JPH0113453Y2 - - Google Patents

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JPH0113453Y2
JPH0113453Y2 JP1983031370U JP3137083U JPH0113453Y2 JP H0113453 Y2 JPH0113453 Y2 JP H0113453Y2 JP 1983031370 U JP1983031370 U JP 1983031370U JP 3137083 U JP3137083 U JP 3137083U JP H0113453 Y2 JPH0113453 Y2 JP H0113453Y2
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案は、AMラジオ受信機のIF(中間周波)
増幅回路の改良に関するもので、特にAM検波回
路と直結するに適したIF増幅回路に関するもの
である。 (ロ) 従来技術 AMラジオ受信機のIF増幅回路とAM検波回路
とを直結した回路としては、第1図の如きものが
ある。第1図において、1はエミツタが抵抗2及
び3を介して共通接続された第1及び第2トラン
ジスタ4及び5を含むIF増幅回路、6は検波ト
ランジスタ7と検波用のコンデンサ8とを含み、
前記第2トランジスタ5のコレクタに得られる
IF出力信号をAM検波する為のAM検波回路、9
は検波出力信号が得られる出力端子、10は抵抗
11とコンデンサ12とから成る積分回路、及び
13は該積分回路10の出力信号が印加される
AGC(自動利得制御)回路である。入力端子14
に印加されたIF信号は、IF増幅回路1で差動増
幅され、増幅されたIF信号が第2トランジスタ
5のコレクタに発生する。しかして、前記増幅さ
れたIF信号は、AM検波回路6で検波され、出力
端子9から後段回路(図示せず)に伝送される
が、検波出力信号は一方において、積分回路10
を介してAGC回路13に印加され、RF(ラジオ
周波)増幅回路やIF増幅回路の利得制御が行な
われる。前記第1図の回路は、IF増幅回路1の
負荷が抵抗15によつて構成されており、外付部
品も少ない為に、IC(集積回路)化が容易である
という利点を有する。しかしながら、第1図の回
路は、IF増幅回路1の利得を大とする為に定電
流源16に流れる電流を大とすると、負荷となる
抵抗15の電圧降下も大となり、低電源電圧で動
作させることが出来ないという欠点を有する。例
えば、第1及び第2トランジスタ4及び5のエミ
ツタ抵抗を無視し、定電流源16に流れる電流を
I0、負荷となる抵抗15の値をRとすれば、前記
IF増幅回路1の利得Aは、A=qRI0/4KTとなる。た だし、qは電子の電荷、Kはボルツマン定数、T
は絶対温度で、q/KT=1/26mVである。 従つて、歪改善の為に利得を大とし、例えばA
=20(26dB)とすれば、前記抵抗15における電
圧降下(RI0/2)は約1V、A=30とすれば、前記 電圧降下は約1.6Vとなる。また、第1図の回路
において、出力端子9に得られる直流電圧は、
VCC−RI0/2−VBE(ただし、VBEはトランジスタの ベース・エミツタ間電圧、VCCは電源電圧)とな
り、これをAGC電圧として用いると、RI0/2の項 が差動接続された第1及び第2トランジスタ4及
び5のオフセツト等でバラツキ、AGC特性が悪
化するという欠点を有していた。 一方、特性面で改善されたAMラジオ受信機の
IF増幅回路としては、第2図の如きものが提案
されている。この第2図の回路は、IF増幅回路
1を構成する第1及び第2トランジスタ4及び5
の負荷としてLC並列共振回路17を用いた点を
特徴とするもので、前記LC並列共振回路17は、
直流インピーダンスが零である為負荷における電
圧降下が生ぜず、低電源電圧で動作させることが
出来る。また、出力端子9に得られる直流電圧
は、VCC−VBEとなり、これをAGC電圧として用
いる場合、バラツキ要因が少ないので、AGC特
性の悪化が防止されるという利点を有する。しか
しながら、第2図の回路においては、LC並列共
振回路17をIC化出来ない為に、IC化に不向き
な回路であり、かつ他の部分をIC化した場合、
高価なLC並列共振回路を外付けしなければなら
ず、回路全体のコストが上昇してIC化の価値が
半減するという欠点を有していた。 (ハ) 考案の目的 本考案は、上述の点に鑑み成されたもので、特
性が良く、IC化が容易で、かつAM検波回路と直
結することが可能なIF増幅回路を提供せんとす
るものである。 (ニ) 考案の構成 本考案に係るIF増幅回路は、一対のトランジ
スタから成る差動増幅部と、前記一対のトランジ
スタの一方のトランジスタのコレクタ電流を反転
する第1電流反転回路と、前記一対のトランジス
タの他方のトランジスタのコレクタ電流を反転す
る第2電流反転回路と、該第2電流反転回路の出
力電流を反転する第3電流反転回路と、前記第1
及び第3電流反転回路の共通出力端に一端が接続
される負荷抵抗と、該負荷抵抗の他端に接続され
る基準電源と、前記負荷抵抗の一端と前記他方の
トランジスタのベースとの間に接続される直流負
帰還路と、前記負荷抵抗の一端に接続される出力
端子とによつて構成される。 (ホ) 実施例 第3図は、本考案の一実施例を示す回路図で、
18及び19はエミツタがそれぞれエミツタ抵抗
20、及び21を介して共通接続され、差動増幅
動作を行う第1及び第2トランジスタ、22はダ
イオード接続された第3トランジスタ23と第4
トランジスタ24とから成り、前記第1トランジ
スタ18のコレクタ電流を反転して取り出す第1
電流反転回路、25はダイオード接続された第5
トランジスタ26と第6トランジスタ27とから
成り、前記第2トランジスタ19のコレクタ電流
を反転して取り出す第2電流反転回路、28はダ
イオード接続された第7トランジスタ29と第8
トランジスタ30とから成り、前記第2電流反転
回路25の出力電流を反転して取り出す第3電流
反転回路、31は一端が前記第1及び第3電流反
転回路22及び28の共通出力端に、他端が電圧
VAの基準電源32に接続された負荷抵抗、33
は抵抗34とコンデンサ35とを含み前記負荷抵
抗31の一端と前記第2トランジスタ19のベー
スとを接続する直流負帰還路、36は抵抗37と
コンデンサ38とを含み、基準電源32の直流電
圧をバイアス電圧として第1トランジスタ18の
ベースに印加する為のバイアス路、39はIF増
幅回路の出力端子、40は検波トランジスタ41
と検波用のコンデンサ42とを含み、前記出力端
子39に得られるIF信号をAM検波する為のAM
検波回路、43は検波出力信号が抵抗44とコン
デンサ45とから成る積分回路を介して印加され
るAGC回路、及び46は検波出力端号が得られ
る出力端子である。 無信号状態において、第1及び第2トランジス
タ18及び19のエミツタ電流源47に流れる電
流をI0とし、前記第1及び第2トランジスタ18
及び19のベースバイアス電圧を等しくし、回路
がバランスしていると仮定すれば、前記第1及び
第2トランジスタ18及び19のコレクタ電流は
等しくI0/2となる。前記第1トランジスタ18の コレクタ電流I0/2は、第1電流反転回路22で反 転され、第4トランジスタ24のコレクタから
I0/2の電流が出力点Pに供給される。一方、第2 トランジスタ19のコレクタ電流I0/2は、第1及 び第2電流反転回路25及び28で2度反転さ
れ、第8トランジスタ30のコレクタによつて
I0/2の電流が出力点Pから吸引される。その為、 出力点Pにおいては、供給される電流と吸引され
る電流とが等しくなり、前記出力点Pの電圧は、
基準電源32の電圧VAに保たれる。基準電源3
2の電圧VAは、第1トランジスタ18のベース
にバイアス路36を通してバイアス電圧として印
加され、等しい値の電圧VAが出力点Pから第2
トランジスタ19のベースにバイアス電圧として
印加されるから、バイアス関係は一定に保たれ
る。 しかしながら、差動接続された第1及び第2ト
ランジスタ18及び19の間の製造工程上のアン
バランスや、第1乃至第3電流反転回路22乃至
28の反転比のバラツキ等により、第4トランジ
スタ24から出力点Pに供給される電流と、第8
トランジスタ28により出力点Pから吸引される
電流とが一致しないと、負荷抵抗31に電流が流
れ、該負荷抵抗31に電圧降下を生じる。しかし
て、前記負荷抵抗31に生じた電圧降下は、直流
負帰環路33を介して第2トランジスタ19のベ
ースに印加されるので、前記第4及び第8トラン
ジスタ24及び30のコレクタ電流が一致する様
な負帰還制御が行なわれる。例えば、第4トラン
ジスタ24のコレクタ電流が第8トランジスタ3
0のコレクタ電流よりも大となると、出力点Pか
ら負荷抵抗31に電流が流入し、第2トランジス
タ19のベース電圧が上昇する。その為、第2ト
ランジスタ19のコレクタ電流が大となり、第2
及び第3電流反転回路25及び28に流れる電流
が大となるとともに、第1トランジスタ18のコ
レクタ電流が小となり、第1電流反転回路22
流れる電流が小となるので、第4及び第8トラン
ジスタ24及び30のコレクタ電流が等しくな
り、出力点Pの電圧は、基準電源32の電圧VA
に等しくなる。逆に、第4トランジスタ24のコ
レクタ電流が第8トランジスタ30のコレクタ電
流よりも小となると、基準電源32から負荷抵抗
31に電流が流入し、第2トランジスタ19のベ
ース電圧が下降して負帰還がかかり、結局出力点
Pの電圧は、基準電源32の電圧VAに等しくな
る。従つて、第3図の実施例において、出力点P
の直流電圧は、常に基準電圧VAと等しくなり、
安定なバイアス状態を保つことが出来る。 入力端子48にIF信号が印加されると、第1
及び第2トランジスタ18及び19のベース電圧
に差が生じ、該ベース電圧の差に応じたコレクタ
電流が流れる。その時の前記第1トランジスタ1
8のコレクタ電流をI1=I0/2+ΔI、前記第2トラ ンジスタ19のコレクタ電流をI2=I0/2−ΔIとす れば、第4トランジスタ24のコレクタ電流は
I1、第8トランジスタ30のコレクタ電流はI2
なる。従つて、負荷抵抗31に流れる電流は、I3
=I1−I2=2ΔIとなり、出力点Pにおける出力電
位は、負荷抵抗31の抵抗値をRとすれば、VP
=RI3=2RΔIとなる。それ故、負荷抵抗31の値
を大とすれば、高利得のIF増幅回路を得ること
が出来、歪率の改善されたIF増幅回路を提供出
来る。 出力点Pに得られる出力信号は、AM検波回路
40の検波トランジスタ41のベースに印加さ
れ、出力端子46に検波出力信号が発生する。ま
た、検波出力信号は抵抗44とコンデンサ45と
から成る積分回路を介してAGC回路43に印加
され、AGCの為に使用される。AM検波回路4
0及びAGC回路43については、従来から使用
されているものと同一に付、詳細は省略する。 (ヘ) 考案の効果 以上述べた如く、本考案に依れば、高利得かつ
低歪率でAM検波回路と直結出来るIF増幅回路を
提供出来るという利点を有する。また、高利得に
する為に、負荷抵抗31の値を大としても、該負
荷抵抗31における直流電圧降下が無いので、低
電源電圧で作動させることが出来るという利点を
有する。また、AGC基準電圧は、出力点Pの電
圧VPから検波トランジスタ41のベース・エミ
ツタ間電圧VBEを引いた値となり、かつ前記電圧
VPは基準電圧VAに固定されるので、前記AGC基
準電圧のバラツキを少くすることが出来るという
利点を有する。更に、直流負帰還路及びバイアス
路に挿入されるローパスタフイルタ用のコンデン
サ35及び38は、FMIF増幅回路に使用さるコ
ンデンサと共用出来るので、実質的な外付ピン数
の増加や外付部品の増加を招かず、IC化に適し
たIF増幅回路を提供出来る。 尚、バイアス路36に挿入される抵抗37及び
コンデンサ38は回路設計に応じて省略すること
も可能である。
[Detailed explanation of the invention] (a) Industrial application field This invention is based on the IF (intermediate frequency)
This paper relates to improvements in amplifier circuits, and in particular to IF amplifier circuits suitable for direct connection to AM detection circuits. (B) Prior Art There is a circuit as shown in FIG. 1 that directly connects the IF amplifier circuit and AM detection circuit of an AM radio receiver. In FIG. 1, 1 includes an IF amplifier circuit including first and second transistors 4 and 5 whose emitters are commonly connected via resistors 2 and 3, 6 includes a detection transistor 7 and a detection capacitor 8,
obtained at the collector of the second transistor 5
AM detection circuit for AM detection of IF output signal, 9
is an output terminal from which a detection output signal is obtained; 10 is an integrating circuit consisting of a resistor 11 and a capacitor 12; and 13 is an output terminal to which the output signal of the integrating circuit 10 is applied.
This is an AGC (automatic gain control) circuit. Input terminal 14
The IF signal applied to the second transistor 5 is differentially amplified by the IF amplifier circuit 1, and the amplified IF signal is generated at the collector of the second transistor 5. The amplified IF signal is detected by the AM detection circuit 6 and transmitted from the output terminal 9 to a subsequent circuit (not shown).
The signal is applied to the AGC circuit 13 via the RF (radio frequency) amplification circuit and the IF amplification circuit to perform gain control. The circuit shown in FIG. 1 has the advantage that it can be easily integrated into an IC (integrated circuit) because the load of the IF amplifier circuit 1 is constituted by a resistor 15 and there are few external components. However, in the circuit shown in FIG. 1, when the current flowing through the constant current source 16 is increased in order to increase the gain of the IF amplifier circuit 1, the voltage drop across the resistor 15 serving as the load also becomes large, and the circuit operates at a low power supply voltage. The disadvantage is that it cannot be done. For example, ignoring the emitter resistances of the first and second transistors 4 and 5, the current flowing through the constant current source 16 is
I 0 and the value of the resistor 15 serving as the load is R, then the above
The gain A of the IF amplifier circuit 1 is A=qRI 0 /4KT. However, q is the electron charge, K is Boltzmann's constant, and T
is the absolute temperature and q/KT = 1/26mV. Therefore, in order to improve distortion, the gain is increased, for example, A
If A = 20 (26 dB), the voltage drop (RI 0 /2) at the resistor 15 will be approximately 1V, and if A = 30, the voltage drop will be approximately 1.6V. Moreover, in the circuit of FIG. 1, the DC voltage obtained at the output terminal 9 is
V CC −RI 0 /2 − V BE (where V BE is the voltage between the base and emitter of the transistor, and V CC is the power supply voltage), and when this is used as the AGC voltage, the term RI 0 /2 is a differential connection. This has the disadvantage that the offsets of the first and second transistors 4 and 5 caused by the oscillations vary, and the AGC characteristics deteriorate. On the other hand, AM radio receivers with improved characteristics
As an IF amplifier circuit, the one shown in FIG. 2 has been proposed. The circuit shown in FIG. 2 includes first and second transistors 4 and 5 constituting the IF amplifier circuit 1.
It is characterized in that an LC parallel resonant circuit 17 is used as the load, and the LC parallel resonant circuit 17 is
Since the DC impedance is zero, there is no voltage drop in the load, and it can be operated with a low power supply voltage. Further, the DC voltage obtained at the output terminal 9 is V CC -V BE , and when this is used as the AGC voltage, there are few fluctuation factors, so there is an advantage that deterioration of the AGC characteristics is prevented. However, in the circuit of FIG. 2, the LC parallel resonant circuit 17 cannot be integrated into an IC, so the circuit is not suitable for integration into an IC, and if other parts are integrated into an IC,
This had the disadvantage that an expensive LC parallel resonant circuit had to be externally attached, which increased the cost of the entire circuit and halved the value of IC implementation. (c) Purpose of the invention The present invention was created in view of the above points, and aims to provide an IF amplifier circuit that has good characteristics, can be easily integrated into an IC, and can be directly connected to an AM detection circuit. It is something. (d) Structure of the invention The IF amplifier circuit according to the invention includes: a differential amplifier section consisting of a pair of transistors; a first current inversion circuit for inverting the collector current of one transistor of the pair of transistors; a second current inversion circuit that inverts the collector current of the other transistor; a third current inversion circuit that inverts the output current of the second current inversion circuit;
and a load resistor having one end connected to the common output terminal of the third current inversion circuit, a reference power supply connected to the other end of the load resistor, and between one end of the load resistor and the base of the other transistor. It is configured by a DC negative feedback path connected thereto and an output terminal connected to one end of the load resistor. (e) Embodiment Figure 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
18 and 19 are first and second transistors whose emitters are commonly connected via emitter resistors 20 and 21, respectively, and perform a differential amplification operation; 22 is a diode-connected third transistor 23 and a fourth transistor;
a first transistor 24, which inverts and extracts the collector current of the first transistor 18;
a current inversion circuit, 25 is a diode-connected fifth circuit;
A second current inverting circuit includes a transistor 26 and a sixth transistor 27, and inverts and extracts the collector current of the second transistor 19; 28 is a diode-connected seventh transistor 29 and an eighth transistor;
a third current inverting circuit which inverts and takes out the output current of the second current inverting circuit 25 ; one end of which is connected to the common output terminal of the first and third current inverting circuits 22 and 28 ; voltage at the end
A load resistor 33 connected to a reference power supply 32 of V A
36 includes a resistor 34 and a capacitor 35 and connects one end of the load resistor 31 to the base of the second transistor 19; 36 includes a resistor 37 and a capacitor 38, and connects the DC voltage of the reference power source 32; A bias path for applying a bias voltage to the base of the first transistor 18, 39 is an output terminal of the IF amplifier circuit, 40 is a detection transistor 41
and a detection capacitor 42, for AM detection of the IF signal obtained at the output terminal 39.
A detection circuit, 43 is an AGC circuit to which a detection output signal is applied via an integrating circuit consisting of a resistor 44 and a capacitor 45, and 46 is an output terminal from which a detection output terminal signal is obtained. In a no-signal state, the current flowing through the emitter current sources 47 of the first and second transistors 18 and 19 is I0 , and the first and second transistors 18
Assuming that the base bias voltages of transistors 18 and 19 are equal and the circuit is balanced, the collector currents of the first and second transistors 18 and 19 will be equal to I 0 /2. The collector current I 0 /2 of the first transistor 18 is inverted by the first current inverting circuit 22 and is transferred from the collector of the fourth transistor 24.
A current of I 0 /2 is supplied to output point P. On the other hand, the collector current I 0 /2 of the second transistor 19 is inverted twice by the first and second current inverting circuits 25 and 28 , and is then inverted twice by the collector of the eighth transistor 30.
A current of I 0 /2 is drawn from output point P. Therefore, at the output point P, the supplied current and the attracted current are equal, and the voltage at the output point P is
The voltage V A of the reference power supply 32 is maintained. Reference power supply 3
A voltage V A of 2 is applied as a bias voltage to the base of the first transistor 18 through the bias path 36, and a voltage V A of equal value is applied from the output point P to the second
Since it is applied as a bias voltage to the base of transistor 19, the bias relationship is kept constant. However, due to unbalance in the manufacturing process between the first and second transistors 18 and 19 that are differentially connected, and variations in the inversion ratios of the first to third current inversion circuits 22 to 28, the fourth transistor 24 The current supplied to output point P from
If the current drawn from the output point P by the transistor 28 does not match, the current flows through the load resistor 31, causing a voltage drop across the load resistor 31. Therefore, the voltage drop generated across the load resistor 31 is applied to the base of the second transistor 19 via the DC negative feedback loop 33 , so that the collector currents of the fourth and eighth transistors 24 and 30 match. Negative feedback control is performed. For example, if the collector current of the fourth transistor 24 is
When the collector current becomes larger than zero, a current flows from the output point P into the load resistor 31, and the base voltage of the second transistor 19 increases. Therefore, the collector current of the second transistor 19 becomes large, and the second
As the current flowing through the third current inverting circuits 25 and 28 becomes large, the collector current of the first transistor 18 becomes small, and the current flowing through the first current inverting circuit 22 becomes small. The collector currents of 24 and 30 become equal, and the voltage at the output point P is equal to the voltage V A of the reference power supply 32.
is equal to Conversely, when the collector current of the fourth transistor 24 becomes smaller than the collector current of the eighth transistor 30, current flows from the reference power supply 32 to the load resistor 31, and the base voltage of the second transistor 19 decreases, causing negative feedback. As a result, the voltage at the output point P becomes equal to the voltage V A of the reference power supply 32. Therefore, in the embodiment of FIG.
The DC voltage of is always equal to the reference voltage V A ,
A stable bias state can be maintained. When the IF signal is applied to the input terminal 48, the first
A difference occurs between the base voltages of the second transistors 18 and 19, and a collector current flows according to the difference between the base voltages. The first transistor 1 at that time
If the collector current of the transistor 8 is I 1 =I 0 /2+ΔI, and the collector current of the second transistor 19 is I 2 =I 0 /2−ΔI, then the collector current of the fourth transistor 24 is
I 1 and the collector current of the eighth transistor 30 is I 2 . Therefore, the current flowing through the load resistor 31 is I 3
= I 1 - I 2 = 2ΔI, and the output potential at the output point P is V P if the resistance value of the load resistor 31 is R.
= RI 3 = 2RΔI. Therefore, by increasing the value of the load resistor 31, an IF amplifier circuit with high gain can be obtained, and an IF amplifier circuit with improved distortion factor can be provided. The output signal obtained at the output point P is applied to the base of the detection transistor 41 of the AM detection circuit 40, and a detection output signal is generated at the output terminal 46. Further, the detection output signal is applied to the AGC circuit 43 via an integrating circuit consisting of a resistor 44 and a capacitor 45, and is used for AGC. AM detection circuit 4
0 and AGC circuit 43 are the same as those used conventionally, and the details are omitted. (f) Effects of the invention As described above, the invention has the advantage of providing an IF amplifier circuit with high gain and low distortion that can be directly connected to an AM detection circuit. Further, even if the value of the load resistor 31 is increased in order to obtain a high gain, there is no DC voltage drop across the load resistor 31, so there is an advantage that the device can be operated with a low power supply voltage. Further, the AGC reference voltage is a value obtained by subtracting the base-emitter voltage V BE of the detection transistor 41 from the voltage V P at the output point P, and
Since V P is fixed to the reference voltage V A , there is an advantage that variations in the AGC reference voltage can be reduced. Furthermore, the low-pass filter capacitors 35 and 38 inserted into the DC negative feedback path and bias path can be shared with the capacitors used in the FMIF amplifier circuit, so there is no substantial increase in the number of external pins or external components. It is possible to provide an IF amplification circuit that is suitable for IC implementation without increasing the number of ICs. Note that the resistor 37 and capacitor 38 inserted into the bias path 36 may be omitted depending on the circuit design.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図及び第2図は、従来のIF増幅回路を示
す回路図、及び第3図は本考案の一実施例を示す
回路図である。 主な図番の説明、18……第1トランジスタ、
19……第2トランジスタ、222528
…電流反転回路、31……負荷抵抗、33……直
流負帰還路。
1 and 2 are circuit diagrams showing a conventional IF amplifier circuit, and FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. Explanation of main figure numbers, 18...first transistor,
19...second transistor, 22 , 25 , 28 ...
...Current inversion circuit, 31...Load resistance, 33 ...DC negative feedback path.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 一対のトランジスタから成り、一方のトランジ
スタのベースに印加される中間周波信号を増幅す
る為の差動増幅部と、該差動増幅部の一方のトラ
ンジスタのコレクタ電流を反転して取り出す第1
電流反転回路と、前記差動増幅部の他方のトラン
ジスタのコレクタ電流を反転して取り出す第2電
流反転回路と、該第2電流反転回路の出力電流を
反転する為の第3電流反転回路と、前記第1電流
反転回路の出力端子と前記第3電流反転回路の出
力端子との共通接続端に一端が接続される負荷抵
抗と、該負荷抵抗の他端に接続される基準電源
と、前記負荷抵抗の一端と前記他方のトランジス
タのベースとの間に接続される直流負帰還路と、
前記負荷抵抗の一端に接続される出力端子とから
成り、該出力端子に検波回路を直結し得る様にし
たことを特徴とする中間周波増幅回路。
A differential amplifying section consisting of a pair of transistors for amplifying an intermediate frequency signal applied to the base of one transistor, and a first differential amplifying section for inverting and extracting the collector current of one transistor of the differential amplifying section.
a current inverting circuit, a second current inverting circuit for inverting and extracting the collector current of the other transistor of the differential amplifier section, and a third current inverting circuit for inverting the output current of the second current inverting circuit; a load resistor, one end of which is connected to a common connection terminal of the output terminal of the first current inversion circuit and the output terminal of the third current inversion circuit; a reference power supply connected to the other end of the load resistance; and the load. a direct current negative feedback path connected between one end of the resistor and the base of the other transistor;
an output terminal connected to one end of the load resistor, and a detection circuit can be directly connected to the output terminal.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5222853A (en) * 1975-08-14 1977-02-21 Sony Corp Amplifier
JPS5346253A (en) * 1976-10-08 1978-04-25 Toshiba Corp Signal amplifier circuit

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