JPH01133032A - 電気光学装置 - Google Patents
電気光学装置Info
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- JPH01133032A JPH01133032A JP62290816A JP29081687A JPH01133032A JP H01133032 A JPH01133032 A JP H01133032A JP 62290816 A JP62290816 A JP 62290816A JP 29081687 A JP29081687 A JP 29081687A JP H01133032 A JPH01133032 A JP H01133032A
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- electrode
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は大型画像表示、コンピュータ端末、あるいは光
学シャッターなどに利用する液晶を使った電気光学装置
に関する。
学シャッターなどに利用する液晶を使った電気光学装置
に関する。
本発明は、非線形素子と液晶を使った電気光学装置の画
素電極と画素電極の間にダミー電極を設けることにより
、画素間に生ずる異常表示状態の発生を防止するように
したものである。
素電極と画素電極の間にダミー電極を設けることにより
、画素間に生ずる異常表示状態の発生を防止するように
したものである。
近年、表示装置あるいは電気光学ンヤソター等に用いら
れる液晶を使った電気光学装置は、薄型、軽量、低消費
電力の特徴を生かして急速な発展を遂げている。特にマ
トリックス型の域晶電気光学装置では非線形素子と組み
合わせることによって分割数を大幅に増やすことが可能
になり、その利用分野も大きく拡大された。
れる液晶を使った電気光学装置は、薄型、軽量、低消費
電力の特徴を生かして急速な発展を遂げている。特にマ
トリックス型の域晶電気光学装置では非線形素子と組み
合わせることによって分割数を大幅に増やすことが可能
になり、その利用分野も大きく拡大された。
液晶と組み合わせる非線形素子はTPT (薄膜トラン
ジスタ)などの3端子素子と、M I M (金属−絶
縁膜−金属)やMS+(金属−半絶縁体)などの2端子
素子に分類できるが、構造が簡単であり、それまでの非
線形素子の設けられていないいわゆる単純マトリックス
型の駆動回路がそのまま利用できるという点では2端子
素子が有利である。
ジスタ)などの3端子素子と、M I M (金属−絶
縁膜−金属)やMS+(金属−半絶縁体)などの2端子
素子に分類できるが、構造が簡単であり、それまでの非
線形素子の設けられていないいわゆる単純マトリックス
型の駆動回路がそのまま利用できるという点では2端子
素子が有利である。
非線形素子と液晶を利用した従来の電気光学装置の平面
図を第2図、その平面拡大図を第3図(al、第3図[
81のA部の平面図を第3図(blに示す。これらの図
において、1は列電極、2は行電極、3は表示電極であ
り、行電極2と表示電極3の間には非線形素子4が形成
されている。但し第3図Falでは簡単のために列電極
は省略しである。5は液晶層である。次に動作について
説明する。列電極1と行電極2に所定の電圧を印加する
。液晶層5と画素電極3を介して非線形素子4にかかる
電圧がある一定レベル以上になると非線形素子4を通し
て電荷が画素電極3に流れ込んでその部分の液晶層5が
ON状態になる。列電極に印加される電圧波形の例を第
4図(alに、行電極に印加される電圧波形の例を第4
図(blに示す。第4図の波形の例ではチエッカ−パタ
ーンの表示状態となる。
図を第2図、その平面拡大図を第3図(al、第3図[
81のA部の平面図を第3図(blに示す。これらの図
において、1は列電極、2は行電極、3は表示電極であ
り、行電極2と表示電極3の間には非線形素子4が形成
されている。但し第3図Falでは簡単のために列電極
は省略しである。5は液晶層である。次に動作について
説明する。列電極1と行電極2に所定の電圧を印加する
。液晶層5と画素電極3を介して非線形素子4にかかる
電圧がある一定レベル以上になると非線形素子4を通し
て電荷が画素電極3に流れ込んでその部分の液晶層5が
ON状態になる。列電極に印加される電圧波形の例を第
4図(alに、行電極に印加される電圧波形の例を第4
図(blに示す。第4図の波形の例ではチエッカ−パタ
ーンの表示状態となる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし従来の非線形素子を利用した電気光学装置は、隣
合う列N、電極間電位差によって、列電極と列Nhの間
の液晶が動かされてしまい、そのために表示画素と表示
画素の間の部分があたかも表示しているようないわゆる
異常表示状態になってしまうという欠点を存していた。
合う列N、電極間電位差によって、列電極と列Nhの間
の液晶が動かされてしまい、そのために表示画素と表示
画素の間の部分があたかも表示しているようないわゆる
異常表示状態になってしまうという欠点を存していた。
例えばチエッカ−パターンを表示する場合には列電極に
は第4図(+])の波形が18.1bの如(1木毎に半
周期ズして印加されるので、隣合う列電極の電位差は第
4図(C1となり、これによって液晶分子が動かされる
。このように表示パターンによって列電極間の液晶が動
くかどうかが決まるので、装置全面ではこの現象が発生
する部分としない部分ができ、全体にマダラな画面とな
ってしまう。これにより画像表示の場合には著しく表示
品位を低下させるし、光シヤツターの場合には誤った信
号が送られてしまうという不具合が生じる。
は第4図(+])の波形が18.1bの如(1木毎に半
周期ズして印加されるので、隣合う列電極の電位差は第
4図(C1となり、これによって液晶分子が動かされる
。このように表示パターンによって列電極間の液晶が動
くかどうかが決まるので、装置全面ではこの現象が発生
する部分としない部分ができ、全体にマダラな画面とな
ってしまう。これにより画像表示の場合には著しく表示
品位を低下させるし、光シヤツターの場合には誤った信
号が送られてしまうという不具合が生じる。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
る。
る。
本発明は、画素電極と画素電極の間にダミー電極を設け
ることにより、列電極と列電極の間の電位差により液晶
が動かされ異常表示状態が発生することを防止する。
ることにより、列電極と列電極の間の電位差により液晶
が動かされ異常表示状態が発生することを防止する。
例えば第3図(′b)の図で異常表示の発生の仕方を考
えてみる。列電極1は左右で電位差をもっているものと
する。すると列電極間の液晶層5には一定の電位勾配が
生じ、電場は図の矢印のようになる。(正確には列電極
1と画素電極3による左右の電位差だが、左右の画素電
極は同一の行電極と接続されているので電位差はほとん
どない。従って列電極間の電位差だけを考慮すれば十分
である。)この電位勾配が液晶層を動かし異常表示状態
となるのであるが、ここで画素電極と画素電極の間にダ
ミー電極間にダミー電極を設けてみる。すると列電極と
ダミー電極間のごく狭い領域には強い電位差が生じるが
、大部分の領域ではダミー電極の電位が一定なので列電
極の電位差による電位勾配は極めて小さくなり、電場は
第1図(blの矢印のようになる。このため列電極間の
電位差があっても液晶が動いて異常表示となる部分はご
く狭い領域となるので、実用上はとんど問題ないレベル
となる。
えてみる。列電極1は左右で電位差をもっているものと
する。すると列電極間の液晶層5には一定の電位勾配が
生じ、電場は図の矢印のようになる。(正確には列電極
1と画素電極3による左右の電位差だが、左右の画素電
極は同一の行電極と接続されているので電位差はほとん
どない。従って列電極間の電位差だけを考慮すれば十分
である。)この電位勾配が液晶層を動かし異常表示状態
となるのであるが、ここで画素電極と画素電極の間にダ
ミー電極間にダミー電極を設けてみる。すると列電極と
ダミー電極間のごく狭い領域には強い電位差が生じるが
、大部分の領域ではダミー電極の電位が一定なので列電
極の電位差による電位勾配は極めて小さくなり、電場は
第1図(blの矢印のようになる。このため列電極間の
電位差があっても液晶が動いて異常表示となる部分はご
く狭い領域となるので、実用上はとんど問題ないレベル
となる。
〔実施例1〕
第1図[alは本発明の電気光学装置の拡大平面図、第
1図[blはfalのA−A部の断面図である。但し簡
単のために(alでは列電極を省略しである。第1図に
おいて1は列電極、2は行電極、3は画素電極、4は非
線形素子、5は液晶層、6はダミー電極である。非線形
素子4は行電極2と画素電極3の間に非線形特性を持つ
膜が挟まれた構造−となっている。
1図[blはfalのA−A部の断面図である。但し簡
単のために(alでは列電極を省略しである。第1図に
おいて1は列電極、2は行電極、3は画素電極、4は非
線形素子、5は液晶層、6はダミー電極である。非線形
素子4は行電極2と画素電極3の間に非線形特性を持つ
膜が挟まれた構造−となっている。
ダミー電極6は行電極2の形状を変え画素電極の間まで
延長して形成した。
延長して形成した。
この電気光学装置の製造工程の概略を以下に示す。
fi+ ガラス基板上にITO膜を形成し、パターニ
ングにより画素電極3 (2) 非線形特性を持つ膜、例えばSiNx等の膜
を形成し、パターニングする。
ングにより画素電極3 (2) 非線形特性を持つ膜、例えばSiNx等の膜
を形成し、パターニングする。
f3) Cr膜を形成しパターニングにより行電極2
とダミー電極6を形成する。
とダミー電極6を形成する。
(4) もう一方のガラス基板にITO膜を形成し、
パターニングにより列電極1を作る。
パターニングにより列電極1を作る。
(5)列電極1と行電極2が直交し、かつ画素電極3と
列電極1は対向するように、2枚のガラス基板を組み合
わせる。
列電極1は対向するように、2枚のガラス基板を組み合
わせる。
(6)基板間に液晶を注入する。
上述のように製造工程においては従来の非線形素子を使
った電気光学装置とほとんど変わるところはない。第1
図の電気光学装置を作製し動作させたところ、表示画素
間の異常表示は全く見られず極めて良好な特性を示した
。
った電気光学装置とほとんど変わるところはない。第1
図の電気光学装置を作製し動作させたところ、表示画素
間の異常表示は全く見られず極めて良好な特性を示した
。
〔実施例2〕
第1図(alの電極構造のかわりに、第5図に示す構造
としても同様の効果が得られる。第5図において2は行
電極、3は画素電極、4は非線形素子、6はダミー電極
である。実施例1との相違点はダミー電極6が行電極と
接続されていない点であるが、ダミー電極としての作用
は何ら変わるところはない。本実施例の場合、ダミー電
極6はITOであり、表示画素3と同時にパターニング
され形成される。従って全体の製造工程も従来の電気光
学装置とほとんど変わらない。
としても同様の効果が得られる。第5図において2は行
電極、3は画素電極、4は非線形素子、6はダミー電極
である。実施例1との相違点はダミー電極6が行電極と
接続されていない点であるが、ダミー電極としての作用
は何ら変わるところはない。本実施例の場合、ダミー電
極6はITOであり、表示画素3と同時にパターニング
され形成される。従って全体の製造工程も従来の電気光
学装置とほとんど変わらない。
以上詳述したように、本発明によれば非線形素子と液晶
を利用した電気光学装置にダミー電極を設けるだけで、
製造工程をほとんど変えることなしに異常表示状態の発
生を防止でき、極めて良好な特性の電気光学装置を実現
するこ・とができる。
を利用した電気光学装置にダミー電極を設けるだけで、
製造工程をほとんど変えることなしに異常表示状態の発
生を防止でき、極めて良好な特性の電気光学装置を実現
するこ・とができる。
第1図(alは本発明の電気光学装置の拡大平面図、第
1図Cb)はfatのA−A’部の断面図、第2図は従
来の電気光学装置の平面図、第3図falは従来の電気
光学装置の拡大平面図、(b)は(alのB−8’部の
断面図、第4図fat〜(C1は電気光学装置に印加さ
れる電圧波形の例を示す波形図、第5図は本発明の電気
光学装置の拡大平面図である。 1・・・列電極 2・・・行電極 3・・・画素電極 4・・・非線形素子 5・・・液晶層 6・・・電場の向きを示す矢印 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 本介朗の電気り掌に償ps友平酌口 笛1 図(a) 第 1 図(b) 第3図(a) 第3tE](a)+ B−B″ノ*rjrF+第3図(
b) 匈加屯圧J冒啓の図 第4図
1図Cb)はfatのA−A’部の断面図、第2図は従
来の電気光学装置の平面図、第3図falは従来の電気
光学装置の拡大平面図、(b)は(alのB−8’部の
断面図、第4図fat〜(C1は電気光学装置に印加さ
れる電圧波形の例を示す波形図、第5図は本発明の電気
光学装置の拡大平面図である。 1・・・列電極 2・・・行電極 3・・・画素電極 4・・・非線形素子 5・・・液晶層 6・・・電場の向きを示す矢印 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 本介朗の電気り掌に償ps友平酌口 笛1 図(a) 第 1 図(b) 第3図(a) 第3tE](a)+ B−B″ノ*rjrF+第3図(
b) 匈加屯圧J冒啓の図 第4図
Claims (2)
- (1)対向する一対の基板間に液晶層を有し、一方の基
板の内面には複数の行電極、非線形素子層を介して前記
行電極と接続された複数の画素電極が形成され、もう一
方の基板の内面には前記画素電極と対向するように列電
極が形成された電気光学装置において、前記画素電極と
画素電極の隙間の前記列電極が対向していない部分に、
ダミー電極を設けたことを特徴とする電気光学装置。 - (2)前記ダミー電極は前記行電極の一部が延長された
ものである特許請求の範囲第1項記載の電気光学装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62290816A JPH01133032A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62290816A JPH01133032A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 電気光学装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01133032A true JPH01133032A (ja) | 1989-05-25 |
Family
ID=17760852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62290816A Pending JPH01133032A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01133032A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5897186A (en) * | 1994-12-01 | 1999-04-27 | U.S. Philips Corporation | Display device with discoloration--prevention electrodes |
US6608655B2 (en) | 1997-12-26 | 2003-08-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device including identical shape dummy wire surrounding each pixel and capable of reducing the influence of parasitic capacities |
WO2008053774A1 (fr) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage |
-
1987
- 1987-11-18 JP JP62290816A patent/JPH01133032A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5897186A (en) * | 1994-12-01 | 1999-04-27 | U.S. Philips Corporation | Display device with discoloration--prevention electrodes |
US6608655B2 (en) | 1997-12-26 | 2003-08-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device including identical shape dummy wire surrounding each pixel and capable of reducing the influence of parasitic capacities |
WO2008053774A1 (fr) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage |
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