JP2008280555A - めっき装置 - Google Patents

Abstract

【課題】膜厚の均一なめっき層を精度よく形成することができるめっき装置を提供すること。
【解決手段】めっき液に浸漬させたアノード７と、カソードとなる被めっき基板８との間に流れる電流に対して抵抗を付与する抵抗付与手段６が、前記アノード７と前記被めっき基板８との間に設けられていることを特徴とする。すなわち、抵抗付与手段６によって、アノード７と被めっき基板８との間を流れる電流に対して抵抗が付与され、そのため、被めっき基板８に対して膜厚の均一なめっきを施すことができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、被めっき体にめっきを施すためのめっき装置に関する。

従来より、プリント配線板などの基板に配線パターンを設けるために電気Ｃｕめっきなどが利用されている。配線パターン形成は、例えば以下のように行われる。すなわち、無電解銅めっきにより、基板の一方の主面に薄膜のシード層を形成する。このシード層の上に、電解銅めっきにより、めっき層を形成する。そして、めっき層に対して、感光性のフォトレジストを表面に形成後、露光、現像を行いレジストパターンを形成する。さらに、エッチング液により不要な部位のめっき層を溶解し、これにより導体の配線が形成される。

近年の半導体パッケージ用の基板では、配線の高密度化が進み、配線幅やパッド部、ランド部などの導体の面積をなるべく小さくすることが要求されている。
そのため、導体を高精度に形成するために、導体の膜厚を全面にわたって均一にする必要がある。
すなわち、めっきによって設けられる導体の膜厚が不均一な場合、膜厚の最も厚い部分又は最も薄い部分に合わせてエッチング量を最適化する必要があるが、いずれか厚い部分又は薄い部分に合わせて最適化すると以下のような問題がある。最も厚い部分に合わせてエッチング量を最適化すると、膜厚の薄い部分で過剰にエッチングされてしまい、配線幅が目標仕様より細くなってしまう。一方、最も薄い部分に合わせると、膜厚の厚い部分でエッチング量が不足して配線幅が広くなったり、隣りの導体配線との絶縁距離が不足したりしてしまう。
すなわち、いずれか厚い部分又は薄い部分に合わせてエッチング量を最適化すると、導体の一部では所望のライン幅にすることができたとしても、他の部分で所望のライン幅と差異が生じてしまい、目標仕様のインピーダンス抵抗値を得ることができなくなってしまう。
上記の問題点は、生産性を上げるために大型基板を用いると、より顕著になる。

そこで、膜厚の均一なめっき層を形成するために、以下のようなめっき装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。すなわち、このめっき装置は、めっき液が入れられるめっき槽にアノード及び基板（カソード）が吊り下げられるようになっている。カソードとなる基板の底部から基板の表裏両面に交互に気体又は液体を噴射させ、かつ基板の近傍に多孔性隔壁を設けて、基板との間を、噴射させた気体又は液体が散逸せずに無駄なく立ち昇ることができるようになっている。

このような構成のもと、アノード及び基板に電源を供給すると、めっき液中の金属イオンが銅となって基板の表面に付着する。これにより基板の表面に銅めっきの層が形成される。このとき、めっき液を滞留させておくと、異物などが孔に残ってしまい、基板に付着する銅にばらつきが生じてしまう。そのため、カソード室の下端から噴射管を介して気体を噴射し、これら気体によって生じる気泡によりアノード室内においてめっき液を流動させる。これにより、めっき液の滞留を防止するようになっている。
特開２０００−６４０８８号公報

しかしながら、上記のような特許文献１に記載のめっき装置では、隔壁の孔に気泡が残ってしまい、めっきの精度が低下してしまうという問題がある。また、多孔性隔壁は、上記の目的以外にはめっきの均一化に何ら寄与していない。したがって、孔の数や大きさは、めっき液流をながらく阻害せずに、かつ噴流の広がりを防止することができる程度に設けられている。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、膜厚の均一なめっき層を精度よく形成することができるめっき装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
以下は、好ましい態様とする。
本発明は、めっき液に浸漬させたアノードと、カソードとなる被めっき基板との間に流れる電流に対して抵抗を付与する抵抗付与手段が、前記アノードと前記被めっき基板との間に設けられていることを特徴とする。

この発明によれば、被めっき基板に均一にめっきを施すことができる。

また、本発明は、前記抵抗付与手段を設けた状態における前記アノードと前記基板との間の前記めっき液の抵抗値が、前記抵抗付与手段を設けない状態における前記めっき液の抵抗値に対して１．１倍以上であることを特徴とする。

この発明によれば、抵抗付与手段を設けたときのめっき液の抵抗値が、抵抗付与手段を設けない状態における基準抵抗値の１．１倍以上となっているため、めっき厚を確実に均一化することができる。

また、本発明は、前記抵抗付与手段が、めっき液を流通させる小孔が複数設けられた多孔質板であることを特徴とする。

この発明によれば、確実に抵抗を付与することができ、めっき層の膜厚を容易に均一化することができる。

また、本発明は、前記抵抗付与手段が、前記基板に対向して配置され、前記抵抗付与手段と前記基板との距離が、０．５ｍｍ〜１５０ｍｍであることを特徴とする。

この発明によれば、アノードと被めっき基板との間の電界を均一にすることができ、めっき層の膜厚を均一にすることができる。

本発明は、めっき液に浸漬させた被めっき体にめっきを施すめっき装置であって、アノード電極が設けられ、前記めっき液が入れられるアノード室と、前記被めっき体がカソード電極として設けられるカソード領域を有し、前記めっき液が入れられるカソード室と、前記アノード室と前記カソード室とを仕切り、所定の圧力によって前記めっき液を透過させる孔を有する壁部材と、前記アノード室と前記カソード室との間で、前記アノード室及び前記カソード室の外方から前記めっき液を流動させる流動部とを備え、前記アノード室及び前記カソード室が、それぞれの高さ寸法以下で前記めっき液を保持し、前記流動部が、前記アノード室又は前記カソード室のいずれか一方に入れられた前記めっき液を他方に流動させて、前記他方の圧力を前記所定の圧力にすることを特徴とする。

この発明においては、流動部によって、アノード室又はカソード室のいずれか一方に入れられためっき液が他方に流動し、他方の圧力が所定の圧力に達する。そのため、壁部材を介してめっき液が一方から他方に流動する。
これにより、アノード室及びカソード室の内部においてめっき液を流動させることができる。

また、本発明は、前記流動部が、前記他方に入れられた前記めっき液の液面の高さを、前記一方に入れられた前記めっき液の液面の高さよりも高くすることを特徴とする。

この発明によれば、めっき液の液面の高さを上げるようにしたので、めっき液が壁部材を透過する所定の液圧に簡単かつ確実に設定することができる。

また、本発明は、前記流動部が、前記アノード室又は前記カソード室のいずれか一方から取り込まれた前記めっき液の中から異物を取り除くフィルタを備えることを特徴とする。

この発明においては、一方から取り込まれためっき液がフィルタを介して他方に送り込まれる。
これにより、めっき液を常にクリーンな状態に維持することができる。

また、本発明は、前記一方が前記アノード室であり、前記他方が前記カソード室であることを特徴とする。

この発明においては、アノード室及びカソード室の内部において、カソード室からアノード室に向けて、めっきが流動する。
これにより、アノード室において発生した異物を、孔に残留させたり、カソード室に移動させたりすることを防止することができる。

また、本発明は、前記カソード領域と前記壁部材とが対向して配置され、前記カソード領域と前記壁部材との間の距離寸法が、０．５ｍｍ〜１５０ｍｍであることを特徴とする。

この発明によれば、アノード電極と被めっき体との間の電界を均一にすることができ、めっき層の膜厚を均一にすることができる。
これにより、

また、本発明は、前記壁部材を設けた状態における前記アノード電極と前記カソード領域との間の前記めっき液の抵抗値が、前記壁部材を設けない状態における前記めっき液の抵抗値に対して１．１倍以上であることを特徴とする。

この発明によれば、壁部材を設けたときのめっき液の抵抗値が、壁部材を設けない状態における基準抵抗値の１．１倍以上となっているため、めっき厚を確実に均一化することができる。

また、本発明は、複数の前記アノード電極と、前記複数のアノード電極に順次対向するように、前記被めっき体を移動させる移動手段とを備え、前記移動手段によって移動させられる被めっき体と前記アノード電極とに電源を供給する電源部が、一つ又は複数の前記アノード電極ごとに設けられていることを特徴とする。

この発明によれば、被めっき体に均一なめっき層を迅速かつ高精度に形成することができる。また、電源部が、一つ又は複数のアノード電極ごとに設けられていることから、各抵抗値に合わせて電源部をあらかじめ設定することができ、より均一なめっき層を形成することができる。

本発明によれば、アノードと被めっき基板との間に、抵抗付与手段が設けられていることから、膜厚の均一なめっき層を精度よく形成することができる。

（実施形態１）
本発明者は、めっきの不均一がめっき液流の不均一に基因することを見出し、めっき電流に抵抗を与えることによって、めっきが均一になるという知見を得て本発明を完成するに到った。以下、「抵抗付与」とその効果に力点をおいて説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態としてのめっき装置を示したものである。
めっき装置１は、めっき液が入れられるアノード室２及びカソード室３を備えている。
アノード室２及びカソード室３は、縦断面がコ字状に形成されており、それら上端が開放されている。そして、それら開放された上端からめっき液が入れられるようになっている。アノード室２及びカソード室３は、それぞれの高さ寸法内でめっき液を保持するようになっている。すなわち、アノード室２とカソード室３とを仕切る仕切板（抵抗付与手段、壁部材）６をめっき液中に浸漬させることなく、それぞれ独立にアノード室２及びカソード室３がめっき液を保持するようになっている。つまり、カソード室３の上方でアノード室２とカソード室３とにわたって、めっき液が充填されることはない。
なお、アノード室２は二つ設けられており、これら二つのアノード室２がカソード室３を挟んで対向して配置されている。

アノード室２の内壁面のうち、カソード室３から遠い位置に対向して配置された内壁面には、板状のアノード電極７が設けられている。アノード電極７は、銅ボールや白金などからなるものである。
また、カソード室３のうち、アノード室２の配列方向の中央には、カソード領域１１が設けられている。このカソード領域１１に、被めっき体としての基板（カソード電極）８が設けられるようになっている。すなわち、カソード室３の上端と下端には、それぞれ基板保持治具１４が設けられており、これら基板保持治具１４が、上下から基板８を保持するようになっている。

アノード室２とカソード室３とは、仕切板６で仕切られている。仕切板６は、多孔質部材からなっており、めっき液が所定の液圧になると、めっき液が、仕切板６の孔を透過して、液圧の高い方から低い方へ移動するようになっている。仕切板６は、例えばセラミック、塩化ビニル、テフロン（登録商標）、ポリエチレンなどの材質であって、多孔質の連通気孔を有するものが使用される。
また、仕切板６とカソード領域１１との間の距離寸法ｄ１は、０．５ｍｍになっている。

また、めっき装置１は、アノード電極７と基板８とに直流電源を供給する電源部１２を備えている。電源部１２は、アノード電極７ごとに複数（二つ）設けられている。電源部１２から供給される電圧値は、仕切板６の特性に合わせてあらかじめ設定される。すなわち、仕切板６の固有の抵抗ばらつきがあった場合、これらばらつきに応じて補正するように電源部１２からの電圧値が設定される。
さらに、めっき装置１は、アノード室２及びカソード室３の外方から、アノード室２に入れられためっき液をカソード室３に流動させる流動部１３を備えている。流動部１３は、アノード室２及びカソード室３の外方に設けられて、アノード室２とカソード室３とを連通する連通管２０を備えている。連通管２０には、アノード室２からめっき液を吸引する液送ポンプ１６が設けられている。液送ポンプ１６は、各アノード室２に対応させて二つ設けられている。また、連通管２０には、めっき液を透過させてめっき液中の異物を取り除くフィルタ１７が設けられている。すなわち、液送ポンプ１６によって各アノード室２からめっき液を吸引し、その吸引しためっき液を、フィルタ１７を通してカソード室３に流動させるようになっている。そのため、液送ポンプ１６を駆動することにより、カソード室３のめっき液の液面の高さが、アノード室２のめっき液の液面の高さよりも高くなるようになっている。

さらに、カソード領域１１に仕切板６を設けた状態におけるアノード電極７とカソード領域との間のめっき液の抵抗値は、仕切板６を設けない状態におけるめっき液の抵抗値に対して１．１倍以上に設定されている。
めっき液の抵抗値は、以下のようにして測定する。すなわち、アルコールなどの表面張力が低い液によって仕切板６をあらかじめ洗浄し、仕切板６の孔を介してめっき液を強制的に通液させる前処理を行う。そして、図２に示すように、前処理を行った仕切板６を所定の位置に設置する。さらに、アノード室２及びカソード室３にめっき液を満たした状態で、電源部１２によって通電を行う。そして、通電から５分経過後、安定した電流値と電圧値とを測定し、これら電流値と電圧値とからめっき液全体の抵抗値を算出する。

次いで、同じ装置を用いて、仕切板６を取り除いた状態で、電流値と電圧値とを測定する。そして、これら電流値と電圧値とからめっき液全体の抵抗値を算出し、これを基準抵抗値とする。
そして、仕切板６を設けたときのめっき液の抵抗値が基準抵抗値の１．１倍以上となる仕切板６が設けられる。

次に、このように構成された本実施形態におけるめっき装置１の作用について説明する。
めっき液の抵抗値が基準抵抗値の１．１倍以上になる仕切板６を所定の位置に設置する。そして、それら仕切板６の各抵抗値に合わせて、電源部１２から供給される電圧値を所定の値に設定する。さらに、アノード室２及びカソード室３に、それぞれの高さ寸法内でめっき液を入れる。これにより、めっき液は、アノード室２及びカソード室３にそれぞれ独立に保持される。なお、この状態では、めっき液は、仕切板６の孔を透過しない。

それから、基板保持治具１４を介して、基板８をカソード領域１１に設置する。これにより、基板８が、めっき液に浸漬され、さらに仕切板６を挟んでアノード電極７と対向して配置される。
この状態から、液送ポンプ１６を駆動する。すると、アノード室２のめっき液が吸引されて、フィルタ１７を通してカソード室３内に送り込まれる。そのため、めっき液の量が相対的にアノード室２よりもカソード室３の方が多くなっていく。これにより、カソード室３のめっき液の液面が、アノード室２のめっき液の液面よりも高くなっていく。その結果、カソード室３内のめっき液の液圧が上昇し、やがて、仕切板６の孔からめっき液が透過する所定の液圧を越えていく。

すると、液圧の高いほうから低い方へ、すなわち、カソード室３からアノード室２へと、カソード室３及びアノード室２の内部においてめっき液が流動していく。これにより、カソード室３内の液圧が徐々に緩和されていく。そして、カソード室３において、流動部１３によってめっき液が送り込まれることによる液圧の上昇分と、めっき液が仕切板６を透過して流出していくことによる液圧の減少分が等しくなった状態で安定し、この安定状態が維持される。このとき、カソード室３のめっき液の液面は、アノード室２のめっき液の液面よりも高くなっており、また、流動部１３によるアノード室２からカソード室３へのめっき液の流動量と、仕切板６を透過するカソード室３からアノード室２へのめっき液の流動量とが等しくなる。
そのため、カソード室３とアノード室２とにわたって、アノード室２及びカソード室３内において、めっき液が流動し続ける。

それから電源部１２を駆動すると、金属イオンが仕切板６の孔を透過してアノード室２からカソード室３に移動し、カソード室３内において、基板８から電子を受け取ることにより基板８の表面に銅として付着する。これにより、基板８の表面にめっき層が形成される。

以上より、本実施形態におけるめっき装置１によれば、アノード室２及びカソード室３の内部においてめっき液を流動させることができることから、膜厚の均一なめっき層を精度よく形成することができる。
ここで、アノード室２及びカソード室３の内部においてめっき液を流動させるために、従来のように、アノード室２とカソード室３とにわたってめっき液を一杯に入れ、それらアノード室２及びカソード室３の上方を介してめっき液を流動させることが考えられる。
しかし、アノード室２とカソード室３とにわたってめっき液を一杯に入れると、上方の部分のめっき液の抵抗が小さくなるため、基板８の上方のめっき厚が局部的に大きくなってしまう。
本実施形態におけるめっき装置１によれば、アノード室２及びカソード室３に、めっき液を独立に保持させた状態で、アノード室２及びカソード室３の内部においてめっき液を流動させることができる。

また、めっき液の液面の高さを上げるようにしたので、めっき液が仕切板６を透過する所定の液圧に簡単かつ確実に設定することができる。
また、カソード室３の液面の高さを上げるようにしたので、カソード室３からアノード室２へとめっき液を流動させることができることから、アノード室２で発生した異物などが孔に残留したり、カソード室３に移動したりすることを防止することができ、高精度なめっき層を形成することができる。すなわち、アノード電極７として、含りん銅ボールのような溶解性物質を用いた場合、ブラックフィルムの脱落による異物がアノード室２内で発生するが、これら異物がカソード室３に移動すると、基板８で突起となったりノジュールが発生したりしてしまいめっき品質が低下してしまう。本実施形態におけるめっき装置１によれば、カソード室３からアノード室２へとめっき液を流動させることにより、アノード室２で発生した異物などが孔に残留したり、カソード室３に移動したりすることを防止することができる。

また、アノード室２からめっき液を吸引し、フィルタ１７を通してカソード室３に送り込んでいることから、アノード室２で発生した異物をフィルタ１７によって確実に取り除くことができ、めっき液を常にクリーンな状態に維持することができる。そのため、めっき品質を向上させることができる。
また、仕切板６とカソード領域１１との間の距離寸法ｄ１が、０．５ｍｍになっていることから、アノード電極７と基板８との間の電界を均一にすることができ、めっき層の膜厚を確実に均一にすることができる。

また、仕切板６を設けたときのめっき液の抵抗値が基準抵抗値の１．１倍以上となっているため、めっき厚を確実に均一化することができる。
また、電源部１２が、アノード電極７ごとに個別に設けられており、電源部１２から供給される電圧値が、仕切板６の特性に合わせてあらかじめ設定されることから、仕切板６の固有の抵抗ばらつきがあった場合、これらばらつきに応じて補正することができ、より高品質なめっき層を形成することができる。

次いで、本実施形態におけるめっき装置１の三種類の実験結果について説明する。
まず、一つ目の実験結果について説明する。
アノード室２及びカソード室３に、硫酸銅２００ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、塩素イオン５０ｍｇ／Ｌのめっき液を入れた。仕切板６は、めっき液の抵抗値が基準抵抗値の１．２３倍となる有機質の連通気孔を有するものを用いた。距離寸法ｄ１は、５０ｍｍとした。カソード室３のめっき液の液面の高さが、アノード室２のめっき液の液面の高さに対して１ｃｍ高くなるように、液送ポンプ１６によるめっき液の流動量を調整した。この状態で、１．０Ａ／ｄｍ^２でめっき処理を行った。図３は、本実験において基板８の垂直方向をプロットした様子を示す表である。図３に示すように、基板８の垂直方向の全長にわたって、ほぼ均一なめっき膜厚を得ることができた。

次に、二つ目の実験結果について説明する。
仕切板６は、めっき液の抵抗値が基準抵抗値の１．４３倍となる有機質の連通気孔を有するものを用いた。カソード室３のめっき液の液面の高さが、アノード室２のめっき液の液面の高さに対して１０ｃｍ高くなるように、液送ポンプ１６によるめっき液の流動量を調整した。なお、他の条件は一つ目の実験と同様である。この状態で、１．０Ａ／ｄｍ^２でめっき処理を行った。図４は、本実験において基板８の垂直方向をプロットした様子を示す表である。図４に示すように、基板８の垂直方向の全長にわたって、均一なめっき膜厚を得ることができた。なお、本実験では、めっき液の抵抗値の高くなる仕切板６を用いたことから、一つ目の実験よりもさらに均一な膜厚のめっき層が形成された。

次に、三つ目の実験結果について説明する。
二つめの実験において、液送ポンプ１６を駆動せず、めっき液を外方から流動させない状態で、１．０Ａ／ｄｍ^２でめっき処理を行った。図５は、本実験において基板８の垂直方向をプロットした様子を示す表である。図５に示すように、基板８の上部でめっき厚が薄くなっている。これは、気泡が滞留したことにより、その部分での抵抗が高くなり、電流が流れ難くなったためと考えられる。さらに、その部分に流れなかった電流が基板８の中央部に流れたことにより、中央部のめっき厚が厚くなったものと考えられる。

（実施形態２）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図６は、本発明の第２の実施形態を示したものである。
図６において、図１から図５に記載の構成要素と同一部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
この実施形態と上記第１の実施形態とは基本的構成は同一であり、ここでは異なる点についてのみ説明する。

本実施形態におけるめっき装置１は、カソード室３のめっき液を吸引し、そのめっき液をアノード室２に送り込むようにしたものである。すなわち、カソード室３のめっき液を吸引する液送ポンプ１６が一つ設けられ、各アノード室２に対応させてフィルタ１７が二つ設けられている。
このような構成のもと、液送ポンプ１６を駆動すると、カソード室３からアノード室２にめっき液が流動する。そのため、アノード室２のめっき液の液面が高くなった所定の状態で安定状態となる。
これにより、アノード室２及びカソード室３に、めっき液を独立に保持させた状態で、アノード室２及びカソード室３の内部においてめっき液を流動させることができる。
なお、フィルタ１７を二つ設けるとしたが、これに限ることはなく、一つとしてもよい。この場合、フィルタ１７の出口から連通管２０を分岐させて各アノード室２に連通させればよい。

（実施形態３）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図７は、本発明の第３の実施形態を示したものである。
図７において、図１から図６に記載の構成要素と同一部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
この実施形態と上記第１の実施形態とは基本的構成は同一であり、ここでは異なる点についてのみ説明する。

本実施形態においては、上方に直線状に延びるレール（移動手段）３０が設けられており、このレール３０に基板保持治具（移動手段）３２が設けられている。そして、基板保持治具３２は、基板８を保持した状態で、レール３０の長さ方向に往復移動するようになっている。
仕切板６は、レール３０に沿って複数配列されており、各仕切板６の間には、連結部３１が設けられている。また、レール３０に沿って、各仕切板６に対向してアノード電極７が設けられている。アノード電極７には、各アノード電極７ごとに個別に電源部１２が設けられている。これら電源部１２の電圧値は、各仕切板６の抵抗値に応じて、あらかじめ設定されている。

このような構成のもと、アノード室２及びカソード室３にめっき液を入れた状態で、電源部１２を駆動する。そして、基板８を各仕切板６に対向させるように、基板８を保持した基板保持治具３２を移動させる。これにより、均一なめっき層を迅速かつ容易に形成することができる。
また、各アノード電極７ごとに個別に設けられた電源部１２の電圧値が、各仕切板６の抵抗値に応じて、あらかじめ設定されていることから、より均一なめっき層を形成することができる。

なお、上記第１から第３の実施形態においては、仕切板６を多孔質のものとしたが、これに限ることはなく、後から孔を形成するようにしてもよく、また、孔は一つであっても複数であってもよい。また、全てのめっき液が仕切板６の孔を通過する必要はない。
また、液面の高さは、液送ポンプ１６の送液量や仕切板６の孔の大きさによる流量の調整によって最適化を図ることができる。
また、めっき液面の高さ管理として、オーバーフロー構造を用いてもよい。例えば、カソード室３の液面を所定の高さに維持するため、カソード室３からめっき液がオーバーフローする構造とすることができる。

また、図８に示すように、アノード室２又はカソード室３から溢れ出ためっき液を受ける受け部３４を設けてもよい。そして、受け部３４に入れられためっき液を液送ポンプ１６によってフィルタ１７を介してカソード室３に戻すようにしてもよい。
また、めっき液の抵抗値が基準抵抗値の１．１倍以上としたが、これに限ることはなく、１．１倍以上１００倍以下の範囲で設定することができる。このとき、抵抗値が高すぎると、電圧が大きくなることや電気伝導度が低下することによって、カソードの電析レートが低下する。さらに、抵抗値が高すぎると、気孔率が低いことから、仕切板６内を均一にめっき液が通ることができず、仕切板６の面内抵抗のばらつきが生じることにより、面内のめっき厚のばらつきが大きくなってしまう。そのため、１．１倍以上〜１００倍以下に設定される。

また、電源部１２を仕切板６ごとに個別に設けるとしたが、これに限ることはなく、仕切板６を複数一組として、その組ごとに電源部１２を設けてもよいし、全体で一つ設けてもよい。
また、距離寸法ｄ１は、０．５ｍｍ以上１５０ｍｍ以下の範囲内であれば、適宜変更可能である。すなわち、仕切板６を基板８から１５０ｍｍを越えて離すと、カソード抵抗を無視することができなくなり、カソード給電接点部に電界が集中し基板８の外周部の膜厚が局部的に大きくなってしまう。そのため、距離寸法ｄ１は、０．５ｍｍ以上１５０ｍｍ以下に設定される。
なお、本発明の技術範囲は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変更を加えることが可能である。

本発明に係るめっき装置の第１の実施形態を示す図であって、めっき装置を側面から見た様子を示す断面図である。 図１のアノード室及びカソード室を拡大して示す図であって、めっき液の抵抗値を測定する様子を示す説明図である。 図１のめっき装置の一つ目の実験結果を示す表である。 図１のめっき装置の二つ目の実験結果を示す表である。 図１のめっき装置の三つ目の実験結果を示す表である。 本発明に係るめっき装置の第２の実施形態を示す図であって、めっき装置を側面から見た様子を示す断面図である。 本発明に係るめっき装置の第３の実施形態を示す平面図である。 図１のめっき装置の変形例を拡大して示す説明図である。

符号の説明

１ めっき装置
２ アノード室（アノード）
３ カソード室
６ 仕切板（抵抗付与手段、壁部材）
７ アノード電極
８ 基板（被めっき体、被めっき基板、カソード電極）
１１ カソード領域
１２ 電源部
１３ 流動部
１７ フィルタ
３０ レール（移動手段）
３２ 基板保持治具（移動手段）

Claims (11)

1. めっき液に浸漬させたアノードと、カソードとなる被めっき基板との間に流れる電流に対して抵抗を付与する抵抗付与手段が、前記アノードと前記被めっき基板との間に設けられていることを特徴とするめっき装置。
2. 前記抵抗付与手段を設けた状態における前記アノードと前記基板との間の前記めっき液の抵抗値が、前記抵抗付与手段を設けない状態における前記めっき液の抵抗値に対して１．１倍以上であることを特徴とする請求項１に記載のめっき装置。
3. 前記抵抗付与手段が、めっき液を流通させる小孔が複数設けられた多孔質板であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のめっき装置。
4. 前記抵抗付与手段が、前記基板に対向して配置され、前記抵抗付与手段と前記基板との距離が、０．５ｍｍ〜１５０ｍｍであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のめっき装置。
5. めっき液に浸漬させた被めっき体にめっきを施すめっき装置であって、
   アノード電極が設けられ、前記めっき液が入れられるアノード室と、
   前記被めっき体がカソード電極として設けられるカソード領域を有し、前記めっき液が入れられるカソード室と、
   前記アノード室と前記カソード室とを仕切り、所定の圧力によって前記めっき液を透過させる孔を有する壁部材と、
   前記アノード室と前記カソード室との間で、前記アノード室及び前記カソード室の外方から前記めっき液を流動させる流動部とを備え、
   前記アノード室及び前記カソード室が、それぞれの高さ寸法以下で前記めっき液を保持し、
   前記流動部が、前記アノード室又は前記カソード室のいずれか一方に入れられた前記めっき液を他方に流動させて、前記他方の圧力を前記所定の圧力にすることを特徴とするめっき装置。
6. 前記流動部が、前記他方に入れられた前記めっき液の液面の高さを、前記一方に入れられた前記めっき液の液面の高さよりも高くすることを特徴とする請求項５に記載のめっき装置。
7. 前記流動部が、前記アノード室又は前記カソード室のいずれか一方から取り込まれた前記めっき液の中から異物を取り除くフィルタを備えることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載のめっき装置。
8. 前記一方が前記アノード室であり、
   前記他方が前記カソード室であることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載のめっき装置。
9. 前記カソード領域と前記壁部材とが対向して配置され、
   前記カソード領域と前記壁部材との間の距離寸法が、０．５ｍｍ〜１５０ｍｍであることを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか一項に記載のめっき装置。
10. 前記壁部材を設けた状態における前記アノード電極と前記カソード領域との間の前記めっき液の抵抗値が、前記壁部材を設けない状態における前記めっき液の抵抗値に対して１．１倍以上であることを特徴とする請求項５から請求項９のいずれか一項に記載のめっき装置。
11. 複数の前記アノード電極と、
    前記複数のアノード電極に順次対向するように、前記被めっき体を移動させる移動手段とを備え、
    前記移動手段によって移動させられる被めっき体と前記アノード電極とに電源を供給する電源部が、一つ又は複数の前記アノード電極ごとに設けられていることを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか一項に記載のめっき装置。

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