JPS59202674A - インジウム−アンチモン系薄膜の製造方法 - Google Patents
インジウム−アンチモン系薄膜の製造方法Info
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- JPS59202674A JPS59202674A JP58077266A JP7726683A JPS59202674A JP S59202674 A JPS59202674 A JP S59202674A JP 58077266 A JP58077266 A JP 58077266A JP 7726683 A JP7726683 A JP 7726683A JP S59202674 A JPS59202674 A JP S59202674A
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- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイン／ラム−アンチモン系薄膜の製造方法、さ
らに詳しくいえば、移動度及び抵抗がともに高いインジ
系薄膜アンチモン系薄膜を容易に製造する方法に関する
ものである。
らに詳しくいえば、移動度及び抵抗がともに高いインジ
系薄膜アンチモン系薄膜を容易に製造する方法に関する
ものである。
インジウム−アンチモン化合物（以下工ｎＳｂと略す）
の結晶薄膜は、他の化合物半導体、例えば工ｎＡｓ （
移動度３０．０００ｃｎＶＶ 、 ｓｅｃ ）やＧａＡ
ｓ（移動度７，０００ｃ４／Ｖ Ｈｓｅｅ ）に比べ
て非常に高い移動度す々わち７８．０００ｃ４／ Ｖ
−ｓｅｃを有するだめ、ホール素子や磁気抵抗効果素子
の素材として好適であることが知られ、最近ダイレクト
ドライブモーター用の位置検出装置として、あるいはＶ
ＴＲや音響機器の部品として注目を浴びるようになって
きた。
の結晶薄膜は、他の化合物半導体、例えば工ｎＡｓ （
移動度３０．０００ｃｎＶＶ 、 ｓｅｃ ）やＧａＡ
ｓ（移動度７，０００ｃ４／Ｖ Ｈｓｅｅ ）に比べ
て非常に高い移動度す々わち７８．０００ｃ４／ Ｖ
−ｓｅｃを有するだめ、ホール素子や磁気抵抗効果素子
の素材として好適であることが知られ、最近ダイレクト
ドライブモーター用の位置検出装置として、あるいはＶ
ＴＲや音響機器の部品として注目を浴びるようになって
きた。
ところで工ｎＳｂは■−Ｖ族化合物半導体としてよく知
られた物質であり、ホール素子や磁気抵抗効果素子とし
て利用するには、インジウムのアンチモノに対する原子
数比が１．００の結晶であることが必要不可欠の条件で
あり、かかる条件を満足する場合にその特性が高度に発
揮されると考えられ、かかる考えに立脚して多くの研究
がなされてきた。
られた物質であり、ホール素子や磁気抵抗効果素子とし
て利用するには、インジウムのアンチモノに対する原子
数比が１．００の結晶であることが必要不可欠の条件で
あり、かかる条件を満足する場合にその特性が高度に発
揮されると考えられ、かかる考えに立脚して多くの研究
がなされてきた。
これに対し、本発明者らは、先にインジ系薄膜アンチモ
ン系薄膜を基板上に成長させるに蟲っては、インジウム
のアンチモノに対する原子比が１．０ではなり、１．１
〜１．７というインジウムが過剰の範囲が好都合である
ことを明らかにした（特開昭５７−１６２３７８号、特
開昭５７−１６６０２６号公報）。そして、インジウム
を著しく過剰にして移動度が非常に優れたもの、すなわ
ち移動度が６０ ＋ ＯＯＯｃｒｌ／ Ｖ・Ｓｅｃに達
するものを作成することができだ。
ン系薄膜を基板上に成長させるに蟲っては、インジウム
のアンチモノに対する原子比が１．０ではなり、１．１
〜１．７というインジウムが過剰の範囲が好都合である
ことを明らかにした（特開昭５７−１６２３７８号、特
開昭５７−１６６０２６号公報）。そして、インジウム
を著しく過剰にして移動度が非常に優れたもの、すなわ
ち移動度が６０ ＋ ＯＯＯｃｒｌ／ Ｖ・Ｓｅｃに達
するものを作成することができだ。
ところで、ホール効果を考えるときには、ホール係数Ｒ
とホール移動度μｍとが重要なパラターターとなる。例
えば添附図面に示すようにインジウム−アンチモン系薄
膜をパターニング及び電極付けを行って測定サンプルと
し、金めつきにより電極ａ、ａ′ を入力電極、電極ｂ
、 ｂ’を出力電極として設け、入力電極を定電流電
源Ｉに接続した時の出力電極間に生じる電圧をＶ Ｈｉ
とし、入力電極を定電圧電源Ｖに接続した時の出力電極
間に生じる電圧をＶＨｖとすると、Ｖｎ工とＶＨｖ
とはそれぞれ次の式で与えられる。ただし、図において
ｔはパターンの長さ、■ｆはパターンの幅であり、また
式中のｔは試料の膜厚である。
とホール移動度μｍとが重要なパラターターとなる。例
えば添附図面に示すようにインジウム−アンチモン系薄
膜をパターニング及び電極付けを行って測定サンプルと
し、金めつきにより電極ａ、ａ′ を入力電極、電極ｂ
、 ｂ’を出力電極として設け、入力電極を定電流電
源Ｉに接続した時の出力電極間に生じる電圧をＶ Ｈｉ
とし、入力電極を定電圧電源Ｖに接続した時の出力電極
間に生じる電圧をＶＨｖとすると、Ｖｎ工とＶＨｖ
とはそれぞれ次の式で与えられる。ただし、図において
ｔはパターンの長さ、■ｆはパターンの幅であり、また
式中のｔは試料の膜厚である。
ＶＨｖ−μＨＢＶ・−−ｆ （２）を
上式（１） （２）において、Ｂは印加される外部磁場
の磁束密度、■は試料に流される電流で■は試料に印加
される電圧、ｆは試料の形状因子である。そしてＲＨは
試料のホール係数であり、μヨは試料のホール移動度で
ある。式（１）から分るように出力電圧は電流の流れる
材料の厚さに反比例するので、高感度のホール素子や磁
気抵抗効果素子を作るに当っては薄膜を用いた方がよい
。
の磁束密度、■は試料に流される電流で■は試料に印加
される電圧、ｆは試料の形状因子である。そしてＲＨは
試料のホール係数であり、μヨは試料のホール移動度で
ある。式（１）から分るように出力電圧は電流の流れる
材料の厚さに反比例するので、高感度のホール素子や磁
気抵抗効果素子を作るに当っては薄膜を用いた方がよい
。
捷だインジウム−アンチモン系薄膜はその禁制帯の幅が
狭いので前記式（１）のホール係数ＲＨは温度により著
しく変化し、実用上は定電流出力電圧Ｖ、工の温度依存
性が犬である。一方前記式（２）のホール移動度軸は温
度によシ比較的変化し々いので、実用上インジウム−ア
ンチモン系薄膜のホール素子は専ら定電圧下で用いられ
る。そのため高い移動度の薄膜が要望されている。
狭いので前記式（１）のホール係数ＲＨは温度により著
しく変化し、実用上は定電流出力電圧Ｖ、工の温度依存
性が犬である。一方前記式（２）のホール移動度軸は温
度によシ比較的変化し々いので、実用上インジウム−ア
ンチモン系薄膜のホール素子は専ら定電圧下で用いられ
る。そのため高い移動度の薄膜が要望されている。
ところで、インジウム−アンチモン系薄膜を用いてホー
ル素子や磁気抵抗素子を作るに当り、最近の動向として
これらの素子の消費電力の低減化が要請されており、し
だがって基板上に形成された薄膜の移動度が高く、しか
も抵抗の高いものが要求されている。すなわち、図に示
されるパターンの入力抵抗Ｒ工、は で表わされるから、形状による抵抗調整の限界を考える
と高いホール係数の薄膜が要望されている。
ル素子や磁気抵抗素子を作るに当り、最近の動向として
これらの素子の消費電力の低減化が要請されており、し
だがって基板上に形成された薄膜の移動度が高く、しか
も抵抗の高いものが要求されている。すなわち、図に示
されるパターンの入力抵抗Ｒ工、は で表わされるから、形状による抵抗調整の限界を考える
と高いホール係数の薄膜が要望されている。
これに関連し、本発明者らは先に薄膜をＧａ１−ｙＩｎ
ｙＳｂ系とすることによって、 ホール係数を高める方
法を提案したが、この方法においては、薄膜を三元系に
するため移動度が低下するという欠点があり、必ずしも
十分に満足しうるものではなかった。
ｙＳｂ系とすることによって、 ホール係数を高める方
法を提案したが、この方法においては、薄膜を三元系に
するため移動度が低下するという欠点があり、必ずしも
十分に満足しうるものではなかった。
本発明者らは、このような事情に鑑み、移動度を低下さ
せないで薄膜を高抵抗化する方法について鋭意研究を重
ねた結果、単体のインジウム量を減少することによ見ホ
ール係数が高くなって、高抵抗化することを見出し、こ
の知見に基づいて本発明を完成するに至った。
せないで薄膜を高抵抗化する方法について鋭意研究を重
ねた結果、単体のインジウム量を減少することによ見ホ
ール係数が高くなって、高抵抗化することを見出し、こ
の知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、基板上に、■ｎＳｂの結晶と単体
インジウム結晶との複合結晶から成り、かつ全インジウ
ムのアンチモンに対する原子比が１．１〜１．７の範囲
にあるインジウム−アンチモン系複合結晶薄膜を蒸着に
より形成させ、次いでアンチモンを蒸着することを特徴
とするインジウム−アンチモン系薄膜の製造方法を提供
するものである。
インジウム結晶との複合結晶から成り、かつ全インジウ
ムのアンチモンに対する原子比が１．１〜１．７の範囲
にあるインジウム−アンチモン系複合結晶薄膜を蒸着に
より形成させ、次いでアンチモンを蒸着することを特徴
とするインジウム−アンチモン系薄膜の製造方法を提供
するものである。
本発明方法によると抵抗及び移動度ともに高い薄膜を容
易に得ることができる。
易に得ることができる。
本発明においては、まずインジウム−アンチモン系薄膜
中の全インジウム、すなわちＩｎＳｂ中のインジウムと
単体インジウムの合計のアンチモンに対する原子比が１
．１〜１．７の範囲になるように制御することが必要で
ある。これはこの範囲のものは範囲外のものに比べて特
に高い移動度を示し、実用的な薄膜を形成しうるためで
ある。さらに前記の原子比が１．１未満の場合には、も
ろい薄膜が得られ結晶性も悪くて、ノイズレベルも高く
、また」、７を超えるとピンホールや凝集が生じ、工業
的生産性の低下をもたらす。特に好ましい原子比は１．
２〜１．６の範囲であって、この範囲内では薄膜の結晶
性がよく、かつ高移動度である上に、ノイズレベルの低
い均一性のよいものとなる。
中の全インジウム、すなわちＩｎＳｂ中のインジウムと
単体インジウムの合計のアンチモンに対する原子比が１
．１〜１．７の範囲になるように制御することが必要で
ある。これはこの範囲のものは範囲外のものに比べて特
に高い移動度を示し、実用的な薄膜を形成しうるためで
ある。さらに前記の原子比が１．１未満の場合には、も
ろい薄膜が得られ結晶性も悪くて、ノイズレベルも高く
、また」、７を超えるとピンホールや凝集が生じ、工業
的生産性の低下をもたらす。特に好ましい原子比は１．
２〜１．６の範囲であって、この範囲内では薄膜の結晶
性がよく、かつ高移動度である上に、ノイズレベルの低
い均一性のよいものとなる。
次に、前記のようにインジウムが極めて過剰であるイン
ンウムーアンテモン系複合結晶薄膜に、さらにアンチモ
ンのみを蒸着する。その結果、前記の複合結晶中の単体
インジウムがＩｎＳｂとなり、移動度が低下することな
く、高抵抗の薄膜が得られる。この場合、複合結晶中の
単体インジウムは、後から蒸着したアンチモノの量によ
って、かなりの量若しくはほとんど全部が工ｎＳｂとな
っていることがＸ線回折及び電子顕微鏡観察により確認
された。このようにして、結果的には前記の原子比が１
．０に近いインジウム−アンチモン系薄膜が得られるこ
とになる。しかしながら、最初から原子比が１．０にな
るように蒸着条件を設定すると、前記のような特性及び
結晶性の優れた薄膜は得られない。しだがって、いった
ん前記の原子比が１．１〜１．７の範囲にある結晶性の
良好な薄膜を形成させたのち、アンチモンを蒸着して、
最終的に原子比が１．０に近い薄膜とすることが本発明
の重要なポイントである。
ンウムーアンテモン系複合結晶薄膜に、さらにアンチモ
ンのみを蒸着する。その結果、前記の複合結晶中の単体
インジウムがＩｎＳｂとなり、移動度が低下することな
く、高抵抗の薄膜が得られる。この場合、複合結晶中の
単体インジウムは、後から蒸着したアンチモノの量によ
って、かなりの量若しくはほとんど全部が工ｎＳｂとな
っていることがＸ線回折及び電子顕微鏡観察により確認
された。このようにして、結果的には前記の原子比が１
．０に近いインジウム−アンチモン系薄膜が得られるこ
とになる。しかしながら、最初から原子比が１．０にな
るように蒸着条件を設定すると、前記のような特性及び
結晶性の優れた薄膜は得られない。しだがって、いった
ん前記の原子比が１．１〜１．７の範囲にある結晶性の
良好な薄膜を形成させたのち、アンチモンを蒸着して、
最終的に原子比が１．０に近い薄膜とすることが本発明
の重要なポイントである。
本発明方法により得られた薄膜の構造は、ＩｎＳ ｂ層
上に塊状の工ｎＳｂ及びインジウムが点在するか、該層
上に塊状のＩｎＳｂが点在するものである。しかし、前
記原子比が極めて１．０に近くなった場合には、塊状の
構造物はほとんどみられない。
上に塊状の工ｎＳｂ及びインジウムが点在するか、該層
上に塊状のＩｎＳｂが点在するものである。しかし、前
記原子比が極めて１．０に近くなった場合には、塊状の
構造物はほとんどみられない。
本発明方法を実施するに蟲り、最初のインジウム−アン
チモン系複合結晶薄膜を形成させる方法として、先に本
発明者らが提案した方法（特開昭５７−１６６０２６号
公報、同５７−１７３９３４号公報）に基づき、インジ
ウムとアンチモンの飛散及び基板温度を別々に制御する
蒸着手段を用いることができる。特に高い移動度を有す
る薄膜を得るためには、基板温度の上昇彦どの手段が有
用である。
チモン系複合結晶薄膜を形成させる方法として、先に本
発明者らが提案した方法（特開昭５７−１６６０２６号
公報、同５７−１７３９３４号公報）に基づき、インジ
ウムとアンチモンの飛散及び基板温度を別々に制御する
蒸着手段を用いることができる。特に高い移動度を有す
る薄膜を得るためには、基板温度の上昇彦どの手段が有
用である。
本発明においては、まずインジウムとアンチモンとを、
アンチモンに対するインジウムの原子比が１，１〜１．
７の範囲になるように、通常３００〜５２０℃の温度範
囲に保たれた基板上に、好ましくは１．０〜１０ Ａ／
ｓｅｃ の範囲の蒸着速度でもって蒸着を行い、イ
ンジウム−アンチモノ系複合結晶薄膜を形成させる。次
いで適当な基板温度のもとてアンチモンを蒸着する。こ
の際前記の複合結晶薄膜中の単体インジウムがすべてＩ
ｎＳｂに変換するのに十分な量、すなわち最終的にアン
チモンに対するインジウムの原子比が１．０になる量の
アンチモンを蒸着することが好ましい。！！た、単体イ
ンジウムがＩｎＳｂとなる割合は、基板温度及び単体イ
ンジウムの大きさによりがなり異なる。この割合を大き
くするためには、基板温度を工ｎＳｂの融点近傍まで上
げる必要がある。また、単体インジウムの大きさが数μ
ｍ程度のときは数分間で工ｎＳｂとなってし捷うのに対
し、１０μｍ程度になると数分間では完全には工ｎｓｂ
とはならず、１０分間以上の蒸着時間が必要になる。い
ずれにしても、アンチモンを蒸着しないで単体インジウ
ムの多いものよりは、アンチモンを蒸着して単体インジ
ニウムを減らしたものの方がホール係数は大きくなる。
アンチモンに対するインジウムの原子比が１，１〜１．
７の範囲になるように、通常３００〜５２０℃の温度範
囲に保たれた基板上に、好ましくは１．０〜１０ Ａ／
ｓｅｃ の範囲の蒸着速度でもって蒸着を行い、イ
ンジウム−アンチモノ系複合結晶薄膜を形成させる。次
いで適当な基板温度のもとてアンチモンを蒸着する。こ
の際前記の複合結晶薄膜中の単体インジウムがすべてＩ
ｎＳｂに変換するのに十分な量、すなわち最終的にアン
チモンに対するインジウムの原子比が１．０になる量の
アンチモンを蒸着することが好ましい。！！た、単体イ
ンジウムがＩｎＳｂとなる割合は、基板温度及び単体イ
ンジウムの大きさによりがなり異なる。この割合を大き
くするためには、基板温度を工ｎＳｂの融点近傍まで上
げる必要がある。また、単体インジウムの大きさが数μ
ｍ程度のときは数分間で工ｎＳｂとなってし捷うのに対
し、１０μｍ程度になると数分間では完全には工ｎｓｂ
とはならず、１０分間以上の蒸着時間が必要になる。い
ずれにしても、アンチモンを蒸着しないで単体インジウ
ムの多いものよりは、アンチモンを蒸着して単体インジ
ニウムを減らしたものの方がホール係数は大きくなる。
本発明方法によって得られる薄膜をホール素子又は磁気
抵抗効果素子として用いるためには、膜厚は５，０ＯＯ
Ａ−１０μｍ、好ましくは０．６−２．０μｍの範囲内
にするのが好ましい。薄膜が厚すぎると抵抗が低くなる
し、薄すぎると移動度が低下する。
抵抗効果素子として用いるためには、膜厚は５，０ＯＯ
Ａ−１０μｍ、好ましくは０．６−２．０μｍの範囲内
にするのが好ましい。薄膜が厚すぎると抵抗が低くなる
し、薄すぎると移動度が低下する。
本発明のインジウム−アンチモン系薄膜は、通常絶縁基
板好寸しくは結晶性基板上に担持させた形で製品化され
る。このよう々基板としては、例えば石英カラス、ホウ
ケイ酸ガラス、ナトリウムガラス、サファイア、フン化
カルシウム、塩化ナトリウム、雲母、ガリウムヒ素など
が用いられる。
板好寸しくは結晶性基板上に担持させた形で製品化され
る。このよう々基板としては、例えば石英カラス、ホウ
ケイ酸ガラス、ナトリウムガラス、サファイア、フン化
カルシウム、塩化ナトリウム、雲母、ガリウムヒ素など
が用いられる。
このようにして得られた本発明のインジウム−アンチモ
ン系薄膜は、そのままで、あるい（ｄフェライトなどの
別の基板への貼付又は転写し、パターニング、電極付け
することによって、ホール素子や磁気抵抗効果素子など
の半導体装置に加工することができる。また、本発明の
薄膜は、例えば移動度５０，０００ｃｉ／ Ｖ −ｓｅ
ｃ、ホール係数５ｏｏＣｄ／Ｃという極めて優れたもの
であり、この薄膜を使用した装置は極めて微弱な電流で
非常に高い感度を示す。
ン系薄膜は、そのままで、あるい（ｄフェライトなどの
別の基板への貼付又は転写し、パターニング、電極付け
することによって、ホール素子や磁気抵抗効果素子など
の半導体装置に加工することができる。また、本発明の
薄膜は、例えば移動度５０，０００ｃｉ／ Ｖ −ｓｅ
ｃ、ホール係数５ｏｏＣｄ／Ｃという極めて優れたもの
であり、この薄膜を使用した装置は極めて微弱な電流で
非常に高い感度を示す。
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１
６枚のウェーハーが同心円上に設置でき、回転する基板
ホルダーを有する真空蒸着装置を使用して蒸着を行った
。基板温度はウエーノ・−上１０胡の個所に設けられた
白金−ロジウムサーモカソプルで検知され、壕だ別のサ
ーモカップルを制御用に設けたつ 基板としては雲母を用いた。原料のインジウムとアンチ
モノはいずれもフルウチ化学社製６−Ｈのものを用いた
。
ホルダーを有する真空蒸着装置を使用して蒸着を行った
。基板温度はウエーノ・−上１０胡の個所に設けられた
白金−ロジウムサーモカソプルで検知され、壕だ別のサ
ーモカップルを制御用に設けたつ 基板としては雲母を用いた。原料のインジウムとアンチ
モノはいずれもフルウチ化学社製６−Ｈのものを用いた
。
蒸着に当っては、最初に真空度を７Ｘ１０’ｔｏｒｒに
し、基板温度を４３０℃に設定し、蒸着時間は３０分間
で最終温度を５１０℃にした。そしてその間の基板温度
上昇速度を蒸着開始後０〜１０分、１２〜２０分、２２
〜３０分は１〜ｂ１０〜１２分は１２〜ｂ は６〜ｂ アンチモンの方がインジウムより多く基板に到達するよ
うにし、アンチモンを１．１４、インジウム１．８？蒸
着した。
し、基板温度を４３０℃に設定し、蒸着時間は３０分間
で最終温度を５１０℃にした。そしてその間の基板温度
上昇速度を蒸着開始後０〜１０分、１２〜２０分、２２
〜３０分は１〜ｂ１０〜１２分は１２〜ｂ は６〜ｂ アンチモンの方がインジウムより多く基板に到達するよ
うにし、アンチモンを１．１４、インジウム１．８？蒸
着した。
次いで基板温度を２℃／卿で上昇させながら、アンチモ
ンを１０分間で１．０２蒸着した。
ンを１０分間で１．０２蒸着した。
得られた膜の移動度μＨは４９＋ ０００ ｃａ／ Ｖ
−ｓｅｃ、ホール係数ＲＨは４ ｓ ｏ ｃｒ！／
ｃであった。′この膜をＸ線回折によシ調べたところ１
．ＩｎＳｂの結晶のみで、単体インジ尭つムの結晶はみ
られなかった。
−ｓｅｃ、ホール係数ＲＨは４ ｓ ｏ ｃｒ！／
ｃであった。′この膜をＸ線回折によシ調べたところ１
．ＩｎＳｂの結晶のみで、単体インジ尭つムの結晶はみ
られなかった。
なお、後からアンチモンを蒸着しないものは、ＲＨが３
１０ ｃｒｔｌ／ Ｃであり、単体インジＮウムの結晶
がみられ、工ｎ５ｂ（１１１）ピーク強度に対し、イン
ジウム（１０１）ピーク強度が１６％であった。
１０ ｃｒｔｌ／ Ｃであり、単体インジＮウムの結晶
がみられ、工ｎ５ｂ（１１１）ピーク強度に対し、イン
ジウム（１０１）ピーク強度が１６％であった。
実施例２
実施例１において、後半の基板温度を５℃／ ｍｉｎで
上昇させながら、アンチモンを４分間で０．９１蒸着さ
せる以外は、実施例１と同様にして薄膜を形成させた。
上昇させながら、アンチモンを４分間で０．９１蒸着さ
せる以外は、実施例１と同様にして薄膜を形成させた。
得られた膜の特性は、移動度５１ ＋ ０００ＣｒＩ／
Ｖ・ｓｅｃ 、、ホール係数３７０ ａｒｔ／ Ｃで
あった。−またＸ線回折によるインジウム（１０１）ピ
ークの工ｎ５ｂ（１１１）ピークに対する割合は６，８
％であった。
Ｖ・ｓｅｃ 、、ホール係数３７０ ａｒｔ／ Ｃで
あった。−またＸ線回折によるインジウム（１０１）ピ
ークの工ｎ５ｂ（１１１）ピークに対する割合は６，８
％であった。
実施例３
２４枚のウエーノ・−がプラネタリ−型に設置でき、回
転する基板ホルダーを有する真空蒸着装置を使用して蒸
着を行った。
転する基板ホルダーを有する真空蒸着装置を使用して蒸
着を行った。
基板及び原料は実施例１と同様としだ。蒸着に当っては
、最初に真空度を２Ｘ １０ ’ｔｏｒｒと、して基板
温度を３５０℃に設定し、蒸着時間は４５分で最終温度
を４９０℃にした。そしてインジウム１．２゜？、アン
チモンを１．０？蒸着し、次いで基板温度を５４０℃ま
で上げながら、５分間でアンチモンを０．２７蒸着した
（なお、温度は表示値で実際の温度はこれよりも低い）
。
、最初に真空度を２Ｘ １０ ’ｔｏｒｒと、して基板
温度を３５０℃に設定し、蒸着時間は４５分で最終温度
を４９０℃にした。そしてインジウム１．２゜？、アン
チモンを１．０？蒸着し、次いで基板温度を５４０℃ま
で上げながら、５分間でアンチモンを０．２７蒸着した
（なお、温度は表示値で実際の温度はこれよりも低い）
。
得られた膜の移動度μＨは２７．４００ｃｔ／Ｖ −Ｓ
ｅｃ 、。
ｅｃ 、。
ホール係数ＲＨは４５０ｃｄ／Ｃであった。
これらの膜５枚のウエーノ・−を原子吸光分析したとこ
ろ、インジウムとアンチモンの原子組成比ＦＩｎ／ Ｆ
ｓｂ＝ １．０３±０．０５であった。
ろ、インジウムとアンチモンの原子組成比ＦＩｎ／ Ｆ
ｓｂ＝ １．０３±０．０５であった。
々お、アンチモンを後から蒸着しない場合は、ｐＨは２
７，７００ｃａ／Ｖ−ｅｅｃ Ｘ ＲＨは２８０ ａｒ
ｔ／ Ｃ’ＩＦ工ｎ／Ｆｓｂは１．２９±０．０６であ
った。
７，７００ｃａ／Ｖ−ｅｅｃ Ｘ ＲＨは２８０ ａｒ
ｔ／ Ｃ’ＩＦ工ｎ／Ｆｓｂは１．２９±０．０６であ
った。
比較例
前半の蒸着量をインジウム１．１１、アンチモン１．１
７とし、後半の蒸着量をアンチモン０．１７として実施
例３と同様に蒸着した。得られた膜のｐＨは５，３００
Ｃｍ／Ｖ−ｓｅＣＸＲＨは２４０ＣＴＪ：Ｌ／ＣＸＦ工
。
７とし、後半の蒸着量をアンチモン０．１７として実施
例３と同様に蒸着した。得られた膜のｐＨは５，３００
Ｃｍ／Ｖ−ｓｅＣＸＲＨは２４０ＣＴＪ：Ｌ／ＣＸＦ工
。
／Ｆｓｂは１．０１であった。
、実施例４
実施例３における後半の最終基板温度を５３０℃とする
以外は、実施例３と同様にして薄膜を形成させた。
以外は、実施例３と同様にして薄膜を形成させた。
得られた膜の特性はｐＨ２６，９００Ｃａ／Ｖ−Ｓｅｃ
。
。
ＲＨ４２ｏｃｄ／ｃであり、インジウム（１０１） ピ
ークの工ｎＳｂ （ｌｔｔ）に対する割合は１．３％で
あった。
ークの工ｎＳｂ （ｌｔｔ）に対する割合は１．３％で
あった。
図は半導体の特性を測定するだめのパターンであって、
図中符号Ａは受感部、ａ、ａ’は入力電極、ｂ 、 ｂ
’は出力電極である。 特許出願人 旭化成工業株式会社 代理人 阿 形 明 Ｗ−１
図中符号Ａは受感部、ａ、ａ’は入力電極、ｂ 、 ｂ
’は出力電極である。 特許出願人 旭化成工業株式会社 代理人 阿 形 明 Ｗ−１
Claims (1)
- １ 基板」二に、インジウム−アンチモン化合物の結晶
と単体インジウムとの複合結晶から成り、かつ全インジ
ウムのアンチモンに対する原子比が１．１〜１．７の範
囲にあるインジウム−アンチモン系複合結晶薄膜を蒸着
により形成さぜ、次いでアンチモンを蒸着することを特
徴とするインジウム−アンチモン系薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58077266A JPS59202674A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | インジウム−アンチモン系薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58077266A JPS59202674A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | インジウム−アンチモン系薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59202674A true JPS59202674A (ja) | 1984-11-16 |
Family
ID=13629036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58077266A Pending JPS59202674A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | インジウム−アンチモン系薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59202674A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990007789A1 (en) * | 1986-04-01 | 1990-07-12 | Masahide Oshita | Thin film of intermetallic compound semiconductor and process for its production |
| JP2000138403A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-05-16 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 薄膜磁気センサ― |
-
1983
- 1983-04-30 JP JP58077266A patent/JPS59202674A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990007789A1 (en) * | 1986-04-01 | 1990-07-12 | Masahide Oshita | Thin film of intermetallic compound semiconductor and process for its production |
| JP2000138403A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-05-16 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 薄膜磁気センサ― |
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