JPH01130431A - 電気接点 - Google Patents
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- JPH01130431A JPH01130431A JP28690687A JP28690687A JPH01130431A JP H01130431 A JPH01130431 A JP H01130431A JP 28690687 A JP28690687 A JP 28690687A JP 28690687 A JP28690687 A JP 28690687A JP H01130431 A JPH01130431 A JP H01130431A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/0201—Materials for reed contacts
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
窒素ガス等の不活性雰囲気中で使用する新規電気接点に
関し、 高価なロジウム接点と同等の電気特性を有する電気接点
を、ロジウム接点より安価に形成することを目的とし、 ニッケルを１〜６０Ｗｔ％含むパラジウム−ニッケルま
たは、コバルトを１〜６０Ｗｔ％含むパラジウム−コバ
ルトの合金を、めっき手段で基体に被着した構成とする
。
関し、 高価なロジウム接点と同等の電気特性を有する電気接点
を、ロジウム接点より安価に形成することを目的とし、 ニッケルを１〜６０Ｗｔ％含むパラジウム−ニッケルま
たは、コバルトを１〜６０Ｗｔ％含むパラジウム−コバ
ルトの合金を、めっき手段で基体に被着した構成とする
。
本発明は窒素ガス等の不活性雰囲気中で使用する電気接
点、例えばリードスイッチのリード片に形成する新規電
気接点に関する。
点、例えばリードスイッチのリード片に形成する新規電
気接点に関する。
少なくとも一対のリード片のそれぞれに形成した電気接
点を、不活性ガスと共にガラス管内に封入し、該接点が
適宜の間隔で対向するリードスイッチは、大気中の塵埃
や有害ガス、湿度等に影響されないため、信頼性が高く
、該リードスイッチにコイル等の駆動手段を組み合わせ
たり一ドリレーは、電磁リレーより小型、軽量であり、
かつ、高速に動作する利点を有する。
点を、不活性ガスと共にガラス管内に封入し、該接点が
適宜の間隔で対向するリードスイッチは、大気中の塵埃
や有害ガス、湿度等に影響されないため、信頼性が高く
、該リードスイッチにコイル等の駆動手段を組み合わせ
たり一ドリレーは、電磁リレーより小型、軽量であり、
かつ、高速に動作する利点を有する。
このような構成のリードスイッチ等に使用する電気接点
は、ロジウム、ルテニウム等の白金族金属をめっき手段
で被着したものと、金、恨、銅およびパラジウム等を単
体または合金の形でめっきしさらに拡散処理したものが
用いられているが、白金族金属を用いた電気接点は極め
て高価であるため、一般には、白金族接点より電気特性
が劣るが安価に形成される金等の拡１１ｉ接点が利用さ
れている。
は、ロジウム、ルテニウム等の白金族金属をめっき手段
で被着したものと、金、恨、銅およびパラジウム等を単
体または合金の形でめっきしさらに拡散処理したものが
用いられているが、白金族金属を用いた電気接点は極め
て高価であるため、一般には、白金族接点より電気特性
が劣るが安価に形成される金等の拡１１ｉ接点が利用さ
れている。
第５図は従来の拡；）ｋ電気接点を具えたり−ドスイノ
チの断面図（イ）とその電気接点の拡大断面図（ロ）、
第６図は白金族金属の電気接点を示す拡大断面図である
。
チの断面図（イ）とその電気接点の拡大断面図（ロ）、
第６図は白金族金属の電気接点を示す拡大断面図である
。
第５図において、リードスイッチ１は、５２アロイ （
Ｎｉ５２％、残Ｆｅ）等の磁性材料にてなる一対のリー
ド片（基体）２の中間部をガラス管３に封着し、各リー
ド片２の先端部に形成し不活性ガスをめっき形成し、リ
ード片２の母材（５２７０イ）と該金めつきとを熱拡散
したものである。
Ｎｉ５２％、残Ｆｅ）等の磁性材料にてなる一対のリー
ド片（基体）２の中間部をガラス管３に封着し、各リー
ド片２の先端部に形成し不活性ガスをめっき形成し、リ
ード片２の母材（５２７０イ）と該金めつきとを熱拡散
したものである。
ここで母材と金との熱拡散は、金の粘着性を低減せしめ
、接点寿命を向上させるためである。
、接点寿命を向上させるためである。
第５図と共通部分に同一符号を使用した第６図において
、リード片２に形成した電気接点６は、金等にてなる下
地層７を被着し、その上にロジウム等の白金族金属にな
る接点層８をめっき手段で被着形成したものである。
、リード片２に形成した電気接点６は、金等にてなる下
地層７を被着し、その上にロジウム等の白金族金属にな
る接点層８をめっき手段で被着形成したものである。
高価な白金族金属を使用せず、金、銀、銅等を単体また
は合金の形で被着したのち拡散処理した従来の電気接点
は、電気特性にばらつきが生じるという問題点がある。
は合金の形で被着したのち拡散処理した従来の電気接点
は、電気特性にばらつきが生じるという問題点がある。
即ち、時間単位の長時間かけ低温度で拡散処理した電気
接点は、電気特性が比較的安定であるが非量産的である
。そのため、生産ラインでは分単位の短時間で高温拡散
させることになるが、かかる高温処理接点は拡散が過大
になると電気接触抵抗のばらつきが大きくなり、拡散が
不充分であるとき電気接触抵抗は安定するも粘着を起こ
し易いという問題点があった。
接点は、電気特性が比較的安定であるが非量産的である
。そのため、生産ラインでは分単位の短時間で高温拡散
させることになるが、かかる高温処理接点は拡散が過大
になると電気接触抵抗のばらつきが大きくなり、拡散が
不充分であるとき電気接触抵抗は安定するも粘着を起こ
し易いという問題点があった。
特に、電気接点を形成させる母材が５２アロイ等の鉄系
金属であり、熱拡散によって電気接点の表面に鉄成分が
多（表呈するとき、ガラス管３に封入した不活性ガス中
の残存酸素によって該鉄成分は酸化し、接触抵抗が次第
に大きくなり、外部磁界で動作するり−Ｆスイッチの駆
動力が比較的弱いこともあって、接点の接触抵抗はます
ます不安定になるという問題点があった。
金属であり、熱拡散によって電気接点の表面に鉄成分が
多（表呈するとき、ガラス管３に封入した不活性ガス中
の残存酸素によって該鉄成分は酸化し、接触抵抗が次第
に大きくなり、外部磁界で動作するり−Ｆスイッチの駆
動力が比較的弱いこともあって、接点の接触抵抗はます
ます不安定になるという問題点があった。
上記問題点の除去を目的とした本発明の電気接点は、ニ
ッケルを１〜６０Ｗｔ％含むパラジウム−ニッケルまた
は、コバルトを１〜６０Ｗｔ％含むパラジウム−コバル
トの合金をめっき手段で基体に被着してなることを特徴
とする。
ッケルを１〜６０Ｗｔ％含むパラジウム−ニッケルまた
は、コバルトを１〜６０Ｗｔ％含むパラジウム−コバル
トの合金をめっき手段で基体に被着してなることを特徴
とする。
上記手段によれば、接点材料として電気特性に優れるパ
ラジウムと、有機物を吸着、吸蔵するパラジウムの触媒
作用を抑制するのに適当な量のニッケルまたはコバルト
とでなる合金を、めっき手段で基体に被着し構成したこ
とにより、ロジウム接点と同等の電気特性および寿命の
電気接点が、ロジウム接点より安価に実現されることに
なる。
ラジウムと、有機物を吸着、吸蔵するパラジウムの触媒
作用を抑制するのに適当な量のニッケルまたはコバルト
とでなる合金を、めっき手段で基体に被着し構成したこ
とにより、ロジウム接点と同等の電気特性および寿命の
電気接点が、ロジウム接点より安価に実現されることに
なる。
以下に、図面を用いて本発明の実施例による電気接点を
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例による電気接点を具えたリー
ドスイッチの断面図（イ）とその電気接点の拡大断面図
（ロ）、第２図は本発明の他の実施例による電気接点の
拡大断面図である。
ドスイッチの断面図（イ）とその電気接点の拡大断面図
（ロ）、第２図は本発明の他の実施例による電気接点の
拡大断面図である。
第５図と共通部分に同一符号を使用した第１図において
、リードスイッチ１１は、５２アロイにてなる一対のリ
ード片（基体）２の中間部をガラス管３に封着し、各リ
ード片２の先端部に形成し不活性ガス５と共に封入され
た電気接点１２は、適宜量だけ離れて対向する。
、リードスイッチ１１は、５２アロイにてなる一対のリ
ード片（基体）２の中間部をガラス管３に封着し、各リ
ード片２の先端部に形成し不活性ガス５と共に封入され
た電気接点１２は、適宜量だけ離れて対向する。
電気接点１２は、ニッケルを１〜６０Ｗｔ％含むパラジ
ウム−ニッケルまたは、コバルトを１〜６０Ｗｔ％含む
パラジウム−コバルトの合金をめっき手段でリード片２
に被着したものであり、力一ボン等の有機ポリマーを吸
着、吸蔵し易いというパラジウムの触媒活性度は、ニッ
ケルまたはコバールトによって抑制されるようになり、
接触抵抗の安定化が図れると共に、ニッケルまたはコバ
ルトは電気接点１２の硬度を高め接点寿命を向上させる
。
ウム−ニッケルまたは、コバルトを１〜６０Ｗｔ％含む
パラジウム−コバルトの合金をめっき手段でリード片２
に被着したものであり、力一ボン等の有機ポリマーを吸
着、吸蔵し易いというパラジウムの触媒活性度は、ニッ
ケルまたはコバールトによって抑制されるようになり、
接触抵抗の安定化が図れると共に、ニッケルまたはコバ
ルトは電気接点１２の硬度を高め接点寿命を向上させる
。
第１図と共通部分に同一符号を使用した第２図において
、電気接点１３はリード片２に金のめっき層１４を形成
し、その上にニッケルを１〜６０Ｗｔ％含むパラジウム
−ニッケルまたは、コバルトを１〜６０Ｗｔ％含むパラ
ジウム−コバルトの合金の接点層１５を形成したもので
ある。
、電気接点１３はリード片２に金のめっき層１４を形成
し、その上にニッケルを１〜６０Ｗｔ％含むパラジウム
−ニッケルまたは、コバルトを１〜６０Ｗｔ％含むパラ
ジウム−コバルトの合金の接点層１５を形成したもので
ある。
このように、構成した電気接点１３は、金めつき層１４
が接点層１５を被着したとき発生する内部応力を吸収す
るようになり、その結果、接点層１５を形成させるめっ
き条件が緩やかになると共に、接点層１５の被着力が向
上するようになる。
が接点層１５を被着したとき発生する内部応力を吸収す
るようになり、その結果、接点層１５を形成させるめっ
き条件が緩やかになると共に、接点層１５の被着力が向
上するようになる。
ただし、電気接点１２および１３において、ニッケルお
よびコバルトの量が少な過ぎると、パラジウムの触媒作
用の抑止力が不足し軟質となり寿命が短くなる反面、ニ
ッケルおよびコバルトが多過ぎると、電気接点１２．１
３の表面に多（のニッケルまたはコバルトが表呈し接触
抵抗が過大かつ不安定になる。
よびコバルトの量が少な過ぎると、パラジウムの触媒作
用の抑止力が不足し軟質となり寿命が短くなる反面、ニ
ッケルおよびコバルトが多過ぎると、電気接点１２．１
３の表面に多（のニッケルまたはコバルトが表呈し接触
抵抗が過大かつ不安定になる。
そこで、パラジウム−ニッケル合金およびパラジウム−
コバルト合金について調査した結果、ニッケルまたはコ
バルトを約２０Ｗｔ％含むとき、交換機レベルの負荷条
件に対し接触抵抗と接点寿命はロジウム接点と同等にな
る。そして、二・７ケルを６０Ｗｔ％以上またはコバル
トを６０Ｗｔ％以上含むとき、接点の表面に表呈するニ
ッケルまたはコバルトの酸化のため接触抵抗が不安定と
なり、ニッケルが１Ｗｔ％以下またはコバルトが１Ｗｔ
％以下であるときは、有機ポリマーの抑制力が不充分か
つ硬度の低下によって短寿命となり、実用的でない。
コバルト合金について調査した結果、ニッケルまたはコ
バルトを約２０Ｗｔ％含むとき、交換機レベルの負荷条
件に対し接触抵抗と接点寿命はロジウム接点と同等にな
る。そして、二・７ケルを６０Ｗｔ％以上またはコバル
トを６０Ｗｔ％以上含むとき、接点の表面に表呈するニ
ッケルまたはコバルトの酸化のため接触抵抗が不安定と
なり、ニッケルが１Ｗｔ％以下またはコバルトが１Ｗｔ
％以下であるときは、有機ポリマーの抑制力が不充分か
つ硬度の低下によって短寿命となり、実用的でない。
第３図は本発明による電気接点と従来のロジウム接点お
よび従来の金拡散接点について実測した寿命の比較図、
第４図は本発明による電気接点と従来のロジウム接点お
よび従来の金拡散接点について実測した接触抵抗分布の
比較図である。
よび従来の金拡散接点について実測した寿命の比較図、
第４図は本発明による電気接点と従来のロジウム接点お
よび従来の金拡散接点について実測した接触抵抗分布の
比較図である。
各接点をリードスイッチに適用し測定した第３図におい
て、縦軸は累積故障率（％）、横軸は動作回数（回）で
あり、試験条件は２０Ｈｚのコイル駆動、 １００ Ｖ
ｄｃ−０，５Ａ抵抗負荷であり、図から明らかなよう
に、本発明により２０％ニッケルーパラジウム接点は従
来のロジウム接点とほぼ同等であり、これらに比べ従来
の金拡散接点は著しく劣るようになる。
て、縦軸は累積故障率（％）、横軸は動作回数（回）で
あり、試験条件は２０Ｈｚのコイル駆動、 １００ Ｖ
ｄｃ−０，５Ａ抵抗負荷であり、図から明らかなよう
に、本発明により２０％ニッケルーパラジウム接点は従
来のロジウム接点とほぼ同等であり、これらに比べ従来
の金拡散接点は著しく劣るようになる。
各接点をリードスイッチに適用し測定した第４図におい
て、縦軸は接触抵抗の累積百分率（％）。
て、縦軸は接触抵抗の累積百分率（％）。
横軸は接触抵抗値（ｍΩ）であり、図から明らかなよう
に、本発明により２０％ニッケルーパラジウム接点は従
来のロジウム接点とほぼ同等であり、これらに比べ従来
の金拡散接点は著しく劣るようになる。
に、本発明により２０％ニッケルーパラジウム接点は従
来のロジウム接点とほぼ同等であり、これらに比べ従来
の金拡散接点は著しく劣るようになる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は接点材料として電気特性
に優れるパラジウムと、パラジウムの触媒作用を抑制す
るのに適当な量のニッケルまたはコバルトとでなる合金
を、めっき手段で基体に被着し構成しだことにより、ロ
ジウム接点と同等の電気特性および寿命の電気接点が、
ロジウム接点より安価に実現され、例えば高性能のリー
ドスイッチを安価に提供できるようにした効果がある。
に優れるパラジウムと、パラジウムの触媒作用を抑制す
るのに適当な量のニッケルまたはコバルトとでなる合金
を、めっき手段で基体に被着し構成しだことにより、ロ
ジウム接点と同等の電気特性および寿命の電気接点が、
ロジウム接点より安価に実現され、例えば高性能のリー
ドスイッチを安価に提供できるようにした効果がある。
第１図は本発明の一実施例によるリードスイッチ、
第２図は本発明の他の実施例による電気接点、第３図は
本発明による電気接点と従来の電気接点の寿命比較図、 第４図は本発明による電気接点と従来の電気接点の接触
抵抗分布比較図、 第５図は従来の電気接点を具えたり一ドスイソチ、 第６図は従来の他の電気接点、 を示す。 図中おいて、 １．１１はリードスイッチ、 ２はリード片（基体）、 ３はガラス管、 ４．６．１２．１３は電気接点、 である。 ”ｔＯ） メ盆例の一ス鱈によろリーに°゛スイ、２；？１図 ｓ：ｒＪＡｎか大た夜Ｈ：よづす１卜音、九１２図
本発明による電気接点と従来の電気接点の寿命比較図、 第４図は本発明による電気接点と従来の電気接点の接触
抵抗分布比較図、 第５図は従来の電気接点を具えたり一ドスイソチ、 第６図は従来の他の電気接点、 を示す。 図中おいて、 １．１１はリードスイッチ、 ２はリード片（基体）、 ３はガラス管、 ４．６．１２．１３は電気接点、 である。 ”ｔＯ） メ盆例の一ス鱈によろリーに°゛スイ、２；？１図 ｓ：ｒＪＡｎか大た夜Ｈ：よづす１卜音、九１２図
Claims (1)
- ニッケルを１〜６０Ｗｔ％含むパラジウム−ニッケルま
たは、コバルトを１〜６０Ｗｔ％含むパラジウム−コバ
ルトの合金を、めっき手段で基体（２）に被着してなる
ことを特徴とする電気接点。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28690687A JPH01130431A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 電気接点 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28690687A JPH01130431A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 電気接点 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130431A true JPH01130431A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17710525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28690687A Pending JPH01130431A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 電気接点 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01130431A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01260726A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-18 | Fujitsu Ltd | リードスイッチの製造方法 |
| JP2002517320A (ja) * | 1998-06-04 | 2002-06-18 | キャベンディッシュ キネティクス リミテッド | マイクロメカニカル素子 |
| JP7108153B1 (ja) * | 2021-04-02 | 2022-07-27 | 松田産業株式会社 | 導電性材料 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS555406B2 (ja) * | 1974-06-24 | 1980-02-06 |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP28690687A patent/JPH01130431A/ja active Pending
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