JPH01113937A - 光ディスク用レプリカ基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学的に情報記録再生可能な光ディスクに係
り１％に、ビット等の転写率評価を簡便に行うことがで
きる射出成形等より得られるレプリカ基板に関するもの
である。

〔従来の技術〕

情報を記録できる光ディスクにおけるトラッキング方式
は、連続溝サーボ方式とサンプルサーボ方式の２方式が
ある。これらの方式については。

例えば１日経エレクトロニクス　１９８６年１２月１６
日号第１６３頁から第１７０頁・「連続溝方式とサンプ
ルサーボ方式の２本立てに」Ｋ述べられている。

連続溝サーボ方式は従来開発されてきた方式であるが、
サンプルサーボ方式はトラッキング安定性が良いことか
ら、最近開発が活性化してきている。

第２図（α）は従来のサンプルサーボ方式におけるディ
スク基板を模式的に示した平面図、第２図（Ａ）は第２
図（α）の部分拡大図、である。

第２図（α）において、ディスク基板１１はプラスチッ
ク等から成るレプリカ基板であり、サンプルサーボ方式
では第２図（ｂ）に示すように、ディスク基板１１のト
ラックのところどころにトラッキング用のサンプルマー
ク１２，１５が設けられている。該サンプルマーク１２
．１５はトラック中心１４から左右に対称にウォブルし
たウォブルビットとして形成され、該ウォブルビットか
らの反射光量が同一となる点をトラック中心１４として
記録、再生ヘッドの走行位置を検知設定する。また、１
５はクロックビットであり、トラッキングおよびデータ
ビットの検出を行うものである。

第２図（Ａ）において、前記ビット１２，１６．１５の
ビット長は時間軸で９０Ｂ＃であり、ディスク半径５ｏ
■ディスク回転数１８０Ｏｒｐｍにおいては、０．５μ
風となる。また、該ビット１２，１５．１５の光学的深
さはλ／４（λ：読み取りレーザー波長１適常は８５０
ｎｍ）である。

該ビット１２，１５．１５が配されるサンプルマーク領
域は、ディスク−周で１０００〜６０００個所必要であ
り１通常、　１５７６個所となっている。その他の部分
はセクタアドレス部１６（−周に約６０個新根度）であ
り、ディスク基板１１上にはビットのみが存在する。

従来の連続溝サーボ方式におけるディスク基板（即ち、
レプリカ基板）では、グルーブの光学的深さがλ／８で
あり２回折元比率で該グルーブの寸法を評価できるため
、射出成形における転写率等も把握できた。しかし、従
来のサンプルサーボ方式におけるディスク基板（即ち、
レプリカ基板）では、前述のようにビットしかなく１回
折光比率による評価ができない。さらに、サンプルサー
ボ方式でのトラッキングはビットからの反射光量で決定
されるため、該ビット形状を評価する手段が必須である
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術では、射出成形等で得られるプラスチック
等からなるレプリカ基板でのビット形成状況を把握管理
する点について配慮されておらず特に、ビットしか存在
しないサンプルサーボ方式におけるレプリカ基板につい
ては転写率を評価する手段がなかった。

本発明の目的は、転写率を評価できる光ディスク用レプ
リカ基板を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記した目的を達成するために１本発明では。

少なくともビット長の異なる２個以上のビットから成り
、各ビットのビット幅Ｗがそれぞれ転写形成されたグル
ーブまたはビットの幅と同程度であり、各ビットのビッ
ト長がそれぞれ前記ビット幅Ｗに対してＷ〜９Ｗの範囲
にある転写率評価用ビット群を、レプリカ基板上のデー
タエリア外の内外周あるいはデータエリア内の特定箇所
に設けるようにした。

〔作用〕

第６図に、グルーブの溝深さと反射光量比の関係を示す
。

同図によれば、グルーブに光を照射した際の反射光量比
を求めることにより、グルーブの溝深さを推定すること
ができる。

しかし、同様の方法でビットの溝深さを求めた場合（即
ち１反射光量比から溝深さを求めた場合）そのビットの
ビット長が短ければ短いほど、その求めた値は実際の溝
深さの値と一致しなくなる。

この現象は、再生スポット径りとビット長ｌとの関係に
起因するもので、Ｄくｌの場合には反射光量が充分得ら
れるのに対し、Ｄ＞！のときには反射光量の情報量が減
少してくるため、みかけ上、溝深さが減少してくるもの
である。本発明はこの現象を利用してビット転写率を評
価しようとするものである。

例えば、ディスク作製工程中：エレクトロニクスエッセ
ンシャルズＡ５Ｉ「光ディスクプロセス技術の要点」１
日本工業技術センターにおけるカッティング板と射出成
形によるレプリカ基板の測定結果の一例を第４図に示す
。

即ち、第４図は、溝深さ（即ち、ビット深さ）がλ／４
で、溝幅（即ち、ビット幅）がα５μ風で、ビット長が
”　７１　ｖｍのビットを有するカッティング板と、該
カッティング板を元にして射出成形により作成されたレ
プリカ基板とにつ（・て、それぞれのビットの溝深さを
反射光量比から求め、その求めた値とビット長Ｘとの関
係を示した特性図である。

カッティング板では溝深さがλ／４であるから。

反射光量比によって求めた値もλ／４と一定の値を示す
はずであるが、第４図に示す如く、ビット長Ｘが２．５
μ講以下では、前述した理由により、求めた値はλ／４
より小さくなっている。

一方、レプリカ基板でも同様の傾向を示す。しかし、レ
プリカ基板では、反射光量比によって求めた値はビット
長Ｘが４μ簿以上において一定の値を示し、しかし、そ
の一定の値はカッティング板で得られた値、即ちλ／４
とは異っている。更にまた。ビット長Ｘが４μ風以下で
は求めた値は小さくなる傾向を示すが、その小さくなる
際の傾向も図から明らかな様に、カッティング板の場合
と異っている。

カッティング板とレプリカ板とで上記の様な異なりを示
す゛のは、ビット自体の形状が両者で異っていることを
表している。

従って、第４図の溝深さを転写率とみることができ、設
定溝深さとこれに至るまでの傾斜を評価することにより
、射出成形後のレプリカ基板のロフト間あるいは一枚毎
の転写状況を把握することができる。

そこで１本発明では、上記した様に、レプリカ基板上の
データエリア外の内外周あるいはデータエリア内の特定
箇所に転写率評価用ビット群を設け、該転写率評価用ビ
ット群からの反射光量を検知して、転写率を評価するよ
うにした。

再生ヘッドのスポット径りは１．５μ馬であり、転写率
評価用ビット群の最長ビット長ｌ□１は、およそ４μ簿
である。これより、ム、１／′Ｄが３倍程度であるから
、転写率評価用ビット群として、各ビットのビット長は
、再生ヘッドのスポット径りに対し、Ｄ／６〜５Ｄの範
囲であればよい。また、ビット長とビット幅Ｗの関係で
は、前記ビット長はＷ〜９Ｗの範囲であればよい。

〔実施例〕　゛ 以下１本発明の第１の実施例として１本発明をサンプル
サーボ方式における光ディスク用レプリカ基板に適用し
た例について、第１図を用いて説明する。

第１図に示すディスク基板１は、ポリカーボネートより
成るレプリカ基板であり、その内径（図中２で示す）は
１５■、その外径は１５０ｍ、その厚さは１．２■であ
る。そして、データエリア４は半径２９〜６１■の範囲
である。

本実施例ではデータエリア４の内周、外周に近接し、か
つ、隣接トラックでは同一ビット形状が重ならないよう
に、幅１■の範囲で、各ビットのビット長をＤ１５．　
Ｄ／２．　ｊ）、２Ｄ、　５Ｄ　　（ｊ）　：再生ヘッ
ドのレーザスポット径約１，５μ落）として転写率評価
用ビット群６．８をそれぞれ設けた。尚、ビット幅ｒ：
ｏ、ｓμ罵との関係では、本実施例で用いたビット長は
Ｆ、　１．５Ｗ、　６Ｆ、　６ｊＦ’、　？ＪＰ’であ
る。

第１図（Ａ）は外周に設けた転写率評価用ビット群６部
の拡大図である。

第１図のデータエリア４内のクロックビット５゜ウォブ
ルビット６１７．転写率評価用ビット群６の光学的溝深
さは約λ／４．トラックピッチＰは１．５μ肩である。

尚、内周に設けた転写率評価用ビット群８部も第１図（
Ａ）と同様に設けである。

本実施例のように内周、外周部に転写率評価用ビット群
６．８を設け、該ビット群部に当たるディスク基板１の
半径２８．５■、　６１．５■の位置に、再生ヘッドを
位置決めし１反射光量比を測定することにより、成形条
件決定の短縮化、ロフト間バラツキ等の減少に効果があ
る。

次に１本発明の第２の実施例について説明する。

本実施例では、光学的溝深さλ／８．トラックピッチ１
．５５μ属、グルーブ幅０．５μ風の連続溝グルーブ方
式における光ディスク基板において、そのデータエリア
内周、外周部に、前述の第１の実施例と同様の転写率評
価用ビット群を設けている。

本実施例においても、第１の実施例と同様の結果を得る
ことができる。

尚、転写率評価用ビット群における各ビットの光学的溝
深さ、トラックピッチ、ビット幅は、それぞれグルーブ
部と同様とし、また、ディスク径は第１の実施例と同様
とした。

次に１本発明の第５の実施例について説明する。

前述の第１及び第２の実施例では転写率評価用ビット群
として、データエリアの内周、外周のみに設けたが１本
実施例では、その他にデータエリア内の特定部分（即ち
、ディスク基板の半径４５■の位置で幅５０μｍの範囲
）にも前記ビット群を設けるようＫした。こうすること
により１本実施例では第１及び第２の実施例よりも転写
率分布をより明確とすることができる。

以上の各実施例の説明では、ディスク寸法、溝寸法諸元
等が同程度のものだけＫついて、本発明の詳細な説明し
たが、これに限るものではなく、要は、レプリカ基板上
に、射出成形等のビット転写性を比較評価するビット群
があればよく、形成位置、形状が限定されるものではな
い。

〔発明の効果〕

本発明によれば、射出成形等により得られる光ディスク
用レプリカ基板のビット転写性を成形ロット関、ロット
内バラツキ等として測定評価でき高精度のレプリカ基板
を提供することができる。

という効果がある。特に、サンプルサーボ方式等のビッ
トのみで形成される光ディスクの評価には大きな効果が
ある。

また、サンプリングサーボ方式でのディスク基板上にビ
ットのみが全体の１０−程度しか存在しないディスクの
成形においては、多重転写等が生じ易く、データエリア
内外周にグルーブあるいはビットを設けることは、成形
条件の許容範囲が広くなる効果があり、これに対しても
有効である。

さらに５本発明によるレプリカ基板を用いれば再生機を
用いて転写性評価ビットを再生して、その再生波形を評
価することにより、レプリカ基板の良否選別が可能であ
り、高精度なレプリカ基板を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（、）は本発明の第１の実施例として光ディスク
用レプリカ基板を示す平面図、第１図（、Ｓ）は第１図
（、）の部分拡大図、第２図（、）は従来のサンプルサ
ーボ方式における光ディスク用レプリカ基板を模式的に
示した平面図、第２図（ｂ）は第２図（、）の部分拡大
図、第６図はグルーブの溝深さと反射光量比との関係を
示す特性図、第４図は反射光量比から求めた溝深さとビ
ット長との関係をカッティング板とレプリカ基板とで比
較して示した特性図。 である。 １．１１　・・・・・・・・−・・・・・・・・・・・
ディスク基板６．８・・・・・−・・・・−・・・・・
・・・・・・転写率評価用ビット群５．１５・・−・・
・・・・・・・・・・・・・・・クロックビット６　、
７　、１２　、１５・・・・・・ウォブルビットゎヨい
アえよ、１、Ｊｌｌヶカ（］− 第　７　ロ 第２図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、スタンパに樹脂を流して、該スタンパに設けられた
   グルーブ或いはビットを転写形成して成る光ディスク用
   レプリカ基板において、少なくともビット長の異なる２
   個以上のビットから成り、各ビットのビット幅Ｗがそれ
   ぞれ転写形成された前記グルーブまたはビットの幅と同
   程度であり、各ビットのビット長がそれぞれ前記ビット
   幅Ｗに対してＷ〜９Ｗの範囲にある転写率評価用ビット
   群を、前記光ディスクの記録再生領域と対応する領域以
   外の領域に有し、該転写率評価用ビット群により前記ス
   タンパからの転写率を評価し得るようにしたことを特徴
   とする光ディスク用レプリカ基板。