JPH0113211B2 - - Google Patents
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- JPH0113211B2 JPH0113211B2 JP56050294A JP5029481A JPH0113211B2 JP H0113211 B2 JPH0113211 B2 JP H0113211B2 JP 56050294 A JP56050294 A JP 56050294A JP 5029481 A JP5029481 A JP 5029481A JP H0113211 B2 JPH0113211 B2 JP H0113211B2
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Classifications
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Description
本発明はホール素子や磁気抵抗効果素子として
好適な特性を示す新規なインジウムアンチモン系
複合結晶薄膜の製造方法に関するものである。 インジウムアンチモン化合物（以下InSbと略
す）の結晶薄膜は、他の化合物半導体、例えば
InAs（移動度30000cm2／Ｖ・sec）やGaAs（移動度
7000cm2／Ｖ・sec）に比べて非常に高い移動度す
なわち78000cm2／Ｖ・secを有するため、ホール素
子や磁気抵抗効果素子の素材として好適であるこ
とが知られ、最近ダイレクトドライブモーター用
の位置検出装置として、あるいはVTRや音響機
器の部品として注目を浴びるようになつてきた。 ところでInSbは―族化合物半導体として
よく知られた物質であり、ホール素子や磁気抵抗
効果素子として利用するには、In元素のSb元素
に対する原子数比が1.00の結晶であることが必要
不可欠の条件であり、かかる条件を満足する場合
にその特性が高度に発揮されると考えられ、かか
る考えに立脚して多くの研究がなされてきた。 例えば、ホール効果を考えるときには、ホール
係数RHとホール移動度μHとが重要なパラメータ
ーとなる。ここで第１図に示すようにInSb薄膜
をパターニング及び電極付けを行つて測定サンプ
ルとし、金めつきにより電極ａ，a′を入力電極、
電極ｂ，b′を出力電極として設け、入力電極を定
電流電源Ｉに接続した時の出力電極間に生じる電
圧をVHiとして、入力電極を定電圧電源Ｖに接続
した時の出力電極間に生じる電圧をVHvとする
と、VHiとHvとはそれぞれ次の式で与えられる。
ただし、第１図においてｌはパターンの長さ、ｗ
はパターンの幅であり、また式中のｔは試料の膜
厚である。 VHi＝RHBI／ｔ・ｆ (1) VHv＝μHBV・ｗ／ｌ・ｆ (2) 上式(1)(2)において、Ｂは印加される外部磁場の
磁束密度、Ｉは試料に流される電流でＶは試料に
印加される電圧、ｆは試料の形状因子である。そ
してRHは試料のホール係数であり、μHは試料の
ホール移動度である。式(1)からわかるように出力
電圧は電流の流れる材料の厚さに反比例するの
で、高感度のホール素子や磁気抵抗効果素子を作
るに当つては薄膜を用いた方がよいことが分る。 またInSbはその禁制帯の幅が狭いので前記式
(1)のホール係数RHは温度により著しく変化し、
実用上は定電流出力電圧VHiの温度依存性が大で
ある。一方前記式(2)のホール移動度μHは温度によ
り比較的変化しないので、実用上InSbのホール
素子は専ら定電圧下で用いられる。そのため高い
ホール係数よりも高い移動度が要望されている InSbのような化合物半導体は周期表ｂ族と
Vb族の元素が１：１の原子比になつていること
が必要不可欠の条件とされてきた〔「ツアイトシ
ユリフト・フユア・ナツールフオルシユング（Z.
Naturforschlg）」、7a、第744ページ（1952）参
照〕。そして、ホール素子や磁気抵抗効果素子と
して使用するために、InとSbの原子比が１対１
のInSb結晶薄膜を製造するには、所定の単結晶
を切り出して研摩し、薄膜状にする方法、あるい
は蒸着等の手段で基板上に10μm程度の厚さの
InSb層を形成させたのち、ゾーンメルトして結
晶化し、研摩する方法（特開昭50−9373号公報）
が行われている。 しかしながら、InSbの単結晶から薄膜状に切
り出す方法は、高価な材料を多量に消費しなけれ
ばならないので、工業的に実施するには不適当で
あるし、蒸着したのち結晶化させる方法は、Inと
Sbの原子比を１対１に制御するのが困難であり、
また煩残な接作を必要とするため、工業的に実施
する際に大きな制約を受けるのを免れない。その
ほか、ｂ―ｂ族化合物半導体薄膜を蒸着で形
成するに際して、基板温度を該化合物半導体の分
解温度を超えるように設定し、Vb族元素がｂ
族元素より過剰になるように、すなわち基板への
到達速度比（arrival rate ratio，以下AIo／ASb
と略記する）を１以下に調整する方法も提案され
ている（米国特許第3172778号明細書）。ここで到
達速度比（AIo／ASb）とは、蒸着に際し、基板に
到達するInとSbの原子束密度（flux density）の
比である。〔「フイジツクス・ステータス・ソリツ
ド（Phys.Stat.Sol.）」、(a)、第54巻、第707ページ
（1979年）参照〕。しかし、この方法もInとSbの
原子比を1.0に調整するためのものであり、前記
した欠点を改善しうるものとはいえない。 本発明者らは、従来の薄膜製造における隘路
は、InとSbとの原子比を厳密に１対１に制御し
なければならない点にあること、したがつてこの
原子比の選択自由度を広くすることが可能であれ
ば条件制御が簡単になり容易に製造しうることに
着目して、工業的に実施するのに適したInSb化
合物結晶構造薄膜の製造方法に開発すべく、鋭意
研究を重ねた結果、Inが過剰であつてもInのSb
に対する原子比が1.10〜1.70の範囲にあるならば
意外にも結晶性が良好で高い移動度を示すという
従来の常識を全く覆えす新事実を見出した。そし
て、さらに研究を続け、このようなものは、Sb
対Inの到達速度比が１：1.1ないし１：1.7になる
条件下でSbとInを基板上に蒸着することにより
容易に得ることができることを知つた。本発明は
これらの知見に基づいてなされたものである。 すなわち、本発明は、インジウムとアンチモン
とを、アンチモン対インジウムの到達速度比１：
1.1ないし１：1.7の条件下で基板上に蒸着させる
ことを特徴とする実質的にインジウムアンチモン
化合物結晶とインジウム単体結晶から成るインジ
ウムアンチモン系複合結晶薄膜の製造方法を提供
するものである。 ところで、本発明は、Sbに対するInの原子比
（以下FIo／FSbと略する）が1.10〜1.70の範囲内に
おいては、FIo／FSbとAIo／ASbが実験誤差内で一
致するという知見に基づいてなされたものであ
る。 すなわち、本発明の該Inが非常に過剰なInSb
複合結晶薄膜の蒸着による形成法は、AIo／ASbを
1.1〜1.7の範囲にするというこれまでの常識とは
異なる概念のもとにある。第２図は、FIo／FSbと
AIo／ASbの一致している様子を示す。第２図にお
いて横軸は原子吸光スペクトルスコピーで決定し
たフイルムの組成比FIo／FSbであり、かなり正確
に決定することができた。また、縦軸にAIo／ASo
をとつている。図中のＡはFIo／FSb＝AIo／ASbの
ラインであり、Ｂは基板温度440℃の場合、Ｃは
基板温度350℃の場合、Ｄは基板温度460℃の場合
であり、Ｅは基板温度400℃の場合である。縦軸
の量は極めて簡単な予備実験によつて決定でき
た。すなわち、まずInとSbのおのおののボート
からの飛んだ量と基板への付着量との関係を低温
基板、例えば室温の場合に求めておいた付着量か
ら原子密度を求めることができるので、飛量と原
子密度との関係が求められる。第２図の各点は、
基板温度を実際のInSb複合結晶薄膜を形成した
際の点である。 このように、AIo／ASbは、膜の組成比FIo／FSb
と本発明の領域では一致するので、AIo／ASbの制
御によつて膜の組成が制御できることになる。
AIo／ASbを制御するには、単にボートから飛量を
制御することが必要となるにすぎないから、工業
的には非常に有効である。更に、AIo／ASbを一定
にすることによつて得られる薄膜の移動度は驚く
ほどバラツキが少くなる。従つて本発明の工業上
の重要性は、特性上極めてバラツキの少い薄膜を
形成する方法を提供することにある。 また、本発明の他の重要性は、格子定数が全く
異なる完全絶縁性の基板上での、結晶性がよくし
かも実用上有用な移動度とホール係数を有するイ
ンジウムアンチモン系複合結晶薄膜を提供するこ
とにある。 本発明の基板としては絶縁性かつ結晶性である
ことが必要である。 本発明を実施する手段しては、本発明の要旨に
沿うものであれば、どんな方法を用いてもよい。
すなわち、通常知られた蒸着法（ヒーター加熱、
EB加熱、フラツシユ蒸着）、スパツタ、MBE、
イオンビーム法等いずれの方法も適用できる。薄
膜形成速度はかなりの広範囲の0.1〜1000Å／sec
を適用できるが、AIo／ASbの制御の容易さから１
〜10Å／secが特に好都合に採用される。また基
板温度はAIo／ASb＝FIo／FSbが成立する領域であ
ればよく、一般には530℃以下である。蒸着温度
は、蒸発機器の真空度と関係があるようで、真空
度が高い場合この最高温度は低下する傾向が認め
られる。 本発明方法においては、前記説明から明らかな
ように、InとSbの到達速度比（AIo／ASb）は1.1
〜1.7の範囲であることが必要であり、好ましく
は1.2〜1.5である。1.1未満及び1.7を超えると、
膜の均一性、優れた膜の強度が得られ難く、更に
ノイズレベルの点で劣つた膜しか得られず、実用
性の優れた高い移動度を有する複合結晶薄膜は製
造できない。また蒸着のための蒸発金属源として
単体のInとSbを用いるのが極めて好ましい。先
述のように、AIo／ASbは飛量の比に対応するの
で、飛量比がAIo／ASb1.1〜1.7になるように、ボ
ートへのパワーを制御するだけでよいから極めて
好都合である。しかし、Sb源として他の化合物、
例えばInSb，GaSb等を用いることも可能であ
る。InやGaはSbに比し極めて蒸気圧が小さいか
ら、Sb源としてこれらの化合物を用いることも
できる。 次に第３図に従い本発明の実施態様の１例を説
明する。 第３図は、本発明による複合結晶を製造するの
に好適な装置の一例を示す説明図であり、蒸着用
基板例えば雲母１の温度は、インジウム２を介し
て密着された熱電対により検知され、基板温度制
御システム（図示せず）により一定温度に制御さ
れる。基板１及びボート４，４′はそれぞれの加
熱手段５，５′及び６，６′により所定温度に加熱
される。ボート４，４′にそれぞれインジウム及
びアンチモンを入れ、真空吸引系７で系内を減圧
にし、真空度を10-3〜10-8Torrに調節したのち、
ボートの温度を適当な温度に加熱すると、基板１
上に所望の複合結晶薄膜が形成される。 このようにして得られた複合結晶薄膜は、その
ままで、あるいはフエライドなどの別の基板へ貼
付又は転写し、パターニング、電極付けすること
により、ホール素子や磁気抵抗効果素子などの半
導体装置に加工することができる。 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明す
る。 なお、各実施例中の薄膜の電気特性は、第１図
に示す形状のサンプル（長さ10mm、幅５mm）を用
い、定電流5mA、定電圧1V、印加磁場500Gauss
の条件下で測定した。 また結晶の組成は、原子吸光による湿式分析法
に従い、薄膜の所定量を希硝酸に溶解し、その溶
液を原子吸光装置（島津製作所製AA―646）を
用いIn及びSbの吸光度を測定することによつて
求めた。この際あらかじめInとSbとを別々に溶
解した溶液で検量線を描き、これに基づいて前記
吸光度からInのSbに対する原子比を算出した。 実施例 １ 第３図に示す装置を用い、基板及びボートをタ
ングステンヒーターにより加熱し、基板の温度を
PID制御につり一定に維持して、雲母基板上にIn
とSb（いずれもフルウチ化学社製６―Ｎ）の蒸着
を行つた。 すなわち、基板温度を440℃、真空度を1.5×
10-6Torrに設定し、AIo／ASb＝1.45になるように
仕込み量を一定にして、30分で1μになるように
ボートのパワーを加えた。かかる操作を７回行つ
て、得られた膜の各一部をとつて組成を原子吸光
により分析した。７枚の膜の組成比FIo／FSbは
1.42〜1.49の範囲であつた。 更にその特性を測定したところ、移動度は７枚
のバツチの違う膜で20000〜21500cm2／VSと極め
てバラツキが少なかつた。 全く同様にAIo／ASbを1.15，1.3，1.6となるよ
うに仕込量を変えて、おのおの７回蒸着を行つ
た。得られた膜のそれぞれの組成分析と移動度を
第１表に示す。
好適な特性を示す新規なインジウムアンチモン系
複合結晶薄膜の製造方法に関するものである。 インジウムアンチモン化合物（以下InSbと略
す）の結晶薄膜は、他の化合物半導体、例えば
InAs（移動度30000cm2／Ｖ・sec）やGaAs（移動度
7000cm2／Ｖ・sec）に比べて非常に高い移動度す
なわち78000cm2／Ｖ・secを有するため、ホール素
子や磁気抵抗効果素子の素材として好適であるこ
とが知られ、最近ダイレクトドライブモーター用
の位置検出装置として、あるいはVTRや音響機
器の部品として注目を浴びるようになつてきた。 ところでInSbは―族化合物半導体として
よく知られた物質であり、ホール素子や磁気抵抗
効果素子として利用するには、In元素のSb元素
に対する原子数比が1.00の結晶であることが必要
不可欠の条件であり、かかる条件を満足する場合
にその特性が高度に発揮されると考えられ、かか
る考えに立脚して多くの研究がなされてきた。 例えば、ホール効果を考えるときには、ホール
係数RHとホール移動度μHとが重要なパラメータ
ーとなる。ここで第１図に示すようにInSb薄膜
をパターニング及び電極付けを行つて測定サンプ
ルとし、金めつきにより電極ａ，a′を入力電極、
電極ｂ，b′を出力電極として設け、入力電極を定
電流電源Ｉに接続した時の出力電極間に生じる電
圧をVHiとして、入力電極を定電圧電源Ｖに接続
した時の出力電極間に生じる電圧をVHvとする
と、VHiとHvとはそれぞれ次の式で与えられる。
ただし、第１図においてｌはパターンの長さ、ｗ
はパターンの幅であり、また式中のｔは試料の膜
厚である。 VHi＝RHBI／ｔ・ｆ (1) VHv＝μHBV・ｗ／ｌ・ｆ (2) 上式(1)(2)において、Ｂは印加される外部磁場の
磁束密度、Ｉは試料に流される電流でＶは試料に
印加される電圧、ｆは試料の形状因子である。そ
してRHは試料のホール係数であり、μHは試料の
ホール移動度である。式(1)からわかるように出力
電圧は電流の流れる材料の厚さに反比例するの
で、高感度のホール素子や磁気抵抗効果素子を作
るに当つては薄膜を用いた方がよいことが分る。 またInSbはその禁制帯の幅が狭いので前記式
(1)のホール係数RHは温度により著しく変化し、
実用上は定電流出力電圧VHiの温度依存性が大で
ある。一方前記式(2)のホール移動度μHは温度によ
り比較的変化しないので、実用上InSbのホール
素子は専ら定電圧下で用いられる。そのため高い
ホール係数よりも高い移動度が要望されている InSbのような化合物半導体は周期表ｂ族と
Vb族の元素が１：１の原子比になつていること
が必要不可欠の条件とされてきた〔「ツアイトシ
ユリフト・フユア・ナツールフオルシユング（Z.
Naturforschlg）」、7a、第744ページ（1952）参
照〕。そして、ホール素子や磁気抵抗効果素子と
して使用するために、InとSbの原子比が１対１
のInSb結晶薄膜を製造するには、所定の単結晶
を切り出して研摩し、薄膜状にする方法、あるい
は蒸着等の手段で基板上に10μm程度の厚さの
InSb層を形成させたのち、ゾーンメルトして結
晶化し、研摩する方法（特開昭50−9373号公報）
が行われている。 しかしながら、InSbの単結晶から薄膜状に切
り出す方法は、高価な材料を多量に消費しなけれ
ばならないので、工業的に実施するには不適当で
あるし、蒸着したのち結晶化させる方法は、Inと
Sbの原子比を１対１に制御するのが困難であり、
また煩残な接作を必要とするため、工業的に実施
する際に大きな制約を受けるのを免れない。その
ほか、ｂ―ｂ族化合物半導体薄膜を蒸着で形
成するに際して、基板温度を該化合物半導体の分
解温度を超えるように設定し、Vb族元素がｂ
族元素より過剰になるように、すなわち基板への
到達速度比（arrival rate ratio，以下AIo／ASb
と略記する）を１以下に調整する方法も提案され
ている（米国特許第3172778号明細書）。ここで到
達速度比（AIo／ASb）とは、蒸着に際し、基板に
到達するInとSbの原子束密度（flux density）の
比である。〔「フイジツクス・ステータス・ソリツ
ド（Phys.Stat.Sol.）」、(a)、第54巻、第707ページ
（1979年）参照〕。しかし、この方法もInとSbの
原子比を1.0に調整するためのものであり、前記
した欠点を改善しうるものとはいえない。 本発明者らは、従来の薄膜製造における隘路
は、InとSbとの原子比を厳密に１対１に制御し
なければならない点にあること、したがつてこの
原子比の選択自由度を広くすることが可能であれ
ば条件制御が簡単になり容易に製造しうることに
着目して、工業的に実施するのに適したInSb化
合物結晶構造薄膜の製造方法に開発すべく、鋭意
研究を重ねた結果、Inが過剰であつてもInのSb
に対する原子比が1.10〜1.70の範囲にあるならば
意外にも結晶性が良好で高い移動度を示すという
従来の常識を全く覆えす新事実を見出した。そし
て、さらに研究を続け、このようなものは、Sb
対Inの到達速度比が１：1.1ないし１：1.7になる
条件下でSbとInを基板上に蒸着することにより
容易に得ることができることを知つた。本発明は
これらの知見に基づいてなされたものである。 すなわち、本発明は、インジウムとアンチモン
とを、アンチモン対インジウムの到達速度比１：
1.1ないし１：1.7の条件下で基板上に蒸着させる
ことを特徴とする実質的にインジウムアンチモン
化合物結晶とインジウム単体結晶から成るインジ
ウムアンチモン系複合結晶薄膜の製造方法を提供
するものである。 ところで、本発明は、Sbに対するInの原子比
（以下FIo／FSbと略する）が1.10〜1.70の範囲内に
おいては、FIo／FSbとAIo／ASbが実験誤差内で一
致するという知見に基づいてなされたものであ
る。 すなわち、本発明の該Inが非常に過剰なInSb
複合結晶薄膜の蒸着による形成法は、AIo／ASbを
1.1〜1.7の範囲にするというこれまでの常識とは
異なる概念のもとにある。第２図は、FIo／FSbと
AIo／ASbの一致している様子を示す。第２図にお
いて横軸は原子吸光スペクトルスコピーで決定し
たフイルムの組成比FIo／FSbであり、かなり正確
に決定することができた。また、縦軸にAIo／ASo
をとつている。図中のＡはFIo／FSb＝AIo／ASbの
ラインであり、Ｂは基板温度440℃の場合、Ｃは
基板温度350℃の場合、Ｄは基板温度460℃の場合
であり、Ｅは基板温度400℃の場合である。縦軸
の量は極めて簡単な予備実験によつて決定でき
た。すなわち、まずInとSbのおのおののボート
からの飛んだ量と基板への付着量との関係を低温
基板、例えば室温の場合に求めておいた付着量か
ら原子密度を求めることができるので、飛量と原
子密度との関係が求められる。第２図の各点は、
基板温度を実際のInSb複合結晶薄膜を形成した
際の点である。 このように、AIo／ASbは、膜の組成比FIo／FSb
と本発明の領域では一致するので、AIo／ASbの制
御によつて膜の組成が制御できることになる。
AIo／ASbを制御するには、単にボートから飛量を
制御することが必要となるにすぎないから、工業
的には非常に有効である。更に、AIo／ASbを一定
にすることによつて得られる薄膜の移動度は驚く
ほどバラツキが少くなる。従つて本発明の工業上
の重要性は、特性上極めてバラツキの少い薄膜を
形成する方法を提供することにある。 また、本発明の他の重要性は、格子定数が全く
異なる完全絶縁性の基板上での、結晶性がよくし
かも実用上有用な移動度とホール係数を有するイ
ンジウムアンチモン系複合結晶薄膜を提供するこ
とにある。 本発明の基板としては絶縁性かつ結晶性である
ことが必要である。 本発明を実施する手段しては、本発明の要旨に
沿うものであれば、どんな方法を用いてもよい。
すなわち、通常知られた蒸着法（ヒーター加熱、
EB加熱、フラツシユ蒸着）、スパツタ、MBE、
イオンビーム法等いずれの方法も適用できる。薄
膜形成速度はかなりの広範囲の0.1〜1000Å／sec
を適用できるが、AIo／ASbの制御の容易さから１
〜10Å／secが特に好都合に採用される。また基
板温度はAIo／ASb＝FIo／FSbが成立する領域であ
ればよく、一般には530℃以下である。蒸着温度
は、蒸発機器の真空度と関係があるようで、真空
度が高い場合この最高温度は低下する傾向が認め
られる。 本発明方法においては、前記説明から明らかな
ように、InとSbの到達速度比（AIo／ASb）は1.1
〜1.7の範囲であることが必要であり、好ましく
は1.2〜1.5である。1.1未満及び1.7を超えると、
膜の均一性、優れた膜の強度が得られ難く、更に
ノイズレベルの点で劣つた膜しか得られず、実用
性の優れた高い移動度を有する複合結晶薄膜は製
造できない。また蒸着のための蒸発金属源として
単体のInとSbを用いるのが極めて好ましい。先
述のように、AIo／ASbは飛量の比に対応するの
で、飛量比がAIo／ASb1.1〜1.7になるように、ボ
ートへのパワーを制御するだけでよいから極めて
好都合である。しかし、Sb源として他の化合物、
例えばInSb，GaSb等を用いることも可能であ
る。InやGaはSbに比し極めて蒸気圧が小さいか
ら、Sb源としてこれらの化合物を用いることも
できる。 次に第３図に従い本発明の実施態様の１例を説
明する。 第３図は、本発明による複合結晶を製造するの
に好適な装置の一例を示す説明図であり、蒸着用
基板例えば雲母１の温度は、インジウム２を介し
て密着された熱電対により検知され、基板温度制
御システム（図示せず）により一定温度に制御さ
れる。基板１及びボート４，４′はそれぞれの加
熱手段５，５′及び６，６′により所定温度に加熱
される。ボート４，４′にそれぞれインジウム及
びアンチモンを入れ、真空吸引系７で系内を減圧
にし、真空度を10-3〜10-8Torrに調節したのち、
ボートの温度を適当な温度に加熱すると、基板１
上に所望の複合結晶薄膜が形成される。 このようにして得られた複合結晶薄膜は、その
ままで、あるいはフエライドなどの別の基板へ貼
付又は転写し、パターニング、電極付けすること
により、ホール素子や磁気抵抗効果素子などの半
導体装置に加工することができる。 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明す
る。 なお、各実施例中の薄膜の電気特性は、第１図
に示す形状のサンプル（長さ10mm、幅５mm）を用
い、定電流5mA、定電圧1V、印加磁場500Gauss
の条件下で測定した。 また結晶の組成は、原子吸光による湿式分析法
に従い、薄膜の所定量を希硝酸に溶解し、その溶
液を原子吸光装置（島津製作所製AA―646）を
用いIn及びSbの吸光度を測定することによつて
求めた。この際あらかじめInとSbとを別々に溶
解した溶液で検量線を描き、これに基づいて前記
吸光度からInのSbに対する原子比を算出した。 実施例 １ 第３図に示す装置を用い、基板及びボートをタ
ングステンヒーターにより加熱し、基板の温度を
PID制御につり一定に維持して、雲母基板上にIn
とSb（いずれもフルウチ化学社製６―Ｎ）の蒸着
を行つた。 すなわち、基板温度を440℃、真空度を1.5×
10-6Torrに設定し、AIo／ASb＝1.45になるように
仕込み量を一定にして、30分で1μになるように
ボートのパワーを加えた。かかる操作を７回行つ
て、得られた膜の各一部をとつて組成を原子吸光
により分析した。７枚の膜の組成比FIo／FSbは
1.42〜1.49の範囲であつた。 更にその特性を測定したところ、移動度は７枚
のバツチの違う膜で20000〜21500cm2／VSと極め
てバラツキが少なかつた。 全く同様にAIo／ASbを1.15，1.3，1.6となるよ
うに仕込量を変えて、おのおの７回蒸着を行つ
た。得られた膜のそれぞれの組成分析と移動度を
第１表に示す。
【表】
比較のために、AIo／ASbが0.9と1.8の場合につ
いて同様に行つたが、その結果は第２表のよう
に、FIo／FSbとの対応が悪く、また、移動度も低
くてバラツキが大きかつた。更にAIo／ASb0.9の
時の薄膜は脆く、不平衡電圧が大きかつた。ま
た、AIo／ASb1.8時の時の薄膜は見るからに均質
的が悪く、透明部分もみられた。
いて同様に行つたが、その結果は第２表のよう
に、FIo／FSbとの対応が悪く、また、移動度も低
くてバラツキが大きかつた。更にAIo／ASb0.9の
時の薄膜は脆く、不平衡電圧が大きかつた。ま
た、AIo／ASb1.8時の時の薄膜は見るからに均質
的が悪く、透明部分もみられた。
【表】
得られたInSb複合結晶薄膜のラウエ写真によ
ると、本発明の方法で製造した膜には全くリング
が見られないが、本発明のAIo／ASbの範囲外、す
なわち0.9及び1.8で製造された膜には明白なリン
グが見られる。 このように、本発明の方法は、AIo／ASbの制御
で膜の組成そのものが制御できること、更に副次
的効果として製造方法のバラツキが極めて小さい
実用上充分な移動度の薄膜を提供することができ
るという、工業上極めて有効な方法であることが
明瞭に理解される。
ると、本発明の方法で製造した膜には全くリング
が見られないが、本発明のAIo／ASbの範囲外、す
なわち0.9及び1.8で製造された膜には明白なリン
グが見られる。 このように、本発明の方法は、AIo／ASbの制御
で膜の組成そのものが制御できること、更に副次
的効果として製造方法のバラツキが極めて小さい
実用上充分な移動度の薄膜を提供することができ
るという、工業上極めて有効な方法であることが
明瞭に理解される。
第１図は電気特性を測定するためにパターンを
示す平面図、第２図はAIo／ASbとFIo／FSbとの関
係を示すグラフ、第３図は実施例に用いた蒸装置
の１例の説明図である。 図中符号１は基板、３は熱電対、４，４′は原
料用ボート、５，５′，６，６′は加熱手段、７は
真空吸引系である。
示す平面図、第２図はAIo／ASbとFIo／FSbとの関
係を示すグラフ、第３図は実施例に用いた蒸装置
の１例の説明図である。 図中符号１は基板、３は熱電対、４，４′は原
料用ボート、５，５′，６，６′は加熱手段、７は
真空吸引系である。
Claims (1)
- １ インジウムとアンチモンとを、アンチモン対
インジウムの到達速度比１：1.1ないし１：1.7の
条件下で基板上に蒸着させることを特徴とする実
質的にインジウムアンチモン化合物結晶とインジ
ウム単体結晶から成るインジウムアンチモン系複
合結晶薄膜の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56050294A JPS57166026A (en) | 1981-04-03 | 1981-04-03 | Manufacture of indium antimony group composite crystal thin-film |
| US06/361,939 US4468415A (en) | 1981-03-30 | 1982-03-25 | Indium-antimony complex crystal semiconductor and process for production thereof |
| AT82102605T ATE20629T1 (de) | 1981-03-30 | 1982-03-27 | Indium-antimon-halbleiter mit komplexer kristalliner struktur und verfahren zu seiner herstellung. |
| EP82102605A EP0062818B2 (en) | 1981-03-30 | 1982-03-27 | Process of producing a hall element or magnetoresistive element comprising an indium-antimony complex crystal semiconductor |
| DE8282102605T DE3271874D1 (en) | 1981-03-30 | 1982-03-27 | Indium-antimony complex crystal semiconductor and process for production thereof |
| KR8201347A KR860000161B1 (ko) | 1981-03-30 | 1982-03-29 | 인듐 안티몬계 복합 결정반도체 및 그 제조방법 |
| US06/620,645 US4539178A (en) | 1981-03-30 | 1984-06-14 | Indium-antimony complex crystal semiconductor and process for production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56050294A JPS57166026A (en) | 1981-04-03 | 1981-04-03 | Manufacture of indium antimony group composite crystal thin-film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57166026A JPS57166026A (en) | 1982-10-13 |
| JPH0113211B2 true JPH0113211B2 (ja) | 1989-03-03 |
Family
ID=12854879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56050294A Granted JPS57166026A (en) | 1981-03-30 | 1981-04-03 | Manufacture of indium antimony group composite crystal thin-film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57166026A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7567078B2 (en) | 2004-12-28 | 2009-07-28 | Asahi Kasei Emd Corporation | Magnetic rotation-angle sensor and angle-information processing device |
| EP3896511A1 (en) | 2020-04-13 | 2021-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Reduction optical system and image pickup apparatus |
-
1981
- 1981-04-03 JP JP56050294A patent/JPS57166026A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7567078B2 (en) | 2004-12-28 | 2009-07-28 | Asahi Kasei Emd Corporation | Magnetic rotation-angle sensor and angle-information processing device |
| EP3896511A1 (en) | 2020-04-13 | 2021-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Reduction optical system and image pickup apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57166026A (en) | 1982-10-13 |
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