JPH01119674A - 成膜装置および方法 - Google Patents
成膜装置および方法Info
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- JPH01119674A JPH01119674A JP25426887A JP25426887A JPH01119674A JP H01119674 A JPH01119674 A JP H01119674A JP 25426887 A JP25426887 A JP 25426887A JP 25426887 A JP25426887 A JP 25426887A JP H01119674 A JPH01119674 A JP H01119674A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、気体を熱分解することにより薄膜を作成し、
半導体デバイス、センサー、電子部品等を製造する成膜
装置および方法の改良に関する。
半導体デバイス、センサー、電子部品等を製造する成膜
装置および方法の改良に関する。
（従来の技術）
第２図は従来の成膜装置の概略の正面断面図である。１
は処理室であり、気密に保つことが出来る構造となって
いる。３は、処理室１内に設置され基体２を保持すると
ともに基体２の温度調整をする基体ホルダーである。
は処理室であり、気密に保つことが出来る構造となって
いる。３は、処理室１内に設置され基体２を保持すると
ともに基体２の温度調整をする基体ホルダーである。
基体ホルダー３の温度を調整する温度調整機構２０の構
成について説明すると、４はヒーターであって抵抗加熱
により基体ホルダー３を加熱しくこれは放射加熱等の他
の加熱方法であってもよい）、５は熱電対であって基体
ホルダー３の温度をモニターしている。温度モニターと
して熱電対５のかわりに測温抵抗を用いても良い。熱電
対５で測定された信号は、図示しないＰＩＤ制御、ＰＩ
制御、ＯＮ−’ＯＦＦ制御等の制御回路に人力され、サ
イリスターもしくはリレーを用いてヒーター４０人力電
力を加減し、基体ホルダー３の温度を調整している。必
要のときは、基体ホルダー３を冷却可能にして加熱・冷
却の両方法により温度を調節する。
成について説明すると、４はヒーターであって抵抗加熱
により基体ホルダー３を加熱しくこれは放射加熱等の他
の加熱方法であってもよい）、５は熱電対であって基体
ホルダー３の温度をモニターしている。温度モニターと
して熱電対５のかわりに測温抵抗を用いても良い。熱電
対５で測定された信号は、図示しないＰＩＤ制御、ＰＩ
制御、ＯＮ−’ＯＦＦ制御等の制御回路に人力され、サ
イリスターもしくはリレーを用いてヒーター４０人力電
力を加減し、基体ホルダー３の温度を調整している。必
要のときは、基体ホルダー３を冷却可能にして加熱・冷
却の両方法により温度を調節する。
図示しない気１本供給装置からバルブ７を通して所定の
気体８が処理室１内に導入されるが、この気体８を基体
表面に均一性良く供給する為に、多重にしたメツシュ等
の、多数のガス通過・吹き出し細孔なそなえた分配板６
が設けられている。
気体８が処理室１内に導入されるが、この気体８を基体
表面に均一性良く供給する為に、多重にしたメツシュ等
の、多数のガス通過・吹き出し細孔なそなえた分配板６
が設けられている。
処理室１内に導入された上記の気体８は一基体２上で熱
分解してその表面に所定の薄膜を作成するようになって
いる。
分解してその表面に所定の薄膜を作成するようになって
いる。
処理室１内の処理圧力が１気圧以上の場合は、反応残ガ
ス１１は、しばしば、バルブ９を通して自然排気される
。処理圧力が１気圧以下に減圧されている場合は、反応
残ガス１１は「油回転ボレブ」または「ルーツポンプと
油回転ポンプ」で排気される。
ス１１は、しばしば、バルブ９を通して自然排気される
。処理圧力が１気圧以下に減圧されている場合は、反応
残ガス１１は「油回転ボレブ」または「ルーツポンプと
油回転ポンプ」で排気される。
（発明が解決しようとする問題点）
第２図に示した従来の装置を用い、導入気体として水素
希釈のトリエチルアルミニウムまたは水素希釈のトリイ
ソブチルアルミニウムを用いて、基体２０表面にアルミ
ニウム薄膜を作製する場合、次のような問題がある。
希釈のトリエチルアルミニウムまたは水素希釈のトリイ
ソブチルアルミニウムを用いて、基体２０表面にアルミ
ニウム薄膜を作製する場合、次のような問題がある。
基体２の温度が低く約４００℃以下の場合には、アルミ
ニウムの成膜速度が十分に得られず、また針状結晶（ウ
ー「スカー）、フィラメント状結晶を生じて平坦なアル
ミニウム薄膜を得難い。
ニウムの成膜速度が十分に得られず、また針状結晶（ウ
ー「スカー）、フィラメント状結晶を生じて平坦なアル
ミニウム薄膜を得難い。
またこのような針状あるいはフィラメント状結晶を含む
アルミニウム薄膜は、鏡面膜でないため露光の目合わせ
が不可能であり、また膜の比抵抗も大きい。
アルミニウム薄膜は、鏡面膜でないため露光の目合わせ
が不可能であり、また膜の比抵抗も大きい。
一方、基体２の温度が約４００℃以上と高い場合には、
アルミニウムの成膜速度は１０００人／ｍｉｎ以上の十
分な値が得られるが、エチル基、またはイソブチル基か
ら遊離した炭素あるいは炭化水素がアルミニウム中に混
入し、生成膜の表面が茶白色または温白色になってしま
う。
アルミニウムの成膜速度は１０００人／ｍｉｎ以上の十
分な値が得られるが、エチル基、またはイソブチル基か
ら遊離した炭素あるいは炭化水素がアルミニウム中に混
入し、生成膜の表面が茶白色または温白色になってしま
う。
このような膜は純アルミニウム膜と比較して抵抗が高く
配線用の薄膜として使うには問題が太きい。
配線用の薄膜として使うには問題が太きい。
またシリコンとアルミニウムの接する面がある場合には
、高温によってシリコンがアルミニウム内に拡散し、デ
バイスの特性に変化を与え、特性のバラツキを大きくし
てしまう欠点がある。
、高温によってシリコンがアルミニウム内に拡散し、デ
バイスの特性に変化を与え、特性のバラツキを大きくし
てしまう欠点がある。
（発明の目的）
本発明はこの問題を解決し、分配板を加熱することによ
り、導入気体を予備的之こ熱変化さ−せたのち基体表面
に供給し、低温で良質な薄膜を作成することの出来る新
規な成膜装置および方法を提供することを目的とする。
り、導入気体を予備的之こ熱変化さ−せたのち基体表面
に供給し、低温で良質な薄膜を作成することの出来る新
規な成膜装置および方法を提供することを目的とする。
（問題を解決するための手段）
本発明は、真空に保つことの出来る処理室と：処理室内
に設置され基体の保持および温度調整をする基体ホルダ
ーと：該基体ホルダーを通して該基体の温度ＸＩ！Ｊ整
を行なう温度ｒＩ整機構と；所定の気体を該処理室内に
導入する気体導入１！ｉ構と；該処理室内を排気する排
気機構と；該処理室内に設置あるいは該処理室を構成す
る一部分として設けられ、該所定の気体を均一に該基体
の表面に供給する分配板とを含んで構成され、 該所定の気体を構成する元素の一部を該基体の表面に堆
積させ薄膜を作成する成膜装置であって、該分配板の温
度調整を行なう温度調整機構を備えた成膜装置によって
前記目的を達成したものである。
に設置され基体の保持および温度調整をする基体ホルダ
ーと：該基体ホルダーを通して該基体の温度ＸＩ！Ｊ整
を行なう温度ｒＩ整機構と；所定の気体を該処理室内に
導入する気体導入１！ｉ構と；該処理室内を排気する排
気機構と；該処理室内に設置あるいは該処理室を構成す
る一部分として設けられ、該所定の気体を均一に該基体
の表面に供給する分配板とを含んで構成され、 該所定の気体を構成する元素の一部を該基体の表面に堆
積させ薄膜を作成する成膜装置であって、該分配板の温
度調整を行なう温度調整機構を備えた成膜装置によって
前記目的を達成したものである。
（１乍用）
分配板の温度を上げると導入された気体が分配板通過中
に加熱されて第１段の熱変化を生じ、その状態で基体表
面に供給されるため、基体表面で加熱され第２段の熱変
化を生じ、アルミニウム薄膜を作製する時に、可成りの
低温状態でもフィラメント状結晶を生じ難くなり、純度
の高い良質な薄膜を作製することが出来る。
に加熱されて第１段の熱変化を生じ、その状態で基体表
面に供給されるため、基体表面で加熱され第２段の熱変
化を生じ、アルミニウム薄膜を作製する時に、可成りの
低温状態でもフィラメント状結晶を生じ難くなり、純度
の高い良質な薄膜を作製することが出来る。
°また高真空状態でこの膜を成長させると、結晶粒間の
界面特性が良くなり結晶粒間の結合が良好となる。
界面特性が良くなり結晶粒間の結合が良好となる。
（実施例）
第１図は本発明の実施例の成膜装置の正面断面図であっ
て、第２図と同一の部材には同一の符号を付して説明を
省略する。
て、第２図と同一の部材には同一の符号を付して説明を
省略する。
本発明は温度調整機構４０を組み込んだ分配板３１に特
徴があるので、先ずこの温度￥？１１１機構４０につい
て説明すると、温度調整機構４０は、分配板３１に設け
られた加熱手段４１．温度モニター４２およびフィード
バック制御手段（図示しない）を主にして構成され、加
熱手段４１は、分配板３１を大気圧側からヒーター３２
で抵抗加熱で加熱するようになっている。抵抗加熱の代
わりにハロゲンランプ等により放射加熱しても効果は同
様である。
徴があるので、先ずこの温度￥？１１１機構４０につい
て説明すると、温度調整機構４０は、分配板３１に設け
られた加熱手段４１．温度モニター４２およびフィード
バック制御手段（図示しない）を主にして構成され、加
熱手段４１は、分配板３１を大気圧側からヒーター３２
で抵抗加熱で加熱するようになっている。抵抗加熱の代
わりにハロゲンランプ等により放射加熱しても効果は同
様である。
フィードバック制御手段は図示されていないが、熱ｒｉ
対３３で測定して得た信号をＰＩＤ制御、Ｐ■、制御、
０Ｎ−ＯＦＦ制御等の制御回路にフィードバックし、サ
イリスターやリレーを用いヒーター３２の入力電力を加
減して、分配板３１の温度を制御する構成を採る。
対３３で測定して得た信号をＰＩＤ制御、Ｐ■、制御、
０Ｎ−ＯＦＦ制御等の制御回路にフィードバックし、サ
イリスターやリレーを用いヒーター３２の入力電力を加
減して、分配板３１の温度を制御する構成を採る。
このように分配板３１を加熱可能な構造にすることによ
り、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニ
ウム、塩化アルミニウム、水素化ジエチルアルミニウム
、水素化ジイソブチルアルミニウム等のアルミニウムを
含有する導入気体から、特に針吠結品（ウィスカー）や
フィラメント状結晶の成長を抑えて、電気的安定性に優
れに良質のアルミニウム膜を低温で高速に基体表面に成
膜出来るようになった。このアルミニウム薄膜またはア
ルミニウム含有薄膜は半導体デバイス、各種センサーの
配線に用い得る。
り、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニ
ウム、塩化アルミニウム、水素化ジエチルアルミニウム
、水素化ジイソブチルアルミニウム等のアルミニウムを
含有する導入気体から、特に針吠結品（ウィスカー）や
フィラメント状結晶の成長を抑えて、電気的安定性に優
れに良質のアルミニウム膜を低温で高速に基体表面に成
膜出来るようになった。このアルミニウム薄膜またはア
ルミニウム含有薄膜は半導体デバイス、各種センサーの
配線に用い得る。
４００℃以下の温度で分解してアルミニウム薄膜を作成
出来る気体としては、大気圧下の室温では液体であるが
、例えばトリイソブチルアルミニウムがある。
出来る気体としては、大気圧下の室温では液体であるが
、例えばトリイソブチルアルミニウムがある。
導入気体としてトリイソブチルアルミニウム（キャリア
ガスとして水素またはアルゴン等を用いることもある）
を用いアルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜を
作製する場合には、分配板３１の温度を１５０〜３５０
℃としてこのトリイソブチルアルミニウムに対し「第１
段の熱変化」を与え、しかる後、１５０〜４２０℃に加
熱されている基体２の表面に供給する。基体表面では「
第２段の熱変化」を生じ薄膜化が行なわれる。
ガスとして水素またはアルゴン等を用いることもある）
を用いアルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜を
作製する場合には、分配板３１の温度を１５０〜３５０
℃としてこのトリイソブチルアルミニウムに対し「第１
段の熱変化」を与え、しかる後、１５０〜４２０℃に加
熱されている基体２の表面に供給する。基体表面では「
第２段の熱変化」を生じ薄膜化が行なわれる。
この方法によフて生じた薄膜には、針状あるいはフィラ
メント状結晶が殆んど見あたらず、良質な膜を得ること
が出来る。
メント状結晶が殆んど見あたらず、良質な膜を得ること
が出来る。
トリイソブチルアルミニウムを「第、１段の熱変１ヒ」
させた後の気体は、他の分子構造に変化した状態となっ
ているか若しくは単にトリイソブチルアルミニウムの温
度が上昇しているだけなのか、その状態は明らかにされ
ていない。しかしこの分配板３１による加熱の効果は顕
著であって、生成するアルミニウム膜のブレーンサイズ
も分配板３１の温度によフて敏感に変化する。ブレーン
サイズを再現性よく得るためには、温度を±２℃以内の
精度に調整する必要のあることが明かとなっている。
させた後の気体は、他の分子構造に変化した状態となっ
ているか若しくは単にトリイソブチルアルミニウムの温
度が上昇しているだけなのか、その状態は明らかにされ
ていない。しかしこの分配板３１による加熱の効果は顕
著であって、生成するアルミニウム膜のブレーンサイズ
も分配板３１の温度によフて敏感に変化する。ブレーン
サイズを再現性よく得るためには、温度を±２℃以内の
精度に調整する必要のあることが明かとなっている。
分配板３１の加熱は、実施例のように大気圧側から行な
うのが望ましい。ヒーター３２は絶縁粉末３４を用いて
分配板３１から絶縁されている。
うのが望ましい。ヒーター３２は絶縁粉末３４を用いて
分配板３１から絶縁されている。
絶縁粉末３４はアルミナ等でもよいが、ヒーターからの
熱の伝導性を考慮するとマグネシア粉末を用いる方がよ
い。
熱の伝導性を考慮するとマグネシア粉末を用いる方がよ
い。
真空側にヒーターを設置すると、ヒーターが導入気体あ
るいは導入気体の分解生成物と直接接するまため、ヒー
ター表面にＡ１１等の金属が堆積し、ヒーター特性に変
化を来すという問題がある。
るいは導入気体の分解生成物と直接接するまため、ヒー
ター表面にＡ１１等の金属が堆積し、ヒーター特性に変
化を来すという問題がある。
ピータ−表面は分装置ｆｆ３１よりも表面温度が可成り
上昇しているため、該導入気体またはその分解生成物が
分解して、膜中に不純物を混入する問題もある。
上昇しているため、該導入気体またはその分解生成物が
分解して、膜中に不純物を混入する問題もある。
大気圧側から分配板３１の加熱を行なうならばそれらも
問題は総て解決され、真空側から加熱する場合に比べて
熱伝導性、均一性、゛熱効率、全ての点で優れる。
問題は総て解決され、真空側から加熱する場合に比べて
熱伝導性、均一性、゛熱効率、全ての点で優れる。
３５、は絶縁粉末３４を固定するための蓋である。
第１図の実施例の装置のような構成の場合は、分配板３
１の加熱は均一性が非常に良好で、処理室１内に異常に
高温な部分が存在しないため、反応系の純度が保たれる
。
１の加熱は均一性が非常に良好で、処理室１内に異常に
高温な部分が存在しないため、反応系の純度が保たれる
。
分配板３１の温度モニター４２もまた大気圧側から行な
われている。この構造にするのは、大気圧側の方が熱伝
導性にすぐれ、分配板３１の温度が正確に測定出来るた
めである。熱電対を処理室１内に設置するとアルミニウ
ム等の金属を堆積させる場合に、熱電対表面二二も金属
膜が堆積し正確な温度測定が出来ないという問題を生じ
る。
われている。この構造にするのは、大気圧側の方が熱伝
導性にすぐれ、分配板３１の温度が正確に測定出来るた
めである。熱電対を処理室１内に設置するとアルミニウ
ム等の金属を堆積させる場合に、熱電対表面二二も金属
膜が堆積し正確な温度測定が出来ないという問題を生じ
る。
更に、処理室１の中を１０〜’ Ｔ ｏｒｒ以下に排気
出来るような排気能力をもつ油拡散ポンプ、ターボ分子
ポンプ等を用いるのが望ましい。アルミニウムの成膜時
に、反応系に残留気体が存在すると、アルミニウムの結
晶粒が角状となり結晶間の接合が不良なるためである。
出来るような排気能力をもつ油拡散ポンプ、ターボ分子
ポンプ等を用いるのが望ましい。アルミニウムの成膜時
に、反応系に残留気体が存在すると、アルミニウムの結
晶粒が角状となり結晶間の接合が不良なるためである。
１０−’Ｔｏｒｒ以下のバックグラウンドの下では結晶
表面は良好に成長し、結晶間の接合が良好となる。この
ため 電気抵抗の小さい良質な膜の作製が可能となる。
表面は良好に成長し、結晶間の接合が良好となる。この
ため 電気抵抗の小さい良質な膜の作製が可能となる。
真空ポンプは、有機物系を排気するターボ分子ポンプを
用いた方が好成績を示す。油拡散ポンプを用いると有機
物がポンプ油に混入しポンプ油の蒸気圧が次第に増加し
てポンプの排気能力の低下を招く順向がある。
用いた方が好成績を示す。油拡散ポンプを用いると有機
物がポンプ油に混入しポンプ油の蒸気圧が次第に増加し
てポンプの排気能力の低下を招く順向がある。
ターボ分子ポンプな用いると、安定して高真空状態が得
られ、再現性の良い成膜が可能となることが判明した。
られ、再現性の良い成膜が可能となることが判明した。
以上は、第１図の装置をアルミニウムの成膜の場合を例
にとって記述したものであるが、池の金属膜や半導体膜
、絶縁膜の成膜においても本発明の装置は有能である。
にとって記述したものであるが、池の金属膜や半導体膜
、絶縁膜の成膜においても本発明の装置は有能である。
猶従来も蒸気圧の低い気体を用いる成膜の場合では、し
ばしば導入気体のバブリング時およびバブリング場所か
ら処理室までの配管内輸送時に、蒸気圧を維持するため
に気体の加熱を行なう場合があったが、それが本発明と
目的を異にするのものであることは明かである。例えば
、トリイソブチルアルミニウムを導入気体とする場合の
前記加熱温度は、蒸気圧を維持するための２５〜１００
℃である。トリイソブチルアルミニウムは約４０℃で分
解が始まり、より蒸気圧の低い水素化ジイソブチルアル
ミニウムを生じてしまう。このためあまり高温には出来
ない。これに反し本実施例における分配板３１の有効性
は１５０〜３５０℃の範囲でのみ見いだされる。両者の
差は明白である。
ばしば導入気体のバブリング時およびバブリング場所か
ら処理室までの配管内輸送時に、蒸気圧を維持するため
に気体の加熱を行なう場合があったが、それが本発明と
目的を異にするのものであることは明かである。例えば
、トリイソブチルアルミニウムを導入気体とする場合の
前記加熱温度は、蒸気圧を維持するための２５〜１００
℃である。トリイソブチルアルミニウムは約４０℃で分
解が始まり、より蒸気圧の低い水素化ジイソブチルアル
ミニウムを生じてしまう。このためあまり高温には出来
ない。これに反し本実施例における分配板３１の有効性
は１５０〜３５０℃の範囲でのみ見いだされる。両者の
差は明白である。
（発明の効果）
以上のように、本発明の装置および方法を用いると、低
温で高速に良質な膜を再現性よく作製できる。
温で高速に良質な膜を再現性よく作製できる。
第１図は本発明の成膜装置の実施例の正面断面図。
第２図は従来の同様の図である。
１・・・処理室、２・・・基体、３・・・基体ホルダー
、３１・・・分配板、３２・・・ヒーター、３３・・・
熱電対、４０・・・温度調整機構。 特許出願人 日電アネルバ株式会社 代理人 弁理士 村上 健次 特許庁長官 吉１）文毅 殿 昭和６３４８月 ９日
１、事件の表示 昭和６２年特許願第２５４．２６８号 ２、発明の名称 成膜装置および方法３、補正によっ
て増加する発明の数 ０４８ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒１８３東京都府中市四谷 ５−８−１名称
日電アネルバ株式会社 代表者 安１）進 ５、代理人 置 ０４２３ （６４） ２１１１住
所 〒１８３東京都府中市四谷 ５−８−１氏名 （
８８５９）弁理士 村上 健次 ・６、補正命令の
日付 なし。 ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄８、補
正の内容 「分配板３１の材質として今回は熱伝導性の良い銅を用
いた。使用した銅は、ＪＩＳ Ｃ１０２０材を用いてい
る。しかし不純物等を考慮するとＪＩＳ Ｃｌ０ＩＩを
用いる方が良好であった。 ＪＩＳ Ｃｌ１００材、ＪＩＳ Ｃ１２２０材も本装置
の特徴だけからは有効であるが、不純物が混入しやすい
欠点があった。しかし使用するアルミニウム膜が若干の
不純物混入で問題の出ない程度のものであれば、この材
料の方が安価で良い。 また分配板３１としてＪＩＳ Ｃｌ０ＩＩ材等に無光沢
のニッケルメッキやアルミニウムの蒸着膜を付けたもの
を用いてもよい。 この分配板３１は熱伝導性が良いものであれば本装置の
特徴を出すことができて、材質として銅のみならずアル
ミニウム系の材質やダイヤモンドを表面にコーティング
して熱伝導性を改良したものなども有効である。」
、３１・・・分配板、３２・・・ヒーター、３３・・・
熱電対、４０・・・温度調整機構。 特許出願人 日電アネルバ株式会社 代理人 弁理士 村上 健次 特許庁長官 吉１）文毅 殿 昭和６３４８月 ９日
１、事件の表示 昭和６２年特許願第２５４．２６８号 ２、発明の名称 成膜装置および方法３、補正によっ
て増加する発明の数 ０４８ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒１８３東京都府中市四谷 ５−８−１名称
日電アネルバ株式会社 代表者 安１）進 ５、代理人 置 ０４２３ （６４） ２１１１住
所 〒１８３東京都府中市四谷 ５−８−１氏名 （
８８５９）弁理士 村上 健次 ・６、補正命令の
日付 なし。 ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄８、補
正の内容 「分配板３１の材質として今回は熱伝導性の良い銅を用
いた。使用した銅は、ＪＩＳ Ｃ１０２０材を用いてい
る。しかし不純物等を考慮するとＪＩＳ Ｃｌ０ＩＩを
用いる方が良好であった。 ＪＩＳ Ｃｌ１００材、ＪＩＳ Ｃ１２２０材も本装置
の特徴だけからは有効であるが、不純物が混入しやすい
欠点があった。しかし使用するアルミニウム膜が若干の
不純物混入で問題の出ない程度のものであれば、この材
料の方が安価で良い。 また分配板３１としてＪＩＳ Ｃｌ０ＩＩ材等に無光沢
のニッケルメッキやアルミニウムの蒸着膜を付けたもの
を用いてもよい。 この分配板３１は熱伝導性が良いものであれば本装置の
特徴を出すことができて、材質として銅のみならずアル
ミニウム系の材質やダイヤモンドを表面にコーティング
して熱伝導性を改良したものなども有効である。」
Claims (8)
- （１）真空に保つことの出来る処理室と；処理室内に設
置され基体の保持および温度調整をする基体ホルダーと
；該基体ホルダーを通して該基体の温度調整を行なう温
度調整機構と；所定の気体を該処理室内に導入する気体
導入機構と；該処理室内を排気する排気機構と；該処理
室内に設置あるいは該処理室を構成する一部分として設
けられ、該所定の気体を均一に該基体の表面に供給する
分配板と；を含んで構成され、該所定の気体を構成する
元素の一部を該基体の表面に堆積させ薄膜を作成する成
膜装置において、 該分配板の温度調整を行なう温度調整機構を備えたこと
を特徴とする成膜装置。 - （２）該温度調整機構は該分配板の加熱手段、温度モニ
ターおよびフィードバック制御手段を具え、該加熱手段
は大気圧側から分配板を抵抗加熱あるいは放射加熱する
構造となっており、且つ、該温度モニターは熱電対また
は測温抵抗により分配板の温度を測定する構造となって
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の成膜
装置。 - （３）該排気機構は、到達圧力１０＾−＾４Ｔｏｒｒ以
下の能力を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
または２項記載の成膜装置。 - （４）該排気機構はターボ分子ポンプを用いていること
を特徴とする特許請求の範囲第３項記載の成膜装置。 - （５）該所定の気体がアルミニウムを含有する気体であ
り、アルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜を作
成することを特徴とする特許請求の範囲第１、２、３ま
たは４項記載の成膜装置。 - （６）該所定の気体がトリイソブチルアルミニウムであ
り、該温度調整機構が該分配板の温度を、１５０〜３５
０℃の範囲内で±２℃以内の精度に調整出来るものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の成膜装
置。 - （７）所定の気体を加熱して先ず第１段の熱変化を生じ
させた後に基体表面に供給し、基体表面における加熱の
第２段の熱変化により、該基体表面に所定の成膜を行な
うことを特徴とする成膜方法。 - （８）該所定の気体がトリイソブチルアルミニウムであ
り、該第１段の熱変化温度が１５０〜３５０℃であり、
該第２段の熱変化温度が１５０〜４２０℃であるような
、アルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜を基体
表面に作成する特許請求の範囲第７項記載の成膜方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62254268A JPH0826460B2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-10-08 | 成膜装置および方法 |
| US07/253,820 US4963423A (en) | 1987-10-08 | 1988-10-06 | Method for forming a thin film and apparatus of forming a metal thin film utilizing temperature controlling means |
| US07/424,799 US4981103A (en) | 1987-10-08 | 1989-10-20 | Apparatus for forming a metal thin film utilizing temperature controlling means |
| US08/009,446 US5594280A (en) | 1987-10-08 | 1993-01-27 | Method of forming a thin film and apparatus of forming a metal thin film utilizing temperature controlling means |
| US08/561,747 US5744377A (en) | 1987-10-08 | 1995-11-22 | Method for forming a thin film and apparatus of forming a metal thin film utilizing temperature controlling means |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17237487 | 1987-07-10 | ||
| JP62-172374 | 1987-07-10 | ||
| JP62254268A JPH0826460B2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-10-08 | 成膜装置および方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01119674A true JPH01119674A (ja) | 1989-05-11 |
| JPH0826460B2 JPH0826460B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=26494750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62254268A Expired - Lifetime JPH0826460B2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-10-08 | 成膜装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0826460B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0548990A2 (en) * | 1991-12-26 | 1993-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition method for forming a deposited film with the use of a liquid raw material and apparatus suitable for practising said method |
| JP2007515060A (ja) * | 2003-11-25 | 2007-06-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 窒化ケイ素の熱化学気相堆積 |
| CN110711546A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-01-21 | 南通好唯智能制造科技有限公司 | 微通道反应器用分流系统、分流器及其制造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5985857A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アルミニユ−ム被膜の作製方法 |
-
1987
- 1987-10-08 JP JP62254268A patent/JPH0826460B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5985857A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アルミニユ−ム被膜の作製方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0548990A2 (en) * | 1991-12-26 | 1993-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition method for forming a deposited film with the use of a liquid raw material and apparatus suitable for practising said method |
| JP2007515060A (ja) * | 2003-11-25 | 2007-06-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 窒化ケイ素の熱化学気相堆積 |
| JP4801591B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2011-10-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 窒化ケイ素の熱化学気相堆積 |
| CN110711546A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-01-21 | 南通好唯智能制造科技有限公司 | 微通道反应器用分流系统、分流器及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0826460B2 (ja) | 1996-03-13 |
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