JPH01120883A - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置およびその製造方法Info
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- JPH01120883A JPH01120883A JP27851787A JP27851787A JPH01120883A JP H01120883 A JPH01120883 A JP H01120883A JP 27851787 A JP27851787 A JP 27851787A JP 27851787 A JP27851787 A JP 27851787A JP H01120883 A JPH01120883 A JP H01120883A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、信頼性を高（した半導体レーザ装置および
その製造方法に関するものである。
その製造方法に関するものである。
第３図は、例えばＡ ｐｐｌ、 Ｐ ｈｙｓ、 Ｌ ｅ
ｔｔ、 ５０ （１９８７）ｐｐ２３３に記載された従
来の埋込みへテロ構造レーザ（以ドＢ Ｈレーザと略す
）装置を示す断面図である。
ｔｔ、 ５０ （１９８７）ｐｐ２３３に記載された従
来の埋込みへテロ構造レーザ（以ドＢ Ｈレーザと略す
）装置を示す断面図である。
この図において、１はｎ型（以下ｎ−と略す）ＧａＡｓ
からなる基板、２は前記基板１上に設けられた順メサ状
のストライプ状凸部を有するｎＡ １６．４ＳＧ ａ＠
、 ！ＩＡｓからなる第１クラッド層、３は前記第１ク
ラッド層２の順メサ状のストライプ状凸部上に設けられ
たｐ型（以下ｐ−と略す）Ａ ｊ Ｏ，ＩＳＧ ａ＠、
５ｉＡｓからなる活性層、４は前記第１クラッド層２
のストライプ状凸部以外の領域および前記活性層３上に
設けられたｐ−Ａｒ１．４＠Ｇａ。、＠＠Ａｓからなる
第２クラッド層、５は前記第２クラッド層４上に設けら
れたｐ−ＧａＡｓからなるコンタクト層、６はＪ電極、
７はｐＯＦｌ電極である。
からなる基板、２は前記基板１上に設けられた順メサ状
のストライプ状凸部を有するｎＡ １６．４ＳＧ ａ＠
、 ！ＩＡｓからなる第１クラッド層、３は前記第１ク
ラッド層２の順メサ状のストライプ状凸部上に設けられ
たｐ型（以下ｐ−と略す）Ａ ｊ Ｏ，ＩＳＧ ａ＠、
５ｉＡｓからなる活性層、４は前記第１クラッド層２
のストライプ状凸部以外の領域および前記活性層３上に
設けられたｐ−Ａｒ１．４＠Ｇａ。、＠＠Ａｓからなる
第２クラッド層、５は前記第２クラッド層４上に設けら
れたｐ−ＧａＡｓからなるコンタクト層、６はＪ電極、
７はｐＯＦｌ電極である。
また、第４図（”）ｐ （ｂ）は、第３図に示したＢＨ
レーザ装置の製造方法を説明するための図であり、８は
レジストパターンである。
レーザ装置の製造方法を説明するための図であり、８は
レジストパターンである。
次に動作について説明する。
ｐ側電極７とｎ側電極６の間にｐ側電極７が正となるよ
うなバイアスを印加すると、第３図中の矢印で示される
経路で電流が流れる。これはストライプ状凸部以外の場
所では、ｐｎ接合は第２クラッド層４と第１クラッド層
２により構成され、その拡散電位がストライプ状凸部の
活性層３と第１クラツドＨ２により構成されるｐｎ接合
の拡散電位よりも大きいためであり、ストライプ状凸部
以外の部分には電流が流れない。そして、活性層３内に
注入された正孔および電子は輻射再結合して光を放出し
、電流を多（流していくと誘導輻射が始まり、やがてレ
ーザ発振に至る。
うなバイアスを印加すると、第３図中の矢印で示される
経路で電流が流れる。これはストライプ状凸部以外の場
所では、ｐｎ接合は第２クラッド層４と第１クラッド層
２により構成され、その拡散電位がストライプ状凸部の
活性層３と第１クラツドＨ２により構成されるｐｎ接合
の拡散電位よりも大きいためであり、ストライプ状凸部
以外の部分には電流が流れない。そして、活性層３内に
注入された正孔および電子は輻射再結合して光を放出し
、電流を多（流していくと誘導輻射が始まり、やがてレ
ーザ発振に至る。
このようなりｌ（レーザ装置においては、レーザ光が装
置の縦方向では活性層３と第１クラッド層２および第２
クラツドＨ４の間の実屈折率差により閉じ込められる。
置の縦方向では活性層３と第１クラッド層２および第２
クラツドＨ４の間の実屈折率差により閉じ込められる。
また、装置の横方向では活性Ｈ３と第２クラッド層４の
間の実屈折率差により閉じ込められる。
間の実屈折率差により閉じ込められる。
次に製造方法について説明する。
まず、第１回目の結晶成長で基板１上に有機金属熱分解
法（以ＦＭＯＣＶＤ法と略す）により第１クラッド層２
および活性層３を順次エピタキシャル成長させる（第４
図（ａ））。
法（以ＦＭＯＣＶＤ法と略す）により第１クラッド層２
および活性層３を順次エピタキシャル成長させる（第４
図（ａ））。
次に、写真製版技術を用いてエピタキシャルウェハ上に
ストライプ状のレジストパターン８を作成したのち、と
のストライプ状のレジストパターン８をマスクとして第
１クラッド層２のなかばまでストライプ部以外をエツチ
ングにより除去する（第４図（ｂ））。
ストライプ状のレジストパターン８を作成したのち、と
のストライプ状のレジストパターン８をマスクとして第
１クラッド層２のなかばまでストライプ部以外をエツチ
ングにより除去する（第４図（ｂ））。
この後、レジストパターン８を除去して、第２回目の結
晶成長により第２クラッド層４およびコンタクト層５を
順次エピタキシャル成長させたのち、最後にｎ側電極６
およびｐ側電極７を蒸着などにより形成すれば第３図に
示した半導体レーザ装置が得られる。
晶成長により第２クラッド層４およびコンタクト層５を
順次エピタキシャル成長させたのち、最後にｎ側電極６
およびｐ側電極７を蒸着などにより形成すれば第３図に
示した半導体レーザ装置が得られる。
上記のような従来のＢＨ半導体レーザ装置では、活性層
３が第１回目の結晶成長と第２回目の結晶成長の間に大
気にさらされるので、活性層３上に酸化膜（図示せず）
が生じ、装置の信頼性が低いという問題点があった。
３が第１回目の結晶成長と第２回目の結晶成長の間に大
気にさらされるので、活性層３上に酸化膜（図示せず）
が生じ、装置の信頼性が低いという問題点があった。
また、レーザ光が装置の上下方向、左右方向ともΔｎ＝
０．２０程度のかなり大きな屈折率差で閉じ込められる
構造となっているため、先出カー動作電流特性において
キンクが生じ易いうえ、ｐｎ接合に平行な遠視舒像にリ
ップルが生じ易いという問題点があった。
０．２０程度のかなり大きな屈折率差で閉じ込められる
構造となっているため、先出カー動作電流特性において
キンクが生じ易いうえ、ｐｎ接合に平行な遠視舒像にリ
ップルが生じ易いという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、信頼性が高（、光出力−動作電流特性においてキ
ンクが発生しに＜＜、かつｐｎ接合に平行な遠視舒像に
リップルが生じにくい半導体レーザ装置およびその製造
方法を得ることを目的とする。
ので、信頼性が高（、光出力−動作電流特性においてキ
ンクが発生しに＜＜、かつｐｎ接合に平行な遠視舒像に
リップルが生じにくい半導体レーザ装置およびその製造
方法を得ることを目的とする。
Ｌ問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体レーザ装置は、第１導電型の基板
上に設けられた逆メサ状のストライプ状凸部を有する第
１導電型の第１クラッド層と、この第１クラッド層のス
トライプ状凸部上に設けられた活性層と、この活性層上
に設けられた第２導電型の第２クラッド層と、第１クラ
ッド層のストライプ状凸部以外の領域および第２クラッ
ド層上とに設けられた第２導電型の第３クラッド層と、
この第３クラッド層上に設けられて第１クラッド層のス
トライプ状凸部から少なくとも第２クラッド層の一部ま
でを埋め込む第２導電型の第４クラッド層と、この第４
クラッド層上に設けられた第２導電型のコンタクト層と
から構成し、第３クラッド層の禁制帯幅を活性層の禁制
帯幅よりも広くするとともに、第４クラッド層の屈折率
を活性層の屈折率よりも小さ（、かつ第１クラッド層お
よび第２クラッド層の屈折率よりも大きくしたものであ
る。
上に設けられた逆メサ状のストライプ状凸部を有する第
１導電型の第１クラッド層と、この第１クラッド層のス
トライプ状凸部上に設けられた活性層と、この活性層上
に設けられた第２導電型の第２クラッド層と、第１クラ
ッド層のストライプ状凸部以外の領域および第２クラッ
ド層上とに設けられた第２導電型の第３クラッド層と、
この第３クラッド層上に設けられて第１クラッド層のス
トライプ状凸部から少なくとも第２クラッド層の一部ま
でを埋め込む第２導電型の第４クラッド層と、この第４
クラッド層上に設けられた第２導電型のコンタクト層と
から構成し、第３クラッド層の禁制帯幅を活性層の禁制
帯幅よりも広くするとともに、第４クラッド層の屈折率
を活性層の屈折率よりも小さ（、かつ第１クラッド層お
よび第２クラッド層の屈折率よりも大きくしたものであ
る。
また、この発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、
第１導電型の基板の（１０Ｇ ）面上に、第１回目の結
晶成長で第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、第
２導電型の第２クラッド層とを順次エピタキシャル成長
させる工程と、第２クラッド層上から第１クラッド層途
中まで選択的にエツチングを行って〈０１１〉方向にス
トライプ状凸部を形成する工程と、第２−目の結晶成長
で第２導電型の第３クラッド層と、第２導電型の第４ク
ラッド層と、第２導電型のコンタクト層を順次エピタキ
シャル成長させる工程とを含むものである。
第１導電型の基板の（１０Ｇ ）面上に、第１回目の結
晶成長で第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、第
２導電型の第２クラッド層とを順次エピタキシャル成長
させる工程と、第２クラッド層上から第１クラッド層途
中まで選択的にエツチングを行って〈０１１〉方向にス
トライプ状凸部を形成する工程と、第２−目の結晶成長
で第２導電型の第３クラッド層と、第２導電型の第４ク
ラッド層と、第２導電型のコンタクト層を順次エピタキ
シャル成長させる工程とを含むものである。
この発明の半導体レーザ装置においては、第１クラッド
層および第２クラッド層よりも屈折率が大きい第４クラ
ッド層により装置横方向の屈折率差が縦方向の屈折率差
に比べて小さくなり、横方向の光の閉込めが弱くなる。
層および第２クラッド層よりも屈折率が大きい第４クラ
ッド層により装置横方向の屈折率差が縦方向の屈折率差
に比べて小さくなり、横方向の光の閉込めが弱くなる。
また、この発明の半導体レーザ装置の製造方法において
は、第１回目の結晶成長で第２クラッド層まで成長し、
活性層が大気に直接接触することがない。
は、第１回目の結晶成長で第２クラッド層まで成長し、
活性層が大気に直接接触することがない。
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す
断面図である。
断面図である。
乙の図において、１ｏ（よ上面が白ｏｏ）面のｎ−Ｇａ
Ａｓからなる基板、１１は前記基板１０上に設けられた
＜０１１ ＞方向に逆メサ状のストライプ状凸部を有す
るｎ−Ａ ｊ ６． ＠ｏ Ｇ ａｏ、 ｓｏ Ａ Ｓ
からなる第１クラッド層、１２ば前記第１クラッド層１
１のストライプ状凸部上に設けられたｐ−Ａｌ。、。Ｇ
ａ６．ｇ。Ａｓからなる活性層、１３は前記活性＠１２
上に設けられたｐ −Ａ ｌ ＠、 ｓｏＧ ＩＬｏ、
ｓｏＡ Ｓからなる第２クラッド層、１４は前記第１
クラッド層１１のストライプ状凸部以外の領域および前
記第２クラッド層１３上に設けられたｐ−ＡＪｏ、、。
Ａｓからなる基板、１１は前記基板１０上に設けられた
＜０１１ ＞方向に逆メサ状のストライプ状凸部を有す
るｎ−Ａ ｊ ６． ＠ｏ Ｇ ａｏ、 ｓｏ Ａ Ｓ
からなる第１クラッド層、１２ば前記第１クラッド層１
１のストライプ状凸部上に設けられたｐ−Ａｌ。、。Ｇ
ａ６．ｇ。Ａｓからなる活性層、１３は前記活性＠１２
上に設けられたｐ −Ａ ｌ ＠、 ｓｏＧ ＩＬｏ、
ｓｏＡ Ｓからなる第２クラッド層、１４は前記第１
クラッド層１１のストライプ状凸部以外の領域および前
記第２クラッド層１３上に設けられたｐ−ＡＪｏ、、。
Ｇ ａｏ、 ５１） Ａ ｓからなる第３クラッド層、
１５は前記第３クラッド層１４上に設けられたＰ−Ａｌ
、、□２Ｇａ、）、。Ａｓからなる第４クラッド層、１
６は前記第４クラッド層１５上に設けられたｐ −Ｇ
ａ Ａ ｓ ｈ）らなるコンタクト層、１７はｎ側電極
、１８はｐ側電極である。
１５は前記第３クラッド層１４上に設けられたＰ−Ａｌ
、、□２Ｇａ、）、。Ａｓからなる第４クラッド層、１
６は前記第４クラッド層１５上に設けられたｐ −Ｇ
ａ Ａ ｓ ｈ）らなるコンタクト層、１７はｎ側電極
、１８はｐ側電極である。
また、第２図（ａＬ （ｂ）はこの発明の半導体レーザ
装置の製造方法を説明するための図であり、１９はレジ
ストパターンである。
装置の製造方法を説明するための図であり、１９はレジ
ストパターンである。
次に動作について説明する。
ｐ側電極１８とｎｉｌ電極１７の間にｐ側電極１８が正
となるようなバイアスを印加すると、第１図中の矢印で
示される経路で電流が流れる。これはストライプ状凸部
以外の場所では、ｐｎ接合が第３クラッド層１４と第１
クラッド層１１により構成され、その拡散電位がストラ
イプ状凸部の活性層１２と第１クラッド層１１により構
成されるｐｎ接合の拡散電位よりも大きいためであり、
ストライプ状凸部以外の部分には電流は流れない。
となるようなバイアスを印加すると、第１図中の矢印で
示される経路で電流が流れる。これはストライプ状凸部
以外の場所では、ｐｎ接合が第３クラッド層１４と第１
クラッド層１１により構成され、その拡散電位がストラ
イプ状凸部の活性層１２と第１クラッド層１１により構
成されるｐｎ接合の拡散電位よりも大きいためであり、
ストライプ状凸部以外の部分には電流は流れない。
そして、活性層１２内に注入された正孔および電子は輻
射再結合して光を輻射し、電流を多く流していくと、誘
導輻射が始まり、やがてし〜ザ発振に至る。
射再結合して光を輻射し、電流を多く流していくと、誘
導輻射が始まり、やがてし〜ザ発振に至る。
この実施例のものにおいては、レーザ光が装置の縦方向
では活性層１２と第１クラッド層１１および第２クラ・
ソド層１３の間の実屈折率差（Δｎ＝：０．２８）によ
り閉じ込められる。また、装置の横方向では活性層１２
と第４クラッド層１５の間の実屈折率差（Δｎ ２０．
０１ ＞により閉じ込められる１、このため、装置の横
方向では光の閉込めが弱く、光出力−動作電流特性にお
けるキンクの発生やｐｎ接合に平行な遠視野像における
リップルの発生を抑制することができる。
では活性層１２と第１クラッド層１１および第２クラ・
ソド層１３の間の実屈折率差（Δｎ＝：０．２８）によ
り閉じ込められる。また、装置の横方向では活性層１２
と第４クラッド層１５の間の実屈折率差（Δｎ ２０．
０１ ＞により閉じ込められる１、このため、装置の横
方向では光の閉込めが弱く、光出力−動作電流特性にお
けるキンクの発生やｐｎ接合に平行な遠視野像における
リップルの発生を抑制することができる。
次に製造方法について説明する。
まず、第１回目の結晶成長で基板１０の（１００）面上
にＭＯＣＶＤ法により第１クラッド層１１゜活性Ｎ１２
．第２クラッド層１３を順次エピタキシャル成長させる
（第２図（ａ））。
にＭＯＣＶＤ法により第１クラッド層１１゜活性Ｎ１２
．第２クラッド層１３を順次エピタキシャル成長させる
（第２図（ａ））。
次に写真製版技術によりストライプ状のレジストパター
ン１９を第１回目のエピタキシャル成長が終！したウェ
ハ上のく０丁丁〉方向に形成したのち、このレジストパ
ターン１９をマスクとして硫酸、過酸化水素水系のヱッ
チャントで第１クラッド層１１のなかばまでエツチング
してストライプ状凸部を形成する（第２図（ｂ））。こ
のとき、ストライプ方位は＜ＯＩＴ＞方向であるので、
ストライプ状凸部の形状は第２図（ｂ）に示したように
逆メサ状となっている。
ン１９を第１回目のエピタキシャル成長が終！したウェ
ハ上のく０丁丁〉方向に形成したのち、このレジストパ
ターン１９をマスクとして硫酸、過酸化水素水系のヱッ
チャントで第１クラッド層１１のなかばまでエツチング
してストライプ状凸部を形成する（第２図（ｂ））。こ
のとき、ストライプ方位は＜ＯＩＴ＞方向であるので、
ストライプ状凸部の形状は第２図（ｂ）に示したように
逆メサ状となっている。
次にレジストパターン１９を除去した後、第２回目のエ
ピタキシャル成長を常圧ＭＯＣＶＤ法により行い、第３
クラツド層１４．第４クラッド層１５、コンタクト層１
６を順次エピタキシャル成長させる。この際、常圧ＭＯ
ＣＶＤ法によるエピタキシャル成長においては、逆メサ
状のストライプ状凸部の斜面における成長速度はほぼ０
であるので、第１図に示したような形状にエピタキシャ
ル成長がおこる。
ピタキシャル成長を常圧ＭＯＣＶＤ法により行い、第３
クラツド層１４．第４クラッド層１５、コンタクト層１
６を順次エピタキシャル成長させる。この際、常圧ＭＯ
ＣＶＤ法によるエピタキシャル成長においては、逆メサ
状のストライプ状凸部の斜面における成長速度はほぼ０
であるので、第１図に示したような形状にエピタキシャ
ル成長がおこる。
そして、最後にｐ側電極１８およびｎ側電極１７を真空
蒸着法などにより形成すれば第１図に示した半導体レー
ザ装置が得られる。
蒸着法などにより形成すれば第１図に示した半導体レー
ザ装置が得られる。
この発明の半導体レーザ装置は以上説明したとおり、第
１導電型の基板上に設けられた逆メサ状のストライプ状
凸部を有する第１導電型の第１クラッド層と、この第１
クラッド層のストライプ状凸部上に設けられた活性層と
、この活性層上に設けられた第２導電型の第２クラッド
層と、第１クラッド層のストライプ状凸部以外の領域お
よび第２クラッド層上とに設けられた第２導電型の第３
クラッド層と、この第３クラフト層上に設けられて第１
クラッド層のストライプ状凸部から少なくとも第２クラ
フト層の一部までを埋め込む第２導電型の第４クラッド
層と、この第４クラッド層上に設けられた第２導電型の
コンタクト層とから構成し、第３クラッド層の禁制帯幅
を活性層の禁制帯幅よりも広くするとともに、第４クラ
ッド層の屈折率を活性層の屈折率よりも小さく、かつ第
１クラッド層および第２クラッド層の屈折率よりも大き
くしたので、横方向の光の閉込めが弱くなり、光出力−
動作電流特性においてキングが発生しにくくなるうえ、
ｐｎ接合に平行な遠視野像にリップルが生しにくくなる
という効果がある。
１導電型の基板上に設けられた逆メサ状のストライプ状
凸部を有する第１導電型の第１クラッド層と、この第１
クラッド層のストライプ状凸部上に設けられた活性層と
、この活性層上に設けられた第２導電型の第２クラッド
層と、第１クラッド層のストライプ状凸部以外の領域お
よび第２クラッド層上とに設けられた第２導電型の第３
クラッド層と、この第３クラフト層上に設けられて第１
クラッド層のストライプ状凸部から少なくとも第２クラ
フト層の一部までを埋め込む第２導電型の第４クラッド
層と、この第４クラッド層上に設けられた第２導電型の
コンタクト層とから構成し、第３クラッド層の禁制帯幅
を活性層の禁制帯幅よりも広くするとともに、第４クラ
ッド層の屈折率を活性層の屈折率よりも小さく、かつ第
１クラッド層および第２クラッド層の屈折率よりも大き
くしたので、横方向の光の閉込めが弱くなり、光出力−
動作電流特性においてキングが発生しにくくなるうえ、
ｐｎ接合に平行な遠視野像にリップルが生しにくくなる
という効果がある。
また、乙の発明の半導体レーザ装置の製造方法は以上説
明したとおり、第１導電型の基板の（１００）面上に、
第１回目の結晶成長で第１導電型の第１クラッド層と、
活性層と、第２導電型の第２クラッド層とを順次エピタ
キシャル成長させる工程と、第２クラッド層上から第１
クラッド層途中まで選択的にエツチングを行って（０１
１＞方向にストライプ状凸部を形成する工程と、第２回
目の結晶成長で第２導電型の第３クラッド層と、第２導
電型の第４クラッド層と、第２導電型のコンタクト層を
順次エピタキシャル成長させる工程とを含むので、活性
層が大気にさらされる乙とぶなく、上記の発明の半導体
レーザ装置を安定して得られるという効果がある。
明したとおり、第１導電型の基板の（１００）面上に、
第１回目の結晶成長で第１導電型の第１クラッド層と、
活性層と、第２導電型の第２クラッド層とを順次エピタ
キシャル成長させる工程と、第２クラッド層上から第１
クラッド層途中まで選択的にエツチングを行って（０１
１＞方向にストライプ状凸部を形成する工程と、第２回
目の結晶成長で第２導電型の第３クラッド層と、第２導
電型の第４クラッド層と、第２導電型のコンタクト層を
順次エピタキシャル成長させる工程とを含むので、活性
層が大気にさらされる乙とぶなく、上記の発明の半導体
レーザ装置を安定して得られるという効果がある。
第１．図はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例を示
す断面図、第２図はこの発明の半導体レーザ装置の製造
方法の一実施例を説明するための図、第３図は従来の半
導体レーザ装置を示す断面図、第４図は従来の半導体レ
ーザ装置の製造方法を説明するための図である。 図において、１０は基板、１１は第１クラッド層、１２
は活性層、１３は第２クラッド層、１４は第３クラッド
層、１５は第４クラッド層、１６はコンタクト層である
。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 第３図 第４図
す断面図、第２図はこの発明の半導体レーザ装置の製造
方法の一実施例を説明するための図、第３図は従来の半
導体レーザ装置を示す断面図、第４図は従来の半導体レ
ーザ装置の製造方法を説明するための図である。 図において、１０は基板、１１は第１クラッド層、１２
は活性層、１３は第２クラッド層、１４は第３クラッド
層、１５は第４クラッド層、１６はコンタクト層である
。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (3)
- （１）第１導電型の基板上に設けられた逆メサ状のスト
ライプ状凸部を有する第１導電型の第１クラッド層と、
この第１クラッド層のストライプ状凸部上に設けられた
活性層と、この活性層上に設けられた第２導電型の第２
クラッド層と、前記第１クラッド層のストライプ状凸部
以外の領域および前記第２クラッド層上とに設けられた
第２導電型の第３クラッド層と、この第３クラッド層上
に設けられて前記第１クラッド層のストライプ状凸部か
ら少なくとも前記第２クラッド層の一部までを埋め込む
第２導電型の第４クラッド層と、この第４クラッド層上
に設けられた第２導電型のコンタクト層とから構成し、
前記第３クラッド層の禁制帯幅を前記活性層の禁制帯幅
よりも広くするとともに、前記第４クラッド層の屈折率
を前記活性層の屈折率よりも小さく、かつ前記第１クラ
ッド層および前記第２クラッド層の屈折率よりも大きく
したことを特徴とする半導体レーザ装置。 - （２）第１導電型の基板の（１００）面上に、第１回目
の結晶成長で第１導電型の第１クラッド層と、活性層と
、第２導電型の第２クラッド層とを順次エピタキシャル
成長させる工程と、前記第２クラッド層上から前記第１
クラッド層途中まで選択的にエッチングを行って＜０＠
１＠＠１＠＞方向にストライプ状凸部を形成する工程と
、第２回目の結晶成長で第２導電型の第３クラッド層と
、第２導電型の第４クラッド層と、第２導電型のコンタ
クト層を順次エピタキシャル成長させる工程とを含むこ
とを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - （３）結晶成長方法として、有機金属熱分解法を用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第（２）項記載の半導
体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27851787A JPH01120883A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27851787A JPH01120883A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120883A true JPH01120883A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17598388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27851787A Pending JPH01120883A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120883A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7838893B2 (en) | 2004-09-22 | 2010-11-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor optical device |
-
1987
- 1987-11-04 JP JP27851787A patent/JPH01120883A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7838893B2 (en) | 2004-09-22 | 2010-11-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor optical device |
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