JPH01129410A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH01129410A JPH01129410A JP62289054A JP28905487A JPH01129410A JP H01129410 A JPH01129410 A JP H01129410A JP 62289054 A JP62289054 A JP 62289054A JP 28905487 A JP28905487 A JP 28905487A JP H01129410 A JPH01129410 A JP H01129410A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は弁作用金属粉末の焼結体からなる固体電解コン
デンサの製造方法、さらに詳しくは二酸化マンガン層の
形成方法に関するものである。
デンサの製造方法、さらに詳しくは二酸化マンガン層の
形成方法に関するものである。
[従来の技術]
タンタル、ニオブ、アルミニウムなどの弁作用金属粉末
の焼結体からなる固体電解コンデンサにおいては、先ず
焼結体の表面を化成することによって酸化皮膜を形成す
る。次に、こわを硝酸マンガン水溶液中に浸漬した後に
、熱分解させてt導体層である二酸化マンガン層を形成
する。この熱分解は通常数回行なわれるが、この熱分解
の際に酸化度1漠が破壊されるので、この修復を目的と
して、次の熱分解の間および最後の熱分解の後に再化成
が行なわれる。
の焼結体からなる固体電解コンデンサにおいては、先ず
焼結体の表面を化成することによって酸化皮膜を形成す
る。次に、こわを硝酸マンガン水溶液中に浸漬した後に
、熱分解させてt導体層である二酸化マンガン層を形成
する。この熱分解は通常数回行なわれるが、この熱分解
の際に酸化度1漠が破壊されるので、この修復を目的と
して、次の熱分解の間および最後の熱分解の後に再化成
が行なわれる。
このような二酸化マンガン層の形成において、従来は硝
酸マンガン水溶液の濃度を次第に濃くして熱分解してい
る。例えば、20%硝酸マンガン水溶液中に焼結体を浸
漬し、熱分解し、これを4回PIa返し、次に40%硝
酸マンガン水溶液中に焼結体を浸漬し、熱分解し、これ
を3回程繰返し、さらに70%硝酸マンガン水溶液中に
焼結体を浸漬し、熱分解し、こわを2回N繰返している
。さらに、必要1応じて20%硝酸マンガン水溶液中に
焼結体を浸rrl L/、熱分解している。熱分解の雰
囲気は約200〜300℃のスチーム下である。
酸マンガン水溶液の濃度を次第に濃くして熱分解してい
る。例えば、20%硝酸マンガン水溶液中に焼結体を浸
漬し、熱分解し、これを4回PIa返し、次に40%硝
酸マンガン水溶液中に焼結体を浸漬し、熱分解し、これ
を3回程繰返し、さらに70%硝酸マンガン水溶液中に
焼結体を浸漬し、熱分解し、こわを2回N繰返している
。さらに、必要1応じて20%硝酸マンガン水溶液中に
焼結体を浸rrl L/、熱分解している。熱分解の雰
囲気は約200〜300℃のスチーム下である。
[発明が解決しようとする問題点]
高温(200〜300℃)のスチーム下にお番号る硝酸
マンガンの熱分解によると、緻密な二酸化。
マンガンの熱分解によると、緻密な二酸化。
マンガン層を得ることができるので好ましいもθ〕であ
る。しかし、その反面、熱風循環式の炉内ター度に多量
の製造を行なうので、炉内の風量および風向によって炉
内温度のバラツキを生じ、固体電解質(二酸化マンガン
層)の均質な生成ができない。また、70%硝酸マンガ
ン水溶液を付R形成された場合における熱分解では、多
−贋のNO7、が発生し、焼結体にfめ形成された酸化
皮膜が劣化してしまうものであった。その結果、電気的
な諸特性にも悪影響を及ぼし、均等な特性を有する固体
電解コンデンサを製造することが困難なものであった。
る。しかし、その反面、熱風循環式の炉内ター度に多量
の製造を行なうので、炉内の風量および風向によって炉
内温度のバラツキを生じ、固体電解質(二酸化マンガン
層)の均質な生成ができない。また、70%硝酸マンガ
ン水溶液を付R形成された場合における熱分解では、多
−贋のNO7、が発生し、焼結体にfめ形成された酸化
皮膜が劣化してしまうものであった。その結果、電気的
な諸特性にも悪影響を及ぼし、均等な特性を有する固体
電解コンデンサを製造することが困難なものであった。
[問題点を解決するための手段]
しかるに、本発明はL述した問題点を解決するために、
少なくとも1回の熱分解は二酸化マンガンのゾルを存す
る硝酸マンガン水溶液への浸漬の後に、フッ素系不活性
液中またはその蒸気相中で行なうようにしたものである
。
少なくとも1回の熱分解は二酸化マンガンのゾルを存す
る硝酸マンガン水溶液への浸漬の後に、フッ素系不活性
液中またはその蒸気相中で行なうようにしたものである
。
フッ素系不活性液としては、例えばイタリア[ltUモ
ンテフルオス社のガルデノ(商品名)あるいはフォンプ
リン(商品名)、米国スリーエム社のフロリナート(商
品名)または旭硝子社のアフルード(商品名)などのパ
ーフルオロポリエーブル、パーフルオロアルキルアミン
、パーフルオロエーテルなどである。特に6ガルデンの
VPS(ベーパーフェイズソルダリング)グレード品H
S/260は、嘔均分子量800、蒸留温度範囲250
〜270℃、沸点260±5℃、20”Cでの熱伝導度
0.000711att 7cm℃などの特性を有する
ものである。
ンテフルオス社のガルデノ(商品名)あるいはフォンプ
リン(商品名)、米国スリーエム社のフロリナート(商
品名)または旭硝子社のアフルード(商品名)などのパ
ーフルオロポリエーブル、パーフルオロアルキルアミン
、パーフルオロエーテルなどである。特に6ガルデンの
VPS(ベーパーフェイズソルダリング)グレード品H
S/260は、嘔均分子量800、蒸留温度範囲250
〜270℃、沸点260±5℃、20”Cでの熱伝導度
0.000711att 7cm℃などの特性を有する
ものである。
[作用]
このような熱分解によると、熱分解温度のバラツキがな
くなり、均質な固体電解質の生成が可能となる。また、
NOケの発生量が少なく、酸化皮膜の劣化が防止される
。
くなり、均質な固体電解質の生成が可能となる。また、
NOケの発生量が少なく、酸化皮膜の劣化が防止される
。
[実施例]
以下に、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法の
一実施例を比較例と対比して説明する。
一実施例を比較例と対比して説明する。
実施例
タンタル粉末により直径2.5mm、高さ2゜7mmの
焼結体を形成し、この焼結体を0.01%リン酸水溶液
である化成液中に浸漬し、io。
焼結体を形成し、この焼結体を0.01%リン酸水溶液
である化成液中に浸漬し、io。
Vの電圧を印加して酸化皮膜を形成したつなお、焼結体
からはタンタルの陽極線が引出されている。
からはタンタルの陽極線が引出されている。
次に、20%硝酸マンガン水溶液中に浸漬した後に、2
60℃のフッ素系不活性蒸気相中にて熱分解させ、二酸
化マンガン層を形成した。これをさらに3回繰返した。
60℃のフッ素系不活性蒸気相中にて熱分解させ、二酸
化マンガン層を形成した。これをさらに3回繰返した。
引続き、40%硝酸マンガン水溶液中に浸漬した後に、
260t:のフッ素系不活性蒸気相中にて熱分解させ、
二酸化マンガン層を形成した。これをさらに2回繰返し
た。次いで、二酸化マンガンのゾルを存する50%硝酸
マンガン水溶液(マンガンの!!量は70%になるよう
にA整した。)中に浸漬した後に、260℃の不活性蒸
気相中にて熱分解させ、二酸化マンガン層を形成した。
260t:のフッ素系不活性蒸気相中にて熱分解させ、
二酸化マンガン層を形成した。これをさらに2回繰返し
た。次いで、二酸化マンガンのゾルを存する50%硝酸
マンガン水溶液(マンガンの!!量は70%になるよう
にA整した。)中に浸漬した後に、260℃の不活性蒸
気相中にて熱分解させ、二酸化マンガン層を形成した。
これをさらに1回繰返した。引続き、20%硝酸マンガ
ン水溶液中に浸漬した後に、260℃不活性蒸気相中に
て熱分解させ、ニー酸化マンガン層を形成した。これら
熱分解工程において、各熱分解終了毎に1.1.2−
トリフルオル−1,2,2−トリクロルエタン、例えば
フロンソルブ(商品名)AESで洗浄し、フッ素系不活
性液の残渣を除去した。また、再化成処理は適宜に行な
った。総合的な二酸化マンガン層の形成の後、陰極層を
形成し、陰極線付け、外装樹脂の形成を行なって定格2
5V・0.10μFの固体電解コンデンサを作成した。
ン水溶液中に浸漬した後に、260℃不活性蒸気相中に
て熱分解させ、ニー酸化マンガン層を形成した。これら
熱分解工程において、各熱分解終了毎に1.1.2−
トリフルオル−1,2,2−トリクロルエタン、例えば
フロンソルブ(商品名)AESで洗浄し、フッ素系不活
性液の残渣を除去した。また、再化成処理は適宜に行な
った。総合的な二酸化マンガン層の形成の後、陰極層を
形成し、陰極線付け、外装樹脂の形成を行なって定格2
5V・0.10μFの固体電解コンデンサを作成した。
比較例
タンタル粉末により直径2−5mm、高さ2゜7mmの
焼結体を形成し、この焼結体を0.01%リン酸水溶液
である化成液中に浸漬し、100Vの電圧を印加して酸
化皮膜を形成した。なお、焼結体からはタンタルの陽極
線が引出されている。
焼結体を形成し、この焼結体を0.01%リン酸水溶液
である化成液中に浸漬し、100Vの電圧を印加して酸
化皮膜を形成した。なお、焼結体からはタンタルの陽極
線が引出されている。
次に、20%硝酸マンガン水溶液中に浸漬した後に、2
60℃のスチーム下にて熱分解させ、二酸化マンガン層
を形成した。これをさらに3回繰返した。引続き、40
%硝酸マンガン水溶液中に浸漬した後に、260℃のス
チーム下にて熱分解させ、二酸化マンガン層を形成した
。これをさらに2回繰返した。次いで、70%硝酸マン
ガン水溶液中に260℃のスチーム下にて熱分解させ、
二酸化マンガン層を形成した。次いで、これをさらに1
回繰返した。引続き、20%硝酸マンガン水溶液中に浸
漬した後に、260℃のスチーム下にて熱分解させ1.
二酸化マンガン層を形成した。
60℃のスチーム下にて熱分解させ、二酸化マンガン層
を形成した。これをさらに3回繰返した。引続き、40
%硝酸マンガン水溶液中に浸漬した後に、260℃のス
チーム下にて熱分解させ、二酸化マンガン層を形成した
。これをさらに2回繰返した。次いで、70%硝酸マン
ガン水溶液中に260℃のスチーム下にて熱分解させ、
二酸化マンガン層を形成した。次いで、これをさらに1
回繰返した。引続き、20%硝酸マンガン水溶液中に浸
漬した後に、260℃のスチーム下にて熱分解させ1.
二酸化マンガン層を形成した。
これら熱分解工程において、再化成処理は適宜に行なフ
た。総合的な二酸化マンガン層の形成の後、陰極層を形
成し、陰極線付け、外装樹脂の形成を行なって定格25
V・10μFの固体電解コンデンサを作成した。
た。総合的な二酸化マンガン層の形成の後、陰極層を形
成し、陰極線付け、外装樹脂の形成を行なって定格25
V・10μFの固体電解コンデンサを作成した。
第1表に本発明の実施例および比較例の漏れ電流特性を
示す。
示す。
第1表 漏れ電流特性
(n=10の平均値)
[効果]
第1表からも分かるように、本発明に係る製造方法によ
ると、漏れ電流値の低い固体電解コンデンサを提供する
ことができる。
ると、漏れ電流値の低い固体電解コンデンサを提供する
ことができる。
Claims (1)
- (1)弁作用金属粉末の焼結体の表面に形成された酸化
皮膜上に硝酸マンガンの複数回の熱分解により二酸化マ
ンガン層を形成する工程において、少なくとも1回の熱
分解は二酸化マンガンのゾルを有する硝酸マンガン水溶
液への浸漬の後に、フッ素系不活性液中またはその蒸気
相中で行なうことを特徴とした固体電解コンデンサの製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62289054A JPH01129410A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62289054A JPH01129410A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01129410A true JPH01129410A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=17738228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62289054A Pending JPH01129410A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01129410A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100384328C (zh) * | 1999-08-23 | 2008-04-30 | 株式会社资生堂 | 植物活化剂 |
US8519173B2 (en) | 2009-09-16 | 2013-08-27 | Shiseido Company, Ltd. | Plant growth regulator |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP62289054A patent/JPH01129410A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100384328C (zh) * | 1999-08-23 | 2008-04-30 | 株式会社资生堂 | 植物活化剂 |
US8519173B2 (en) | 2009-09-16 | 2013-08-27 | Shiseido Company, Ltd. | Plant growth regulator |
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