JPH01132138A - Icチップの電気的接続方法、樹脂バンプ形成材料および液晶表示器 - Google Patents
Icチップの電気的接続方法、樹脂バンプ形成材料および液晶表示器Info
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- JPH01132138A JPH01132138A JP63185157A JP18515788A JPH01132138A JP H01132138 A JPH01132138 A JP H01132138A JP 63185157 A JP63185157 A JP 63185157A JP 18515788 A JP18515788 A JP 18515788A JP H01132138 A JPH01132138 A JP H01132138A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 78
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 45
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 6
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 abstract description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 8
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 5
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 3
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006132 styrene block copolymer Polymers 0.000 description 3
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 3
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000004200 microcrystalline wax Substances 0.000 description 2
- 235000019808 microcrystalline wax Nutrition 0.000 description 2
- 239000012170 montan wax Substances 0.000 description 2
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical compound C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSKJLJHPAFKHBX-UHFFFAOYSA-N 2-methylbuta-1,3-diene;styrene Chemical compound CC(=C)C=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 VSKJLJHPAFKHBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004709 Chlorinated polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002633 Kraton (polymer) Polymers 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004433 Thermoplastic polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000006230 acetylene black Substances 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 230000003110 anti-inflammatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910021383 artificial graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013871 bee wax Nutrition 0.000 description 1
- 239000012166 beeswax Substances 0.000 description 1
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 description 1
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010779 crude oil Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- CGPRUXZTHGTMKW-UHFFFAOYSA-N ethene;ethyl prop-2-enoate Chemical compound C=C.CCOC(=O)C=C CGPRUXZTHGTMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHZOMAXECYYXGP-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-2-enoic acid Chemical compound C=C.OC(=O)C=C QHZOMAXECYYXGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000006232 furnace black Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021382 natural graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920006346 thermoplastic polyester elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920003212 trans-1,4-polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はICチップと回路基板この電気的接続方法、特
にはICチップとガラス回路基板(以下、ガラス基板と
いう、)とを高い信頼性で、しかも安価に、さらには回
路基板単位面積当り高い実装密度で電気的に接続する方
法に間するものであり、これはまたこの電気的接続方法
を達成するための樹脂バンプ形成材料、さらにはこの電
気的接続方法を実施した液晶表示器に関するものである
。
にはICチップとガラス回路基板(以下、ガラス基板と
いう、)とを高い信頼性で、しかも安価に、さらには回
路基板単位面積当り高い実装密度で電気的に接続する方
法に間するものであり、これはまたこの電気的接続方法
を達成するための樹脂バンプ形成材料、さらにはこの電
気的接続方法を実施した液晶表示器に関するものである
。
[従来の技術]
近年、ドツトマトリックス液晶デイスプレィ。
ドツトマトリックスプラズマデイスプレィなどの平面デ
イスプレィ技術については薄型、軽量型の利点が認めら
れると共に大型化の努力が進められ、ポケット型テレビ
、壁掛は形テレビ、パーソナルコンピューター用デイス
プレィ、各種通信端末機器用デイスプレィなどが製品化
されている。
イスプレィ技術については薄型、軽量型の利点が認めら
れると共に大型化の努力が進められ、ポケット型テレビ
、壁掛は形テレビ、パーソナルコンピューター用デイス
プレィ、各種通信端末機器用デイスプレィなどが製品化
されている。
しかし、これらはガラス基板を使用するものであるため
に、ワイヤーボンディングによるICチップ゛の直接実
装が困難であり、したがってガラス基板へのICチップ
の実装方法についてはフラット・パーケージ(FP)に
封止したICをガラス布エポキシ樹脂基板に実装し、こ
れをガラス基板とフレキシブルフラットコネクタ(FF
C)で接続する方法、あるいはICチップをポリイミド
フレキシブル基板にTAB法で実装し、このフレキシブ
ル基板の双方の外部端子をガラス基板と制御系プリント
基板に接続する方法の2つの間接接続法によるものが商
品化されているが、このような間接接続法ではICチッ
プを搭載する基板がガラス基板とは別のものとなるため
に余分なスペースが必要であり、デイスプレィの大型化
に伴なう駆9ICの個数の増加によってこの余分なスペ
ースが指数関数的に増大するという不利がある。
に、ワイヤーボンディングによるICチップ゛の直接実
装が困難であり、したがってガラス基板へのICチップ
の実装方法についてはフラット・パーケージ(FP)に
封止したICをガラス布エポキシ樹脂基板に実装し、こ
れをガラス基板とフレキシブルフラットコネクタ(FF
C)で接続する方法、あるいはICチップをポリイミド
フレキシブル基板にTAB法で実装し、このフレキシブ
ル基板の双方の外部端子をガラス基板と制御系プリント
基板に接続する方法の2つの間接接続法によるものが商
品化されているが、このような間接接続法ではICチッ
プを搭載する基板がガラス基板とは別のものとなるため
に余分なスペースが必要であり、デイスプレィの大型化
に伴なう駆9ICの個数の増加によってこの余分なスペ
ースが指数関数的に増大するという不利がある。
そのため、ICチップの電気的接続方法についてはガラ
ス基板上へ直接ICチップを実装する方法が種々提案さ
れており、これについては例えば■第3図に示すように
ICチップ(21)の入出力電極上に半田バンプ(22
)を形成し、メタライズ化したガラス基板(23)にフ
ェイスダウンで載せ、赤外線炉を通過させ半田バンプの
リフロー(22)によってICチップの接続固定を得る
フリップチップ法、■第4図に示すように金バンプ(3
2)を設けたICチップ(31)を、ICチップ用入出
力電極を含゛むボンディング領域全面に紫外線硬化性絶
縁樹脂接着剤(34)を滴下したガラス基板(33)に
、フェイスダウンで載せ、加圧しながら紫外線を照射し
て、金バンプがガラス基板の電極に接触した状態で接着
剤(34)を硬化させて電気的接続を得る金バンプ・接
着剤併用法、■第5図に示すように導電性ゴムを絶縁性
シートの所定位置に充填した異方性導電性ゴムコネクタ
(43)を、ICチップ(41)とガラス基板(44)
の間に置き、バネ性押さえ金具(45)で固定するゴム
コネクタ圧接法などがあり、これについてはざらに■第
6図に示すようにICチップ(51)の入出力端子(5
2)を金電極で形成し、この金電極上に熱硬化性導電性
樹脂(53)を印刷し、このICチップ(51)をガラ
ス基板(55)上の電極に当接後加熱することによつて
該樹脂(53)を硬化させて電気的接続をとる方法(特
開昭53−59398号公報参照)などがあるが、この
方法ではICチップ(51)の接着強度を増すために、
さらにICチップ(51)とガラス基板(55)この間
にエポキシ樹脂(54)を充填する方法もとられている
。
ス基板上へ直接ICチップを実装する方法が種々提案さ
れており、これについては例えば■第3図に示すように
ICチップ(21)の入出力電極上に半田バンプ(22
)を形成し、メタライズ化したガラス基板(23)にフ
ェイスダウンで載せ、赤外線炉を通過させ半田バンプの
リフロー(22)によってICチップの接続固定を得る
フリップチップ法、■第4図に示すように金バンプ(3
2)を設けたICチップ(31)を、ICチップ用入出
力電極を含゛むボンディング領域全面に紫外線硬化性絶
縁樹脂接着剤(34)を滴下したガラス基板(33)に
、フェイスダウンで載せ、加圧しながら紫外線を照射し
て、金バンプがガラス基板の電極に接触した状態で接着
剤(34)を硬化させて電気的接続を得る金バンプ・接
着剤併用法、■第5図に示すように導電性ゴムを絶縁性
シートの所定位置に充填した異方性導電性ゴムコネクタ
(43)を、ICチップ(41)とガラス基板(44)
の間に置き、バネ性押さえ金具(45)で固定するゴム
コネクタ圧接法などがあり、これについてはざらに■第
6図に示すようにICチップ(51)の入出力端子(5
2)を金電極で形成し、この金電極上に熱硬化性導電性
樹脂(53)を印刷し、このICチップ(51)をガラ
ス基板(55)上の電極に当接後加熱することによつて
該樹脂(53)を硬化させて電気的接続をとる方法(特
開昭53−59398号公報参照)などがあるが、この
方法ではICチップ(51)の接着強度を増すために、
さらにICチップ(51)とガラス基板(55)この間
にエポキシ樹脂(54)を充填する方法もとられている
。
しかるにICチップ直接実装法として満足しなければな
らない諸特性は、第一に、動的試験終了後、不良品IC
を良品ICと取り換えることができる、いわゆる「リペ
ア性」といわれるものがある。これはICチップはオー
トプローバーにより静的特性を全数検査され不良チップ
が除かれるが、動的特性はガラス基板実装後でないとチ
エツクできず、1個の不良ICのために高価なガラス基
板を損失するわけにはいかないという事情から、この「
リペア性」は特に重要な特性ということができる。上述
の「金バンプー接着剤併用法」では、光架橋硬化した接
着剤は接着力を低下させることができず、無理にICチ
ップを剥がそうとすると、ガラス基板も損傷するという
欠点がある。第二に熱衝撃に対するIJi衝特性を満足
する必要性がある。ICチップ材料(シリコン)と、ガ
ラス基板材料(ソーダライムガラス)の熱膨張率はそれ
ぞれ3X10−’℃−’、10XIQ−8℃−1で、こ
の間に7X10−’℃−1の差があり、例えば101I
I11角のICチップを(+)フO℃と(−)20℃の
間での熱衝撃によってx−y平面内で約7μ履の膨張、
収縮が繰り返され、上述のフリップチップ法のような、
半田バンプ溶接でICチップが直接固定される方法では
、接続ポイントが破壊されてしまう欠点がある。第三に
、実装コストが安価であること、電気的接続の信頼性、
高密度実装などが挙げられるが、−股上金属バンプを形
成する方法は、工程の複雑さからICの収率を低下させ
従って高価につくという欠点があり、・上述の「ゴムコ
ネクタ圧接法」は異方導電性ゴムコネクタが製造困難で
高価であるという欠点の他に、押さえ金具が嵩張るため
に高密度実装が難かしいという不利がある。さらに利用
分野として液晶表示器へ実装する場合には、高温で長時
間加熱すると液晶材料自体に影響が与えられるし、この
場合には液晶表示器の構成要素である偏光板が収縮する
という問題やカラーフィルターが劣化するという問題が
生じるために、第6図に示した熱硬化性樹脂を用いる方
法も得策ではない。
らない諸特性は、第一に、動的試験終了後、不良品IC
を良品ICと取り換えることができる、いわゆる「リペ
ア性」といわれるものがある。これはICチップはオー
トプローバーにより静的特性を全数検査され不良チップ
が除かれるが、動的特性はガラス基板実装後でないとチ
エツクできず、1個の不良ICのために高価なガラス基
板を損失するわけにはいかないという事情から、この「
リペア性」は特に重要な特性ということができる。上述
の「金バンプー接着剤併用法」では、光架橋硬化した接
着剤は接着力を低下させることができず、無理にICチ
ップを剥がそうとすると、ガラス基板も損傷するという
欠点がある。第二に熱衝撃に対するIJi衝特性を満足
する必要性がある。ICチップ材料(シリコン)と、ガ
ラス基板材料(ソーダライムガラス)の熱膨張率はそれ
ぞれ3X10−’℃−’、10XIQ−8℃−1で、こ
の間に7X10−’℃−1の差があり、例えば101I
I11角のICチップを(+)フO℃と(−)20℃の
間での熱衝撃によってx−y平面内で約7μ履の膨張、
収縮が繰り返され、上述のフリップチップ法のような、
半田バンプ溶接でICチップが直接固定される方法では
、接続ポイントが破壊されてしまう欠点がある。第三に
、実装コストが安価であること、電気的接続の信頼性、
高密度実装などが挙げられるが、−股上金属バンプを形
成する方法は、工程の複雑さからICの収率を低下させ
従って高価につくという欠点があり、・上述の「ゴムコ
ネクタ圧接法」は異方導電性ゴムコネクタが製造困難で
高価であるという欠点の他に、押さえ金具が嵩張るため
に高密度実装が難かしいという不利がある。さらに利用
分野として液晶表示器へ実装する場合には、高温で長時
間加熱すると液晶材料自体に影響が与えられるし、この
場合には液晶表示器の構成要素である偏光板が収縮する
という問題やカラーフィルターが劣化するという問題が
生じるために、第6図に示した熱硬化性樹脂を用いる方
法も得策ではない。
なお、前記した第3図〜第6図であげたガラス基板への
実装方法はりベア性、熱衝撃に耐える緩衝特性、コスト
面から満足できるものではないし、第6図に示した熱硬
化性導電性樹脂を用いる方法も使用される樹脂が熱硬化
性樹脂であるためにリペア性の点で不充分であり、また
液晶表示器への応用を想定すると高温で長時間熟成する
ために液晶表示器に悪影響が与えられる。
実装方法はりベア性、熱衝撃に耐える緩衝特性、コスト
面から満足できるものではないし、第6図に示した熱硬
化性導電性樹脂を用いる方法も使用される樹脂が熱硬化
性樹脂であるためにリペア性の点で不充分であり、また
液晶表示器への応用を想定すると高温で長時間熟成する
ために液晶表示器に悪影響が与えられる。
[発明の構成]
本発明はこのような不利を解決するここのできるICチ
ップと回路基板この電気的接続方法、特にはICチップ
とガラス基板この電気的接続方法に間するものであり、
これはICチップまたはICウェハーの電極に溶媒型熱
可塑性導電性樹脂を印刷し、加熱、乾燥して溶媒を揮散
させ固化してバンプを形成させ、ついでこのバンプの形
成されたICチップまたはICウェハーより分割したI
Cチップを回路基板の入出力電極に当接し、再度加熱、
加圧することによって溶媒が蒸発して固化したバンプと
回路基板とを溶融接着することを特徴とするものである
。
ップと回路基板この電気的接続方法、特にはICチップ
とガラス基板この電気的接続方法に間するものであり、
これはICチップまたはICウェハーの電極に溶媒型熱
可塑性導電性樹脂を印刷し、加熱、乾燥して溶媒を揮散
させ固化してバンプを形成させ、ついでこのバンプの形
成されたICチップまたはICウェハーより分割したI
Cチップを回路基板の入出力電極に当接し、再度加熱、
加圧することによって溶媒が蒸発して固化したバンプと
回路基板とを溶融接着することを特徴とするものである
。
すなわち、本発明者らはICチップの回路基板への直接
搭載方法について種々検討した結果、第1図に示すよう
にICチップ(1) の入出力電極に接着性を有する熱
溶融形の合成樹脂に導電性粉末を充填した導電性樹脂を
塗布し、加熱、乾燥、固化してバンプ(突起電極)(2
)を形成させ、これを回路基板(3)の入出力電極に当
接して加圧再加熱すると、この導電性樹脂が溶融してI
Cチップと回路基板の入出力電極がそれぞれこの導電性
樹脂バンプと接着し、これらは該バンプが導電性である
のでこのバンプを介してICチップの入出力電極と回路
基板の入出力電極が電気的に確実に接続されることを見
出すと共に、このバンプとICチップの入出力電極9回
路基板の入出力電極この接着はこれが熱溶融形の樹脂で
接着されているので組立て後に不良が発見されたときに
は4度の加熱処理で容易にこれを交換することができる
し、これは熱衝撃に対するi!衝性をもっているので、
工業的に有利にICチップの回路基板への接続を行なう
ことができることを確認して本発明を完成させた。
搭載方法について種々検討した結果、第1図に示すよう
にICチップ(1) の入出力電極に接着性を有する熱
溶融形の合成樹脂に導電性粉末を充填した導電性樹脂を
塗布し、加熱、乾燥、固化してバンプ(突起電極)(2
)を形成させ、これを回路基板(3)の入出力電極に当
接して加圧再加熱すると、この導電性樹脂が溶融してI
Cチップと回路基板の入出力電極がそれぞれこの導電性
樹脂バンプと接着し、これらは該バンプが導電性である
のでこのバンプを介してICチップの入出力電極と回路
基板の入出力電極が電気的に確実に接続されることを見
出すと共に、このバンプとICチップの入出力電極9回
路基板の入出力電極この接着はこれが熱溶融形の樹脂で
接着されているので組立て後に不良が発見されたときに
は4度の加熱処理で容易にこれを交換することができる
し、これは熱衝撃に対するi!衝性をもっているので、
工業的に有利にICチップの回路基板への接続を行なう
ことができることを確認して本発明を完成させた。
本発明によるICチップと回路基板の接続方法は、接着
性熱溶融形の導電性樹脂バンプの熱溶融接着によって、
ICチップを回路基板に直接搭載することを特徴とする
ものであるため、ガラス基板以外の回路基板、たとえば
銅張ガラス布エポキシ樹脂基板、銅張紙エポキシ樹脂基
板、銅張紙フエノール樹脂基板、銅張ガラス布ポリイミ
ド樹脂基板、銅張金属ベース基板、タングステンメタラ
イズ・アルミナセラミクス基板、貴金属厚膜印刷・アル
ミナセラミクス基板など、現在使用されている全ての種
類の回路基板へのICチップの直接搭載技術に役立てる
ことができる。
性熱溶融形の導電性樹脂バンプの熱溶融接着によって、
ICチップを回路基板に直接搭載することを特徴とする
ものであるため、ガラス基板以外の回路基板、たとえば
銅張ガラス布エポキシ樹脂基板、銅張紙エポキシ樹脂基
板、銅張紙フエノール樹脂基板、銅張ガラス布ポリイミ
ド樹脂基板、銅張金属ベース基板、タングステンメタラ
イズ・アルミナセラミクス基板、貴金属厚膜印刷・アル
ミナセラミクス基板など、現在使用されている全ての種
類の回路基板へのICチップの直接搭載技術に役立てる
ことができる。
また、本発明における接着性熱溶敵影樹脂バンプの形成
材料は熱可塑性母材樹脂に導電性充填剤、溶媒および必
要に応じ粘着付与剤などの添加剤を添加した樹脂組成物
から作ればよいが、このものはあらかじめ精密デイスペ
ンサーによる吐出やスクリーン印刷によるバンプ形成に
適した粘度に調整しておくことが必要とされる。
材料は熱可塑性母材樹脂に導電性充填剤、溶媒および必
要に応じ粘着付与剤などの添加剤を添加した樹脂組成物
から作ればよいが、このものはあらかじめ精密デイスペ
ンサーによる吐出やスクリーン印刷によるバンプ形成に
適した粘度に調整しておくことが必要とされる。
この母材樹脂としては加熱によって溶融する熱可塑性樹
脂または、熱可塑性エラストマーからなるものとすれば
よく、これらのうちでもその溶融温度が液晶デイスプレ
ィや偏光板の耐熱温度よりも高すぎないものとすること
がよい、この熱可塑性樹脂としては線状飽和共重合ポリ
エステル系樹脂、ブチラール系樹脂、酢酸ビニル共重合
系樹脂、セルロース誘導体系樹脂、ポリメチルメタクリ
レート系樹脂、ポリビニルエーテル系樹脂、ポリウレタ
ン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エチレン・酢酸ビ
ニル共重合系樹脂、エチレン・アクリル酸エチル共重合
系樹脂、エチレン・アクリル酸・イソブチル共重合系樹
脂などが例示され、この熱可塑性エラストマーとしては
スチレン・ブタジェン・スチレンブロック共重合体(S
−B−3)、スチレン・イソプレン・スチレンブロック
共重合体(S−1−S)、スチレン・エチレン・ブチレ
ン・スチレンブロック共重合体(S−EB−S)、熱可
塑性ポリエステルエラストマー、熱可塑性ポリウレタン
エラストマー、ポリエチレン・ブチルゴムグラフト共重
合体。アイオノマー。
脂または、熱可塑性エラストマーからなるものとすれば
よく、これらのうちでもその溶融温度が液晶デイスプレ
ィや偏光板の耐熱温度よりも高すぎないものとすること
がよい、この熱可塑性樹脂としては線状飽和共重合ポリ
エステル系樹脂、ブチラール系樹脂、酢酸ビニル共重合
系樹脂、セルロース誘導体系樹脂、ポリメチルメタクリ
レート系樹脂、ポリビニルエーテル系樹脂、ポリウレタ
ン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エチレン・酢酸ビ
ニル共重合系樹脂、エチレン・アクリル酸エチル共重合
系樹脂、エチレン・アクリル酸・イソブチル共重合系樹
脂などが例示され、この熱可塑性エラストマーとしては
スチレン・ブタジェン・スチレンブロック共重合体(S
−B−3)、スチレン・イソプレン・スチレンブロック
共重合体(S−1−S)、スチレン・エチレン・ブチレ
ン・スチレンブロック共重合体(S−EB−S)、熱可
塑性ポリエステルエラストマー、熱可塑性ポリウレタン
エラストマー、ポリエチレン・ブチルゴムグラフト共重
合体。アイオノマー。
トランス1.4−ポリイソプレン、塩素化ポリエチレン
などが例示される。
などが例示される。
しかし、本発明における樹脂バンプは導電性であること
が必要とされるので、上記した母材樹脂はこれに導電性
充填剤を添加してこれを導電性とすることが必要とされ
るが、この導電性充填剤は公知のものでよく、これには
天然または人造の黒鉛粉、アセチレンブラック、ケッチ
エンブラック、ファーネスブラックなどのカーボンブラ
ック、八g、 Ni、 Cu、^u、 Pbなどの金属
粉が例示される。これらは上記した母材樹脂が通常はこ
れを溶剤に溶かした導電性インクとして使用されるので
鱗片状粉のものとしてこれを小粒径の球状粉と適当な割
合で組合せることがよいが、この導電性充填剤の粒径は
カーボンブラックについては1次粒子の平均粒径が20
〜50nm、粒度分布が1〜200nI11のものとさ
れるのでそのまま使用すればよく、黒鉛粉や金属粉につ
いては粒度が大きすぎるとこれを添加した樹脂を導電性
インクとしたときにスクリーン印刷が難しくなるし、I
Cチップの入出力電極に接触する粒子の確率が減って導
電性が不安定となり、細かすぎると粒子間の接触確率が
減って体積固有抵抗が大きくなる傾向があるので、粒度
分布が0.3〜30μm、好ましくは1〜lOμmのも
のとすることがよい。なお、この導電性充填剤の添加量
はこれを添加した導電性樹脂から作られる導電性バンプ
の体積固有抵抗がI X 10−5Ω・cm〜10Ω・
cmの範囲となることが必要とされるので、導電性イン
ク100重量部に対し目的とする体積固有抵抗の搏られ
る範囲で20〜60容量%添加すればよい。
が必要とされるので、上記した母材樹脂はこれに導電性
充填剤を添加してこれを導電性とすることが必要とされ
るが、この導電性充填剤は公知のものでよく、これには
天然または人造の黒鉛粉、アセチレンブラック、ケッチ
エンブラック、ファーネスブラックなどのカーボンブラ
ック、八g、 Ni、 Cu、^u、 Pbなどの金属
粉が例示される。これらは上記した母材樹脂が通常はこ
れを溶剤に溶かした導電性インクとして使用されるので
鱗片状粉のものとしてこれを小粒径の球状粉と適当な割
合で組合せることがよいが、この導電性充填剤の粒径は
カーボンブラックについては1次粒子の平均粒径が20
〜50nm、粒度分布が1〜200nI11のものとさ
れるのでそのまま使用すればよく、黒鉛粉や金属粉につ
いては粒度が大きすぎるとこれを添加した樹脂を導電性
インクとしたときにスクリーン印刷が難しくなるし、I
Cチップの入出力電極に接触する粒子の確率が減って導
電性が不安定となり、細かすぎると粒子間の接触確率が
減って体積固有抵抗が大きくなる傾向があるので、粒度
分布が0.3〜30μm、好ましくは1〜lOμmのも
のとすることがよい。なお、この導電性充填剤の添加量
はこれを添加した導電性樹脂から作られる導電性バンプ
の体積固有抵抗がI X 10−5Ω・cm〜10Ω・
cmの範囲となることが必要とされるので、導電性イン
ク100重量部に対し目的とする体積固有抵抗の搏られ
る範囲で20〜60容量%添加すればよい。
また、この母材樹脂にはICチップとガラス基板の入出
力電極、例えばアルミニウム電極。
力電極、例えばアルミニウム電極。
ITO電極、クロム電極、金電極、ニッケル電極などに
よく接着することが要求されるので、これには必要に応
じ粘着付与剤が添加されるが、この粘着付与剤としては
ロジンまたはロジン誘導体。
よく接着することが要求されるので、これには必要に応
じ粘着付与剤が添加されるが、この粘着付与剤としては
ロジンまたはロジン誘導体。
テルペン樹脂または変性テルペン樹脂1石油樹脂、クマ
ロン・インデン樹脂、フェノール樹脂。
ロン・インデン樹脂、フェノール樹脂。
アルキッド樹脂などが例示される。なお、この母材樹脂
にはその溶融温度を低めに制御するためにワックスを添
加してもよく、このワックスとしては融点が40〜80
℃であるカルナバワックス、ライスワックス、木ろう、
みつろう、モンタンワックス、パラフィンワックス、マ
イクロクリスタリンワックスなどの天然ワックスおよび
ポリエチレンワックス、変性モンタンワックス、変性パ
ラフィンワックス、変性マイクロクリスタリンワックス
、フィッシャートロプシュワックスなどの合成ワックス
が例示されるが、この母材樹脂に必要に応じ老化防止剤
、酸化防止剤、安定剤などを添加することは任意とされ
る。
にはその溶融温度を低めに制御するためにワックスを添
加してもよく、このワックスとしては融点が40〜80
℃であるカルナバワックス、ライスワックス、木ろう、
みつろう、モンタンワックス、パラフィンワックス、マ
イクロクリスタリンワックスなどの天然ワックスおよび
ポリエチレンワックス、変性モンタンワックス、変性パ
ラフィンワックス、変性マイクロクリスタリンワックス
、フィッシャートロプシュワックスなどの合成ワックス
が例示されるが、この母材樹脂に必要に応じ老化防止剤
、酸化防止剤、安定剤などを添加することは任意とされ
る。
本発明の方法における導電性樹脂バンプの形成は上記し
た母材樹脂に前記した粘着付与剤、ワックス、その他の
添加剤を配合した樹脂組成物を適当な溶媒に溶解したの
ち、この樹脂溶液に上記した導電性充填剤を添加して導
電性樹脂組成物を作り、ついでこれをスクリーン印刷法
によってICチップあるいはICウェハーの入出力電極
面に位置合わせして印刷し、所定温度で乾燥して溶媒を
揮散させ、固化させればよいが、ICウェハーにバンプ
を形成したものはついでこれをICチップに分割する。
た母材樹脂に前記した粘着付与剤、ワックス、その他の
添加剤を配合した樹脂組成物を適当な溶媒に溶解したの
ち、この樹脂溶液に上記した導電性充填剤を添加して導
電性樹脂組成物を作り、ついでこれをスクリーン印刷法
によってICチップあるいはICウェハーの入出力電極
面に位置合わせして印刷し、所定温度で乾燥して溶媒を
揮散させ、固化させればよいが、ICウェハーにバンプ
を形成したものはついでこれをICチップに分割する。
なお、この入出力電極としてはアルミニウム電極の上層
にNi、Au、Ag、Pdなどで酸化しにくい薄膜金属
層を形成してアルミニウム電極の酸化を防止したものを
用いると電気的接続の特性はさらに向上する。この樹脂
バンプの形状は入出力電極と同形の四辺形とするか円形
とすればよく、この高さは低すぎるとICチップとガラ
ス基板この間の熱衝撃に対する緩衝機能が小さくなり、
高すぎるとバンプを熱溶融したときに樹脂が横方向に流
れて横導通を生じさせるおそれがあるので5〜50μm
の範囲とすることがよい。
にNi、Au、Ag、Pdなどで酸化しにくい薄膜金属
層を形成してアルミニウム電極の酸化を防止したものを
用いると電気的接続の特性はさらに向上する。この樹脂
バンプの形状は入出力電極と同形の四辺形とするか円形
とすればよく、この高さは低すぎるとICチップとガラ
ス基板この間の熱衝撃に対する緩衝機能が小さくなり、
高すぎるとバンプを熱溶融したときに樹脂が横方向に流
れて横導通を生じさせるおそれがあるので5〜50μm
の範囲とすることがよい。
なお、この導電性樹脂バンプの体積固有抵抗は前記した
ようにI X 10−’Ω・cm〜10Ω・cmの範囲
とすればよいが、プラズマデイスプレィ、蛍光表示管デ
イスプレィ、ELデイスプレィ、LEDデイスプレィな
どのデイスプレィ用の駆動ICはlO〜100+nAオ
ーダーの大電流を流すバイポーラIC。
ようにI X 10−’Ω・cm〜10Ω・cmの範囲
とすればよいが、プラズマデイスプレィ、蛍光表示管デ
イスプレィ、ELデイスプレィ、LEDデイスプレィな
どのデイスプレィ用の駆動ICはlO〜100+nAオ
ーダーの大電流を流すバイポーラIC。
P−MOS −I C,N−MOS −I Cが使われ
るために、この接触抵抗は0.1Ω以下、したがってこ
の体積固有抵抗はI X 10−’Ω・cm以下のもの
とすることがよい。
るために、この接触抵抗は0.1Ω以下、したがってこ
の体積固有抵抗はI X 10−’Ω・cm以下のもの
とすることがよい。
このように導電性樹脂バンプを形成させたICチップの
ガラス基板への直接搭載はこの導電性樹脂バンプをガラ
ス基板の入出力電極の上に位置合わせして載せたのち、
ガラス基板を加温しつつICチップの背面に加熱ツール
を加圧して押し当てて導電性樹脂バンプを溶融してから
自然冷却させればよく、このようにするとICチップお
よびガラス基板の入出力電極にこの導電性樹脂バンプが
溶融接着するので、ICチップとガラス基板の入出力電
極は導電性樹脂バンプを介して電気的に接続されたもの
となる。
ガラス基板への直接搭載はこの導電性樹脂バンプをガラ
ス基板の入出力電極の上に位置合わせして載せたのち、
ガラス基板を加温しつつICチップの背面に加熱ツール
を加圧して押し当てて導電性樹脂バンプを溶融してから
自然冷却させればよく、このようにするとICチップお
よびガラス基板の入出力電極にこの導電性樹脂バンプが
溶融接着するので、ICチップとガラス基板の入出力電
極は導電性樹脂バンプを介して電気的に接続されたもの
となる。
なお、このようにして得られたガラス基板に直接搭載さ
れたICチップはその後の動的チエツクで良品と判定さ
れて使用されるが、第1図に示すようにさらにICチッ
プとガラス基板の間隙に変性アクリレート樹脂、エポキ
シ樹脂などに石英粉末、シリカ粉末、ガラス粉末などを
充填して熱膨張係数を低くしたチップコート樹脂(4)
を充填させてガラス基板とこの樹脂の物理接着力によ
ってICチップとガラス基板この密着力を強化してもよ
く、これによればICチップを振動、衝撃力から、また
湿気、汚染ガスから保護することができるという有利性
が与えられる。
れたICチップはその後の動的チエツクで良品と判定さ
れて使用されるが、第1図に示すようにさらにICチッ
プとガラス基板の間隙に変性アクリレート樹脂、エポキ
シ樹脂などに石英粉末、シリカ粉末、ガラス粉末などを
充填して熱膨張係数を低くしたチップコート樹脂(4)
を充填させてガラス基板とこの樹脂の物理接着力によ
ってICチップとガラス基板この密着力を強化してもよ
く、これによればICチップを振動、衝撃力から、また
湿気、汚染ガスから保護することができるという有利性
が与えられる。
ここで、この発明を実現するのに最も適したチップコー
ト樹脂(4)の条件は、ICチップとガラス基板を互い
に引っ張るチップコート樹脂(4)の収縮応力をW、引
き離そうとする熱応力をP、ICチップとチップコート
樹脂(4)の接着力をA、ガラス基板とチップコート樹
脂(4)の接着力をB、導電性樹脂バンプとICチップ
の接着力をk、導電性樹脂バンプとガラス基板の接着力
をl、導電性樹脂バンプ自身の膨張しようとする熱応力
をmとすると、 A+に、B+42>W>P+m の関係が成立することであり、通常、K、 Il>>m
の関係が成り立つ。
ト樹脂(4)の条件は、ICチップとガラス基板を互い
に引っ張るチップコート樹脂(4)の収縮応力をW、引
き離そうとする熱応力をP、ICチップとチップコート
樹脂(4)の接着力をA、ガラス基板とチップコート樹
脂(4)の接着力をB、導電性樹脂バンプとICチップ
の接着力をk、導電性樹脂バンプとガラス基板の接着力
をl、導電性樹脂バンプ自身の膨張しようとする熱応力
をmとすると、 A+に、B+42>W>P+m の関係が成立することであり、通常、K、 Il>>m
の関係が成り立つ。
本発明のICチップの電気的接続方法は上記した方法で
行なわれるが、これによればICチップと回路基板の入
出力電極が導電性樹脂バンプを介して確実に電気的に接
続されるし、この接続は導電性樹脂バンプが熱溶融性樹
脂から作られているので不良などが見出されたときにも
再溶融で容易に良品と交換することができ、さらにはこ
の導電性樹脂バンプが熱可塑性樹脂または熱可塑性エラ
ストマーを母材樹脂とするもので半田バンプにくらべて
約1710の縦弾性係数を有するものから作られている
ので熱i撃に対する緩衝作用にすぐれており、したがっ
てこの電気的接続がきわめて安定しているという有利性
をもつICチップの回路基板への直接接続法が与えられ
る。
行なわれるが、これによればICチップと回路基板の入
出力電極が導電性樹脂バンプを介して確実に電気的に接
続されるし、この接続は導電性樹脂バンプが熱溶融性樹
脂から作られているので不良などが見出されたときにも
再溶融で容易に良品と交換することができ、さらにはこ
の導電性樹脂バンプが熱可塑性樹脂または熱可塑性エラ
ストマーを母材樹脂とするもので半田バンプにくらべて
約1710の縦弾性係数を有するものから作られている
ので熱i撃に対する緩衝作用にすぐれており、したがっ
てこの電気的接続がきわめて安定しているという有利性
をもつICチップの回路基板への直接接続法が与えられ
る。
また、本発明は今まで述べたICチップの電気的接続方
法および樹脂バンプ形成材料を用いた液晶表示器に関係
している。第2図は本発明における液晶表示器を示す概
略断面図である。同図において、例えばITO(インジ
ウム・チン・オキサイド)からなる電極(10)、
(11)がそれぞれ形成された上側の基板(12)と下
側の基板(13)は、電極(10)、(11)が対向す
るように封止剤(14)により封止され、その間隙には
液晶(15)が充填されている。基板(13)は基板(
12)に比べ、図の左方向に突き出しており、この突出
部の電極(11)上には金や銀等の所定の金属膜(16
)が更に形成されている。
法および樹脂バンプ形成材料を用いた液晶表示器に関係
している。第2図は本発明における液晶表示器を示す概
略断面図である。同図において、例えばITO(インジ
ウム・チン・オキサイド)からなる電極(10)、
(11)がそれぞれ形成された上側の基板(12)と下
側の基板(13)は、電極(10)、(11)が対向す
るように封止剤(14)により封止され、その間隙には
液晶(15)が充填されている。基板(13)は基板(
12)に比べ、図の左方向に突き出しており、この突出
部の電極(11)上には金や銀等の所定の金属膜(16
)が更に形成されている。
そして、基板(12)、 (13)の電極(10)、
(11)形成面と反対側の面には、偏光板(17)
、 (1g)がそれぞれ被着されている。また、基板(
13)の突出部上には、第1図におけるICチップ(1
)がバンプ(2)を用いて今まで述べた方法により実装
されている。
(11)形成面と反対側の面には、偏光板(17)
、 (1g)がそれぞれ被着されている。また、基板(
13)の突出部上には、第1図におけるICチップ(1
)がバンプ(2)を用いて今まで述べた方法により実装
されている。
この実施例では、バンプ(2)が熱溶融型であるため、
ICチップ(1)の実装が第6図に示したものに比べ、
低温・短時間で行える。この結果、偏光板(17) 、
(la)の収縮等を防ぐことができ、これが原因とな
って表示品位が劣化したりしなくなる。また、ICチッ
プ(1)の不良が発見されたときにも、適当な加熱によ
りICチップ(1)を容易に取り外すことができるので
、液晶表示器の製造能率が向上する。さらに、実装する
寸前のICチップ(1)のバンプ(2)の状態は、第6
図に示したような熱硬化性のものと異なり、固化した状
態になっているので、ICチップ(1)を電気的に接続
する際の作業性が向上する。
ICチップ(1)の実装が第6図に示したものに比べ、
低温・短時間で行える。この結果、偏光板(17) 、
(la)の収縮等を防ぐことができ、これが原因とな
って表示品位が劣化したりしなくなる。また、ICチッ
プ(1)の不良が発見されたときにも、適当な加熱によ
りICチップ(1)を容易に取り外すことができるので
、液晶表示器の製造能率が向上する。さらに、実装する
寸前のICチップ(1)のバンプ(2)の状態は、第6
図に示したような熱硬化性のものと異なり、固化した状
態になっているので、ICチップ(1)を電気的に接続
する際の作業性が向上する。
つぎに本発明の実施例をあげるが、例中の部は重量部を
示したものである。
示したものである。
実施例
スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重
合樹脂・クレイトン01657 [シェル化学■製商品
名]60部、テルペンフェノール樹脂・YSポリスター
フ130 [安原油脂■製商品名]40部、老化防止
剤・アンデータDAH[川口化学■製商品名]1部をト
ルエン200部に溶解した母材樹脂溶液に、粒径2×l
Oμmの高純度銀フレーク粉・No、3 B−1[モリ
テックス社製商品名]80部と粒径3μmの高純度銀パ
ウダー粉・タイプG[モリテックス社製商品名]20部
を、上記母材樹脂6G容量%に対して40容量%配合し
て導電性樹脂組成物を作った。
合樹脂・クレイトン01657 [シェル化学■製商品
名]60部、テルペンフェノール樹脂・YSポリスター
フ130 [安原油脂■製商品名]40部、老化防止
剤・アンデータDAH[川口化学■製商品名]1部をト
ルエン200部に溶解した母材樹脂溶液に、粒径2×l
Oμmの高純度銀フレーク粉・No、3 B−1[モリ
テックス社製商品名]80部と粒径3μmの高純度銀パ
ウダー粉・タイプG[モリテックス社製商品名]20部
を、上記母材樹脂6G容量%に対して40容量%配合し
て導電性樹脂組成物を作った。
ついで厚み0.45m+++、サイズ約6mm角の導通
試験用IC−T−78Aメカ[東芝■製商品名]のアル
ミニウム電極上にAgの薄膜を形成し、この電極パター
ンに合わせて作ったスクリーン版を用いて、この電極に
上記した導電性樹脂組成物をスクリーン印刷し、100
℃×30分で乾燥して溶剤を揮散させて、100μI角
の電極上に直径100μm。
試験用IC−T−78Aメカ[東芝■製商品名]のアル
ミニウム電極上にAgの薄膜を形成し、この電極パター
ンに合わせて作ったスクリーン版を用いて、この電極に
上記した導電性樹脂組成物をスクリーン印刷し、100
℃×30分で乾燥して溶剤を揮散させて、100μI角
の電極上に直径100μm。
高さ20μmのドーム状導電性樹脂バンプを形成させた
。
。
つぎにテスト用に製作したクロム蒸着金メツキの配線を
した厚さ1.1111111のガラス基板のチップオン
・パターンに、上記で得た導電性樹脂バンプ付きのIC
チップをフェイスダウンで位置合わせして載せ、この試
験のために製作したCOG試験装置[東芝■製]を用い
てガラス基板を80℃に加温してから先端温度150℃
の加熱ツールをICチップの背に当てて圧力0.5kg
/cm’で約10秒間加圧したところ、樹脂バンプが溶
融したのが目視で確認されたので加熱ツールをはずし、
ガラス基板の加温もやめて自然冷却させ、その後測定電
流1O1Il^の4端子抵抗測定法で導電性バンプの接
触抵抗を測定したところ、1ピン当り20mΩで横方向
の絶縁抵抗については〉10aΩというデータが得られ
た。
した厚さ1.1111111のガラス基板のチップオン
・パターンに、上記で得た導電性樹脂バンプ付きのIC
チップをフェイスダウンで位置合わせして載せ、この試
験のために製作したCOG試験装置[東芝■製]を用い
てガラス基板を80℃に加温してから先端温度150℃
の加熱ツールをICチップの背に当てて圧力0.5kg
/cm’で約10秒間加圧したところ、樹脂バンプが溶
融したのが目視で確認されたので加熱ツールをはずし、
ガラス基板の加温もやめて自然冷却させ、その後測定電
流1O1Il^の4端子抵抗測定法で導電性バンプの接
触抵抗を測定したところ、1ピン当り20mΩで横方向
の絶縁抵抗については〉10aΩというデータが得られ
た。
また、この試料についてはICチップを接着したときの
加熱条件でバンプを溶融し、ビンセットでICチップを
つまみ上げたところ、ICチップは簡単にガラス基板か
ら外れたので、他のICチップと容易に交換し得ること
が確認された。また、一方上記試料を冷熱サイクル試験
機を用いて低温−20℃×30分間、高温70℃×30
分間、室温25℃×5分間の冷熱サイクルで500サイ
クルかけたところ、これには接触抵抗の異常が全ビン中
1ビンも生じなかった。
加熱条件でバンプを溶融し、ビンセットでICチップを
つまみ上げたところ、ICチップは簡単にガラス基板か
ら外れたので、他のICチップと容易に交換し得ること
が確認された。また、一方上記試料を冷熱サイクル試験
機を用いて低温−20℃×30分間、高温70℃×30
分間、室温25℃×5分間の冷熱サイクルで500サイ
クルかけたところ、これには接触抵抗の異常が全ビン中
1ビンも生じなかった。
なお、上記した試料について熱膨張係数が2.7X 1
0−’t−’であるエポキシ樹脂系のチップコート樹脂
を直径10mm、高さ1mmのドーム状に滴下してこの
ICチップを被覆し硬化させたところ、このものはガラ
ス基板を強く振ってもICチップがガラス基板から外れ
ることがなく、上記冷熱サイクルでも接触抵抗に異常は
生じなかフた。
0−’t−’であるエポキシ樹脂系のチップコート樹脂
を直径10mm、高さ1mmのドーム状に滴下してこの
ICチップを被覆し硬化させたところ、このものはガラ
ス基板を強く振ってもICチップがガラス基板から外れ
ることがなく、上記冷熱サイクルでも接触抵抗に異常は
生じなかフた。
なお、ドーム状導電性樹脂バンプの形成は、ICウェハ
ーの段階であらかじめ行なっておいて、その後スクライ
ブにより個々の樹脂バンプ付きICチップを得るように
してもよい。
ーの段階であらかじめ行なっておいて、その後スクライ
ブにより個々の樹脂バンプ付きICチップを得るように
してもよい。
第1図は本発明によるICチップと回路基板を用いた電
気的接続の1実施例の側面図、第2図は本発明による液
晶表示器の一例を示す側面図、第3図は従来の半田によ
る電気的接続方法(フリップチップ法)の実施、例の側
面図、第4図は絶縁樹脂によってAuバンプのついたI
Cチップを回路基板に接続した実施例の側面図、第5図
は絶縁シ−トに導電性ゴムを充填したコネクターを使用
して、ICチップを回路基板に接続した実施例の側面図
、第6図は熱硬化性樹脂バンプを使用してICチップを
回路基板に接続した実施例の側面図を示したものである
。 1・・・ICチップ 2・・・熱溶融接着膨導電性樹脂バンプ3・・・回路基
板 4.24.54・・・チップコート樹脂10.11・・
・ITO電極 12.13,22,33.44・・・回路基板(ガラス
基板) 14・・・液晶封止剤 15・・・液晶16・・・金属
膜 17.18・・・偏光板21.31,41.5
1・・・ICチップ22・・・半田バンプ 32.42−−−Auバンプ 34・・・紫外線硬化性絶縁樹脂 43・・・コネクター 45・・・押さえ金具 52・・・Au電極53・・
・熱硬化性導電性樹脂。
気的接続の1実施例の側面図、第2図は本発明による液
晶表示器の一例を示す側面図、第3図は従来の半田によ
る電気的接続方法(フリップチップ法)の実施、例の側
面図、第4図は絶縁樹脂によってAuバンプのついたI
Cチップを回路基板に接続した実施例の側面図、第5図
は絶縁シ−トに導電性ゴムを充填したコネクターを使用
して、ICチップを回路基板に接続した実施例の側面図
、第6図は熱硬化性樹脂バンプを使用してICチップを
回路基板に接続した実施例の側面図を示したものである
。 1・・・ICチップ 2・・・熱溶融接着膨導電性樹脂バンプ3・・・回路基
板 4.24.54・・・チップコート樹脂10.11・・
・ITO電極 12.13,22,33.44・・・回路基板(ガラス
基板) 14・・・液晶封止剤 15・・・液晶16・・・金属
膜 17.18・・・偏光板21.31,41.5
1・・・ICチップ22・・・半田バンプ 32.42−−−Auバンプ 34・・・紫外線硬化性絶縁樹脂 43・・・コネクター 45・・・押さえ金具 52・・・Au電極53・・
・熱硬化性導電性樹脂。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ICチップの入出力電極に接着性熱溶融形の導電性
樹脂バンプを設け、これを回路基板の入出力電極に当接
して加圧加熱し、該バンプの溶融接着によって、ICチ
ップと回路基板とを電気的に接続することを特徴とする
ICチップの電気的接続方法。 2、熱可塑性樹脂または熱可塑性エラストマーを母材樹
脂とし、導電性充填剤と溶媒を少なくとも含むことを特
徴とする樹脂バンプ形成材料。 3、電極が形成された基板間に液晶を充填してなる液晶
表示器において、請求項2に記載の材料からなる導電性
樹脂バンプをICチップに設け、このICチップを請求
項1に記載の方法によって前記基板上の前記電極と電気
的に接続してなることを特徴とする液晶表示器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63185157A JPH01132138A (ja) | 1987-08-13 | 1988-07-25 | Icチップの電気的接続方法、樹脂バンプ形成材料および液晶表示器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62-202225 | 1987-08-13 | ||
JP20222587 | 1987-08-13 | ||
JP63185157A JPH01132138A (ja) | 1987-08-13 | 1988-07-25 | Icチップの電気的接続方法、樹脂バンプ形成材料および液晶表示器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01132138A true JPH01132138A (ja) | 1989-05-24 |
Family
ID=26502945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63185157A Pending JPH01132138A (ja) | 1987-08-13 | 1988-07-25 | Icチップの電気的接続方法、樹脂バンプ形成材料および液晶表示器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01132138A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03291947A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | ハイブリッド型デバイス |
WO1998050950A1 (fr) * | 1997-05-07 | 1998-11-12 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur et production de ce dispositif |
US6081038A (en) * | 1998-04-07 | 2000-06-27 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor chip package structure |
US7679278B2 (en) | 2005-07-25 | 2010-03-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source and display apparatus using the same device, and manufacturing methods of them |
JP2015178597A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-10-08 | 太陽インキ製造株式会社 | 導電性組成物および導電体 |
WO2017026130A1 (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 太陽インキ製造株式会社 | 導電性組成物、導電体および基材 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60116157A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-07-25 JP JP63185157A patent/JPH01132138A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60116157A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03291947A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | ハイブリッド型デバイス |
WO1998050950A1 (fr) * | 1997-05-07 | 1998-11-12 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur et production de ce dispositif |
US6081038A (en) * | 1998-04-07 | 2000-06-27 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor chip package structure |
US7679278B2 (en) | 2005-07-25 | 2010-03-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source and display apparatus using the same device, and manufacturing methods of them |
US7988513B2 (en) | 2005-07-25 | 2011-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source and display apparatus using the same device, and manufacturing methods of them |
JP2015178597A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-10-08 | 太陽インキ製造株式会社 | 導電性組成物および導電体 |
WO2017026130A1 (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 太陽インキ製造株式会社 | 導電性組成物、導電体および基材 |
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