JPH01125871A - 多重タッチスイッチ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は感圧変換装置に関する。特に少くとも２個の
電気的接点間に位置する多数の表面接触突起を有する微
粒子からなる半導体物質の薄い層が設けられた装置に関
する。

電気的装置によって楽音を発生させることは公知である
。しかしなから、大部分の電気装置は音量が音質の一方
しか連続的に変化させることができないという問題を有
している。このことは演奏者が音楽的表現を自由に行う
ことの制限となっている。この発明はアナログ変換器に
加えられる圧力に逆比例して変化する接触抵抗を備えた
新規でしかも簡易な感圧変換を利用する装置を提供する
ものである。電子楽器に用いられた場合、複数のその様
な可変抵抗器あるいはスイッチが鍵盤を構成するために
並行して設置される。又あるスイッチは楽器の１以上の
楽器発生回路の特性を変化させることによって、楽音変
化させるために使用される。

感圧アナログスイッチは公知である。たとえばルーベン
（Ｒｕｂｅｎ）の米国特許第２，３７５，１７８号とコ
スタンゾ（Ｃｏｓｔａｎｚｏ）の米国特許第３，３８６
゜０６７号には２個の導体板の間に導電物質を含んだ繊
維状か海綿状の層を挟持したアナログスイッチが開示さ
れている。２個の導体板が一緒に圧縮されるので挟持さ
れた層を通る電気導電路の数が増し、そのためその層の
電気抵抗が減少する。しかしなからこれらの装置におい
て中間層は圧縮力と解除した場合に、導体板を離隔し、
大部分の導電路を断つために弾力性を備えている必要が
ある。

更に半導体の層は、上下の導体板間の導電路数を増すた
めには巨視的な圧密の状態に依存する。

従って挟持された層は比較的厚くなければならない、結
局そのような装置では、繊維状か海綿状の層の弾力性が
使用につれ減退することがあり得、このためスイ・ツチ
の動作特性を低下させてし家う。

ミッチェル（Ｍ　１ｔｃｈｅ１１）の米国特許第３，８
０６，４７１号においては、硫化モリブデンのような感
圧半導体物質が開示されていて、それは可変抵抗器か変
換器を構成するため導体板の間に挿入されている。

しかしなから、ミッチェルは体積抵抗、即ち硫化モリブ
デン層の比較的厚い体積抵抗を利用している。−力木発
明は、例えば硫（ヒモリブデン（詳しくは二硫化モリブ
デン）の非常に薄い層の接触抵抗あるいは表面抵抗を利
用している。特にミッチェルは抵抗層を通して３次元的
に広がった多数　□の有限な電流回路を形成するため５
０から６００メツシユの範囲の硫化モリブデンの粒子を
用いて０．００２５４から２．５４センチの厚さの硫化
モリブデンを開示している。圧縮されるとその容積中の
粒子間の電流回路が増して抵抗値が低下する。半導体層
は永久に２個の電極間に置かれている。

上述の機能的相違に加えて、ミッチェルの構造では半導
体層は２個の導体板の間あるいは導体板と非導体板との
間に半導体表面が露出されず絶縁板か導体板のどちらか
と密接して配置されていなければならない、そのような
形状は感圧層が！ｌ１３要上導体かあるいは他の感圧層
のどちらかと密接な接触にはないが、ある接触を少くと
もしていなければならない出願人の発明とは基本的に異
なる。

そのような配置は、ミッチェルが最初に利用した個々の
物質粒子の表面抵抗の利用よりむしろ構成物の表面の物
理的な接触抵抗の利用を容易にする。

本発明の半導体層はまた１ミクロンオーダーの粒子を用
い層の厚さとしては好ましくは０．００２５４センチ以
下にすることを例示する。更に、種々の抵抗値が周囲の
表面接触の大小により生じるので、半導体層の表面は最
初に導体電極から空間的に離れているか接触の関係にあ
ってもよいが、対向する表面と密接に接触しないように
しなければならない、薄い半導体層の表面に導体電極が
押下げられると、表面に沿って多数の接触点が形成され
る。

この接触点は圧力が加えられるに従い増加し、導体板間
あるいは半導体層の接点間の抵抗を減じる。

表面接触半導体層はバインダーで表面に保持された適当
な微粒子からなる半導体層物質よりなる。

本発明の薄い半導体層の重要な利点は半導体層を形成す
るのに用いられる半導体物質とバインダーとバインダー
シンナーを混ぜ、ミクロン以下の厚みの層を形成するた
めに所望の層に吹きつけたり・シルラス２ケーン等して
もよ〜゛ことである・従って生産に要する労力及び材料
が格段に少なくなる。

上記の利点に加えて、効果的に導体層を被覆するために
硫化モリブデン（詳しくは二硫化モリブデン）を使用す
ると導体層が空気と接触するのを防止することができる
０、このことは、空気に触れた時、徐々に腐食する導体
板を用いた時に起る問題を少なくすることが可能である
。たとえば、銅の導体板は大気に触れた場合腐食する。

これを防止するためには、高価な銀か、あるいはそれに
変わる顕似の高価な物質を用いなければならない。

しかしなから、硫化・モリブデンを吹きつけて導体板を
被覆処理すると腐食の程度が大きく減退し、銅のような
低廉な導体材料を使用可能にできる。

なお、導体板と半導体層の表面かあるいは２個の半導体
層の表面のどちらか一方が密接ではないが、離隔してい
るというよりはむしろ接触の関係にあるという本発明の
実施例の他の重要な利点は大部分のスウィッチに固有の
チャタリングを完全・にではないまでも相当低下するこ
とができることである。しかし、たとえチャタリングが
あっても、それはスイッチ装置の接点を横切る抵抗が非
常に大きい時にのみ生じるので、チャタリングを生じる
抵抗の変化による電圧の変化は非常に少なくなる。従っ
て本発明の実施例によるスイッチ構造はバウンスを生じ
ない、そのようなバウンスの生じないスイッチはここで
開示された改良形のバウンスのないスイッチに対し、常
に要求のあるコンピュータ業界に重要な価値のある商業
上の応用範囲を有している。更にスイッチがバウンスを
生じないのみならず、従来のバウンスの生じないスイッ
チよりも低廉である。

パールマンの米国特許第４．００４．６４２号にはタッ
チ抵抗装置の楽器への使用が開示されている。しかし、
その装置では、ルーベンとコスタンゾに類似した方法で
半導体物質が２枚の間に挟持される。特にパールマンは
分散された黒鉛のような特別の物質を含んだ泡ゴムかあ
るいは泡状の合成重き物質のような弾力性のある物質を
用いている。そのスイッチの構造は、２枚の導体板の間
には挟まれた泡状の半導体層とオリフィスを有する絶縁
層を有している。こうして圧縮力がくわえられると、黒
鉛で満たされた弾力性のある泡状の層は、楽器を動作さ
せるための電気的接触が生じるように絶縁物質中のオリ
フィスに形を変えて入り込む、その後、加えられた圧縮
力は２枚の導体板間の抵抗を前述した方法で低下させ、
音量と音質を変化させる。

パールマンは多孔性の泡状の物質を用いているため、大
気が容易に排出され、多孔性の抵抗物質を通して復帰す
るので、スイッチが加圧された時、空洞に大気の圧縮が
生ずる問題はない、更にパールマンは黒鉛の含浸された
泡状の物質の物理的弾性を利用しているので、その半導
体層は本発明のものより本質的に厚い、更に半導体層の
機械的弾性の低下は又、スイッチ特性の退化を起す。

従って、オン状態では感圧可変抵抗を有すが圧力が除去
された場合に、スイッチをオフ状態にするため半導体層
の弾力性を用いないアナログ変換装置が望ましい、更に
、常に、２枚の導体板あるいは２個の電極間に接触した
比救的厚い半導体層を通した体積抵抗を用いないアナロ
グ変換装置が望ましい。

本発明の実施例は、楽器に適したコード（和音）キーボ
ードに関する。そのようなコードキーボードでは、ある
コードスイッチが押さえられた場合、１つ以上の楽音が
作り出せるように多数のコードスイッチがキーボード状
に使用される。各々のコードスイッチは、数個の個々に
は電気的に独立したタッチスイッチを設けることにより
組み立てられる。そして前記タッチスイッチは、ある接
触力が加えられた場合に数個のタッチスイッチを閉じる
ようにきわめて接近して配置される０本発明の１つの特
徴は、コードスイッチの少くとも数個が（ｇ々に電気的
に分離した数個のスイッチが各コードスイッチを形成す
る）共通のスイッチ接触をするということである。この
共通のスイッチ接触により、個々のスイッチが閏じた場
合、２個以上の異なった信号が混合される出力バスが提
供される。この２重の機ｔｍは２個の接点（そのうちの
１個は他のスイッチと共通になっている）間の半導体層
と、他のスイッチのその対応接点から電気的に離れてい
るある接点を合体させることにより可能となる。

本発明の他の重要な利点は、コードが唯一の接触力を加
えることにより作り出せることである。

そして、単に指を回転させることにより、接触力の加え
られる位置を変化させて１以上のノートを加減すること
によりコードが変化させられる。これによりコードスイ
ッチの１以上の電気的に独立なスイッチが開閉動作をす
る。このＲ能を達成させるため、個々のスイッチの別別
の接点を形成するｇ々のセグメントが各コードスイッチ
に設けられる。単一の接触力を加えることにより、上部
の単一の導体層を個々の導体のセグメントと電気的に接
触させることによって全てのスイッチが閉じられるよう
に、これ等セグメントは比較的接近しているが、非接触
関係に配置されている。異なった信号が各々のセグメン
トに結合されている。これ等の信号は抵抗層を通じて結
合し、単一つ導体層のスイッチの第２の接点上で混きさ
れる。

コードは演奏者が単に圧力を加える指を回転させて簡単
に変えることができる。この指を回転させることにより
、単一の導体層を他のセグメントと電気的に接触させた
り、あるいは従来接触していた１個以上のセグメントと
単一の導体眉間の接触を断てる。

本発明の他の実施例では、単一の接触力を加えることに
より、同時に種々の独立なスイッチング機能を達成でき
る。その装置は電池駆動の楽器に特に適用できる。前記
楽器では、キーボードは通常の楽器に用いられている弦
や鍵に置換えるために抵抗網として相互接続されたタッ
チスイッチからなる、前記楽器では、単一の圧力を加え
ることにより２音コードを形成するため、２つの楽音を
発生できることが望まれている。また１つの楽音の周波
数を少しだけ変えることができ、他の楽音の周波数は一
定に保つことができるスイッチ装置が望まれている。２
音コードにおける、ある音を上記のように変化させるこ
とができると新規な音楽効果が作り出せる。

本発明により、２重のスイッチが同時に単一の接触力に
応答して動作する２ｆｆｉのスイッチ構造をもった構成
が可能となる。更に、本発明は印加される圧力に逆比例
してスイッチの接触抵抗が変化するように少くとも１個
のスイッチの接点を覆う半導体層を提供する。急速に圧
力を増減させである楽音のビイプラートやトレモロの効
果を、他の楽音の周波数を変えないで作り出せる。

又本発明は応用範囲の広い紙庫で置き換え可能な、その
上簡単で容易に構成される圧力変換器の要求に答えるこ
とができる。この変換器は電気サキソフオンのような圧
力で動作する楽器に組み込んで使用できる。そのような
楽器では演奏者が吹いてチャンバー中の空気圧の変化を
生じさせて電気回路により作られる楽音の音量を変化さ
せるマウスピースが望ましい。こうしてチャンバー中の
空気圧が増すと、音量はそれに伴ない増加する。

演奏者は従って楽器の電気回路により発生される楽音の
音量を完全に制御することができる。

これを達成するためには、チャンバー中の空気圧の変化
にＪｅ、惑に応答し、楽音発生回路に接続される抵抗の
ような電気特性の変化を起す圧力変換装置が必要である
。

更に演奏者は圧力を増減させるためチャンバー中に、α
を吹きこむので、チャンバーに湿気が生じ、そこに配置
されている圧力変換器に付着する。そこでチャンバー中
の湿気に影響されない圧力変換装置の構成が望まれる。

ある可能な圧力変換装置は、柔軟なマイラー基体上の第
１の接点と、第２の基体上の第２の接点と、第１と第２
の接点の一方かあるいは両方に配置された半導体層とを
設けることにより作成できる。２個の接点は上下方向に
電気的に離隔した関係に整列される。動作の際、柔軟な
マイラー基体が押されるとその間に半導体層を有する２
個の接点は、電気的に接触の関係になる。圧力が増加す
ると半導体層を通じた接触抵抗が減少する。こうして感
圧変換装置が提供される。

この装置は、いろいろな応用に適している一方柔軟なマ
イラー基体物質の非弾性特性により感度は悪い。

感度を増す可能な方法は、導体と半導体層を圧力が増減
する時それに伴ない動作する弾力性を有した伸縮可能な
膜かダイヤフラムの上に形成することである。そのよう
なダイヤフラｌ＼物質としては、たとえばダムラバー（
ｄａｍ　　ｒｕｂｂｅｒ）がある。

しかしそのような装置の問題は導体が圧力の変化に応答
してダイヤフラムとともに膨張したり収縮したりしなけ
ればならないことである。このことは必然的にダイヤフ
ラム上に配置された導体の破損を生じさせ、結果的に感
圧変換装置を損なう。

６度の不足は、導体が上部に配置された柔軟なマイラ一
部材の周囲端に接着されたスペーサーにダイヤフラムを
接着した圧力変換器によう克服できる。前記ダイヤフラ
ムはマイラ一部材の中央部に直接取りつけられる。圧力
がダイヤフラムに加えられないと、ダイヤフラムはその
弾性により第２の基体部材から柔軟なマイラー基体を引
き離す。

、　圧力がダイヤフラムに加えられた場合、柔軟なマイ
ラー上の導体は、基体部材上の導体と電気的に導通関係
になる。このようにダイヤフラｌ＼は柔軟なマイラーに
対し適正な動作をする。柔軟なマイラーはダイヤフラム
の動きに追随し７て動く。

圧力変換装置の感度はダイヤフラムの前述した適性な動
作のために増す。こうして、伸縮可能な弾力性を有する
ダイヤフラムの特性は、所望の弾力性のある伸縮可能な
特性は有していないマイラーに伝えられる。

以上のように本発明はスイッチに加えられる圧力に逆比
例して変化する抵抗を有した感圧変換装置を提供するこ
とを目的とする。

次に本発明を実施するため原理につき第１図から第８図
を参照して説明する。第１図に示すように、アナログス
イッチは第１と第２の導体板５０゜５２を有し、これ等
はその間にギャップかチャンバー６０を形成するための
スペーサー５４によって互いに隔てられている。少くと
も導体板５０と５２の一方はスイッチを閉じるためもう
一方の導体板に向って押圧されるように弾力性を有して
いる。

第１の導体板５０は、第２の導体板５２に対向する面に
銀あるいは他の導電物質の薄い導体層６６が形成された
マイラーのような弾力性のある支持板６４によって形成
することができる。第２の導体板５２はその上に薄い銅
面７０が配置された堅いプラスチックの基体部材６８か
ら成る。もちろん基体部材６８は弾力があってもよく、
薄い面７０は銀かあるいは他の適当な一導電物質からな
っていてもよい、アナログスイッチを電気的に適当な利
用回路に接続するために導線５６と５８が各々銀層６６
と銅面７０に接続される。

最後に半導体物質を含む薄い層６２が銅面７０上に吹き
付けられるか被覆されるかあるいはその他の方法で平担
に塗布される。もしくは半導体層６２を導体Ｗ！Ｉ６６
あるいは銅面７０と導体層６６の両方に、設けるように
してもよい□、半導体物質は、スプレー法、スクリーン
法あるいは平滑な表面を形成するために平担に塗布され
る他の方法が可能な適当な組成をしていてもよい、たと
えば半導体物質は液状にするため樹脂のようなバインダ
ーと混合された１から１０ミクロンの大きさの粒子を有
する微粒子からなる硫化モリブデン（詳しくは二硫化モ
リブデン）であってもよい、吹きつけに適当な濃度にす
るため、樹脂シンナーが加えられてもよい、その場合、
バインダーと硫化モリブデンの微粒子の量は結果的に得
られる乾いた半導体層において、硫化モリブデンに対す
るバインダーの重量比を約１：１になるように選び、か
つバインダー溶媒の量は少くともバインダーと硫化モリ
ブデンの微粒子とバインダーの溶媒が、スプレー法ある
いはスクリーン法あるいはその他の方法が可能な濃度に
なるように選ぶ、そして準備された溶液を支持板６４の
導体１６６かあるいは基体部材６８上の銅の表面７０上
にスプレー法、スクリーン法あるいはその他の方法で被
覆し、湿った半導体層を形成し、次にその層を乾かして
半導体層を作る。もちろん半導体層は露出した平滑な半
導体Ｎ表面を有していれば任意の厚みを備えていてもよ
い。しかしなから半導体物質を保護し、厚い半導体層が
用いられる時に生じる表面の不均一性を最小にするため
には約０．００２５４センチ以下の厚さが好ましい。

非常に薄い半導体層を用いることにより、半導体物質を
導体板５０の押し下げによって弾力的に動かせることが
できる。更に、圧力が加えられた場合、減少するのは表
面接触抵抗であって体積抵抗ではないので、従来の装置
よりも半導体物質の使用１は減少しスイッチの製造はよ
り迅速で容易になり、費用が少なくてすむ、半導体層を
通した最小抵抗値は、半導体物質とバインダーの比を調
節することにより選択できる。

もちろん半導体物質を、均一で平滑な露出面が得られる
ように任意の方法により、這ばれた表面上でみがいたり
、被覆したりあるいは配置してもよいことは明らかであ
る。半導体表面に対し第２の導体を押しつけるために加
えられる圧力の変化によって、接触点の数が変化し、そ
れに伴なって半導体部材を横切る抵抗値に変化、が起る
ように半導体表面上に多数の接触点が得られる限り、任
意の半導体物質が用いられてもよい、半導体層の抵抗値
は半導体物質と樹脂の比を変更することにより変化させ
ることが可能である。抵抗変化は、表面抵抗に基づいて
いるのであって、体積抵抗には依存しないので、バイン
ダーと半導体物質との重量比は好ましくは約１：１であ
る。

第２図に堅いプラスチックか弾力性のあるマイラー（ポ
リエチレンテレフタレート）かあるいはｆ１意の他の適
当な物質からなる基体部材１２を有する感圧可変接触抵
抗アナログスイッチ１０が示されている。空間的に隔て
られた第１と第２の接触導体１４と１５からなる導体部
１３が基体部材１２の一方の表面に配置されている。絶
縁スベーサー１８が導体部１３の周囲の基体部材１２に
取り付けられている。覆い１９が、導体部１３とその間
に空間２４を形成するための絶縁スペーサー１８の上部
に配置されている。

覆い１９はたとえば藩いマイラーのシートからなる柔軟
性のある支持部材２０からなる。導体部１３に面した支
持部材２０の側面には適当な樹脂、たとえば米国のスペ
シャリティコーティングスアンド　ケミカルズ株式会社
（ＳｐｅｃｉａｌｔｙＣｏａｔｉｎｇｓ　　＆　　ＣＩ
＋ｅｎｉｃａｌｓｊ＋＋ｃ、　）で発売しているＲ−２
０のようなアクリル樹脂と硫化モリブデンの混き物から
なる感圧半導体層２２を吹きつける。−例では吹きつけ
られる液状の組成は５から１０ｃｃの樹脂と、４０ｃｃ
の樹脂シンナーと８，５グラムの硫化モリブデンを混合
することにより製造される。もちろん本発明の精神から
逸脱しないかぎり多数の他の樹脂と半導体物質との組成
を使用してもよい、硫化モリブデンはその低雑音潤滑性
のために好んで用いられるが、特に海綿状の鉄粉と、鉄
の酸化物あるいは炭化タングステン粉、酸化スズ粉、硼
素粉あるいは任意の他の半導体物質が用いられてもよい
。

覆い１９は、導体部１３に対して感圧抵抗層２２が常に
空間的に隔った関係にある（即ちスイッチが常開してい
る）ように少くとも絶縁スペーサー１８の上部に接着さ
れているかあるいは機械的に固着される。覆いの接着あ
るいは固着は空気のもれが生じるようになされる。さも
なければ後で他の実施例において言及するように、空気
の流通路を設けなければならない。

第３図では感圧抵抗層４２が導体部１３の上部に配置さ
れ、更に、たとえば銀の極めて薄い層からなる導体層３
６が導体部１３上の抵抗層１１２に面している支持部材
の表面上に配置されている。

覆い１９が導体部１３と接触するように押し下げられた
場合、感圧抵抗層２２．４２あるいは６２（それぞれ第
２図、第３図および第１図に対応する）が第１の接触導
体と第２の接触導体の間で直列になるように８圧半導体
層が導体部１３と覆い１９との間に位置する限り他の構
成も可能である。抵抗層に多かれ少なかれ圧力が加えら
れると、それに伴ない表面接触が起り、隣接した導体間
の抵抗が変化する。

再び第２図と第３図に剃して、支持部材２０が押圧され
ると囲い部２４に蓄えられた空気２４が圧縮されてたと
えば覆い１つと絶縁スペーサー１８との間、あるいは絶
縁スペーサー１８と基体部材１２との間の接自点を通っ
て排出される。圧力が覆い１９から取り去られると支持
部材２０の弾性力は囲い部２４に生じる部分的真空状態
を克服するには不充分で、覆い１９は押圧された状態の
ままに保たれる。このため、スイッチ１０は常開状態に
復帰するのを妨げられる。この問題をさけるため覆いが
圧縮されたり、圧力が除去された場合基体部材１２を貫
通するオリフィス２６を設けて覆いを押したりあるいは
離したりするときに空気が囲い部２４に流入したり囲い
部２４から流出したりするようにする。らちろん池の適
当な圧力解放ｖ１栴が可能で、たとえばオリフィス２６
を覆い１９あるいは絶縁スペーサー１８に設けるように
してもよい、しかしなから図示したように基体部材１２
にオリフィス２６を設けることが望ましい。

次に第４図には使用可能な導体パターンが概略的に示さ
れている。特に感圧可変抵抗アナログスイッチが接触導
体１４．１６のパターンと利用回路２８に対する接続関
係を示すため、覆いを取り除いた形で示されている。特
に第１の導！Ｉ３２は利用回路２８の一方の入力端子と
、異なる径を有しかつ端部が開いた複数の円形状の第１
の導体１６との間に接続されている。第２の導線３４は
利用回路２８の他の端子と、異なる径を有しかつ端部が
開いた複数の第２の導体１４との間に接続されている。

第１と第２の導体１６と１４の円状部は各々空間に離隔
した状態で互いに挟み合うようにされ、導体部１３を囲
む絶縁リング１８のような絶縁スペーサーと共に基体部
材１２上に配置される。このように覆い１つを押圧する
ことにより、第１の導体１６と第２の導体１４との間の
半導体層によって形成される抵抗３１を通して電気的通
路が形成される。

圧力を印加して導線３２と３４間に生じる抵抗値の範囲
は導体１４と１６間の間隔を増加することにより増加さ
せられる。

第５図には加えられる圧力に逆比例して変化する表面接
触抵抗を有するバウンスの生じないスイッチ装置を提供
する本発明の原理を示す他の例が示されている。特に、
バウンスを生じないスイッチ装置１００はマイラーや堅
い可塑性の物質あるいは、任意の他の非導電性材料から
なる第１の支持部材１０２を有している。第１の導体１
０４は支持部材１．０２上に配置され、第１の感圧抵抗
層１０６が導体１０４上にこれと電気的に接触するよう
に配置される。

第１の感圧層１０６と対向するようにマイラーや堅いプ
ラスチックあるいは他の適当な非導電性の物質である支
持部材１１０、支持部材１１０の一方の表面に配置され
た導体１１２と、導体１１２を覆いそれと電気的導通関
係にあるように配置された第２の感圧Ｎ１１４を含む構
造体が設けられる。第２の支持部材１１０、第２の導体
１１２と第２の感圧層１１４からなる構造体は第１の支
持部材１０２と、第１の導体１０４、第１の感圧層１０
６からなる構造体に対向するように位置付けされる。第
１の感圧層１０６の露出面１０８は第２の感圧層１１４
の露出表面１１６と密接ではない接触関係にあり、これ
により密接でない接触接合部１１８を形成する。

、前に示したように、第１と第２の感圧層はらつと大き
な形状も可能であるが、好ましくは数ミクロンの大きさ
の粒子からなる特別な粒子状の半導体物質から形成され
る。微粒子からなる半導体物質はバインダー物質、必要
ならばバインダーシンナーと混きされて導体１０４と１
１２に各々スプレー法、シルクスクリーン法あるいは他
の方法で配置される。このようにして形成された感圧層
１０６と１１４はその平均表面から外に突出した多くの
粒子を有していて微粒子からなる半導体物質の微小な突
起を形成する。この微小な突起のため、第１と第２の感
圧層は密接でない電気的接触をする。しかしなから、圧
力が加えられて２表面が３い、圧縮されると感圧層上の
微小な突起は互いに押し合って、更に電気的接点の数を
増して接き部１１８の抵抗を減じる。しかしなから、既
に少数の電気的接触点は存在しているので（各々の感圧
層が互いに圧縮されていない場合、接触点は非常に少な
く、このため接合部は非常に高い抵抗になっているが）
従来のスイッチにおいて機械的接点がお互いに接触した
場合に生じるチャタリングはほとんど除去される。更に
チャタリングは接合部１１８の抵抗が非常に高くて、接
合部１１８の電圧降下が非常に高いときのみ起る。

動作時圧力が加えられて感圧層が相互に圧縮し合うと、
半導体部材の微小な突起間の接触点の数が増し、このた
め接合部１１８の抵抗が減少し、接α部の電圧降下を減
少させる。したがってしきい値回路あるいは利用回路１
２２に導体１０４を接続している導線１２８上の出力電
圧が第６図に示すように増加する。そしてこの出力電圧
をしきい直回路１２２に印加することによってしきい値
回路１２２の出力部１３０でバウンスがなく、チャタリ
ングもないオフ状態からオン状ｉ’＼の切り替えを第７
図に示すように達成することができる。

次に第８図には唯一の導体が感圧層を有している本発明
の原理を示す他の例が示されている。こ゛の例では密接
な電気的接触関係にあるように配置された感圧層１３４
を有する導体１３２が絶縁支持部材１３０の上部に配置
されている。第２の導体１３８は同様に第２の６支持部
材１４０上に配置されている。第２の導体１３８は感圧
層１３４の表面１３６と密接ではないが接触関係にある
ように配置されている。前に説明したと同じように、微
細な突起により、導体１３８は半導体１？！１１３２と
ほとんど非導通関係にありこのため導体１３８と感圧層
表面１３６との間に非常に高い接触抵抗が生じる。

この例によれば種々の粒子の大きさや層の厚みを選ぶの
は可能ではあるが、スイッチの接点を開閉することによ
り生じる電気的なチャタリングの量と硫化モリブデンの
粒子の大きさとの間には明らかに逆比例の関係が存在す
ることが見出された。

すなわち硫化モリブデンの粒子を細かくすればする程、
スイッチを開から閉状芯へ、あるいは逆の状態への切り
替えはより滑らかになる。特に粒子径が１ミクロン以下
あるいは好ましくは約０．７ミクロンの場合に、はとん
どチャタリングのないスイッチの切り替えができる。

第９図と第１０図は本発明による圧力で作動する２重の
スイッチ装置を示している９このスイッチ装置はマイラ
ーの渾いシートのような柔軟な弾力性のある物質からな
る支持部材２１２を有している。支持部材２１２は、更
に第１の部分あるいは底部２１４と第２の部分あるいは
上部２１６を有している。支持部材の第１の部分２１４
と第２の部分２１６は、第２の部分２１６が第１の部分
２１４に対して、離れたまま被さるように折り曲げられ
る折り曲げ線２１８によって区分される。

複数の導体が支持部材２１２上に配置される。

第１の端子２２２に電気的に接続される第１の導体２２
０が第９図ではＵ字形で示されているが任意のパターン
でもよい第１のパターン２２４で支持部材２１２の表面
上に配置される。電気的に第２の端子２３２に接続され
る第２の導体２３０は、第９図においては第１の導体２
２０のＵ字形のパターン２２４の足間に位置した直線の
導体パターンである第２のパターン２３４で支持部材２
１２上に配置される。第１の導体２２０の第１のパター
ン２２４と第２の導体２３０の第２のパターン２３４は
支持部材２１２の第１の部分２１４上に配置されている
。

第３の導体２４０は電気的に第３の端子２４２に接続さ
れており、第１の導体パターン２２４と鏡像的関係にあ
る導体パターン２４４て支持部材２１２の第２の部分２
１６上に配置される。第４の導体２５０が電気的に第４
の端子２５２と接続されている。第４の導体２５０は第
１の部分２１４を横切って支持部材２１２の第２の部分
２１６まで配置されている。第４の導体２５０は第２の
パターン２３４と鏡像的関係にあるパターン２５４で支
持部材２１２の第２の部分２１６上に配置される。

半導体層２６０が第１．第２．第３．第４の導体の少く
とも１個の導体上に配置される。もちろん半導体層２６
０は第９［２Ｉのように複数の導体上に配置されていて
もよい、第９図では半導体層は第１及び第３の導１４ｃ
２２０と２４０上に配置されている。このため半導体層
２６０が配置されている導体への直接的な電気的接触は
生じない、むしろ電気的接触は半導体層を通して生じね
ばならない。

このなめ導体２２０と２４０によって形成されるスイッ
チと直列に電気的な抵抗があるように導体２２０と２４
０間に接触抵抗が効果的に形成される。

本発明による２重の圧力動作形スイッチの構造は、折り
返し線２１８に沿って支持部材２１２を折り返すことに
より形成することができる。その場合第１の導体２２０
と第３の導体２４０のパターン及び第２の導体２３０と
第４の導体２５０のパターンは縦方向に整列する。従っ
て、第１と第３の導体は２重スイッチ装πの１個のスイ
ッチ接点を形成し、第２と第４の導体は第２のスイッチ
接点を形成する。

スペイサ−２６２が第１の導体２２０と第３の導体２４
０を、又、第２の導体２３０と第４の導体２５０を空間
的に離れた関係に維持するため、第１の部分と第２の部
分との間の導体の周囲に配置される。更に縦方向に印加
される力により、第１と第３の導体２２０と２１１０及
び第３と第４の導体２３０と２５０が同時に電気的導通
関係になるように、第１の部分２１４上の第１の導体２
２０と第２の導体２３０及び第２の部分２１６上の第３
の導体２４０と第４の導体２５０は横方向に近接してい
なければならない。

上に説明したスイッチ装＝は楽器に使用されてもよい、
特に第１と第２の利用回路２６４と２２６を有する楽器
に使用されてもよい。第１の利用回路２６４は第１の周
波数を有する第１の楽音を発生し、第２の利用回路２６
６は第２の周波数を有する第２の楽音を発生するかある
いはたとえば第１の楽音の音量を調整するために設けら
れる。利用回路２６４と２６６はたとえば楽音を回路中
の選択された抵抗器の値を変化させることにより、変化
させることができる米国特許第３．６０９゜２０３号あ
るいは第３，７９６，７５９号において開示されている
ごとき任意の適当な回路構成をしていてよい０本発明の
ある重要な利点は、半導体組成Ｎ２６０により、ある利
用回路の抵抗を、圧力のｆｊ用で変化できることである
。

指で前記した２ｍスイッチ装置に、第１０図に示すよう
に力を加えることにより、２個の楽音あるいは１個の楽
音のパラメータを同時に制御できる。この力により、第
１と第３の導体２３０゜２４０からなる第１のスイッチ
と、第２と第４の導体２３０と２５０からなる第２のス
イッチが閉じる。第９図と第１０図に示されている第１
の導体２２０と第３の導体２４０の上に配置された半導
体層２６０のため第１と第３の導体２２０と２４０が直
接接触することを防止され、この結果第１と第３の導体
２２０と２４０が閉じると、電流は半導体層２６０を介
して流れる。半導体層が接触する力の量を変化させると
接触抵抗旦を変化させることが可能である。こうして、
本発明の好ましい実施例では、スイッチ装置に加えられ
る指の圧力の変化により、第１の利用回路２６４によっ
て作り出せる楽音の周波数を、半導体層に接続していな
い他の利用回路２６６からの周波数は一定に保ちなから
変化させることができる。前記スイッチ装置により楽器
のための音響効果を提供できる。

本発明により構造上の様々な変更が可能であることはも
ちろん言うまでもない、たとえば支持部材の導体により
形成されるパターンは、２個のスイッチの導体が互いに
十分接近していて、操作者の指で同時に作動できれば任
意の構造を有していてよい、更に第１と第３の端子が第
１の支持部材に、第２と第４の端子が第２の支持部材に
取り付けられていてもよい。

この実施例では唯一個の支持部だけが柔軟であればよく
したがって池の支持部は堅くてもよい。

本発明の２重構造のスイッチは他の多くの応用が可能で
ある。たとえば一方のスイッチは回路とＴ源との間に接
続されて回路の開開を行い、他方のスイッチは、たとえ
ば９３１を変化させるために使用することができる。

前述した半導体層の重要な利点は、半導体層を含んだス
イッチをほとんどバウンスの生じないものにすることで
ある。このため半導体層はスイッチ接点が最初に接触し
た時に生じる１２号のスパイクを生じさせない接触抵抗
を４える。

第１１図には本発明の他の実施例が示されている。これ
は、第１の支持部材２７０と第２の支持部材２７２から
なる。第１の支持部材２７０は柔軟なマイラー、堅い可
塑性の物質、あるいは他の適７当な非導電支持部材であ
る。また第２の支持部材２７２は第１の支持部材２７０
と向き合い、ある一定の間隔を保って位置している。第
１の導体２７・１は第１の支持部材２７０の表面上に配
置されている。導体２７４は複数のインターデジタル７
ｃ極指２７８を有する第１の接点部材２７６を含んでい
る。第２の接点部材２８０もまた複数のインターデジタ
ル電極指２８２を有している。第１の接点部材２７６は
電気的に第１の端子２８４に接続されていて、第２の接
点部材２８０は電気的に第２の端子２８６に接続されて
いる。第１の利用回路２８８が第９図の実施例で既に説
明したように第１の端子２８４と第２の端子２８６間に
電気的に接続される。

第２の導体２９０が同様に第１の支持部材２７０の表面
に配置されている。第２の導体２９０は第１の導体２７
４の囲りに配置されたＵ字形のパターンをしている。前
述の実施例のように第１の導体２７４と第２の導体２９
０は、単一の縦方向に印加される圧力が第１の導体２７
４と第２の導体２９０をそれぞれ有するスイッチを同時
に（ｔＥ動させるように、第１の支持部材上に横方向に
十分近接して配置されている。

第１１図に示される本発明の実施例はまた第２の支持部
材２７２の一方の表面上に第１の導体２７４と対向する
ように配置された第３の導体２９２と、第２の支持部材
２７２の同一の表面上に第２の導体２９０と対向するよ
うに配置された第４の導体２９４を具備している。その
ため第１の導体２７４と第３の導体２９２が第１のスイ
ッチの接点を形成し、第２の導体２９０と第４の導体２
９４が第２のスイッチの接点を形成する。

この実施例においては、第３の導体２９２は第１の導体
２７４を全て十分に覆う形状を有する第２の支持部材２
７２上の専電部である。第４の導体２９４は第２の導体
２９０に対応した大きさと形状を有している。第１．第
２．第３と第４の導体２７４．２９０，２９２と２９４
は任意の適当な物質からなっていてよく、たとえば吹き
付けられた銀のＪい層、銅の薄い層あるいは他の適当な
導電物質であっもよい。

可変接触抵抗を得るために、半導体！２９６が第１の導
体２７４を覆うように配置されていてよい、又半導体層
２９６は第３の導体２９２を覆うように配置されていて
よい、あるいは２個のスイッチが可変接触抵抗を有する
ようにするためには半導体層は第２と第４の導体２９０
，２９４の一方かあるいは両方上に配置されていてもよ
い。

更に他の実施例では半導体層２９６はなくてもよく、第
３の導体２９２は単に半導体組成で形成されていてもよ
い。この場合前に説明した銀層や銅層の分離した導電層
を第３の導体２９２に設ける必要はない、もちろん、こ
れはインターデジタル電極指２７８と２８０の各々が十
分に接近して、半導体層の横方向の抵抗が、最大の圧力
が加えられた時比較的低いために可能となる。

第２の利用回路２９８は第２の導体２９０と第４の導体
２９４との間に接続される。

複数の同様な２重スイッチを鍵盤構造に配列することが
でき、この場合各スイッチの第４の接点を共通に接続す
ると、複数の２重スイッチを鍵盤構造に相互に接続する
接点の個数を最小にすることができる。

本発明によれば、特に電子楽器のタッチボードを構成す
るのに適した多重タッチスイッチ装置が提供される０本
発明による多重タッチスイッチ装置では、スイッチ装置
の１個の導体が異なった周波数を有する２個以上の信号
を混合する働きを果し、これにより和音（コード）を発
生させることができる。

第１２図には単一の接触圧力が加えられた時、和音を発
生する多重タッチスイッチ装置３１０の部分断面図が示
されている。多重タッチスイッチは機能的に２ｇ以上の
組に分けられた複数の個々に電気的に分離したスイッチ
を有している０個々の組は和音スイッチを具備している
。複数のコードスイッチはキーボードを形成するため並
んで配列されている。特に、多重タッチスイッチ装置３
１０は、堅い可塑性の絶縁物質が、弾性的に変形可能な
マイラーのような物質から作られている第１の支持！３
２０を有する。複数の多重セグメントを有する導電層３
２２は、第１の支持Ｉｒ！Ｊ３２０の上面３３２に取り
付けられる。導電Ｎ３２２の各々は、個々に電気的に絶
縁されたスイッチ３２５．３２７，３２９，３３１の一
方の接点に対応する導体３２４，３２６，３２８，３３
０を有する１個の和音スイッチを示す、単一の接触力が
加えられると、和音が発生される本発明の実施例におい
て、数個の電気的に絶縁された導体３２４゜３２６．３
２８．３３０は、操作者の指が５重タッチスイッチ装置
３１０を押した時、導体３２４゜３２６．３２８．３３
０の上面が接触でき、これによりスイッチ３２５，３２
７，３２９，３３１の全てを閉成するように互いに十分
接近して配置される。

導体３２４，３２６，３２８と３３０は導ＴＬ物質から
なる単一層であってもよいが、好ましくはこれ等導体の
各々は第１の支持層３２０の上部に取り付けられた導体
層と、その導体層を全面を覆う半導体の非常に薄い沿う
を形成するため、吹きつけ、肢覆３Ｉ！断、静電的メツ
キ、真空薫着あるいは他の方法で配置された半導体層か
ら形成される。

例えば導体３２４は半導体Ｎ３２６が上部に形成された
導体層３３４を有する。

導体３２４，３２６，３２８．３３０は必要な電気的絶
縁を得るため、横方向に互いに分離している、絶縁スペ
ーサーが和音スイッチを形成する導体間には使用されて
いないので、演奏者の指をタッチスイッチの表面上に滑
らせるだけで和音の滑らかな切り替えを達成することが
できる。一方多重セグメント導体層３２２すなわち和音
スイッチを囲むために絶縁スペーサーは必要である。た
とえば第１３図の実施例において、上面３７２上に配置
された複数の個々に電気的に絶縁されたスイッチの組は
スペーサー３３８によって囲まれている。

更に５重タッチスイッチ装置３１０は、全てのコードス
イッチに共通な単一の導体層３４２が取りｒ・ｔけられ
た底面３４０を有する第２の支持層３４４を具備してい
る。導体＠３４２は第２の支持層３４４の底面３４０に
メツキ、吹きつけ、静電メツキあるいは他の適当な方法
により形成される。

必ずしも必要ではないが好ましくは第２の半導体層３４
６が導体層３４２の他方の表面に形成される。第２の支
持層３４４、導体層３４２と半導体＠３４６からなる構
造は、横のスペーサー３３８に、半導体層３４６がコー
ドスイッチの半導体層に対して配置されるように取り付
けられる。第２の支持層３４４、導体層３４２と半導体
層組成層３４６は弾性的に変形可能であり、このため多
重タッチスイッチ装置３１０を指で押すと、半導体層３
４６が導体３２４，３２６，３２８，３３０の組の１つ
の半導体層の１個以上と電気的に接触する。

したがって、１個のコードスイッチに対応するスイッチ
３２５，３２７，３２９．３３１の各々は独立のスイッ
チ動作し、これ等のスイッチの全部あるいは幾つかが同
時に開成する。

第１２図に示すように単一の高周波信号を発生する電圧
制御発振器（ＶＣＯ）３５０が公知の最高オクターブ発
生器３５２に接続される。この発生器はたとえば異なっ
た周波数を有する複数の信号を発生させる分周器から成
る。前述した多重タッチスイッチ装置３１０を利用して
和音を発生させるためには、４個のノート（ｎｏｔｅ）
を選びこれ等ノートの個々の周波数を確認するだけでよ
い、和音を構成する周波数の１つを出力するオクターブ
発振器出力線は導体３２４，３２６，３２８．３３０の
１つに接続され、同様に残りの導体は池の運ばれた周波
数の出力信号含出力するオクターブ発生器３５２の適当
な出力に接続される。したがって接触力が多重タッチス
イッチ装置３１０に加えられた場き、半導体層３　＝１
６は押し下げられて導体３２４．３２６．３２８．３３
０の１個以上の半導体層と接触するようになる。このた
め異なった周波数を有する１つ以上の信号が単一の導体
層３４２に結きされて、ここで混きされて増巾器３５・
１に入力され、その峡スピーカ３５Ｇにより音声に変換
される。

図示した例では導体３２４の導体層３３１１がコードの
根音の周波数を出力するオクターブ発生器３５２の出力
端子に接続されている。更にコードの根音をより簡ｒｉ
ｉに演奏するようにするために、導体３２４は池の３２
Ｇ、３２８．３ＥＯより巾広く形成されている。

もしも演奏者が異なった周波数の４種のノー１〜を有す
る和音と演奏しようとＶる場きには、半導体層３１１６
を導体３２１１．３２６，３２８，３３０の各々に接触
せしめる位置に接触力を加えさえずればよい、コードか
らある和音を削除しようとする場６には、演奏者は指を
わずかに動かして接触圧を除去し、１個以上のスイッチ
を解放すればよい。即ち、半導体層３・１６と導体３２
・１．３２す１３２８．３３０上の１個以上の半導水Ｒ
Ｊとの間の接触は第２の支持層３４４が弾力性を有する
ため、接触力が取り除かれた場りに開放する。

上記の記載は・ｉｅの導体３２４，３２６．３２８と３
３０に関してなされているが、明らかに本発明の趣旨か
ら逸脱しないならば任意の個数のスイッチが各コードス
イッチに利用されてもよい。

更に演奏者が種々の異なった和音を単独にあるいは組み
合せて演奏できるようにするため、数個のコードスイッ
チを一列にキーボード状に配列することができる。数個
のコードスイッチが一列にキーボード状に配列された場
き、第２の支持層３４４、導体層３４２と半導体層３４
６はキーボードを形成するコードスイッチ全てに対し同
じものでもよい。

多重タッチスイッチ装置３１０はキーボードスイッチ配
列に積み重ねられる単一の開閉スイッチを備えていても
よい、たとえば、第１２図において第１の開閉スイッチ
導体３６０は第２の支持層３４４の上面に配置され、第
２の開閉スイッチ導体３６２は第１の開閉スイッチ導体
３６０に面するよう第３の支持層３６４の底面上に配置
されている。第１の開閉スイッチ導体３６０と第２の開
閉スイッチ導体３６２は、たとえば第２の支持層３４４
と第３の支持層３６４との間に固着された長方形断面を
有するストリップからなるスペーサー３６６によりお互
いに隔てられ常開スイッチ形筈にある。

１つの使用例では、開閉スイ・・ｌチは、電圧源３６１
と電圧制御発振３（ｖｃｏ＞とオクターブ発生器との間
に接続される。このためキーボードが操作されない間は
電力はｖＣＯやオクターブ発生器に供給されない。

第１３図にはそれぞれが４個の導体３７０の組３２２を
有する複数のコードスイッチ３７２の上部断面図が示さ
れている。前に説明したように電気的に絶縁された導体
３７０の各々は第１２図に示したオクターブ発生器３５
２のある出力に結きされた個々のスイッチを示している
。スイッチが第１２図の半導体層３４６と導体３７０を
接触させることによりｍじられると、オクターブ発生器
からのある信号は異なった周波数を有する他の信号と半
導体層を通じて結合され、第１の導体層３４２上で混合
する。

第１４図には、第１２図の多重セグメントの導体層３２
２が４個の電気的に絶縁された導体よりはむしろ単一の
連続した導体からなる本発明の他の実施例が示されてい
る。この例ではキーボードは各導体を第１２図に示すオ
クターブ発生器３５２からの出力に接続することにより
形成される。特に第１４図には多数の電気的に連続した
導体３８０゜３８２．３８４が示されており、個々のス
イッチを常開状態に保つため各導体はスペーサー３９０
によって囲まれている。

第１５図には、第１４図で示された多重スイッチ装置の
断面が示されている。導体３８０．３８２と３８４は第
１の支持層３７９上に配置され、スペーサー３９０が導
体３８０，３８２，３８４間に配置されている。

導体３８０は、第１の支持層３７９の上面上に位置した
導体層３８７と導体層３８７の上面を覆う半導体Ｒ３８
８を有している。

導体Ｍ３９３と半導体層３９４とを重ねて固定された低
面を有する第２の支持層３９２は前述の方法と同様に、
導体３８０．３８２．３８４と対向するようにスペーサ
ー３９０の上部に取り付けられている。

第１５図の５重スイッチ装πは、付加的な開閉スイフチ
を積み重ねることができる。この開田スイッチは、導体
層３９７を第２の支持層３９２の上面に形成し、更に導
体層３９７と対向する第３の支持層３９５の下面に導体
層３９６を形成することにより作ることができる。支持
層３９５はスペーサー３９８により隔てられている。

次に第１６図を参照する０本発明に基づく圧力変換器は
堅い基体部材４１２、下部４１６と上部４１８を有する
折り曲げられた柔軟な基本部材４１４、ダイヤフラムス
ペーサー４２２、弾力性のある変形可能なダイヤフラム
／１２４と保持リング４２６を有している。

第１７図には、柔軟な基体部材４１４が折り曲げられて
いない状態で示されている。基体部材４１４４、：は、
下部円形部４１６から延びた接続部４２８が設けられて
いる。下部円形部はヒンジ部４３４によって上部円形部
４１８に取り１十けられている。第１の導体４３６が基
体部材４１４上の下部４１６の中心部に接点バド４４０
を設けるため接続部４２８から長するようにして配置さ
れる。

第２の導体４３８が接続部４２８から始まり、下部４１
６の周囲の半円状の通路な通ってヒンジ部４３４を横切
り上部４１８の中心部に終って、接点バド４４２を形成
するように基体部材・１１４上に配置される。第１の導
体４３６と第２の導体４３８は基体部材４１４の表面に
沿って、お互いに電気的に絶縁されている。

第１の導体４３６と第２の導体４３８は前述した実施例
と同様に形成される基体表面上の選択された領域に配置
された銀の非常に薄い層である。

接点パド４４０，４４２、上部と下部４１８，４１６は
任意の望ましい形状に形成することができる。しかしな
から接点パド４４０と４４２は両方共同じ形状を有して
いなければならず、また上部４１８が折り曲げ線４４４
に沿って折り曲げられたとき、接点パド４４２と接点パ
ド４４０とが縦方向に整列し、上部４１８が下部４１６
の方へ押されると、接点パド４４０と４４２との間に電
気的導通が生じるように、それぞれ下部４１６と上部４
１８上に位置付けられていなければならない。

上１４１８を下部４１６に接触せしめる圧力の変化に応
答して、第１と第２の導体４３６，４３８間の電圧降下
を変化させるために、半導体７１１４４６を円形接点バ
ド４４０を含む第１の導体４３６を被覆するように形成
する。同様に、必ずしも必要でないが、半導体層４４８
を、接点バド４４２を特に含む第２の導体４３８を被覆
するように形成する。半導体層は前述した実施例の場合
と同じように作ることができる。

再び第１６図を参照する。好ましくは１．２７Ｘ１０ツ
からｉ、ｚ’ｙｘｔｏ−ｔセンチの範囲の藩いマイラー
からなる柔軟な基体部材は、ドーナツ形のスペーサー４
２０をサンドイッチする形に折り曲げられる。接点パド
４４０と４４２とが間隔を置いて対向するように下部４
１６と上部４１８を保持しつつ、粘着性物質をスペーサ
ー４２０の上面及び下面に付着する。柔軟な基体の下部
４１６の下面４２８は基体部材４１２の上面４５０に接
着される。こうして、柔軟な基体４１４の下部４１６は
堅い基体４１２により強固に保持され、一方晶体４１４
の上部４１８は下部４１６と接触するように縦方向に動
かせる。

第１６図と第１７図に示される実施例においてスペーサ
ー４２０は、柔軟な基体４１４の下部４１６と上部４１
８を周囲全体に亘り、あるいは少くともその大部分に接
着させるように配置されている。ある場合にはスペーサ
ーは適当な形状の両面粘着テープであってもよい。

もしもスペーサー４２０が柔軟な基体４１４の上部４１
８と下部４１６をその周囲全体に亘って接着する場合に
は、スペーサー４２０に形成される空間と変換器４１０
の外側との間に呼吸孔４２９を形成する必要がある。ス
ペーサー４２０によって形成される空間に入り込まない
ことが望ましい湿気は、圧力の変化が加えられるダイヤ
フラム４２４の側に存在することは明らかである。孔４
２９は反対側にあるので、好ましくない湿気がスペーサ
ー４２０によって形成される空間に入り込むことを防止
できる。

弾性的に変形可能なダイヤフラム４２４が次に柔軟な基
体部材の上部４１８に接着されたダイヤフラムスペーサ
ー４２２の上面に接着される。スペーサー４２２は正方
形か長方形の断面をした環状かドーナツ形の部材であっ
てもいいし、又両面接着テープで形成してもよい、；の
結果ダイヤフラム４２４の周辺縁は、基体部材４１４の
上部４１８に対して空間的に隔った関係にある。しかし
なから、柔軟な基体部材４１４の上部４１８を増減する
圧力に対し連続的に応答させるために、ダイヤフラムス
ペーサー４２２の端から接方向に隔ったダイヤフラム４
２４の中央部が基体部材４１４の上部４１８の上面に接
着される。したがって、ダイヤフラム４２４に対して加
えられている圧力が増加すると、上部４１８は半導体組
成で被覆されたパド４４２が半導体組成で被覆されたバ
ドと電気的に導通状態になるまで下に押し下げられる。

上部４１８に対して加えられる圧力が大きくなればなる
程、上下の接点゛バド４４２と４４０間の接触抵抗は小
さくなり、第１と第２の導体４３６と４３８間の電圧降
下は小さくなる。

圧力が減じると、たとえばダムラバーのような伸縮性の
あるゴノ、から形成されたダイヤフラム４２４の固有の
弾性のため、上部４１８が下部４１６から離れるように
引張られ、上下接触バド４４０゜４４２間の接触抵抗が
増加する。ダイヤフラム４２４に対して加えられる力が
十分小さくなると、上下の接点バド４４０，４４２間の
接触が切れて、抵抗が無限大になる。

好ましくはダイヤフラム４２４は保持リング４２６によ
りダイヤフラムスペーサー４２２の上部に接着される。

保持リング４２６は、ダイヤフラノ、４２４がその保持
リング４２６とダイヤフラムスペーサー４２２との間に
確実に平担に保持されるようにダイヤフラム４２４の周
囲に接着される。第１８図と第１９図には本発明の別の
実施例が示されていて堅い基体・１１２、柔軟な基体４
６０、ダイヤフラムスペーサー４２２、ダイヤフラム・
１２４と堅い保持部材４２６からなる。前述の実施例の
ように柔軟な基体部材４６０の下部４６２の下面は堅い
基体４１２に接着されている。更に、スペーサー４２２
はダイヤフラム４２４を柔軟な基本部Ｎ４６０に接着し
ている。ダイヤフラノ−４２４の中央部は、柔軟な基体
部材４６０のフラップ（ｆｌａｐ）部４６４に接着され
る。

第１９１２に示すように、柔軟な基体部材４６０は円形
のフラップ部４６４にヒンジ部４６８によって結合され
た円形の下部４６２を有している。

前記フラップ部は下部４６２より小径である。スペーサ
ー４６６は下部４６２の周囲に接着されている。スペー
サー４６６はフラップ部４６４のに面精より大きな面精
を有する中央部をもったー最には正方形か長方形の断面
の環状のスペーサーである。フラップ部４６４が下部４
６２に被さるように折り曲げられた場き、ヒンジ部４６
８を除き両者はその周囲で付着することはない、このた
めフラップ部４６４をスペーサー４６６によって囲まれ
た領域でヒンジ部４６８を中心として垂直方向に自由に
動かせることができる。

第１７図に関連して前に曳明したと同じように、第１の
導体４７０は接続部４７２から延びて柔軟な基体４６０
の第１の部分４６２に中心に位置した接点パド４７４を
形成している。基体４６０に配置された第２の導体４７
６は、接続部４７２から第１の部分４６２の周囲、ヒン
ジ部４６８を通ってフラップ部４６４の中心に位置した
接点パド４７８を形成している。適当な半導体層４８０
が少なくとも接点バド４７４を、必要に応じて接点パド
４７８を覆うように形成されている。接点バド４７４と
４７８は折り曲げ線４８６の反対側で対称に位置付けら
れており、このためフラップ部４６４が折り曲げ線４８
６に沿って折り曲げられたＰ５き、接点バド４７８は接
点バド４７４と向き合うようになる。

フラップ部４６４が加えられた空気圧の増減に応答して
柔軟な基本の下部４６２の方向へ、あるいはそこから湘
れる方向へ適切に動くようにするため、接点パド・１７
８が配置されているフラップ部・１６４の面と反対側が
ダイヤフラムスペーサー４２２の内端部から横方向に隔
たったダイヤフラムの中央部でダイヤフラムの下面に接
着される。

こうして折り返し部４６４は弾力性のある変形可能なダ
イヤフラム４２４が動くにつれて動き、ダイヤフラム４
２４に対し加えられる圧力の変化に応答して接点パド４
７４と接点バド４７８間の接触抵抗が変化する。

本発明に基づく圧力変換装置は多くの装置にで・起用す
ることができる。しかしなから特に第２０図に示されて
いるような電気サキソフオンのような装で５００に使用
すると有利である。この装置はマウスピース５０２、エ
アーチャンパラ０４、ダイヤフラムがチャンパラ０／１
に向って内側に向くようにチャンバ５０４の端に配置し
た本発明による圧力変換器５０６からなる。プラグ５１
０が圧力変換器５０６を固定するためサキソフオン装置
のオリフィスの端部５０８に挿入されている。付加的な
圧力変換装置５１２をくちびるで加圧されるようマウス
ピースに設けるようにしてもよい。

コネクタ５１４は第１７図と第１９図のコネクタ４２８
．４７２に、あるいは、後に表明する第２１図のコネク
タ５３２に接続される。適当な電子業音発生回路のよう
な電気回路５１６が電気回路５１Ｇにより作り出される
楽音の例えば音量をチャンパラ０４中の空気圧の変１ヒ
に基づき変化させるようにコネクタ５】４に接続される
。こうして使用者がマウスピース５０２中に強く息を吹
きこめば吹きこむ程チャンバ５０４中の圧力が高くなり
、増々音量は大きくなる。

第２１図には本発明に基づく別の圧力変換器が示されて
いる。この例では圧力変換器はたとえば柔軟か堅いたと
えばＰＣ板のような第１の支持部材５３０と支持部材５
３４と第１の支持部材５３０から延びたコネクタ部５３
２から構成されている。

図示されていないがスペーサーが第１９図に関連して説
明したものと同じように第１の支持部材の周囲に接着さ
れる。

第１の支持部材５３０と第２の支持部材５３４は分前じ
たものとして示されているが、第１７図と第１９図に示
した実施例のようにヒンジ部によって結合された一体の
部材であってもよい、しかし、第２の支持部材はただ単
にシャントサポート（ｓｌ＋ｕｎｔ　　５ｕｐｐｏｒｔ
）を形成するだけであるので、後述するようにこの実施
例ではヒンジ部に導電リンクを設ける必要はない、この
ため第２の支持部材５３４を第１の支持部材５３０から
分離し、第２の支持部材５３４がダイヤフラムと共に動
くようにダイヤフラムに単に接着するだけでよい、この
ための特に都合のよい方法は、３Ｍコーポレーションで
製造されている印刷可能なバックロンテープ（Ｐｍｃｋ
ｌｏｎ　　Ｔａｐｅ）の表面に半導体物質を吹きつける
か被覆することである。半導体で被覆さ・れなテープの
円形ドツトが第１の支持部材５３０に面したダイヤフラ
ム上にはり付けられる。

この実施例による変換装置では第１の導体５４０は第１
の支持部材５３０の表面上に配置されている。第１の導
体５４０は複数のインターデジタル電極指５４４を有す
る第１の接点部材５４２と複数のインターデジタル電極
指５４８を有する第２の接点部材５４６を備えている。

電極指５４４，５４８は電気的に絶縁した関係でお互い
にはさみ込まれている。

第２の導体５５０は、第２の支持部材５３４がダイヤフ
ラムに接着される場合、第２の導体５５０が第１の導体
５４０と上下方向に向ききって配置されるように第２の
支持部材５３４の表面に配置される。

ダイヤフラムに第２の支持部材を固定する前に、半導体
層５５２が第２の導体５５２に被覆され、このためダイ
ヤフラムが動くことにより第１と第２の導体５４０，５
５０が押されてお互いに電気的に導通関係になる時、第
１と第２の導体５４０゜５５０間に接触抵抗が形成され
る。もちろん、半導体層は、第１と第２の導体５４０，
５５０のいずれか一方に配置されればよく、あるいは別
に第２の導体５５０は半導体物質だけで形成するように
してもよい。もし、半導木屑が第１と第２の接点部材上
に配置されている場合には、２個の接点部材上の半導体
物質問に横方向に配置される絶縁空間があることが望ま
しい。又、インターデジタル電極指は任意の形をしてい
てもよいが、たとえば円形の配列で表面上に配置されて
いてもよい。

この実施例においては、第２の導体部材は第１と、第２
の接点部材間の分路として働らく。

スペーサーは好ましくは商業上利用できる粘着テープの
厚さであればよく、好ましい実施例ではマイラーは７．
６２Ｘ１０−３センチの厚さである。接点パドは任意の
適当な大きさと形をしていればよく、たとえば約０．６
：１５〜１．２７センチの径の円であってよい、半導体
テープがダイヤフラムの表面にはり付けられる場合には
スペーサー４２０と４２２（第１６図、第１８図）は唯
１個だけあればよい。

今までの実施例においてチャンバーを形成するため支持
部材あるいは基体部材上にスペーサーを接着させていた
が、その支持部材あるいは基体部材とスペーサーの一体
物一ハウジングーによりチャンバーを形成してもよい。

ところでＭＯＳサーキットリーのような電気回路素子に
は、たとえばスイッチによって入力が切られた場合でも
電力を供給し続ける必要がある。

電池駆動装置においては、この電力流出は大きな問題で
ある０本発明は、ＭＯ３回路からの入力信号を供給ある
いは遮断するのみならず、同時に電力がムダに流出しな
いように回路素子への電力を入力あるいは遮断する新規
な２゛重機能を有するタッチスイッチ装置を提供する。

第２２図に、上述した本発明により解決される機能が示
されている。電源６１０は回路６１２に接続され、それ
に電力を供給し、回路６１２は入力信号を出力信号に変
換する。スイッチ６１４は電源６１０と回１８６１２と
の間に設けられ、回路６１２への電力を供給あるいは遮
断するため開閉できる。同様に池のスイッチ６１６は回
路６１２の入力線に接続され、入力信号を供給あるいは
遮断する。本発明の目的企達成するためスイッチ６１Ｘ
１と６１６は単一の印加圧力に応答して同時に開閉する
ように相互に連結されている。スイッチ６１６に直列に
怒圧可変抵抗を設けるため、スイッチ６１６の接点は感
圧半導体物質を有している。

第２３１１ｍには、柔軟なあるいは堅い絶縁物からなる
第１の支持部材６２０を有する２重機能をもつタッチス
イッチ装置が示されている。第１の支持部材６２０は上
面６２２を有し、その上には第１の導体層６２４が設け
られている。第１の導体層６２４は前述した同様の方法
により形成される銅や銀等の層である。

第２の支持部材６２６もまた、絶縁物からなり、第１の
支持部材６２０上に離隔して配置されている。第２の導
体層６３０は第２の支持部材６２Ｇの底面に位置づけあ
るいは固定され、第１の導体層６２４に＾ｌ隔対向して
配置され“ている。第２の支持部材６２６は弾性変形可
能な物質から作られているので第２の導体層６３０は単
一の縮方向内圧力Ｆにより第１の導体層６２４と接触す
るよう押し下げられる。したがって第１のタッチスｒノ
チ６３２が形成される。

第２のタッチスイッチ６４２もまた同一の圧力Ｆに応答
して動作可能である。第３の導体層６３４は第２の支持
部材６２Ｇの上面に設けられている。

第３の支持部材もまた弾性変形可能な物質から作られて
いて、第２のスペーサー６４０により第３の導体層６３
４上に離隔して配置されている。第４の導体層６３８は
第３の導体層６３４に対向しかつそれと常開状態で、第
３の支持部材６３６の底面に固定されている。第３の支
持部材ＬＩＪＢ６と第４の導体層６３８は、第２のスペ
ーサー６・１０により第２の支持部材６２６と第３の導
体層６３４から離隔されている。第２のスペーサー６７
１０は第３と第４の導体層６３４，６３８の各々を囲ん
で配置されている。

動作の際、第３の支持部材６３６の上面に縦方向の圧力
Ｆが印加されると、第３の支持部材６３６と第４の導体
層６３８は弾性変形して第３の導体層６３４と導通接触
をして第２のスイッチ６４２念閉じ、電、原６４３と利
用回路６４４の電力供給端子間を接続する。更に圧力が
印加されると、第２の支持部材６２６、第３の導体層６
３４と第２の導体層６３０は弾性変形し、第２の導体層
６３０は第１の導体層６２４と導通接触をして第１のス
イッチ６３２が閉じ、利用回路６．１４に入力信号を１
共給する。

本発明の基本的な実施例では、第１．第２．第３゜第Ｘ
１の導体層６２４．６３０．６３４．６３８は各７？適
当な第１．第２．第３の支持部材６２０゜６２６．６３
６上に配置された導体層あるいは導体板からなる。前記
導体層は、今までに既に説明したと同様な物質および方
法とから形成される。

実施例において好ましくは、第１と第２の導体層６２４
，６３０の少なくとも１つの上面にはスイッチと直列に
抵抗を設けるための半導体層が配置されている。特に第
２３［２Ｉによると、第１の半導体層６４８が前述した
方法で第１の導体層６４６の露出面に配置されている。

同様に第２の導体層６３０は第２の半導体層６５２て被
覆された第２の導体層６５０を有する。半導体層はシル
クスクリーン法、スプレー法やその他の方法で配置され
る。

実施例においては好ましくは半導体層は硫化モリブデン
と、適当な樹脂からなるバインダーの混合物から作られ
る。もちろん適当な弾性物質を使用することも可能であ
る。半導体層の厚みは０．００２５４ｃｍ以下である方
が好ましい。前述したように圧力が加えられると半導体
層６５２と６４８間に多数の接触点が形成されるので、
表面接触抵抗が減じる。したがってスイッチと直列に感
圧可変抵抗が形成される。

もちろん第３と第４の導体層６３４，６３８の上面に半
導体層を設は別の可変抵抗を形成することができる。

本発明により開示された２重機能を有するタッチスイッ
チ装置のスイッチ６３２，６４２はほとんど同時に閉じ
るか、実際には第４の導体層６３８と第３の導体層６３
４が接触する時間と第２の導体層６３０と第１の導体層
６２４が接触する時間との間には時間的ずれがある。こ
のため利用回路６４４へ入力信号が与えられる前に、利
用回路６４４に電力が供給される。したがって種々の回
路素子は入力信号が与えられる前に十分ウオームアツプ
され、動作可能な状態にされる。

もちろん本発明の範囲、精神から逸脱しないかぎりこの
２重機能を有するタッチスイッチ装置は任意の異なる方
法で作られる。実施例では２重機能を有するタッチスイ
ッチについて説明したが、多重機能のタッチスイッチ装
置を形成するため２個以上のスイッチを重ね合せて、単
一のタッチスイッチ装置としてもよい、そのスイッチ装
置は本発明の実施例において説明した同様の方法で作ら
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第８図は本発明の詳細な説明するための図
で、第１図は隔てられた２個の導体間に位置した感圧被
覆層を有した感圧アナログスイッチの平断面図、 第２図は感圧アナログスイッチの好ましい平断面図、 第３図は薄い抵抗被覆を導体上に有した感圧アナログス
イッチの平断面図、 第４図は利用回路に接続された覆いをとった感圧アナロ
グスイッチの略図、 第５図はバウンスの生じないスイッチ装置の側断面図、 第６図は２個の半導体層に印加される圧力が増加する場
合の半導体層間の電圧変化を示す圧力と電圧のグラフ、 第７図は第５図に示されるバウンスの生じないスイッチ
の出力を示す図、 第８図は唯一の半導体層を有するバウンスの生じないス
イッチの側断面図である。 第９図は本発明による折り曲げられていない２個の横に
並んだ変換スイッチの分解部分絵画略図である。 第１０図は第９図に示されるスイッチ装置の１０−１０
線の断面図である。　　。 第１１図は本発明の２個の横に並んだスイッチの他の実
施例の分解部分絵画略図である。 第１２図は本発明基づく１つのコードスイッチ構造を示
す部分略図と部分破断面斜視図である。 第１３図は多数のコードスイッチの個々のセグメントを
示す上の覆いを取り去ったコードキーボードの簡略な平
面図である。 第１４図は、この発明に基づく単一のキーボード構成に
利用される電気的に接続された導体配列を示す平面図で
ある。 第１５図は第１４図の唯一のキーボードの電気的に接続
された導体の断面図である。 第１６図はこの発明に基づく圧力変換器の一実施例の分
解断面図である。 第１７図は導体パターンを示すため折り曲げられていな
い第１６図の柔軟な基体部材の平面図である。 第１８図は柔軟な基体の上部がヒンジ部の回りに上下方
向に動くように配置された折り返し部を構成する本発明
に基づく圧力変換器の第２の実施例の分解断面図である
。 第１９図は配置された導体パターンを示すため折り曲げ
られていない第１８図に用いられている柔軟な基体の平
面図である。 第２０図は第１６図および第１８図に示された圧力変換
器を含む楽器の簡単な部分断面図と部分略図である。 第２１図は他の導体の構成を示すために折り曲げられて
いない第１８図に用いられている柔軟な基体の平面図で
ある。 第２２図は本発明の一実施例に基づく２重積重スイッチ
の動作を示す概略図である。 第２３図は本発明の２重機能タッチスイッチ装置の断面
図である。

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. （１）スイッチ装置と、第１の利用回路と、第２の利用
   回路とからなり、前記スイッチ装置は第１の支持部材と
   、第１の支持部材上に配置された第１の導体と、第１の
   支持部材上に配置された第２の導体と、第２の支持部材
   と、第２の支持部材上に配置された第３の導体と、第２
   の支持部材上に配置された第４の導体と、感圧半導体層
   とからなり、前記第１と第２の支持部材は離隔して対向
   配置され、第１と第２の導体と第２とた第４の導体は同
   時に作動するように近接して配置され、前記第１と第３
   の導体とかつ第２と第４の導体はそれぞれ互いに圧力の
   印加に応答して電気的導通関係になるように可動であり
   、前記感圧半導体層は第１と第３の導体対と第２と第４
   の導体対の少くとも１つの導体対間に接触抵抗が形成さ
   れるためにその導体対間に配置され、前記接触抵抗は圧
   力の変化に応答して変化し、前記第１の利用回路は第３
   の導体に接続され、前記第２の利用回路は第２と第４の
   導体に接続されたことを特徴とする楽音発生装置。
2. （２）２重構造のスイッチ装置と、第１の利用回路と、
   第２の利用回路とからなり、前記２重構造スイッチ装置
   は第１の部分と第２の部分を有する折り曲げ可能な支持
   部材と、支持部材の第１の部分に配置された第１の導体
   と、支持部材の第１の部分に配置された第２の導体と、
   支持部材の第２の部分に配置された第３の導体と、支持
   部材の第２の部分に配置された第４の導体と、接触抵抗
   を形成するために第１、第２、第３、第４の導体の少く
   とも１つを覆うために配置された感圧半導体層とからな
   り、前記支持部材は第１と第３の導体が第２と第４の導
   体と離隔し、向き合って配列するために折り曲げられ、
   前記第１と第３の導体及び第２と第４の導体は各々第１
   と第２のスイッチを形成し、第１と第３の導体及び第２
   と第４の導体の各々が電気的導通関係になるように可動
   であり、前記第１と第２のスイッチは圧力に応答して同
   時に動作可能であり、更に前記第１の利用回路は第１と
   第３の導体間に接続され、前記第２の利用回路は第２と
   第４の導体間に接続されたことを特徴とする楽音発生装
   置。
3. （３）上面を有する第１の支持部材と、第１の支持部材
   の上面に配置されお互いに隣接しているが離隔する複数
   の電気的に絶縁した導体セグメントを有する少くとも１
   つの多重セグメント導体層と、上面および底面を有する
   第２の支持部材と、多重セグメント導体層に対向しかつ
   離隔して第２の支持部材の底面に配置された単一の導体
   層と、多重セグメント導体層から単一の導体層を離隔す
   るため多重セグメント導体層間および第１と第２の支持
   部材間に配置されたスペーサとからなり、前記第２の支
   持部材と単一の導体層は圧力の印加に応答して弾性変形
   可能であり、単一の導体層は圧力の印加に応答して少く
   とも１つの多重セグメントと電気的接触をし、前記単一
   の導体層は第２の支持部材の底面に配置された導体層と
   、多重セグメント導体層に面するように導体層上に配置
   された半導体層とからなることを特徴とする多重タッチ
   スイッチ装置。
4. （４）上面を有する第１の支持部材と、第１の支持部材
   の上面に配置されお互いに隣接しているが離隔している
   複数の電気的に絶縁された導体セグメントを有する少く
   とも１つの多重セグメント導体層と、上面および底面を
   有する第２の支持部材と、第２の支持部材の底面に配置
   されかつ複数の導電領域を有する導体層と、抵抗網と、
   多重セグメント導体層から導体層を離隔するため多重セ
   グメント導体層間および第１と第２の支持部材間に配置
   されたスペーサーとからなり、前記導電領域は導体セグ
   メントの１つと対向して配置され、前記第２の支持部材
   と導体層は圧力の印加に応答して弾性変形可能であり、
   抵抗網は圧力が印加された場合電気的に絶縁された導体
   セグメントと導電領域間を電気的に接続することを特徴
   とする多重タッチスイッチ装置。
5. （５）上面を有する第１の支持部材と、それぞれ圧力の
   印加に応答する互いに横方向に離隔して配置された複数
   の導体セグメントと、上面及び底面を有する第２の支持
   部材と、導体セグメントに離隔して対向する第２の支持
   部材の底面に配置された単一の導体層と、導体セグメン
   トから単一の導体層を離隔するため導体セグメント間の
   第１と第２の支持部材間に配置されたスペーサーとから
   なり、前記第２の支持部材と単一の導体層は単一の導体
   層が圧力の印加に応答して導体セグメントの少くとも１
   つと電気的接触関係になるように弾性変形可能であり、
   前記単一の導体層は第２の支持部材の底面に配置された
   導体層と、導体セグメントに面するように導体層上に配
   置された半導体層とからなることを特徴とする多重タッ
   チスイッチ装置。
6. （６）上面を有する第１の支持部材と、圧力の印加に応
   答する互いに横方向に離隔して配置された複数の導体セ
   グメントと、上面および底面を有する第２の支持部材と
   、導体セグメントに離隔して対向する第２の支持部材の
   底面に配置された単一の導体層と、導体セグメントから
   単一の導体層を離隔するため導体セグメント間と第１と
   第２の支持部材間に配置されたスペーサーとからなり、
   前記導体セグメントは第１の支持部材の上面に配置され
   た導体層と導体層上に配置された半導体層とからなり、
   前記第２の支持部材と単一の導体層は圧力の印加に応答
   して弾性変形可能であり、単一の導体層は圧力の印加に
   応答して少くとも１つの導体セグメントと電気的接触を
   することを特徴とする多重タッチスイッチ装置。
7. （７）底面と側壁を有するチャンバーを形成するハウジ
   ングと、チャンバーの底面に隣接して配置された第１の
   導体と、前記底面に平行な上面及び下面とヒンジ部を有
   するフラップと、フラップの下面上に配置された第２の
   導体と、第１と第２の導体の少くとも一方を覆うため配
   置された感圧半導体層と、チャンバーを閉じるためにチ
   ャンバーの底面に離隔してハウジングに取り付けられた
   ダイヤフラムとからなり、前記フラップはヒンジ部の回
   りで可動であり、前記ダイヤフラムはハウジングから離
   れた中央部でフラップの上面に接着され、第２の導体は
   ダイヤフラムに加えられる圧力の変化に応答して第１の
   導体と電気的導通関係になるためにフラップと共に可動
   であることを特徴とする圧力変換器。
8. （８）底面と側壁を有するチャンバーを形成するハウジ
   ングと、チャンバーの底面に隣接して配置された第１の
   導体と、チャンバーを閉じるため底面に離隔してその周
   囲がハウジングに取りつけられるたダイヤフラムと、ハ
   ウジングから横方向に離隔した中央領域でダイヤフラム
   に接着された第１の支持部材と、第１の支持部材に配置
   された第２の導体と、第１と第２の導体の少くとも１つ
   を覆うために配置された感圧半導体層とからなり、前記
   第２の導体は、ダイヤフラムに印加される圧力の変化に
   応答して第１の導体と電気的導通関係になるようにダイ
   ヤフラムと共に可動することを特徴とする圧力変換器。
9. （９）第１の部材と、第の部材上に配置された第１の導
   体接点と、第２の部材と、第２の部材上に配置された第
   ２の導体接点と、第１と第２の導体接点間に可変な接触
   抵抗を形成させるために第１と第２の部材上第１と第２
   の導体接点の少くとも１つを覆う感圧半導体層と、印加
   される力の変化に応答して弾性的に動くダイヤフラムと
   からなり、前記第２の導体接点は動いて第１の導体接点
   と電気的導通関係になるように第１の導体接点から離隔
   していて、前記ダイヤフラムはその周囲が第２の部材と
   離隔していてかつその中央部は第２の導体接点が第１の
   導体接点と電気的導通関係になるように第２の部材に取
   りつけられていることを特徴とする圧力変換器。
10. （１０）基体部材と、基体部材上に固定された第１の導
    体と、第１の導体を囲み基体部材上に固定された中央に
    空間を有する第１のスペーサーと、上面と下面を有しか
    つ第１の導体と離隔する第１のスペーサーに取り付けら
    れたヒンジ部を有するフラップと、第１の導体に面する
    フラップの下面に配置された第２の導体と、第１と第２
    の導体の少くとも１つを覆うために配置された感圧半導
    体層と、フラップを囲む第１のスペーサー上に固定され
    た中央に空間を有する第２のスペーサーと、フラップが
    設けられたチャンバーを閉じるために第２のスペーサー
    の中央の空間を覆って第２のスペーサーの周囲に固定さ
    れたダイヤフラムとからなり、前記第２の導体は第１の
    導体と接触するためにフラップと上下方向に動き、前記
    フラップの上面は第２のスペーサーから横方向に離れた
    中央部でダイヤフラムに接着され、前記第２の導体はダ
    イヤフラムに印加される力に応答して第１の導体と電気
    的導通関係になるようフラップと共に可動であることを
    特徴とする圧力変換器。
11. （１１）基体部材と、上面と底面を有する上部と基体に
    固定された底部とを形成するため折り曲げ可能な柔軟な
    基体部材と、底部上の第１の位置で柔軟な基体部材上に
    配置された第１の基体と、上部の底面上の第２の位置で
    柔軟な基体部材上に配置された第２の導体と、第１と第
    ２の導体の少くとも１つを覆うために配置された半導体
    層と、柔軟な基体部材の上部をその下部から離隔するた
    めに柔軟な基体部材に固定された第１のスペーサーと、
    柔軟な基体部材の上部の上面にその周囲を固定された第
    ２のスペーサーと、その周囲が柔軟な基体部材の上部か
    ら離隔する位置で第２のスペーサーに固定されたダイヤ
    フラムとからなり、前記柔軟な基体部材は前記第２の導
    体が前記第１の導体に面して配置されるように折り曲げ
    られ、基体部材の上部は下部と導通関係になるように可
    動であり、前記ダイヤフラムは第２のスペーサーから横
    方向に離隔した中央部で柔軟な基体部材の上部の上面に
    取りつけられていることを特徴とする圧力変換器。
12. （１２）上面を有する第１の支持部材と、第１の支持部
    材の上面に配置された第１の導体層と、上面と第１の支
    持部材の上面に面する底面とを有しかつ第１の支持部材
    から離隔した第２の支持部材と、第１の導体層に離隔し
    て対向しかつ第２の支持部材の底面に固定された第２の
    導体層と、第２の支持部材上の上面に配置された第３の
    導体層と、上面と第２の支持部材の上面に離隔して対向
    する底面とを有する第３の支持部材と、第３の支持部材
    の底面に配置されかつ第３の導体層に離隔して対向する
    第４の導体層とからなり、第１と第２の導体層は第１の
    スイッチを形成し、第３と第４の導体層は第２のスイッ
    チを形成し、第１と第２の導体層の少くとも１つは第１
    と第２の支持部材の一方に取り付けられた導体層と導体
    層上に固定されかつ第１と第２の支持部材に離隔対向し
    て配置された半導体層とからなり、第２と第３の支持部
    材は少くとも弾性変形可能であり、縦方向の力の印加に
    応答して第１と第２の導体層間及び第３と第４の導体層
    間を電気的に接触させるように第１と第２のスイッチが
    積重して配置されたことを特徴とする２重機能のタッチ
    スイッチ装置。
13. （１３）単一の縦方向の接触力に応答して閉じるため積
    重された複数のタッチスイッチからなり、各々のタッチ
    スイッチは第１の導体層と第１の導体層に離隔対向して
    配置された第２の導体層とからなり、第１と第２の導体
    層の少くとも１つは弾性変形可能で接触力の印加により
    第１と第２の導体層の他の一方と電気的に接触し、積重
    配置されたタッチスイッチは電気的に独立していること
    を特徴とする多重機能タッチスイッチ。
14. （１４）０．００２５４センチ以下の均一な厚みの半導
    体層を平担に分布させるものにおいて結果的に得られる
    乾いた半導体層の微粒子状の硫化モリブデンに対するバ
    インダーの重量比を約１：１としかつバインダーと微粒
    子状の硫化モリブデンがスプレー可能な濃度になるよう
    バインダー溶媒を選んで微粒子状の硫化モリブデン、バ
    インダーとバインダー溶媒の混合物からなる溶液を準備
    し、前記溶液を十分均一な厚みの湿った半導体層を形成
    するため表面にスプレーし、スプレーされた溶液を乾か
    すことを特徴とする半導体層の製造方法。
15. （１５）０．００２５４センチ以下の均一な厚みの半導
    体層を平担に分布させるものにおいて、結果的に得られ
    る乾いた半導体層の微粒子状の硫化モリブデンに対する
    バインダーの重量比を約１：１としかつバインダーと微
    粒子状の硫化モリブデンがスクリーン可能な濃度になる
    ようバインダー溶媒を選んで微粒子状の硫化モリブデン
    、バインダーとバインダー溶媒の混合物からなる溶液を
    準備し、前記溶液を十分均一な厚みの混った半導体層を
    形成するため表面にスクリーンし、スクリーンされた溶
    液を乾かすことを特徴とする半導体層の製造方法。