層の屈折率が低下しても導波モードへの影響は少な
い。従って活性層に平行な方向および垂直な方向ともに
安定に屈折率導波されるので非点隔差も従来例で示した
レーザよりもはるかに小さくなる。
また製造方法では逆メサ側面に形成されたクラッド層よ
りも屈折率の小さいｐ型ＡｌＧａＩｎＰあるいはｐ型Ａ
ｌＩｎＰ層の側面も逆メサ形状であり、幅を狭くするこ
とができる。従って屈折率導波のストライプ幅を狭くし
てなおかつ電流注入のストライプ幅も同時に狭くするこ
とができるので、低しきい値電流で単一横モード発振を
得ることができる。
りも屈折率の小さいｐ型ＡｌＧａＩｎＰあるいはｐ型Ａ
ｌＩｎＰ層の側面も逆メサ形状であり、幅を狭くするこ
とができる。従って屈折率導波のストライプ幅を狭くし
てなおかつ電流注入のストライプ幅も同時に狭くするこ
とができるので、低しきい値電流で単一横モード発振を
得ることができる。
本発明の第２の実施例ではレーザの出射端面の近傍では
ストライプの両側にクラッド層よりも屈折率の小さいＡ
ｌＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層が設けられているた
め導波光が完全にストライプに閉じこめられており、出
射する光は非点隔差が小さくなることであり、しかも屈
折率の小さいＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層が埋
め込まれた領域以外の領域では従来例と同じ利得導波成
分が残るのでレーザ発振の縦モードはマルチモードにな
ることである。これにより半導体レーザは戻り光などの
擾乱に対しても影響をあまり受けない安定な動作を行な
うことができる。
ストライプの両側にクラッド層よりも屈折率の小さいＡ
ｌＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層が設けられているた
め導波光が完全にストライプに閉じこめられており、出
射する光は非点隔差が小さくなることであり、しかも屈
折率の小さいＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層が埋
め込まれた領域以外の領域では従来例と同じ利得導波成
分が残るのでレーザ発振の縦モードはマルチモードにな
ることである。これにより半導体レーザは戻り光などの
擾乱に対しても影響をあまり受けない安定な動作を行な
うことができる。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の第１および第２
の実施例の半導体レーザの各製造工程における構造的断
面模式図、第３図は従来の横モード制御型ＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザの各製造工程における構造的断面模式
図である。 １０１，２０１，３０１……ｎ型ＧａＡｓ基板、１０
２，２０２，３０２……ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層、１０３，２０３，３０３……ＧａＩｎＰ活性層、１
０４，２０４，３０４……ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層、１０７，２０７……ｐ型ＡｌＩｎＰ層、１１０，２
１０，３０７……ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層、１１
１，２１１，３０８……ｐ型ＧａＡｓコンタクト層。
の実施例の半導体レーザの各製造工程における構造的断
面模式図、第３図は従来の横モード制御型ＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザの各製造工程における構造的断面模式
図である。 １０１，２０１，３０１……ｎ型ＧａＡｓ基板、１０
２，２０２，３０２……ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層、１０３，２０３，３０３……ＧａＩｎＰ活性層、１
０４，２０４，３０４……ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層、１０７，２０７……ｐ型ＡｌＩｎＰ層、１１０，２
１０，３０７……ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層、１１
１，２１１，３０８……ｐ型ＧａＡｓコンタクト層。
Claims (6)
- 【請求項１】ＧａＡｓ基板上に一方導電型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層、活性層およびストライプ部分で厚さが厚
くなった他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を有し、
前記ストライプの両側の前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層の表面に前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層よりも屈折率の低いＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌ
ＩｎＰ層が一対のストライプ状に形成されていて、さら
にその外側に一方導電型電流ブロック層が形成されてい
ることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】（１００）を主面とするＧａＡｓ基板上に
一方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、活性層および＜
０１＞方向に形成されたストライプ部分で厚さが厚く
断面形状が逆メサ形状をした他方導電型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層を有し、前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層の逆メサ表面に前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層よりも屈折率の低いＡｌＧａＩｎＰあるいはＡ
ｌＩｎＰ層が形成されていて、さらにその外側に一方導
電型電流ブロック層が形成されていることを特徴とする
半導体レーザ。 - 【請求項３】ＧａＡｓ基板上に一方導電型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層、活性層およびストライプ部分で厚さが厚
くなった他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を有し、
レーザ光の出射端面近傍の領域の前記他方導電型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層の前記ストライプの両側表面に前記
他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層よりも屈折率の低
いＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層が一対のストラ
イプ状に形成されていて、さらにその外側および前記屈
折率の低いＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層が形成
されていない領域の前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層の前記ストライプの両側表面に一方導電型電流ブ
ロック層が形成されていることを特徴とする半導体レー
ザ。 - 【請求項４】屈折率の低いＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌ
ＩｎＰ層の導電型が他方導電型であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項ないし第３項記載の半導体レー
ザ。 - 【請求項５】屈折率の低い他方導電型ＡｌＧａＩｎＰあ
るいは他方導電型ＡｌＩｎＰ層の上に他方導電型コンタ
クト層が形成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第４項記載の半導体レーザ。 - 【請求項６】（１００）を主面とするＧａＡｓ基板上に
一方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、活性層および他
方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を形成する工程、前
記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を＜０１＞方
向にストライプ状で逆メサ形状になっており該ストライ
プ部分で厚さが厚くなるようにエッチング加工する工
程、前記前記逆メサ形状の前記他方導電型ＡｌＧａＩｎ
Ｐ層の逆メサ側面に前記他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層よりも屈折率の低いＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌ
ＩｎＰ層を選択的に形成する工程、表面に露出した前記
他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の表面に一方導電
型電流ブロック層を選択的に形成する工程、および前記
他方導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層のストライプ上、
屈折率の低いＡｌＧａＩｎＰあるいはＡｌＩｎＰ層の表
面および前記一方導電型電流ブロック層の表面に他方導
電型コンタクト層を形成する工程を備えたことを特徴と
する半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1153369A JPH0632347B2 (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US07/437,934 US5029175A (en) | 1988-12-08 | 1989-11-17 | Semiconductor laser |
| US07/683,181 US5143863A (en) | 1988-12-08 | 1991-04-09 | Method of manufacturing semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1153369A JPH0632347B2 (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319293A JPH0319293A (ja) | 1991-01-28 |
| JPH0632347B2 true JPH0632347B2 (ja) | 1994-04-27 |
Family
ID=15560948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1153369A Expired - Lifetime JPH0632347B2 (ja) | 1988-12-08 | 1989-06-15 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0632347B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0480983A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-13 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JP4713023B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2011-06-29 | ノリタケ伊勢電子株式会社 | 蛍光表示管 |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP1153369A patent/JPH0632347B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0319293A (ja) | 1991-01-28 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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