JPH01116094A - 隔膜鍍金法 - Google Patents
隔膜鍍金法Info
- Publication number
- JPH01116094A JPH01116094A JP27026587A JP27026587A JPH01116094A JP H01116094 A JPH01116094 A JP H01116094A JP 27026587 A JP27026587 A JP 27026587A JP 27026587 A JP27026587 A JP 27026587A JP H01116094 A JPH01116094 A JP H01116094A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は鍍金技術に係り、鍍金の厚付けにおける組織の
粗大化および鍍金面上のコブ状析出物の発生を抑制する
ことができる新規隔膜鍍金法に関するものである。
粗大化および鍍金面上のコブ状析出物の発生を抑制する
ことができる新規隔膜鍍金法に関するものである。
電気鍍金では鍍金槽の鍍金液中に７ノード極板と被鍍金
物を浸漬して各種鍍金を行なっているが、ことに鉛鍍金
の厚付けにおいて膜厚が１００終履程度になると組織の
粗大化が生じ、いわゆるコブ状析出物（Ｎｏｄｕｌｅ）
が発生してくる。これは鍍金液中に存在する不純物が影
響しているものと考えられており、従来ではこのコブ状
析出物の発生を抑制する手段として、７ノード極板から
溶解する不純物を７ノードバツクを用いて捕捉する方法
を講じている。
物を浸漬して各種鍍金を行なっているが、ことに鉛鍍金
の厚付けにおいて膜厚が１００終履程度になると組織の
粗大化が生じ、いわゆるコブ状析出物（Ｎｏｄｕｌｅ）
が発生してくる。これは鍍金液中に存在する不純物が影
響しているものと考えられており、従来ではこのコブ状
析出物の発生を抑制する手段として、７ノード極板から
溶解する不純物を７ノードバツクを用いて捕捉する方法
を講じている。
しかし上記７ノードバツクを用いて不純物を捕捉する方
法では、該アノードバックの構造上、縫目や綻びからの
不純物のわずかな漏れを防止することができず、鍍金厚
付けにおける組織の粗大化やコブ状析出物の発生を完全
に阻止することができないものであった。
法では、該アノードバックの構造上、縫目や綻びからの
不純物のわずかな漏れを防止することができず、鍍金厚
付けにおける組織の粗大化やコブ状析出物の発生を完全
に阻止することができないものであった。
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、鍍金液中に
７ノード極板から析出した不純物の影響を解消し、鍍金
組織の微細化とコブ状析出物の発生防止を図ることがで
きる隔膜鍍金法を提唱することを目的とするものである
。
７ノード極板から析出した不純物の影響を解消し、鍍金
組織の微細化とコブ状析出物の発生防止を図ることがで
きる隔膜鍍金法を提唱することを目的とするものである
。
本発明に係る隔膜鍍金法は、鍍金槽の鍍金液中に隔膜を
有する隔膜槽を設置し、被鍍金物とアノード極板間を数
ミクロン以下の平均孔径の微細孔を宥する前記隔膜によ
って隔絶し、７ノード極板から析出した不純物を隔膜に
よって捕縛する鍍金法である。
有する隔膜槽を設置し、被鍍金物とアノード極板間を数
ミクロン以下の平均孔径の微細孔を宥する前記隔膜によ
って隔絶し、７ノード極板から析出した不純物を隔膜に
よって捕縛する鍍金法である。
上記隔膜鍍金法では、隔膜槽の中に被鍍金物を吊り下げ
、その外側に７ノード極板を設けることによって該アノ
ード極板から鍍金液中に溶解した不純物は、隔膜槽の窓
に張設した隔膜の微細孔に捕縛され隔膜槽内に該不純物
が侵入しないため、鍍金液を循環使用する場合は、隔膜
槽内から外側に鍍金液を流し、回収時に外部濾過装置に
よって浄化したものを隔膜槽内に供給することにより、
該隔膜槽内の鍍金液を常時高純度に保持することができ
、鍍金組織において不純物に起因する組織の粗大化およ
びコブ状析出物の発生をみない。
、その外側に７ノード極板を設けることによって該アノ
ード極板から鍍金液中に溶解した不純物は、隔膜槽の窓
に張設した隔膜の微細孔に捕縛され隔膜槽内に該不純物
が侵入しないため、鍍金液を循環使用する場合は、隔膜
槽内から外側に鍍金液を流し、回収時に外部濾過装置に
よって浄化したものを隔膜槽内に供給することにより、
該隔膜槽内の鍍金液を常時高純度に保持することができ
、鍍金組織において不純物に起因する組織の粗大化およ
びコブ状析出物の発生をみない。
また上記隔膜は、ポリエチレン不織布またはポリエステ
ル不織布を骨材としてポリ塩化ビニルまたはポリフッ化
ビニリデン等を膜材質としたものであり、０．１ 、露
ないし数終■の微細孔を形成したもので、比較的安価に
提供することができるものである。
ル不織布を骨材としてポリ塩化ビニルまたはポリフッ化
ビニリデン等を膜材質としたものであり、０．１ 、露
ないし数終■の微細孔を形成したもので、比較的安価に
提供することができるものである。
以下、本発明に係る隔膜鍍金法を実施するための鍍金装
置の一実施例奄図面にしたがって説明する。符号（１）
は鉛鍍金槽であり、該鉛鍍金槽（１）内に隔膜槽（２）
を配置するとともに、両槽（１）（２）間および隔膜槽
（２）内に鍍金液（３）を貯溜してなる。上記隔膜槽（
２）の側面に形成した矩形窓（４）には微細孔を備えた
隔Ｍ （５）を張設してあり、前記鉛鍍金槽（１）の上
端に架設した懸吊桿（６）に該隔Ｍ（５）と正対したア
ノード極板（７）を鍍金液（３）中に浸漬するように懸
吊するとともに、隔膜槽（２）内の鍍金液（３）中に浸
漬するように被鍍金物（ａ）を懸、吊してなる。上記隔
膜槽（２）の側面には鉛鍍金槽（１）中の鍍金液（３）
面レベルＬｌより高位置に温液孔（８）を穿設し、隔膜
槽（２）内の鍍金液（３）面レベルし２から該温液孔（
８）を介して鉛鍍金槽（１）に鍍金液（３）が流れ落ち
るように構成してなる。上記隔１ｔ！！ （５）はｐＪ
Ｊ３図に示すように、ポリエチレン不織布またはポリエ
ステル不織布によって構成した骨材（９）にポリ塩化ビ
ニルまたはポリフッ化ビニリデン等からなる多孔性（平
均孔径０．Ｉ ＩＬ■ないし数ト膳）の膜材（１０）を
添設したものである。また符号（１りは鉛鍍金槽（１）
の外部に設けた濾過装置であり、吸入側配管（１２）を
鉛鍍金槽（１）内の底部近傍に開口するとともに、吐出
側配管（１３）を隔膜槽（２）内に開口してなる。
置の一実施例奄図面にしたがって説明する。符号（１）
は鉛鍍金槽であり、該鉛鍍金槽（１）内に隔膜槽（２）
を配置するとともに、両槽（１）（２）間および隔膜槽
（２）内に鍍金液（３）を貯溜してなる。上記隔膜槽（
２）の側面に形成した矩形窓（４）には微細孔を備えた
隔Ｍ （５）を張設してあり、前記鉛鍍金槽（１）の上
端に架設した懸吊桿（６）に該隔Ｍ（５）と正対したア
ノード極板（７）を鍍金液（３）中に浸漬するように懸
吊するとともに、隔膜槽（２）内の鍍金液（３）中に浸
漬するように被鍍金物（ａ）を懸、吊してなる。上記隔
膜槽（２）の側面には鉛鍍金槽（１）中の鍍金液（３）
面レベルＬｌより高位置に温液孔（８）を穿設し、隔膜
槽（２）内の鍍金液（３）面レベルし２から該温液孔（
８）を介して鉛鍍金槽（１）に鍍金液（３）が流れ落ち
るように構成してなる。上記隔１ｔ！！ （５）はｐＪ
Ｊ３図に示すように、ポリエチレン不織布またはポリエ
ステル不織布によって構成した骨材（９）にポリ塩化ビ
ニルまたはポリフッ化ビニリデン等からなる多孔性（平
均孔径０．Ｉ ＩＬ■ないし数ト膳）の膜材（１０）を
添設したものである。また符号（１りは鉛鍍金槽（１）
の外部に設けた濾過装置であり、吸入側配管（１２）を
鉛鍍金槽（１）内の底部近傍に開口するとともに、吐出
側配管（１３）を隔膜槽（２）内に開口してなる。
上記構成の鍍金槽では、鍍金液（３）を濾過装置（１０
）によって常時矢印Ａ方向に循環しながら、７ノード極
板（７）と被鍍金物（ａ）に所定電圧の直流電圧を印加
して鍍金処理を行なうものであり、鍍金処理中は常時温
液孔（８）を介して隔膜槽（２）内の鍍金液（３）面レ
ベルＬ２から鉛鍍金槽（１）の鍍金液レベルＬ１に鍍金
液（３）が流れ落ちると同時に。
）によって常時矢印Ａ方向に循環しながら、７ノード極
板（７）と被鍍金物（ａ）に所定電圧の直流電圧を印加
して鍍金処理を行なうものであり、鍍金処理中は常時温
液孔（８）を介して隔膜槽（２）内の鍍金液（３）面レ
ベルＬ２から鉛鍍金槽（１）の鍍金液レベルＬ１に鍍金
液（３）が流れ落ちると同時に。
隔Ｍ（５）を介して隔膜槽（２）内の鍍金液（３）が鉛
鍍金槽（１）に流入する。したがって鍍金液（３）に７
ノード極板（７）から溶は出した不純物は隔膜（５）に
よって隔膜槽（２）内への侵入を阻止せられる。また、
該不純物は吸入側配管（１２）から濾過装置（１１）に
鍍金液（３）と−緒に排出され、該濾過装置（１１）に
よって濾過除去処理されるとともに、再利用可能な浄化
した鍍金液（３）が吐出側配管（１２）を介して隔膜槽
（２）内に環流される。
鍍金槽（１）に流入する。したがって鍍金液（３）に７
ノード極板（７）から溶は出した不純物は隔膜（５）に
よって隔膜槽（２）内への侵入を阻止せられる。また、
該不純物は吸入側配管（１２）から濾過装置（１１）に
鍍金液（３）と−緒に排出され、該濾過装置（１１）に
よって濾過除去処理されるとともに、再利用可能な浄化
した鍍金液（３）が吐出側配管（１２）を介して隔膜槽
（２）内に環流される。
したがって隔膜槽（２）内には７ノード極板（７）から
溶解した不純物の存在しない鍍金液（３）が確保され、
鉛鍍金の厚付け（Ｍ厚１００ ＩＬｍ以上）において、
鍍金組織を微細化することができる。
溶解した不純物の存在しない鍍金液（３）が確保され、
鉛鍍金の厚付け（Ｍ厚１００ ＩＬｍ以上）において、
鍍金組織を微細化することができる。
以上述べたように本発明に係る隔膜鍍金法は、電気鍍金
において７ノード極板と被鍍金物間の鍍金液中に隔膜を
介在したことによって鍍金液を高純度に保持することが
でき、鍍金組織を微細化することができるため、鉛鍍金
の厚付けを実施することができる特徴を有するものであ
り、本発明の鍍金産業界におよぼす影響はきわめて大き
い。
において７ノード極板と被鍍金物間の鍍金液中に隔膜を
介在したことによって鍍金液を高純度に保持することが
でき、鍍金組織を微細化することができるため、鉛鍍金
の厚付けを実施することができる特徴を有するものであ
り、本発明の鍍金産業界におよぼす影響はきわめて大き
い。
第１図は本発明に係る隔膜鍍金法を実施する鍍金装置の
一実施例を示す隔膜鍍金装置の斜視図、第２図は鍍金槽
の要部断面図、第３図は隔膜の構造を示す拡大断面図で
ある。 （１）鉛鍍金槽 （２）隔膜槽 （３）鍍金液（５
）隔膜 （７）７ノード極板 （８）温液孔（１１
）濾過装置 （１２）吸入側配管（１３）吐出側配管 第３図
一実施例を示す隔膜鍍金装置の斜視図、第２図は鍍金槽
の要部断面図、第３図は隔膜の構造を示す拡大断面図で
ある。 （１）鉛鍍金槽 （２）隔膜槽 （３）鍍金液（５
）隔膜 （７）７ノード極板 （８）温液孔（１１
）濾過装置 （１２）吸入側配管（１３）吐出側配管 第３図
Claims (3)
- （１）鍍金槽の鍍金液中に隔膜を有する隔膜槽を設置し
、被鍍金物とアノード極板間を数ミクロン以下の平均孔
径の微細孔を有する前記隔膜によって隔絶することを特
徴とする隔膜鍍金法。 - （２）前記隔膜槽内の鍍金液面レベルを鍍金槽内の鍍金
液面レベルより高位に保持することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の隔膜鍍金法。 - （３）前記隔膜槽から排出した鍍金液を濾過装置により
不純物を濾過した後、隔膜槽内に環流することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の隔膜鍍金法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27026587A JPH01116094A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 隔膜鍍金法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27026587A JPH01116094A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 隔膜鍍金法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01116094A true JPH01116094A (ja) | 1989-05-09 |
| JPH0256434B2 JPH0256434B2 (ja) | 1990-11-30 |
Family
ID=17483842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27026587A Granted JPH01116094A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 隔膜鍍金法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01116094A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001068952A1 (fr) * | 2000-03-17 | 2001-09-20 | Ebara Corporation | Procede et appareil de plaquage electrolytique |
| JP2008539329A (ja) * | 2005-04-26 | 2008-11-13 | アトテック・ドイチュラント・ゲーエムベーハー | ろ過膜を備えたアルカリ電気めっき浴 |
| JP2008280555A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Daisho Denshi:Kk | めっき装置 |
| US7833393B2 (en) | 1999-05-18 | 2010-11-16 | Ebara Corporation | Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer |
| JP2014234538A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 株式会社ムラタ | ニッケルめっきのためのめっき装置 |
| US9421617B2 (en) | 2011-06-22 | 2016-08-23 | Tel Nexx, Inc. | Substrate holder |
| CN106435695A (zh) * | 2016-08-24 | 2017-02-22 | 谢彪 | 电镀设备及电镀方法 |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP27026587A patent/JPH01116094A/ja active Granted
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7833393B2 (en) | 1999-05-18 | 2010-11-16 | Ebara Corporation | Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer |
| US8075756B2 (en) | 1999-05-18 | 2011-12-13 | Ebara Corporation | Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer |
| US8961755B2 (en) | 1999-05-18 | 2015-02-24 | Ebara Corporation | Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer |
| US9714476B2 (en) | 1999-05-18 | 2017-07-25 | Ebara Corporation | Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer |
| WO2001068952A1 (fr) * | 2000-03-17 | 2001-09-20 | Ebara Corporation | Procede et appareil de plaquage electrolytique |
| US7402227B2 (en) | 2000-03-17 | 2008-07-22 | Ebara Corporation | Plating apparatus and method |
| JP2008539329A (ja) * | 2005-04-26 | 2008-11-13 | アトテック・ドイチュラント・ゲーエムベーハー | ろ過膜を備えたアルカリ電気めっき浴 |
| JP2008280555A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Daisho Denshi:Kk | めっき装置 |
| US9421617B2 (en) | 2011-06-22 | 2016-08-23 | Tel Nexx, Inc. | Substrate holder |
| JP2014234538A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 株式会社ムラタ | ニッケルめっきのためのめっき装置 |
| CN106435695A (zh) * | 2016-08-24 | 2017-02-22 | 谢彪 | 电镀设备及电镀方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0256434B2 (ja) | 1990-11-30 |
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