JPH01112794A - Manufacture of ceramic two-sided wiring substrate - Google Patents

Manufacture of ceramic two-sided wiring substrate

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JPH01112794A
JPH01112794A JP27113287A JP27113287A JPH01112794A JP H01112794 A JPH01112794 A JP H01112794A JP 27113287 A JP27113287 A JP 27113287A JP 27113287 A JP27113287 A JP 27113287A JP H01112794 A JPH01112794 A JP H01112794A
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JP
Japan
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hole
etching
holes
ceramic
substrate
Prior art date
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Application number
JP27113287A
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Japanese (ja)
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Kiyotaka Waki
脇 清隆
Noboru Yamaguchi
昇 山口
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
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Publication of JPH01112794A publication Critical patent/JPH01112794A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0094Filling or covering plated through-holes or blind plated vias, e.g. for masking or for mechanical reinforcement

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

PURPOSE:To manufacture a ceramic two-sided wiring substrate having highly reliable through-holes by applying a resist which shows a higher resistance to etching on an etching resist of a through-hole land as well as on the etching resist at inside walls of a hole for use in the through-hole prior to etching. CONSTITUTION:Laser processing makes it possible to make holes for use in through-holes by using an alumina substrate and phosphorus makes the surface of an alumina sintering substrate as well as the inside well faces of the holes for use in the the through-holes rough uniformly and after cleaning and drying the surface of the foregoing substrate and holes, copper layers 6 are formed by plating them chemically and then, after polishing the move copper layers 6, a positive photoresist material 7 is coated on the copper layer by using a roll coating utensil. Then, the photoresist material becomes film like when it is exposed and developed to/with ultraviolet rays by using a positive mask pattern and after that, an etching resist 8 is screen-printed on an etching pattern of a through-hole land and toward the inside of the holes for use in the through- holes.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、スルーホール信頼性の高いセラミック両面
配線基板の製法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic double-sided wiring board with high through-hole reliability.

〔背景技術〕[Background technology]

スルーホール(部品取り付は用の部品リード線挿入穴)
を有するセラミック両面配線基板の製法のひとつとして
、セラミック基板の両面にスクリーン印刷により回路パ
ターンになるように導体ペーストを塗布乾燥後、スルー
ホール用孔の内部に導体ペーストを充填し、さらに、両
面に抵抗体ペーストをスクリーン印刷塗布乾燥して、焼
成する方法が知られている。上記スルーホール用孔の内
部に導体ペーストを充填する方法として、ノズルにより
スルーホール用孔の内部に導体ペーストを充填する方法
、あるいは、スルーホール内を減圧−して圧力差により
導体ペーストを充填する方法等が用いられている。しか
し、これらの充填方法は、いずれも、工程が煩雑であり
、導通不良が発生しやすいという欠点がある。前記導体
ペーストとしてAu、Ag、Pd等の貴金属ペーストが
用いられるので、ペーストの価格が高く、コスト高とな
る。さらに、ガラスフリットがペースト中に含まれてい
るため、はんだ付着性が劣るという欠点もあった。した
がって、この方法は、スルーホール用孔を有するセラミ
ック両面配線基板の製法としては適当でない。
Through hole (part lead wire insertion hole for parts installation)
One of the manufacturing methods for a ceramic double-sided wiring board with A method is known in which a resistor paste is applied by screen printing, dried, and then fired. As a method for filling the inside of the through-hole hole with the conductive paste, there is a method of filling the inside of the through-hole hole with the conductive paste using a nozzle, or a method of filling the inside of the through-hole with the conductive paste by reducing the pressure inside the through-hole and using a pressure difference. methods etc. are used. However, all of these filling methods have the disadvantage that the steps are complicated and conduction defects are likely to occur. Since a noble metal paste such as Au, Ag, or Pd is used as the conductor paste, the price of the paste is high, resulting in high costs. Furthermore, since glass frit was included in the paste, there was also the drawback that solder adhesion was poor. Therefore, this method is not suitable for manufacturing a ceramic double-sided wiring board having holes for through holes.

他方、セラミック基板の導体層をめっき法により形成す
る方法も知られている。この方法によれば、セラミック
基板両面への導体層の形成およびスルーホール形成を同
時に行うことができるため、工程数が少なくて有利であ
る。しかも、形成される導体層は、はとんど不純物を含
まないため、はんだ付着性を向上させることができ、微
細配線も可能となる。しかしながら、この方法は、回路
形成をエツチングで行う必要があり、その際、エツチン
グレジストの厚さがスルーホール用孔のエツジで弱くな
り易(、エツチング時に断線不良が生じて、スルーホー
ル用孔内壁面に形成された導電部と基板上下両面の配線
パターン部とが必ずしも良好な接続状態になるとは限ら
ない。これを第3図に基づいて詳しく述べる。図は、セ
ラミック両面配線基板のスルーホール用孔部を拡大して
示している。基板1のスルーホール用孔周辺には配線パ
ターンの一部であるランド2が形成され、このランド2
とスルーホール用孔3の壁面に形成された導電部4とが
エツジ5a〜5dで接続している。ところが、全てのエ
ツジ部での導電部の厚さが充分なものとはならず、図示
するように、たとえば、エツジ5c、5dでの導電部の
厚さが非常に薄くなり、時には断線等のトラブルが起き
る原因となる。
On the other hand, a method of forming a conductor layer of a ceramic substrate by a plating method is also known. According to this method, the formation of conductor layers and the formation of through holes on both sides of the ceramic substrate can be performed simultaneously, which is advantageous because the number of steps is small. Moreover, since the formed conductor layer contains almost no impurities, solder adhesion can be improved and fine wiring becomes possible. However, with this method, it is necessary to form the circuit by etching, and in this case, the thickness of the etching resist tends to be weakened at the edges of the through-hole holes. The conductive part formed on the wall surface and the wiring pattern parts on both the upper and lower surfaces of the board do not necessarily have a good connection.This will be explained in detail based on Figure 3.The figure shows a through-hole for a double-sided ceramic wiring board. The hole is shown enlarged.A land 2, which is part of the wiring pattern, is formed around the through-hole hole of the board 1.
and a conductive portion 4 formed on the wall surface of the through-hole hole 3 are connected at edges 5a to 5d. However, the thickness of the conductive part at all edges is not sufficient, and as shown in the figure, for example, the thickness of the conductive part at edges 5c and 5d becomes very thin, sometimes causing disconnection, etc. This may cause trouble.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は、以上の事情に鑑みて、スルーホール信頼性
の高いセラミック両面配線基板の製法を堤供することを
目的としている。
In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a ceramic double-sided wiring board with high through-hole reliability.

〔発明の開示〕 − 以上の目的を達成するため、この発明は、所望の位置に
スルーホール用孔が形成されたセラミック基板の両面お
よびスルーホール用孔の内壁面にめっき法により導体層
を形成したのち、この導体層上にエツチングレジストを
形成して、エツチングにより所望の回路形成を行うセラ
ミック両面配線基板の製法であって、前記エツチングに
先立って、スルーホールランドのエツチングレジスト上
およびスルーホール用孔内壁面のエツチングレジスト上
にさらに耐エツチング性レジストを塗布することを特徴
とするセラミック両面配線基板の製法を要旨としている
[Disclosure of the Invention] - In order to achieve the above object, the present invention provides a method for forming conductor layers by plating on both surfaces of a ceramic substrate in which through-hole holes are formed at desired positions and on the inner wall surface of the through-hole holes. After that, an etching resist is formed on the conductor layer, and a desired circuit is formed by etching. The gist of this invention is a method for manufacturing a ceramic double-sided wiring board characterized by further coating an etching-resistant resist on the etching resist on the inner wall surface of the hole.

以下に、この発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below.

第1図は、この発明の各工程を流れに従ってあられして
いる。
FIG. 1 shows each step of the invention according to the flow.

以下、この発明にかかるセラミック両面配線基板の製法
を、上記工程順に従って詳しく説明する出発原料として
用いられるセラミック基板としては、アルミナ、フォル
ステライト、ステアタイト、ジルコニア、チタニア等の
酸化物系セラミック基板や、炭化珪素、窒化アルミニウ
ム等の炭化物系、窒化物系セラミック基板が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。
The manufacturing method of the double-sided ceramic wiring board according to the present invention will be explained below in detail according to the above process order. Ceramic substrates used as starting materials include oxide ceramic substrates such as alumina, forsterite, steatite, zirconia, titania, etc. , carbide-based ceramic substrates such as silicon carbide and aluminum nitride, and nitride-based ceramic substrates, but are not limited to these.

この基板には、スルーホール用孔が明けられている。ス
ルーホール用孔の形成法としては、焼成前のセラミック
グリーンシートをパンチングによって孔あけ加工したの
ちに焼成する方法、あるいは、焼成して基板を得たのち
、レーザー加工やドリル加工により形成する方法等が挙
げられるが、特に限定されない。スルーホール用孔の孔
径は、通常1.0 w以下であるが、特に限定されるも
のではない。
This board has holes for through holes. The through-holes can be formed by punching a ceramic green sheet before firing and then firing it, or by firing it to obtain a substrate and then forming it by laser processing or drilling. Examples include, but are not particularly limited to. The diameter of the through-hole hole is usually 1.0 W or less, but is not particularly limited.

セラミック基板表面およびスルーホール用孔の内壁面は
、粗化されている。この粗化は、この発明における製法
に必ずしも必要なものではないが、このように表面を粗
化すれば、セラミック基板表面およびスルーホール用孔
に導体層(金属層)を形成する場合に、いわゆるアンカ
ー効果によってセラミック基板と導体層との間の密着性
が向上するので、好ましい。このような粗化を行う方法
としては、熱燐酸、溶融アルカリ、HF等の溶液中に浸
漬する方法があるが、特に限定されない。
The ceramic substrate surface and the inner wall surface of the through-hole hole are roughened. This roughening is not necessarily necessary for the manufacturing method of the present invention, but if the surface is roughened in this way, it will be possible to form a conductor layer (metal layer) on the surface of the ceramic substrate and in the hole for the through hole. This is preferable because the anchor effect improves the adhesion between the ceramic substrate and the conductor layer. As a method for performing such roughening, there is a method of immersion in a solution such as hot phosphoric acid, molten alkali, HF, etc., but there is no particular limitation.

まず、セラミック基板の表面およびスルーホール用孔の
内壁面にめっき法により導体層を形成する。そのために
は、必要により、セラミック基板の表面およびスルーホ
ール用孔の内壁面を粗化したのち、公知のセンシタイジ
ング・アクチベーションを行って、スルーホール用孔の
内壁面やセラミック基板表面の露出部に金属パラジウム
などを析出させて、表面を活性化しておく。ついで、化
学銅または化学ニッケル浴などに前記セラミック基板を
浸漬し、銅やニッケルなどの金属導体層を形成させる。
First, a conductor layer is formed on the surface of the ceramic substrate and the inner wall surface of the through hole by plating. To do this, if necessary, after roughening the surface of the ceramic substrate and the inner wall surface of the through-hole hole, known sensitizing/activation is performed to roughen the exposed inner wall surface of the through-hole hole and the exposed surface of the ceramic substrate surface. Activate the surface by precipitating metal palladium etc. Next, the ceramic substrate is immersed in a chemical copper or chemical nickel bath to form a metal conductor layer of copper, nickel, or the like.

上記化学めっきで得られた導体層は、1〜数μmの厚さ
の薄いものであるので、もっと厚い導体層を必要とする
場合は、必要に応じて、前記化学めっきにより導体層を
形成させたのち、さらに電解めっきを行い、導体層の厚
さを厚くする。
The conductor layer obtained by the above chemical plating is thin, with a thickness of 1 to several μm, so if a thicker conductor layer is required, the conductor layer can be formed by the chemical plating as necessary. Afterwards, further electrolytic plating is performed to increase the thickness of the conductor layer.

化学めっきや電解めっきによって形成された導体層の表
面は、必要に応じて、研磨する。研磨することによって
、表面が平滑化されて表面粗度が最大粗さ3μm以内に
なり、また、表層部の酸化層、油脂骨およびゴミ等を取
り除くことができる。研磨の方法としては、研磨機等に
より物理的に研磨を行うのが一般的であるが、特に限定
されない。研磨の程度は、0.1〜10μmの範囲内で
あることが好ましく、0.2〜2μmの範囲内であるこ
とが一層好ましい。
The surface of the conductor layer formed by chemical plating or electrolytic plating is polished as necessary. By polishing, the surface is smoothed to a maximum surface roughness of 3 μm or less, and the oxidized layer, fat bones, dirt, etc. on the surface layer can be removed. The polishing method is generally physically polished using a polishing machine or the like, but is not particularly limited. The degree of polishing is preferably within the range of 0.1 to 10 μm, more preferably within the range of 0.2 to 2 μm.

つぎに、前記セラミック基板に形成された導体層上に、
回路形成用エツチングレジストを形成する。これは、よ
く知られているように、フォトレジスト材を基板表面全
面に塗布、乾燥し、適当なマスクパターンを用いて紫外
線で露光し、さらに現像を行うことで、エツチングパタ
ーンを形成する、いわゆるフォトレジスト法などにより
行う。
Next, on the conductor layer formed on the ceramic substrate,
Form an etching resist for circuit formation. As is well known, this method involves applying a photoresist material to the entire surface of the substrate, drying it, exposing it to ultraviolet light using an appropriate mask pattern, and developing it to form an etching pattern. This is done using a photoresist method, etc.

フォトレジスト法において、レジスト材は、ポジタイプ
を用いるのが好ましいが、特に限定されない。塗布法は
、スピンナー、ロールコータ−1印刷等による。フォト
レジスト法を用いることで、従来世の中になかった線幅
、線間30μmという微細パターンを形成することが可
能となる。
In the photoresist method, it is preferable to use a positive type resist material, but the resist material is not particularly limited. The coating method is by spinner, roll coater 1 printing, etc. By using the photoresist method, it is possible to form fine patterns with a line width of 30 μm between lines, which has never been seen before.

従来法では、上記工程のあと、いきなりエツチングによ
り回路形成を行っていたのであるが、すでに述べたよう
に、このままでは、スルーホールランドのエツジでのレ
ジスト膜厚が薄くて、上記エツチングによりエツジでの
導電部の厚さが非常に薄くなることがあり、取り扱いに
よっては断線等のトラブルが起きたりして、スルーホー
ル部での導通性の歩留まり低下の原因となる。このため
、この発明においては、導体層の表面にエツチングパタ
ーンを形成したあと、スルーホールランド上およびスル
ーホール用孔内壁面上の前記エツチングレジスト膜上に
、さらにエツジ保護用の耐エツチング性レジストを塗布
し、乾燥させる。その塗布方法としては、ノズルにより
スルーホールランド部およびスルーホール用孔内部にエ
ツチングレジストを充填する方法、あるいは、スクリー
ン印刷等によりエツチングレジストを塗布する方法等が
用いられるが、特に限定されることはない。
In the conventional method, the circuit was formed by etching immediately after the above process, but as mentioned above, the resist film thickness at the edge of the through-hole land was thin, and the etching process did not allow the resist film to form at the edge. The thickness of the conductive part may become very thin, and depending on handling, troubles such as disconnection may occur, causing a reduction in the yield of conductivity in the through-hole part. Therefore, in the present invention, after forming an etching pattern on the surface of the conductor layer, an etching-resistant resist for edge protection is further applied on the etching resist film on the through-hole land and the inner wall surface of the through-hole hole. Apply and let dry. The application method includes filling the etching resist into the through-hole land portion and the inside of the through-hole hole using a nozzle, or applying the etching resist by screen printing, etc., but there are no particular limitations. do not have.

乾燥温度も特に限定されることはないが、50〜200
℃の範囲内であることが好ましい。エツチングレジスト
を塗布するパターンは、スルーホールランドと同形状、
もしくは、それよりも小さい形状のパターンで、エツチ
ングパターン上に形成すればよい。
The drying temperature is also not particularly limited, but may be 50 to 200 ℃.
It is preferably within the range of °C. The pattern for applying etching resist is the same shape as the through-hole land.
Alternatively, a smaller pattern may be formed on the etching pattern.

つぎに、エツチングによる回路形成を行う。化学めっき
および電解めっきによって直ちに必要な回路が形成され
る場合もあるが、全面めっき等の場合は、エツチングに
よる回路形成を行うのが一般的である。第2図は、エツ
チングを行う前のセラミック基板のスルーホール開孔部
を示している。基板1上にはめっき法によって形成され
た導体層6があり、この導体層6上には所望の回路形成
のため、エツチングレジスト7によるエツチングパター
ンが形成され、スルーホール開孔まわりには、エツジ保
護用のエツチングレジスト8が形成されている。このよ
うに、エツジ保護用エツチングレジスト8を形成するこ
とで、スルーホールエツジ部5a〜5dでのレジスト膜
厚が大きくなり、エツチング後にスルーホールエツジ部
5a〜5dで導体層が薄くなって断線等のトラブルが起
こることがない。
Next, a circuit is formed by etching. In some cases, a necessary circuit can be formed immediately by chemical plating or electrolytic plating, but in the case of full-surface plating, etching is generally used to form the circuit. FIG. 2 shows the through-hole openings in the ceramic substrate before etching. A conductor layer 6 is formed on the substrate 1 by a plating method, and an etching pattern is formed on the conductor layer 6 using an etching resist 7 in order to form a desired circuit. A protective etching resist 8 is formed. By forming the edge protection etching resist 8 in this way, the resist film thickness at the through-hole edges 5a to 5d increases, and after etching, the conductor layer becomes thinner at the through-hole edges 5a to 5d, resulting in disconnection, etc. No problems will occur.

ついで、回路形成用およびエツジ保護用のエツチングレ
ジストを剥離する。剥離液としてはNaOH,Nag 
COs等のアルカリ溶液が挙げられるが、有機溶剤等を
使用してもよく、特には限定されない。レジストを剥離
する方法としては、剥離液に浸漬する方法、あるいは剥
離液をスプレーする方法等がある。
Then, the etching resist for circuit formation and edge protection is removed. NaOH, Nag as a stripper
Examples include alkaline solutions such as COs, but organic solvents and the like may also be used and are not particularly limited. Methods for stripping the resist include immersion in a stripping solution, spraying a stripping solution, and the like.

エツチングにより回路形成された基板の表層部は、必要
に応じて研磨、脱脂、洗浄する。研磨の程度は、0.1
〜10μmであることが好ましく、0.2〜2μmであ
ることが一層好ましい。研磨の方法は、特に限定されな
いが、研磨機等により物理的に研磨を行うのが一般的で
ある。脱脂、洗浄は、通常の方法によればよい。
The surface layer of the substrate on which the circuit is formed by etching is polished, degreased, and cleaned as necessary. The degree of polishing is 0.1
It is preferable that it is -10 micrometers, and it is more preferable that it is 0.2-2 micrometers. The method of polishing is not particularly limited, but it is common to physically polish using a polisher or the like. Degreasing and cleaning may be carried out by conventional methods.

つぎに、この発明にかかるセラミック両面配線基板の製
法を、実施例によってさらに詳しく説明するが、この発
明はこれらに限定されるものではない。
Next, the method for manufacturing a double-sided ceramic wiring board according to the present invention will be explained in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.

(実施例1) 焼結セラミック基板として、96%アルミナ基板を使用
し、レーザー加工により孔径0.4μmのスルーホール
用孔を形成した。つぎに、燐酸によってアルミナ焼結基
板の表面およびスルーホール開孔内壁面を均一に粗化し
た。粗化処理した基板を充分に洗浄、乾燥したのち、ア
ルミナ基板の表面およびスルーホール開孔内壁面に、化
学めっきによって厚み5μmの銅層を形成した。この銅
層の表面を、研磨機によって物理的に研磨したあと、こ
の銅層上に、ポジ型のフォトレジスト材をロールコータ
−により塗布した。フォトレジスト材塗布後、90℃で
乾燥し、ポジ型のマスクパターンを用いて紫外線で露光
し、さらに現像を行うことでフォトレジスト材の膜化を
行い、エツチングパターンを形成した。この後、スルー
ホールランドのエツチングパターン上およびスルーホー
ル用孔の内部へエツチングレジストをスクリーン印刷し
た。印刷後、120℃で乾燥させ、エツチング回路形成
を行った。エツチング終了後、レジスト膜はすべて3%
NaOH溶液によって剥離し、セラミック両面配線基板
を得た。
(Example 1) A 96% alumina substrate was used as a sintered ceramic substrate, and through holes with a diameter of 0.4 μm were formed by laser processing. Next, the surface of the alumina sintered substrate and the inner wall surface of the through hole were uniformly roughened using phosphoric acid. After thoroughly cleaning and drying the roughened substrate, a 5 μm thick copper layer was formed on the surface of the alumina substrate and the inner wall surface of the through hole by chemical plating. After physically polishing the surface of this copper layer using a polishing machine, a positive type photoresist material was applied onto this copper layer using a roll coater. After applying the photoresist material, it was dried at 90° C., exposed to ultraviolet light using a positive mask pattern, and further developed to form a film of the photoresist material to form an etching pattern. After that, an etching resist was screen printed on the etching pattern of the through-hole land and inside the through-hole hole. After printing, it was dried at 120° C. to form an etching circuit. After etching, all resist films are 3%
Peeling was performed using a NaOH solution to obtain a ceramic double-sided wiring board.

この配線基板のスルーホール導通性を調べたところ、断
線等の不良はみられず、スルーホール信頼性は、従来の
サブトラクティブ法に比べて非常に高い値を示した。
When the through-hole conductivity of this wiring board was examined, no defects such as disconnections were found, and the through-hole reliability showed a much higher value than that of the conventional subtractive method.

(実施例2) 焼結セラミック基板として、96%アルミナ基板を使用
し、レーザー加工により孔径0.3μmのスルーホール
用孔を形成した。この焼結基板表面を燐酸で粗化処理し
たのち、化学めっきにより厚み5μmの銅層を形成し、
電解めっきによりさらに25μmの銅層を形成してセラ
ミック両面配線基板を作製した。この銅層の表面を、研
磨機によって物理的に研磨したあと、この銅層上に、ポ
ジ型のフォトレジスト材をロールコータ−により塗布し
た。フォトレジスト材塗布後、90℃で乾燥し、ポジ型
のマスクパターンを用いて紫外線で露光し、さらに現像
を行うことでフォトレジスト材の膜化を行い、エツチン
グパターンを形成した。
(Example 2) A 96% alumina substrate was used as a sintered ceramic substrate, and through holes with a diameter of 0.3 μm were formed by laser processing. After roughening the surface of this sintered substrate with phosphoric acid, a 5 μm thick copper layer was formed by chemical plating.
A 25 μm thick copper layer was further formed by electrolytic plating to produce a ceramic double-sided wiring board. After physically polishing the surface of this copper layer using a polishing machine, a positive type photoresist material was applied onto this copper layer using a roll coater. After applying the photoresist material, it was dried at 90° C., exposed to ultraviolet light using a positive mask pattern, and further developed to form a film of the photoresist material to form an etching pattern.

この後、スルーホールランドのエツチングパターン上お
よびスルーホール用孔の内部へエツチングレジストをス
クリーン印刷した。印刷後、120℃で乾燥させ、エツ
チング回路形成を行った。エツチング終了後、レジスト
膜はすべて3%NaOH溶液によって剥離し、酸性の有
機性水溶液で脱脂、洗浄を行いセラミック両面配線基板
を得た。
After that, an etching resist was screen printed on the etching pattern of the through-hole land and inside the through-hole hole. After printing, it was dried at 120° C. to form an etching circuit. After etching, all the resist films were peeled off with a 3% NaOH solution, and degreased and cleaned with an acidic organic aqueous solution to obtain a ceramic double-sided wiring board.

この配線基板のスルーホール導通性を調べたところ、断
線等の不良はみられず、スルーホール信頼性は、従来の
サブトラクティブ法に比べて非常に高い値を示した。
When the through-hole conductivity of this wiring board was examined, no defects such as disconnections were found, and the through-hole reliability showed a much higher value than that of the conventional subtractive method.

(実施例3) A1!0!粉末96重量部と、S t OZ % Ca
OlMgO等の焼結補助剤4重量部とを混合するととも
に、この混合物に対し12重量部の有機物(結合剤、可
塑剤等)を添加してさらに混合した、この混合物をドク
ターブレード法によってシート状にした。このグリーン
シートを加熱して半硬化状態にしたのち、金型でプレス
して、孔径0.4削のスルーホール用孔を形成した。こ
のグリーンシートを150℃で乾燥し、乾燥後、160
0℃で焼成してスルーホール付きアルミナ焼結基板を作
成した。
(Example 3) A1!0! 96 parts by weight of powder and S t OZ % Ca
The mixture was mixed with 4 parts by weight of a sintering aid such as OlMgO, and 12 parts by weight of an organic substance (binder, plasticizer, etc.) was added and further mixed. This mixture was formed into a sheet by a doctor blade method. I made it. This green sheet was heated to a semi-hardened state, and then pressed with a mold to form a through hole with a hole diameter of 0.4. This green sheet was dried at 150°C, and after drying,
An alumina sintered substrate with through holes was created by firing at 0°C.

この焼結基板表面を燐酸で粗化処理したのち、化学銅め
っきにより厚み8,1111の銅層を基板表面およびス
ルーホール内壁面に形成した。以下、実施例1と同様に
してセラミック両面配線基板を作成した。
After the surface of this sintered substrate was roughened with phosphoric acid, a copper layer with a thickness of 8,111 mm was formed on the surface of the substrate and the inner wall surface of the through hole by chemical copper plating. Thereafter, a ceramic double-sided wiring board was created in the same manner as in Example 1.

(実施例4) 焼結セラミック基板として92%アルミナ基板を使用し
、エツチングレジスト材をデイスペンサーを用いてスル
ーホールランド上およびスルーホール用孔の内部へ充填
する以外は、実施例2と同様にしてセラミック両面配線
基板を得た。この配線基板のスルーホール導通性を調べ
たところ、断線等の不良はみられず、スルーホール信頼
性は、従来のサブトラクティブ法に比べて非常に高い値
を示した。
(Example 4) The same procedure as Example 2 was carried out except that a 92% alumina substrate was used as the sintered ceramic substrate and the etching resist material was filled onto the through-hole lands and inside the through-hole holes using a dispenser. A ceramic double-sided wiring board was obtained. When the through-hole conductivity of this wiring board was examined, no defects such as disconnections were found, and the through-hole reliability showed a much higher value than that of the conventional subtractive method.

(実施例5) 焼結セラミック基板として、99%アルミナ基板を使用
し、フォトレジスト材をスピンナーにより塗布した以外
は実施例1と同様にしてセラミック両面配′4IA基板
を得た。この配線基板のスルーホール導通性を調べたと
ころ、断線等の不良はみられず、スルーホール信頼性は
、従来のサブトラクティブ法に比べて非常に高い値を示
した。
(Example 5) A ceramic double-sided 4IA substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that a 99% alumina substrate was used as the sintered ceramic substrate and the photoresist material was applied using a spinner. When the through-hole conductivity of this wiring board was examined, no defects such as disconnections were found, and the through-hole reliability showed a much higher value than that of the conventional subtractive method.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明のセラミック両面配線基板の製法は、上記の如
く構成されているため、スルーホール信頼性の高いセラ
ミック両面配線基板を作製することができる。
Since the method for manufacturing a double-sided ceramic wiring board of the present invention is configured as described above, it is possible to manufacture a double-sided ceramic wiring board with high through-hole reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この発明にかかるセラミック両面配線基板の
製法の一実施例の工程説明図、第2図は、この発明によ
り、スルーホールランド上およびスルーホール用孔の内
部に耐エツチングレジストを塗膜した状態のセラミック
両面配線基板のスルーホール部における断面図、第3図
は、従来法により作製したセラミック両面配線基板のス
ルーホール部における断面図である。 1・・・焼結セラミック基板 2・・・スルーホールラ
ンド 3・・・スルーホール用孔 4・・・スルーホー
ル内壁面 5a〜5d・・・スルーホールエツジ 6・
・・導体層 7・・・フォトレジスト 8・・・エツジ
保護用エツチングレジスト 代理人 弁理士  松 本 武 彦 第  1  図
FIG. 1 is a process explanatory diagram of an embodiment of the method for manufacturing a double-sided ceramic wiring board according to the present invention, and FIG. 2 is a process diagram showing an example of applying an etching resist on the through-hole land and inside the through-hole hole according to the present invention. FIG. 3 is a sectional view of the through-hole portion of the ceramic double-sided wiring board manufactured by the conventional method. 1...Sintered ceramic substrate 2...Through hole land 3...Through hole hole 4...Through hole inner wall surface 5a-5d...Through hole edge 6.
...Conductor layer 7...Photoresist 8...Etching resist for edge protection Agent Patent attorney Takehiko Matsumoto Figure 1

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)所望の位置にスルーホール用孔が形成されたセラ
ミック基板の両面およびスルーホール用孔の内壁面にめ
っき法により導体層を形成したのち、この導体層上にエ
ッチングレジストを形成して、エッチングにより所望の
回路形成を行うセラミック両面配線基板の製法であって
、前記エッチングに先立って、スルーホールランドのエ
ッチングレジスト上およびスルーホール用孔内壁面のエ
ッチングレジスト上にさらに耐エッチング性レジストを
塗布することを特徴とするセラミック両面配線基板の製
法。
(1) After forming a conductor layer by plating on both sides of a ceramic substrate in which through-hole holes are formed at desired positions and on the inner wall surface of the through-hole holes, an etching resist is formed on the conductor layer, A method for manufacturing a double-sided ceramic wiring board in which a desired circuit is formed by etching, wherein, prior to the etching, an etching-resistant resist is further applied on the etching resist of the through-hole land and the etching resist on the inner wall surface of the through-hole hole. A method for manufacturing a ceramic double-sided wiring board characterized by:
(2)めっき法が化学めっきによるものである特許請求
の範囲第1項記載のセラミック両面配線基板の製法。
(2) The method for producing a ceramic double-sided wiring board according to claim 1, wherein the plating method is chemical plating.
(3)めっき法が、化学めっきを行ったのち電解めっき
を行うものである特許請求の範囲第1項記載のセラミッ
ク両面配線基板の製法。
(3) The method for manufacturing a double-sided ceramic wiring board according to claim 1, wherein the plating method is to perform chemical plating and then electrolytic plating.
(4)めっき法により導体層を形成する前に、セラミッ
ク基板の表面およびスルーホール用孔の内壁面を粗化し
ておく特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに
記載のセラミック両面配線基板の製法。
(4) The double-sided ceramic according to any one of claims 1 to 3, wherein the surface of the ceramic substrate and the inner wall surface of the through hole are roughened before forming the conductor layer by plating. Manufacturing method for wiring boards.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006036602A (en) * 2004-07-28 2006-02-09 Kyocera Corp Ceramic member, its producing method, and electronic component using the same
US7985458B2 (en) 2006-10-31 2011-07-26 Kyocera Corporation Ceramic member, method of forming groove in ceramic member, and substrate for electronic part
JP2014524283A (en) * 2011-08-02 2014-09-22 メドトロニック,インク. Airtight feedthrough

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