JPH01114726A - カメラの測光装置 - Google Patents
カメラの測光装置Info
- Publication number
- JPH01114726A JPH01114726A JP27439287A JP27439287A JPH01114726A JP H01114726 A JPH01114726 A JP H01114726A JP 27439287 A JP27439287 A JP 27439287A JP 27439287 A JP27439287 A JP 27439287A JP H01114726 A JPH01114726 A JP H01114726A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- subject brightness
- receiving element
- light
- cds
- brightness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005375 photometry Methods 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、カメラの測光装置に係わり、特にＣｄＳ等の
被写体よりの受光光量によって電気抵抗値が変化する受
光素子を用い、マイクロコンピュータを内蔵して露光制
御を行うようにしたカメラの測光装置に関するものであ
る。
被写体よりの受光光量によって電気抵抗値が変化する受
光素子を用い、マイクロコンピュータを内蔵して露光制
御を行うようにしたカメラの測光装置に関するものであ
る。
マイクロコンピュータを内蔵して自動露光制御（ＡＥ）
を行うカメラでは、一般に安価なＣｄＳやＣｄＳｅ等光
エネルギーを吸収すると電気抵抗が変化する受光素子を
用い、被写体の輝度情報をデジタル信号に変換して鬼理
を行っている。
を行うカメラでは、一般に安価なＣｄＳやＣｄＳｅ等光
エネルギーを吸収すると電気抵抗が変化する受光素子を
用い、被写体の輝度情報をデジタル信号に変換して鬼理
を行っている。
ＣｄＳ等の受光素子の前面にはコンデンサレンズＬを設
け、測光範囲の光を受光素子面に集光して測光し、これ
をデジタル信号に変換するが、従来の被写体の輝度測光
を行う測光装置としては第７図（ａ）に示すような測光
回路が用いられていた。即ち回路はＣｄＳの外にコンパ
レータＣＯＩｌｐ ｓコンデンサＣ１トランジスタＴｒ
、マイクロコンピュータＭＣ等から構成されて、その動
作は第７図（ｂ）に示すようにしてなされていた。まず
マイクロコンピュータＭＣの出力端子ＡＥＯをＯＮとし
てトランジスタＴｒにより一旦電位Ｖ ＣｄＳを放電し
たのち出力端子ＡＥＯをＯＦＦとしてコンデンサＣの充
電を開始させ、電位Ｖ ＣｄＳが所定のレベルに回復し
た時点の信号をコンパレータＣｏ＋＊ｐによって得るよ
うにし、この信号を入力端千人Ｅｌが受けて、充電に要
した時間を演算し、その値から測光値を得る方法がとら
れていｔこ 。
け、測光範囲の光を受光素子面に集光して測光し、これ
をデジタル信号に変換するが、従来の被写体の輝度測光
を行う測光装置としては第７図（ａ）に示すような測光
回路が用いられていた。即ち回路はＣｄＳの外にコンパ
レータＣＯＩｌｐ ｓコンデンサＣ１トランジスタＴｒ
、マイクロコンピュータＭＣ等から構成されて、その動
作は第７図（ｂ）に示すようにしてなされていた。まず
マイクロコンピュータＭＣの出力端子ＡＥＯをＯＮとし
てトランジスタＴｒにより一旦電位Ｖ ＣｄＳを放電し
たのち出力端子ＡＥＯをＯＦＦとしてコンデンサＣの充
電を開始させ、電位Ｖ ＣｄＳが所定のレベルに回復し
た時点の信号をコンパレータＣｏ＋＊ｐによって得るよ
うにし、この信号を入力端千人Ｅｌが受けて、充電に要
した時間を演算し、その値から測光値を得る方法がとら
れていｔこ 。
このような回路をもった測光装置では回路構成を複雑と
し、また複雑な回路構成にも拘わらず測定結果は必ずし
も高精度のものではなかった。
し、また複雑な回路構成にも拘わらず測定結果は必ずし
も高精度のものではなかった。
本発明は、前記問題点を解決して簡単なかつきわめて安
価な回路によって、しかも精度のよい被写体の輝度測光
を行うことができるようにした、カメラの測光装置を提
供することを目的とする。
価な回路によって、しかも精度のよい被写体の輝度測光
を行うことができるようにした、カメラの測光装置を提
供することを目的とする。
前記目的は、受光量により抵抗値の変化する受光素子と
、下記に示す範囲の予め設定したバイアス抵抗Ｒ２とを
直列に接続し、該受光素子と該バイアス抵抗との接続点
の出力信号をＡ／Ｄ変換することにより被写体輝度をデ
ジタル情報に変換することを特徴とするカメラの測光装
置 ここで、 （、、、Ｒ，２２−ｒ＋２ｔＶ、−２ｔＶＴ＋ＡＸｌ（
、−Ｒ，２２−ｒ ＋ ２ ｊ Ｖ ＋ −２ｔ Ｖ
ｔ ＋ Ａ Ｘ ＩＲｏ：被写体輝度ＬＶ、における受
光素子の抵抗値γ：受光素子のガンマ値 ＬＶ、 ：基準被写体輝度（ＥＶ） ＬＹＥ：測光範囲下限被写体輝度（ＥＶ）ＬＶ、 ：測
光範囲上限被写体輝度（ＥＶ）被写体輝度は感度ｌ５Ｏ
１００の感光材料を用いたとき適正露出が得られる露出
値（ＥＶ）で表示する。
、下記に示す範囲の予め設定したバイアス抵抗Ｒ２とを
直列に接続し、該受光素子と該バイアス抵抗との接続点
の出力信号をＡ／Ｄ変換することにより被写体輝度をデ
ジタル情報に変換することを特徴とするカメラの測光装
置 ここで、 （、、、Ｒ，２２−ｒ＋２ｔＶ、−２ｔＶＴ＋ＡＸｌ（
、−Ｒ，２２−ｒ ＋ ２ ｊ Ｖ ＋ −２ｔ Ｖ
ｔ ＋ Ａ Ｘ ＩＲｏ：被写体輝度ＬＶ、における受
光素子の抵抗値γ：受光素子のガンマ値 ＬＶ、 ：基準被写体輝度（ＥＶ） ＬＹＥ：測光範囲下限被写体輝度（ＥＶ）ＬＶ、 ：測
光範囲上限被写体輝度（ＥＶ）被写体輝度は感度ｌ５Ｏ
１００の感光材料を用いたとき適正露出が得られる露出
値（ＥＶ）で表示する。
ΔＸ：測光ステップ幅（ＥＶ）
Ｐ：実用最小分解能
によって達成される。
第１図は本発明の一実施例を示す測光回路図で、図にお
いて、Ｒ，は受光素子ＣｄＳの抵抗値、Ｒ２は・受光素
子ＣｄＳと直列でアース側に接続されたバイアス抵抗、
ＭＣはＡ／Ｄ変換機能を有するマイクロコンピュータ、
ｖＣｄＳは受光素子ＣｄＳとバイアス抵抗Ｒ８との接続
点に発生する出力電圧、ＶＤＤは電源電圧である。受光
素子ＣｄＳの受光面は、コンデンサレンズによるなどし
て被写体輝度に比例した照度になっている。それで前記
接続点に発生する電圧Ｖ ＣｄＳは被写体輝度に応じて
変化する、この電圧Ｖ ＣｄＳをマイクロコンピュータ
ＭＣによってＡ／Ｄ変換して、直接被写体輝度信号を得
ることができる。かかる測光方法においては、被写体輝
度に対応する電圧Ｖ ＣｄＳの変化率を大きくし測定精
度を高くするには、測光する輝度範囲に亙り受光素子Ｃ
ｄＳの特性に適合した抵抗値を有するバイアス抵抗を選
択しなければならない。
いて、Ｒ，は受光素子ＣｄＳの抵抗値、Ｒ２は・受光素
子ＣｄＳと直列でアース側に接続されたバイアス抵抗、
ＭＣはＡ／Ｄ変換機能を有するマイクロコンピュータ、
ｖＣｄＳは受光素子ＣｄＳとバイアス抵抗Ｒ８との接続
点に発生する出力電圧、ＶＤＤは電源電圧である。受光
素子ＣｄＳの受光面は、コンデンサレンズによるなどし
て被写体輝度に比例した照度になっている。それで前記
接続点に発生する電圧Ｖ ＣｄＳは被写体輝度に応じて
変化する、この電圧Ｖ ＣｄＳをマイクロコンピュータ
ＭＣによってＡ／Ｄ変換して、直接被写体輝度信号を得
ることができる。かかる測光方法においては、被写体輝
度に対応する電圧Ｖ ＣｄＳの変化率を大きくし測定精
度を高くするには、測光する輝度範囲に亙り受光素子Ｃ
ｄＳの特性に適合した抵抗値を有するバイアス抵抗を選
択しなければならない。
いま、受光面照度■。のときの受光素子ＣｄＳの抵抗値
をＲｏ、ｘＥＶだけ異なる受光面照度Ｉｎのときの抵抗
値をＲｎとすると、受光素子ＣｄＳのガンマ値の定義よ
り であるから ＱｏｇＲｎ＝ ＱｏｇＲ、−γ（＋２ｏｇＩ ｎ −Ｑ
ｏｇＩ ｏ）２を底に取ると Ｒｎ＝ＲｏＸ２−γ（Ｌａｇｌｍ−ムーＩＯ）ここで
ｘ ｎ −ｌｏｇＩ ｎ −１ｏｇＩ ｏ とす
るとＲｎ−Ｒ，Ｘ２−γｘＭ となる。それで第１図の回路に当てはめると従って この関数ｆ（ｘ）をグラフ、に表すと第２図のようにな
り、バイアス抵抗Ｒ２の値によりグラフの形状が変化す
る。
をＲｏ、ｘＥＶだけ異なる受光面照度Ｉｎのときの抵抗
値をＲｎとすると、受光素子ＣｄＳのガンマ値の定義よ
り であるから ＱｏｇＲｎ＝ ＱｏｇＲ、−γ（＋２ｏｇＩ ｎ −Ｑ
ｏｇＩ ｏ）２を底に取ると Ｒｎ＝ＲｏＸ２−γ（Ｌａｇｌｍ−ムーＩＯ）ここで
ｘ ｎ −ｌｏｇＩ ｎ −１ｏｇＩ ｏ とす
るとＲｎ−Ｒ，Ｘ２−γｘＭ となる。それで第１図の回路に当てはめると従って この関数ｆ（ｘ）をグラフ、に表すと第２図のようにな
り、バイアス抵抗Ｒ２の値によりグラフの形状が変化す
る。
ここでマイクロコンピュータＭＣのＡ／Ｄコンバータの
実用最小分解能をＰとすると（例えば８ ｂｉｔＡ／Ｄ
コンバータで温度特性による誤差も含め３ ＬＳＨの誤
差が考えられるときはｐ −３／２５６となる）、測光
すべき被写体輝度範囲ＬＶ、〜ＬＶ２全域に亙り、最小
測光ステップΔｘ（ＥＶ）の輝度変化に対する（１）式
の変化量がＰより大きければ、精度よく測光できること
となる。
実用最小分解能をＰとすると（例えば８ ｂｉｔＡ／Ｄ
コンバータで温度特性による誤差も含め３ ＬＳＨの誤
差が考えられるときはｐ −３／２５６となる）、測光
すべき被写体輝度範囲ＬＶ、〜ＬＶ２全域に亙り、最小
測光ステップΔｘ（ＥＶ）の輝度変化に対する（１）式
の変化量がＰより大きければ、精度よく測光できること
となる。
（１）式よりＸ−ＸＱにおいてΔＸだけ変化したときの
ｆ（ｘ）の変化量を求めると であり、よって となる。ｆ（ｘ）は単調増加関数であるからｆ（Ｘｎ＋
ＡＸ）−ｆ（Ｘｎ）＞ Ｐ であればよいことになる。
ｆ（ｘ）の変化量を求めると であり、よって となる。ｆ（ｘ）は単調増加関数であるからｆ（Ｘｎ＋
ＡＸ）−ｆ（Ｘｎ）＞ Ｐ であればよいことになる。
従って
Ｐを左辺に移して整理すると
−Ｒ０” ２−１＋２Ｘｍ＋ｂＸｌ ＞ ０両辺に−１
を乗じて ■ Ｒ２”＋ Ｒ０２−”’（（１＋ ２−”）−７（１−
２−ｒｈＸ））Ｒ。
を乗じて ■ Ｒ２”＋ Ｒ０２−”’（（１＋ ２−”）−７（１−
２−ｒｈＸ））Ｒ。
＋ Ｒ、ｘ ２−ｙ＋２Ｘｓ＋ＡＸｌ＜ ０この不等式
の解Ｒ２は、左辺をｇ（Ｒｚ）とし、ｇ（Ｒｚ）−Ｒｚ
’ Ｒ６２−”’（（１＋２−”’）＋’（１２−”
ｘ））ＸＲ，＋ＲＯ’２ ｙ１２Ｘｓ＋ＡＸｌ
＋＋ （３）この方程式（３）の２根をα、β
（σ〈β）とすると、σ＜Ｒ２＜β となる。
の解Ｒ２は、左辺をｇ（Ｒｚ）とし、ｇ（Ｒｚ）−Ｒｚ
’ Ｒ６２−”’（（１＋２−”’）＋’（１２−”
ｘ））ＸＲ，＋ＲＯ’２ ｙ１２Ｘｓ＋ＡＸｌ
＋＋ （３）この方程式（３）の２根をα、β
（σ〈β）とすると、σ＜Ｒ２＜β となる。
ところで、第２図に見られるように測光範囲全域に亙り
平均して増加率を高くするようにバイアス抵抗Ｒ２の値
を選ぶと（第２図のＲ１がほぼ中間の値の場合）、測光
範囲の最小輝度と最大輝度における出力電圧の変化量が
最小となる。それでこの２点における（２）式を満足す
るＲ２の値（範囲）を求め、二つの範囲に共通する値を
求めれば良いことになる。また受光面照度■は被写体輝
度に比例し、ｘｎは基準照度！。と任意照度Ｉｎの２を
底とした対数の差であるから、被写体輝度をＥＶ単位の
ＬＶで表すと、 ｘ ｎ＝ ｌｏｇ、Ｉｎ −１ｏｇｌｌｏ ＝ ＬＶｎ
−ＬＶ。
平均して増加率を高くするようにバイアス抵抗Ｒ２の値
を選ぶと（第２図のＲ１がほぼ中間の値の場合）、測光
範囲の最小輝度と最大輝度における出力電圧の変化量が
最小となる。それでこの２点における（２）式を満足す
るＲ２の値（範囲）を求め、二つの範囲に共通する値を
求めれば良いことになる。また受光面照度■は被写体輝
度に比例し、ｘｎは基準照度！。と任意照度Ｉｎの２を
底とした対数の差であるから、被写体輝度をＥＶ単位の
ＬＶで表すと、 ｘ ｎ＝ ｌｏｇ、Ｉｎ −１ｏｇｌｌｏ ＝ ＬＶｎ
−ＬＶ。
となる。
そこで測光範囲の最小被写体輝度をＬＶ、、最大被写体
輝度をＬＶ２とすると、最小輝度点のＸＩ及び最大輝度
点のｘ２は Ｘ ｌ−ＬＶＩ−ＬＶ。
輝度をＬＶ２とすると、最小輝度点のＸＩ及び最大輝度
点のｘ２は Ｘ ｌ−ＬＶＩ−ＬＶ。
ｘ 、＝ ｔ、ｖ、 −ＬＶｏ となる
。
。
（３）式のｘｎに前記ｘ１及びｘ２を代入した方程式を
ｇ＋（Ｒｇ）９ｇｚ（Ｒｚ）とし、それぞれの根を求め
、α１．β、（α１くβｌ）及びσ２．β２（α２くβ
２）とすると、ｇ＋（Ｒｇ）、ｇｚ（ｉｔ）のグラフは
第３図に示すようになる。従って αｌ＜ Ｒ２＜β２ であるから ここで、 Ｂ 、 ＝ＲＯ（−（１＋２−田）＋１（１２−ＦＡＸ
））Ｘ ２−７（ｊＶ、−ＺＶ・）Ｂ ２＝Ｒｏ（−（
１＋ ２−”ｘ）＋’（１−２−”°））Ｘ ２−７（
′Ｖ＋−（Ｖ・）（、＝Ｒｏ２−ｒ１２＋Ｖ゛−１ｉＶ
、＋ＡＸＩＣ２＝Ｒｏ２−ｙｔｂｖ、−ｚ＋ｖ、＋Δｘ
＋である。
ｇ＋（Ｒｇ）９ｇｚ（Ｒｚ）とし、それぞれの根を求め
、α１．β、（α１くβｌ）及びσ２．β２（α２くβ
２）とすると、ｇ＋（Ｒｇ）、ｇｚ（ｉｔ）のグラフは
第３図に示すようになる。従って αｌ＜ Ｒ２＜β２ であるから ここで、 Ｂ 、 ＝ＲＯ（−（１＋２−田）＋１（１２−ＦＡＸ
））Ｘ ２−７（ｊＶ、−ＺＶ・）Ｂ ２＝Ｒｏ（−（
１＋ ２−”ｘ）＋’（１−２−”°））Ｘ ２−７（
′Ｖ＋−（Ｖ・）（、＝Ｒｏ２−ｒ１２＋Ｖ゛−１ｉＶ
、＋ＡＸＩＣ２＝Ｒｏ２−ｙｔｂｖ、−ｚ＋ｖ、＋Δｘ
＋である。
第４図は下記に示す実際例について、第１図のバイアス
抵抗Ｒ２を、前記計算によって求めた範囲の値にした場
合の被写体輝度に対する出力信号の関係を示す図である
。縦軸は出力電圧をＡ／Ｄ変換したｂｉｔ数を示し、横
軸は被写体輝度をＥＶ単位で表したＬＶである。
抵抗Ｒ２を、前記計算によって求めた範囲の値にした場
合の被写体輝度に対する出力信号の関係を示す図である
。縦軸は出力電圧をＡ／Ｄ変換したｂｉｔ数を示し、横
軸は被写体輝度をＥＶ単位で表したＬＶである。
即ち、ＣｄＳの抵抗；
基準被写体輝度ＬＶ１５において
５にΩ（カメラに組み込んだもの）
Ｃ’ｄＳのガンマ値；γ＝０．５３
測光範囲 、 ＬＶ６〜ＬＶ１７
測光ステップ輻；ΔＸ ＝ １／３ＥＶ実用最小分解能
；Ｐ−３／２５６ である場合の適合バイアス抵抗Ｒ２は １５．４にΩ＜ Ｒ２＜ １８．８にΩとなり、Ｒ２＝
１８にΩとしたものである。
；Ｐ−３／２５６ である場合の適合バイアス抵抗Ｒ２は １５．４にΩ＜ Ｒ２＜ １８．８にΩとなり、Ｒ２＝
１８にΩとしたものである。
第５図は本発明の他の実施例を示す測光回路図で、符号
ＣｄＳ、Ｍ Ｃ、Ｖ ＣｄＳ、 Ｖ ＤＤハ、第１図に
示す部分または電圧と同一で、Ｒ１及びＲ１は分割した
バイアス抵抗、Ｔｒはトランジスタ、ＡＢＣはトランジ
スタＴｒを制御する制御端子である。この実施例は測光
輝度範囲が広すぎるか、受光素子ＣｄＳのガンマ値など
が不適当で、適当なバイアス抵抗値Ｒ２の解が得られな
かった場合、あるいは更に高分解能を有し高精度の測光
を必要とする場合に用いられる測光回路である。
ＣｄＳ、Ｍ Ｃ、Ｖ ＣｄＳ、 Ｖ ＤＤハ、第１図に
示す部分または電圧と同一で、Ｒ１及びＲ１は分割した
バイアス抵抗、Ｔｒはトランジスタ、ＡＢＣはトランジ
スタＴｒを制御する制御端子である。この実施例は測光
輝度範囲が広すぎるか、受光素子ＣｄＳのガンマ値など
が不適当で、適当なバイアス抵抗値Ｒ２の解が得られな
かった場合、あるいは更に高分解能を有し高精度の測光
を必要とする場合に用いられる測光回路である。
Ｒ３及びＲ６は次ぎのようにして求められる。まず測光
輝度範囲をほぼ中央で２分割し、低輝度範囲に適合する
バイアス抵抗値Ｒａをもとめ、次ぎに高輝度範囲に適合
するバイアス抵抗値Ｒｂを求める（Ｒａ） Ｒｂ）、そ
うして Ｒ，−Ｒａ−Ｒｈ Ｒ，−Ｒｂ とする。
輝度範囲をほぼ中央で２分割し、低輝度範囲に適合する
バイアス抵抗値Ｒａをもとめ、次ぎに高輝度範囲に適合
するバイアス抵抗値Ｒｂを求める（Ｒａ） Ｒｂ）、そ
うして Ｒ，−Ｒａ−Ｒｈ Ｒ，−Ｒｂ とする。
次ぎに前記第５図に示した測光回路の動作について説明
する。低輝度範囲における測光時には、マイクロコンピ
ュータＭＣの制御端子ＡＥＣはＯＦＦになっていてトラ
ンジスタＴｒはＯＦＦ状態になっているので、回路のバ
イアス抵抗値は、Ｒｓ十Ｒ４−Ｒａとなり低輝度範囲に
適合したバイアス抵抗となる。
する。低輝度範囲における測光時には、マイクロコンピ
ュータＭＣの制御端子ＡＥＣはＯＦＦになっていてトラ
ンジスタＴｒはＯＦＦ状態になっているので、回路のバ
イアス抵抗値は、Ｒｓ十Ｒ４−Ｒａとなり低輝度範囲に
適合したバイアス抵抗となる。
また高輝度範囲における測光時には、前記制御端子ＡＢ
ＣはＯＮになりトランジスタＴｒはＯＮ状態になるので
、Ｒ３は短絡されてバイアス抵抗値は、Ｒ４−Ｒｂとな
り高輝度範囲に適合した値となる。この場合の被写体輝
度に対する出力信号の関係を第６図に示す。
ＣはＯＮになりトランジスタＴｒはＯＮ状態になるので
、Ｒ３は短絡されてバイアス抵抗値は、Ｒ４−Ｒｂとな
り高輝度範囲に適合した値となる。この場合の被写体輝
度に対する出力信号の関係を第６図に示す。
なおこの場合、低輝度範囲と高輝度範囲の境界輝度をＬ
Ｖｍとし、Ｉ４ｍにおける低輝度範囲でのＡ／Ｄ変換さ
れた出力信号をＲ８、同じく高輝度範囲での出力信号を
Ｒ２とするとき、高輝度範囲の出力信号には、常に （
ｎ Ｉ−ｎ ２）が加えられるように、マイクロコンピ
ュータＭＣのプログラムを変更することなどが行われる
。
Ｖｍとし、Ｉ４ｍにおける低輝度範囲でのＡ／Ｄ変換さ
れた出力信号をＲ８、同じく高輝度範囲での出力信号を
Ｒ２とするとき、高輝度範囲の出力信号には、常に （
ｎ Ｉ−ｎ ２）が加えられるように、マイクロコンピ
ュータＭＣのプログラムを変更することなどが行われる
。
このように測光範囲を２分割して極めて高精度の測光回
路を得ることができる。
路を得ることができる。
本発明によれば以上説明したように、受光量により抵抗
値の変化する受光素子と、適合する範囲の予め設定した
バイアス抵抗Ｒ２とを直列に接続し、該受光素子と該バ
イアス抵抗との接続点の出力信号をＡ／Ｄ変換するよう
にしたので、簡単なかつきわめて安価な回路によって、
極めて精度の高い測光回路を得ることができる。
値の変化する受光素子と、適合する範囲の予め設定した
バイアス抵抗Ｒ２とを直列に接続し、該受光素子と該バ
イアス抵抗との接続点の出力信号をＡ／Ｄ変換するよう
にしたので、簡単なかつきわめて安価な回路によって、
極めて精度の高い測光回路を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す測光回路図、第２図は
前記第１図に示した回路による被写体輝度と出力電圧の
関係を示す図、 第３図は方程式ｇ＋（Ｒｚ）及びｇｚ（Ｒｚ）を示すグ
ラフ、第４図は実際例について、前記第１図のバイアス
抵抗Ｒ２を計算により求めた適合値にした場合の、被写
体輝度に対する出力信号の関係を示す図、第５図は本発
明の他の実施例を示す測光回路図、第６図は前記第５図
の測光回路によって得られる出力信号を示す図、 第７図（ａ）は従来の測光回路を示す図、第７図（ｂ）
は前記第７図（ａ）に示す測光回路の動作を説明するた
めの図である。 ＡＥＣ・・・制御端子 Ｃ・・・コンデンサＣ
ｄＳ・・・受光素子 Ｃｏｍｐ・・・コンパレ
ータＬ・・・コンデンサレンズ ＭＣ・・・マイクロコンピュータ Ｒ、、Ｒ、、Ｒ、・・・バイアス抵抗
前記第１図に示した回路による被写体輝度と出力電圧の
関係を示す図、 第３図は方程式ｇ＋（Ｒｚ）及びｇｚ（Ｒｚ）を示すグ
ラフ、第４図は実際例について、前記第１図のバイアス
抵抗Ｒ２を計算により求めた適合値にした場合の、被写
体輝度に対する出力信号の関係を示す図、第５図は本発
明の他の実施例を示す測光回路図、第６図は前記第５図
の測光回路によって得られる出力信号を示す図、 第７図（ａ）は従来の測光回路を示す図、第７図（ｂ）
は前記第７図（ａ）に示す測光回路の動作を説明するた
めの図である。 ＡＥＣ・・・制御端子 Ｃ・・・コンデンサＣ
ｄＳ・・・受光素子 Ｃｏｍｐ・・・コンパレ
ータＬ・・・コンデンサレンズ ＭＣ・・・マイクロコンピュータ Ｒ、、Ｒ、、Ｒ、・・・バイアス抵抗
Claims (3)
- （１）受光量により抵抗値の変化する受光素子と、下記
に示す範囲の予め設定したバイアス抵抗Ｒ＿２とを直列
に接続し、該受光素子と該バイアス抵抗との接続点の出
力信号をＡ／Ｄ変換することにより被写体輝度をデジタ
ル情報に変換することを特徴とするカメラの測光装置。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ここで、 ▲数式、化学式、表等があります▼ Ｒ＿０：被写体輝度ＬＶ＿０における受光素子の抵抗値
γ：受光素子のガンマ値 ＬＶ＿０：基準被写体輝度（ＥＶ） ＬＶ＿１：測光範囲下限被写体輝度（ＥＶ）ＬＶ＿２：
測光範囲上限被写体輝度（ＥＶ）被写体輝度は感度ＩＳ
Ｏ１００の感光材料を用いたとき適正露出が得られる露
出値（ＥＶ）で表示する。 Δｘ：測光ステップ幅（ＥＶ） Ｐ：実用最小分解能 - （２）前記バイアス抵抗Ｒ＿２は、被写体輝度が高輝度
の場合にはその抵抗値を小さくするようにしたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のカメラの測光装置
。 - （３）前記受光素子は、ＣｄＳであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項又は第２項記載のカメラの測光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27439287A JPH0663835B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | カメラの測光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27439287A JPH0663835B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | カメラの測光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01114726A true JPH01114726A (ja) | 1989-05-08 |
| JPH0663835B2 JPH0663835B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=17541029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27439287A Expired - Fee Related JPH0663835B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | カメラの測光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0663835B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0540838U (ja) * | 1991-11-07 | 1993-06-01 | 株式会社精工舎 | カメラ用測光装置 |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP27439287A patent/JPH0663835B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0540838U (ja) * | 1991-11-07 | 1993-06-01 | 株式会社精工舎 | カメラ用測光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0663835B2 (ja) | 1994-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3849786A (en) | Light integrating type light detector circuit with photovoltaic cell | |
| JPH055290B2 (ja) | ||
| US3781119A (en) | Dual light-measurement and compensation circuitry for cameras | |
| JPS6024410B2 (ja) | 光電変換回路 | |
| JPH0587812B2 (ja) | ||
| US4104547A (en) | Extended range current-to-time converter | |
| JPH01114726A (ja) | カメラの測光装置 | |
| US4160160A (en) | Circuit for integrating a quantity of light in an automatic control type flash unit | |
| JPH04181128A (ja) | 測光装置 | |
| US4241279A (en) | Control circuit for an automatic electronic flash light device | |
| JPS6136606B2 (ja) | ||
| JPS622294B2 (ja) | ||
| JPH085451A (ja) | 測光装置 | |
| JPH01163632A (ja) | 測光回路 | |
| US4007466A (en) | Electrical system having a photoelectric converter to be used in photography | |
| JPS6160362B2 (ja) | ||
| JP2691206B2 (ja) | 自動焦点カメラの補助照明装置 | |
| SU1208529A1 (ru) | Автоматический электронный затвор фотоаппарата | |
| JPS609707Y2 (ja) | 光電変換回路 | |
| SU758052A1 (ru) | Измеритель эффективной выдержки фотозатворов 1 | |
| JPS6088329A (ja) | 測光回路 | |
| JPH06100497B2 (ja) | 測光装置を有するカメラ | |
| JPS62270929A (ja) | カメラの測光装置 | |
| JPS61253433A (ja) | 測光回路 | |
| JPH0518820A (ja) | 測光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |