JPS60145998A - Ｍｂｅ成長方法 - Google Patents
Ｍｂｅ成長方法Info
- Publication number
- JPS60145998A JPS60145998A JP52484A JP52484A JPS60145998A JP S60145998 A JPS60145998 A JP S60145998A JP 52484 A JP52484 A JP 52484A JP 52484 A JP52484 A JP 52484A JP S60145998 A JPS60145998 A JP S60145998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- group
- cell
- hole
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、マイクロ波素子あるいは発光・受光素子とし
て使用する単結晶薄膜周期構造を形成するためのＭＢＥ
成長方法に関する。例えば、第１図に示すような量子井
戸型レーザーにおいては、発光部に数１０人〜数１００
人厚の種類の異なる層を交互に、周期的に形成する必要
があり、本発明は、このような構造を形成するためのＭ
ＢＥ成長方法に関する。
て使用する単結晶薄膜周期構造を形成するためのＭＢＥ
成長方法に関する。例えば、第１図に示すような量子井
戸型レーザーにおいては、発光部に数１０人〜数１００
人厚の種類の異なる層を交互に、周期的に形成する必要
があり、本発明は、このような構造を形成するためのＭ
ＢＥ成長方法に関する。
（従来技術とその問題点）
第２図は、従来のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜周期構
造形成のためのＭＢＥ成長方法を説明するための図で、
ＭＢＥ装置の成長室を上から見た概略図である。同様の
概略図は、例えば、特許公報昭５７−４７１６０にも示
されており、また、公開特許公報昭５７−１１８９９に
は、以下に述べる従来技術の問題点であるセルシャッタ
ーの開閉操作に関する記述が成されている。さらに、Ｍ
ＢＥ成長方法ならびに薄膜周期構造を利用したデバイス
に関する詳細な説明は、日経エレクトロニクス／％ ３
０８．（１９８３）（ｂｙ Ｗ、 Ｔ、 Ｔｓａｎｇ）
２どに掲載されている。
造形成のためのＭＢＥ成長方法を説明するための図で、
ＭＢＥ装置の成長室を上から見た概略図である。同様の
概略図は、例えば、特許公報昭５７−４７１６０にも示
されており、また、公開特許公報昭５７−１１８９９に
は、以下に述べる従来技術の問題点であるセルシャッタ
ーの開閉操作に関する記述が成されている。さらに、Ｍ
ＢＥ成長方法ならびに薄膜周期構造を利用したデバイス
に関する詳細な説明は、日経エレクトロニクス／％ ３
０８．（１９８３）（ｂｙ Ｗ、 Ｔ、 Ｔｓａｎｇ）
２どに掲載されている。
、讐２図において、１は基板ホルダー、２は基板、（ｒ
ｌ！Ｉｉ別セルシキセルシャフタ−■族原料Ａ（例えば
Ｇａ）従来のＭＢＥ成長にょる■−ｖ族化合物半導体薄
膜周期構造形成においては、基板ホルダーｌ上に保持さ
れた基板２は、成長室内において、セル５ならびにセル
８の中心軸の交わる位置に設置されて成長が行なわれる
。そして、セル５より蒸発したｎＩ族原料Ａ４の分子線
ならびに、セル８より蒸発した■族原料Ｂ７の分子線を
、それぞれセルシャック−３ならびにセルシャンク−６
を、交互に所定の周期で開閉することによって、基板２
上に、ＩＩＩ族原料ＡならびにＢから成る種類の異なる
ｍ−Ｖ族化合物半導体薄膜を交互に周期的に形成する。
ｌ！Ｉｉ別セルシキセルシャフタ−■族原料Ａ（例えば
Ｇａ）従来のＭＢＥ成長にょる■−ｖ族化合物半導体薄
膜周期構造形成においては、基板ホルダーｌ上に保持さ
れた基板２は、成長室内において、セル５ならびにセル
８の中心軸の交わる位置に設置されて成長が行なわれる
。そして、セル５より蒸発したｎＩ族原料Ａ４の分子線
ならびに、セル８より蒸発した■族原料Ｂ７の分子線を
、それぞれセルシャック−３ならびにセルシャンク−６
を、交互に所定の周期で開閉することによって、基板２
上に、ＩＩＩ族原料ＡならびにＢから成る種類の異なる
ｍ−Ｖ族化合物半導体薄膜を交互に周期的に形成する。
以上の工程によると、たとえばセルシャック−３を開い
ている間は、セルシャンク−６は閉じられていることに
なる。ところで、一般にＨ−ｖ族化合物半導体をＭＢＥ
成長する場合、■族原料のセル温度は、通常７００〜１
０００℃ の高温に加熱されている。このため、セルシ
ャック−３を開いている間、セルシャック−６を閉じる
ことによって、セルシャック−６が加熱され、またセル
温度そのものも、セルシャンク−による外乱を受ける。
ている間は、セルシャンク−６は閉じられていることに
なる。ところで、一般にＨ−ｖ族化合物半導体をＭＢＥ
成長する場合、■族原料のセル温度は、通常７００〜１
０００℃ の高温に加熱されている。このため、セルシ
ャック−３を開いている間、セルシャック−６を閉じる
ことによって、セルシャック−６が加熱され、またセル
温度そのものも、セルシャンク−による外乱を受ける。
セルシャック−が加熱されることにより、セルシャ１ｉ
ｔｌツタ−から不純物分子が蒸発し、成長している薄っ
膜内に取り込まれる結果、薄膜の電気特性の劣化′番引
き起こす。第８図、第４図は、上記の内容に関する測定
結果を示したものである。第３図は、四重極質量分析装
置を用いて、セルシャック−を閉じた後の、不純ガス量
の変化を調べた結果であり、セルシャック−を閉じた直
後にＨ３Ｏ＋やＣＯ＋の質量ピーク強度が瞬間的ではあ
るが増大してふ・す、不純ガス量が増大していることが
分かる。また、第４図は、例えばＩ ｎＧａＡｓ単結晶
薄膜において得られた結果であるが、薄膜内の残留不純
物キャリア濃度が増大するほど電子移動度が減少してお
り、電気時牲亦劣化していることが分かる。
ｔｌツタ−から不純物分子が蒸発し、成長している薄っ
膜内に取り込まれる結果、薄膜の電気特性の劣化′番引
き起こす。第８図、第４図は、上記の内容に関する測定
結果を示したものである。第３図は、四重極質量分析装
置を用いて、セルシャック−を閉じた後の、不純ガス量
の変化を調べた結果であり、セルシャック−を閉じた直
後にＨ３Ｏ＋やＣＯ＋の質量ピーク強度が瞬間的ではあ
るが増大してふ・す、不純ガス量が増大していることが
分かる。また、第４図は、例えばＩ ｎＧａＡｓ単結晶
薄膜において得られた結果であるが、薄膜内の残留不純
物キャリア濃度が増大するほど電子移動度が減少してお
り、電気時牲亦劣化していることが分かる。
以上のような、セルシャック−からの不純ガス発生とい
った問題とは別に、セルシャック−を閉じたことによっ
て、セル温度そのものが揺乱を受ける結果、再度セルシ
ャッター６を開いたときに、■族原料Ｂ７の分子線強度
にオーバーシーートを引き起こす。このことは、■族原
料Ｂ７がら成るｎＩ −Ｖ族化合物半導体薄膜の膜厚な
らびに混晶の場合には組成制御性を悪くする。第５図、
第６図、第７図は上記の内容に関する測定結果４ｍ族元
素としてＩｎ・Ｇａを有する混晶の場合について示した
ものである。第５図は、真空ゲージを用いて、セールシ
ャック−を例えば約３分開閉じた後、再び開゛ｋ（たと
きＧａ分子線強度（Ｔｏｒｒ）変化を測定した結果１で
ある。セルシャッターを開いた直後に、分子線強度’（
Ｔｏｒｒ）がオーバーシーートし、その後本来の分子線
強度（Ｔｏｒｒ−）に安定するまで１〜２分を要するこ
とが分かる。オーバーシュートの大きさは異なるが、同
様の現象は、Ｉｎ分子線強度でも観察された。また第６
図は例えば、ＩｎＰ基板上に１ｎｘＧａ１−ｘＡｓ成長
したときのＩｎＧａＡ″ＳとＩｎＰ基板の１△ａ／ａｌ
ｎＰ巨Δ”＝ＩｎＧａＡｓ ’ＩｎＰ＋ ’ＩｎＧａＡ
ｓはＩ ｎＧａＡｓの格子定数、’ＩｎＰはＩｎＰの格
子定数）に対するＩｎとＧａの７ラツクス強度比の影響
を示したものである。第５図のＧａ分子線強度（Ｔｏｒ
ｒ）のオーバーシュートは、そのまま第６図のフランク
ス強度比の制御性の低下につながり、１Δａ／ａｌすな
わちＩｎｘＧａ、−ｘＡｓ単結晶薄膜の組成制御性も低
下する。現に第５図で示したようなオーバシーートの存
在する状態でＭＢＥ成長したＩ ｎ）ＨＧａ 、−ｘＡ
ｓ層の厚み方向の組成分布をオージェ電子分光（ＡＥＳ
）分析した結果、第７図に示すように、セルシャック−
開放直後、すなわちＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ／ＩｎＰ基板
界面近傍でＩｎとＧａの組成比に勾配が見られ、組成制
御性が悪いことが分かる。また、第７図は同じ（ＩｎＰ
基板」二にＩｎｏ、ｉｓ ＧａＧ、４７ Ａｓ 成長し
たときのＩＩＩ族（Ｇａ、 Ｉｎ ）分子線強度（Ｔｏ
ｒｒ、）と成長速度（μｍ／ｈ ｒ、 ）との相関性、
烏ついて、得られた実験結果を示したものである。
った問題とは別に、セルシャック−を閉じたことによっ
て、セル温度そのものが揺乱を受ける結果、再度セルシ
ャッター６を開いたときに、■族原料Ｂ７の分子線強度
にオーバーシーートを引き起こす。このことは、■族原
料Ｂ７がら成るｎＩ −Ｖ族化合物半導体薄膜の膜厚な
らびに混晶の場合には組成制御性を悪くする。第５図、
第６図、第７図は上記の内容に関する測定結果４ｍ族元
素としてＩｎ・Ｇａを有する混晶の場合について示した
ものである。第５図は、真空ゲージを用いて、セールシ
ャック−を例えば約３分開閉じた後、再び開゛ｋ（たと
きＧａ分子線強度（Ｔｏｒｒ）変化を測定した結果１で
ある。セルシャッターを開いた直後に、分子線強度’（
Ｔｏｒｒ）がオーバーシーートし、その後本来の分子線
強度（Ｔｏｒｒ−）に安定するまで１〜２分を要するこ
とが分かる。オーバーシュートの大きさは異なるが、同
様の現象は、Ｉｎ分子線強度でも観察された。また第６
図は例えば、ＩｎＰ基板上に１ｎｘＧａ１−ｘＡｓ成長
したときのＩｎＧａＡ″ＳとＩｎＰ基板の１△ａ／ａｌ
ｎＰ巨Δ”＝ＩｎＧａＡｓ ’ＩｎＰ＋ ’ＩｎＧａＡ
ｓはＩ ｎＧａＡｓの格子定数、’ＩｎＰはＩｎＰの格
子定数）に対するＩｎとＧａの７ラツクス強度比の影響
を示したものである。第５図のＧａ分子線強度（Ｔｏｒ
ｒ）のオーバーシュートは、そのまま第６図のフランク
ス強度比の制御性の低下につながり、１Δａ／ａｌすな
わちＩｎｘＧａ、−ｘＡｓ単結晶薄膜の組成制御性も低
下する。現に第５図で示したようなオーバシーートの存
在する状態でＭＢＥ成長したＩ ｎ）ＨＧａ 、−ｘＡ
ｓ層の厚み方向の組成分布をオージェ電子分光（ＡＥＳ
）分析した結果、第７図に示すように、セルシャック−
開放直後、すなわちＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ／ＩｎＰ基板
界面近傍でＩｎとＧａの組成比に勾配が見られ、組成制
御性が悪いことが分かる。また、第７図は同じ（ＩｎＰ
基板」二にＩｎｏ、ｉｓ ＧａＧ、４７ Ａｓ 成長し
たときのＩＩＩ族（Ｇａ、 Ｉｎ ）分子線強度（Ｔｏ
ｒｒ、）と成長速度（μｍ／ｈ ｒ、 ）との相関性、
烏ついて、得られた実験結果を示したものである。
／＋Ｆ’５図の場合では、オーバーシーートにより、Ｇ
ａ璽子線強度（Ｔｏｒｒ、）は、本来の強度の約１２〜
１４倍渠まで上昇しており、また、Ｉｎ分子線強度（Ｔ
ｏｒｒ、）においてもオーバーシーートが観測されてい
ることから、第８図のＧａ 十Ｉｎビーム強度も、１．
２〜１４４倍以上の値となり、成長速度も１．２〜１４
倍以上になる。このように、セルシャッターを開いた直
後においては、成長速度が設計値よりも大きくなってお
り、このことは、薄膜の厚み制御性を劣化させる。この
ように第１図に示すような従来のＩｌｌ −ｖ族化合物
半導体薄膜周期構造形成のためのＭＢＥ成長方法におい
ては、セルシャッターの開閉によって■族分子線の切り
換えを行なうことにより、不純ガスの発生、分子線強度
の揺乱を引き起こすことになり、このため薄膜の電気的
特性を劣化させ、また膜厚や、あるいは混晶の場合には
組成制御性に悪影響を及ぼし、薄膜周期構造を形成した
際の周期性劣化を引き起こすという欠点を有する。
ａ璽子線強度（Ｔｏｒｒ、）は、本来の強度の約１２〜
１４倍渠まで上昇しており、また、Ｉｎ分子線強度（Ｔ
ｏｒｒ、）においてもオーバーシーートが観測されてい
ることから、第８図のＧａ 十Ｉｎビーム強度も、１．
２〜１４４倍以上の値となり、成長速度も１．２〜１４
倍以上になる。このように、セルシャッターを開いた直
後においては、成長速度が設計値よりも大きくなってお
り、このことは、薄膜の厚み制御性を劣化させる。この
ように第１図に示すような従来のＩｌｌ −ｖ族化合物
半導体薄膜周期構造形成のためのＭＢＥ成長方法におい
ては、セルシャッターの開閉によって■族分子線の切り
換えを行なうことにより、不純ガスの発生、分子線強度
の揺乱を引き起こすことになり、このため薄膜の電気的
特性を劣化させ、また膜厚や、あるいは混晶の場合には
組成制御性に悪影響を及ぼし、薄膜周期構造を形成した
際の周期性劣化を引き起こすという欠点を有する。
（発明の構成）
本発明の目的は、前述のセルシャンク−の開閉に伴なっ
て生じるｌ１ｌ−Ｖ族化合物半導体薄膜周期構造の電気
特性劣化ならびに周期性劣化を低減するＭＢＥ成長方法
を提供することである。
て生じるｌ１ｌ−Ｖ族化合物半導体薄膜周期構造の電気
特性劣化ならびに周期性劣化を低減するＭＢＥ成長方法
を提供することである。
以下に図面を参照して、本発明について詳細に説明する
。
。
軸１７ の回りに回転しておりちょうどＪ４・、１５の
位置を通るようになっている。従って基板】８］−には
１４の位置でＴＪＩ族分子ＡよりなるＨＩ −ｖ族半導
体薄膜が、１５の位置では■族分子ＢよりなるＩＩＩ
−Ｖ族半導体薄膜が成長することになり、基板ホルダー
が回転しているためこれらの半導体薄膜が交互に積層成
長することになる。例えば■族元素にＡｓ。
位置を通るようになっている。従って基板】８］−には
１４の位置でＴＪＩ族分子ＡよりなるＨＩ −ｖ族半導
体薄膜が、１５の位置では■族分子ＢよりなるＩＩＩ
−Ｖ族半導体薄膜が成長することになり、基板ホルダー
が回転しているためこれらの半導体薄膜が交互に積層成
長することになる。例えば■族元素にＡｓ。
■族元素Ａ、ＢにそれぞれＩｎ、Ｇａを用いればＩｎＡ
ｓ−ＧａＡｓの積層多層構造が形成できる。
ｓ−ＧａＡｓの積層多層構造が形成できる。
第９図において［［−Ｖ族化合物半導体単結晶薄膜周期
構造の周期は、基板ホルダーの回転速度を変えることに
よって、簡単に変更することができる。また■族原料Ａ
からなるｍ−ｖ族化合物半導体薄膜と、■族原料Ｂから
なるｔｎ−ｖ族化合物半導体薄膜の膜厚の比は、あらか
じめ各々のセル温度を調整して、■族原料Ａと■族原料
Ｂの分子線強度比を変えることによって、簡単に変更す
ることができる。
構造の周期は、基板ホルダーの回転速度を変えることに
よって、簡単に変更することができる。また■族原料Ａ
からなるｍ−ｖ族化合物半導体薄膜と、■族原料Ｂから
なるｔｎ−ｖ族化合物半導体薄膜の膜厚の比は、あらか
じめ各々のセル温度を調整して、■族原料Ａと■族原料
Ｂの分子線強度比を変えることによって、簡単に変更す
ることができる。
第９図に示すような本発明による薄膜周期構造の成長方
法では、セルシャッターは常に開放状態にあり、成長を
終了するときのみ、セルシャッターを閉じれば良い。こ
の結果、セルシャッターの聞手導体薄膜周期構造を形成
することができる。
法では、セルシャッターは常に開放状態にあり、成長を
終了するときのみ、セルシャッターを閉じれば良い。こ
の結果、セルシャッターの聞手導体薄膜周期構造を形成
することができる。
本発明では、不純ガス発生ならびに分子線強度比乱の問
題を解消できることがその主たる効果であるが、例えば
、第９図において複数個の基板ホルダーを取りつけ、同
一方向に基板ホルダーを回転運動させるか、または領域
１４．１５を含む大きな基板ホルダーを設け、これに複
数枚の基板をはりつけ基板ホルダーを自転させれば、同
一周期の単結晶薄膜周期構造を有した基板ウェハーを、
１回の成長で複数枚得ることができるようになり、量産
性も向上できるという効果も期待できる。
題を解消できることがその主たる効果であるが、例えば
、第９図において複数個の基板ホルダーを取りつけ、同
一方向に基板ホルダーを回転運動させるか、または領域
１４．１５を含む大きな基板ホルダーを設け、これに複
数枚の基板をはりつけ基板ホルダーを自転させれば、同
一周期の単結晶薄膜周期構造を有した基板ウェハーを、
１回の成長で複数枚得ることができるようになり、量産
性も向上できるという効果も期待できる。
（発明の効果）
本発明の効果は、成長室内に穴のあいたマスクを設ける
ことにエリ、各セルシャンク−を常に開放した状態で、
基板ホルダーを回転運動をさせることによって、セルシ
ャンク−からの不純ガス発生ならびに、分子線強度の揺
乱を解消することができ、その結果、著しく周期性が良
く、かつ微細な単結晶薄膜周期構造を簡単に形成するこ
とができることである。
ことにエリ、各セルシャンク−を常に開放した状態で、
基板ホルダーを回転運動をさせることによって、セルシ
ャンク−からの不純ガス発生ならびに、分子線強度の揺
乱を解消することができ、その結果、著しく周期性が良
く、かつ微細な単結晶薄膜周期構造を簡単に形成するこ
とができることである。
−あための図、第３図は、セルシャンク−からの不純ガ
ス発生に関する測定結果、第４図は、Ｉｎ０．５３Ｇａ
Ｏ，４？ Ａｓ単結晶薄膜の残留不純物キャリア濃度と
電子移動度との関係についての測定結果、第５図は、セ
ルシャッター開放直後における分子線強度オーバーシュ
ートに関する測定結果、第６図は、ＩｎｘＧａ１−ｘＡ
ｓ組成と、■族（ＩｎとＧａ）分子線強度比との関係に
ついての測定結果、第７図は、”ＸＧａ１−ＸＡｓ層の
厚み方向におけるＡＥＳ分析結果、第８図は、Ｉｎ０．
５１１Ｇａｏ、４？ＡＳ単結晶薄膜の成長速度と、■族
（Ｇａ＋Ｉｎ）分子線強度との関係についての測定結果
、第９図は、本発明のＭＢＥ成長方法を説明するための
図である。 ＡＰ型ＧａＡｓ ＢＰ型Ｇａｘ ｋｌｌ １−ｘＡｓ ＣノンドープＧａＡｓウェル Ｄ ノンドープＧａｘＡ１１−）（ＡｓバリヤＥｎ型Ｇ
ａｘＡ４．、、ｃＡｓ Ｆｎ型ＧａＡｓ １１１６ 基板ホルダー ２．１８ 基板 ３、６ セルシャッタ ４．９ 原料Ａ ５’）； ８，１１．１２ セル フ、１０ 原料Ｂ １７ 回転軸 １３ 穴のあいたマスク ■４ 原料分子Ａが到達する領域 １５ 原料分子Ｂが到達する領域 特許出願人 工業技術院長 用田裕部 第１図 棒２図 第３図 キャリア詞艷オ■ （ｃｍ−３） 茅４図 ↑ セルシャッター間 第５図 フラックス比：Ｆｍ／ＦＣｙａ 等６図 スパッタリング時間（ｍｔｎ） ＣＴａ２０ｓ／１００
’Ａ ／ｒｒｎｎ、１笹７図 第８図
ス発生に関する測定結果、第４図は、Ｉｎ０．５３Ｇａ
Ｏ，４？ Ａｓ単結晶薄膜の残留不純物キャリア濃度と
電子移動度との関係についての測定結果、第５図は、セ
ルシャッター開放直後における分子線強度オーバーシュ
ートに関する測定結果、第６図は、ＩｎｘＧａ１−ｘＡ
ｓ組成と、■族（ＩｎとＧａ）分子線強度比との関係に
ついての測定結果、第７図は、”ＸＧａ１−ＸＡｓ層の
厚み方向におけるＡＥＳ分析結果、第８図は、Ｉｎ０．
５１１Ｇａｏ、４？ＡＳ単結晶薄膜の成長速度と、■族
（Ｇａ＋Ｉｎ）分子線強度との関係についての測定結果
、第９図は、本発明のＭＢＥ成長方法を説明するための
図である。 ＡＰ型ＧａＡｓ ＢＰ型Ｇａｘ ｋｌｌ １−ｘＡｓ ＣノンドープＧａＡｓウェル Ｄ ノンドープＧａｘＡ１１−）（ＡｓバリヤＥｎ型Ｇ
ａｘＡ４．、、ｃＡｓ Ｆｎ型ＧａＡｓ １１１６ 基板ホルダー ２．１８ 基板 ３、６ セルシャッタ ４．９ 原料Ａ ５’）； ８，１１．１２ セル フ、１０ 原料Ｂ １７ 回転軸 １３ 穴のあいたマスク ■４ 原料分子Ａが到達する領域 １５ 原料分子Ｂが到達する領域 特許出願人 工業技術院長 用田裕部 第１図 棒２図 第３図 キャリア詞艷オ■ （ｃｍ−３） 茅４図 ↑ セルシャッター間 第５図 フラックス比：Ｆｍ／ＦＣｙａ 等６図 スパッタリング時間（ｍｔｎ） ＣＴａ２０ｓ／１００
’Ａ ／ｒｒｎｎ、１笹７図 第８図
Claims (1)
- ＭＢＥ成長による］’Ｉ［−Ｖ族化合物半導体単結晶薄
膜周期構造の形成方法において、成長室中ニ一つの穴の
あいたマスクを設け、Ａ８等のＶ族分子は成長室に充た
し、複数の■族分子セルから出た分子ビームが中央のマ
スクの穴を通り基板ホルダー上の半導体基板に当たるよ
うに基板ホルダーを特定の軸のまわりに回転させること
によって異な１３ＩｎＩ−ｖ族半導体薄膜を周期的に連
続成長させるニｑとを特徴とするＭＢＥ成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52484A JPS60145998A (ja) | 1984-01-07 | 1984-01-07 | Ｍｂｅ成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52484A JPS60145998A (ja) | 1984-01-07 | 1984-01-07 | Ｍｂｅ成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145998A true JPS60145998A (ja) | 1985-08-01 |
| JPH0144680B2 JPH0144680B2 (ja) | 1989-09-28 |
Family
ID=11476152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52484A Granted JPS60145998A (ja) | 1984-01-07 | 1984-01-07 | Ｍｂｅ成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145998A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2587040A1 (fr) * | 1985-09-11 | 1987-03-13 | Sharp Kk | Appareil de croissance epitaxiale par faisceaux moleculaires |
| US5415128A (en) * | 1991-04-12 | 1995-05-16 | Texas Instruments Incorporated | Rotation induced superlattice |
-
1984
- 1984-01-07 JP JP52484A patent/JPS60145998A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2587040A1 (fr) * | 1985-09-11 | 1987-03-13 | Sharp Kk | Appareil de croissance epitaxiale par faisceaux moleculaires |
| US5415128A (en) * | 1991-04-12 | 1995-05-16 | Texas Instruments Incorporated | Rotation induced superlattice |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0144680B2 (ja) | 1989-09-28 |
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