JPH01111726A - 抽出水電導度の低い三酸化アンチモンの製造方法 - Google Patents

抽出水電導度の低い三酸化アンチモンの製造方法

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JPH01111726A
JPH01111726A JP26621087A JP26621087A JPH01111726A JP H01111726 A JPH01111726 A JP H01111726A JP 26621087 A JP26621087 A JP 26621087A JP 26621087 A JP26621087 A JP 26621087A JP H01111726 A JPH01111726 A JP H01111726A
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antimony trioxide
antimony
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oxychloride
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の目的) (産業上の利用分野) 本発明は抽出水電導度の低い三酸化アンチモンの製造方
法、特に半導体等の封止用樹脂の難燃剤として好適な抽
出水電導度の低い三酸化アンチモンの製造方法に係る。
(従来の技術) 三酸化アンチモンは広く合成樹脂のM燃剤として用いら
れているが、半導体等の封止樹脂用としては、封止特性
あるいはリードフレームの耐腐食性という点からナトリ
ウム及び塩化物の含有が低く、抽出水電導度の低い三酸
化アンチモンが望まれている。
三酸化アンチモンの製造方法は、アンチモン鉱石あるい
は金属アンチモンの酸化による乾式法と、それらを三酸
化アンチモンとした後、加水分解およびアルカリ処理に
よる湿式法が行なわれている。
(発明が解決しようとする問題点) 三酸化アンチモンの製造方法のうち乾式法は原料中のヒ
素、鉛、イオウなどが三酸化アンチモン中に混入し、ま
た、湿式法は三酸化アンチモンの精製によりそれらの不
純物は除去できるものの、原料塩化物あるいはアルカリ
の残存があり、いずれも品質的に不満足であり、半導体
の封止樹脂用建燃剤としてナトリウム及び塩化物の含有
が低く抽出水型導度の低い三酸化アンチモンが望まれて
いた。
(発明の構成) (問題点を解決するための手段) 本発明は上記従来の問題点を解決“するために成された
ものであり、三酸化アンチモンを加水分解して三酸化ア
ンチモンを製造する工程においてイ、加水分解中間生成
物であるオキシ塩化アンチモン1モルに対し、炭酸アン
モニウム5モル〜10モルを加えて反応させること 口、前記反応を10℃以下で行なうことを特徴とする抽
出水型導度の低い三酸化アンチモンの製造方法に係る。
上記反応により得られた三酸化アンチモンは水洗、乾燥
されて製品となること勿論である。
本発明における炭酸塩との反応温度は10℃以下好まし
くは5℃以下である。温度が高くなると斜方晶系三酸化
アンチモンの生成割合が高くなり、抽出水型導度が高く
なると共に樹脂に対して分散性の良好な三酸化アンチモ
ンが得られないためである。
本発明において使用する炭酸アンモニウムの量はオキシ
塩化アンチモン1モルに対し5〜10モルがよく、5モ
ル未満ではオキシ塩化アンチモンが残存し、また、10
モル以上使用しても反応に影響無く、かえって三酸化ア
ンチモンの品質に影響を及ぼす結果となる。
(作用) 本発明においては、炭酸塩を炭酸アンモニウムとしてい
るため、オキシ塩化アンチモンとの反応において1反応
温度の調節により生成三酸化アンチモンの結晶系を等軸
晶〜斜方品と任意にコントロールでき、またナトリウム
、カリウムといったアルカリ金属またはアルカリ土類金
属の混入が無く、過剰の炭酸塩の除去が容易である。か
かる本発明方法によれば、抽出水型導度が5 ps /
 as以下で結晶系が等軸晶の三酸化アンチモンを得る
ことができる。
(実施例1) オキシ塩化アンチモン50gを純水500m1に炭酸ア
ンモニウム50g (オキシ塩化アンチモン1モルに対
し6.5モル)を溶解した液にいれて0℃に保持し、1
時間攪拌し反応させた後ろ別した。得られたケーキは5
00m1の純水の入った容器に戻して10分間攪拌した
後吸引濾過するりパルプ洗浄を3回行ない、濾別したケ
ーキを110℃で乾燥した。得られた三酸化アンチモン
の結晶系は斜方品率(斜方晶系121面の回折線と等軸
晶系222面の回折線の強度比)0%で、抽出水型導度
(試料Logに純水100m1を加えて30分間振どう
後、上澄み液を電導度肝で測定)は3.9IIs/am
であった。
(実施例2) 反応温度を5℃に変えた以外は実施例1と同様の条件で
反応を行なった。得られた三酸化アンチモンの斜方品率
は28%で電導度は4.5us/asであった6 (比較例1ないし4) 第1表におけるルカリ及び反応温度で実施例1と同様の
操作を行なった。
第   1   表 注 アルカリ等の量はオキシ塩化アンチモン1モルに対
してのそれである。
実施例1及び比較例3で得た三酸化アンチモンのNa”
、Ni1.÷、C1−の分析値は第2表のとおりであっ
た。
第  2  表 (発明の効果) 本発明方法によれば、ナトリウム、塩化物の含有率が低
く、抽出水型導度の低い半導体の封止樹脂用這燃剤とし
て好適な三酸化アンチモンを得ることができる。
特許出願人  日本精鉱株式会社 代理人 弁理士  神  戸   消 量            神   戸    真手続
補正書 昭和62年11月16日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 1、事件の表示 昭和62年特許願第266210号 2、発明の名称 抽出水型導度の低い三酸化アンチモンの製造方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区下宮比町2番地 名称  日本精鉱株式会社 4、代理人 自発補正 6、補正の対象 明細書 7、補正の内容 別紙のとおり 明細書 1、発明の名称 抽出水型導度の低い三酸化アンチモンの製造方法 2、特許請求の範囲 (1)二型化アンチモンを加水分解して三酸化アンチモ
ンを製造する工程において イ、加水分解中間生成物であるオキシ塩化アンチモン1
モルに対し、炭酸アンモニウム5モル〜10モルを加え
て反応させること 口、前記反応を10℃以下で行なうことを特徴とする抽
出水型導度の低い三酸化アンチモンの製造方法 (2)三酸化アンチモンの結晶の大部分を等軸晶とする
ごとく反応温度を限定範囲内で適宜調節する特許請求の
範囲第1項記載の三酸化アンチモンの製造方法 3、発明の詳細な説明 (発明の目的) (産業上の利用分野) 本発明は抽出水型導度の低い三酸化アンチモンの製造方
法、特に半導体等の封止用樹脂の難燃剤として好適な抽
出水型導度の低い三酸化アンチモンの製造方法に係る。
(従来の技術) 三酸化アンチモンは広く合成樹脂の難燃剤として用いら
れているが、半導体等の封止樹脂用としては、封止特性
あるいはリードフレームの耐腐食性という点からナトリ
ウム及び塩化物の含有が低く、抽出水型導度の低い三酸
化アンチモンが望まれている。
三酸化アンチモンの製造方法は、アンチモン鉱石あるい
は金属アンチモンの酸化による乾式法と、それらを三塩
化アンチモンとした後、加水分解およびアルカリ処理に
よる湿式法が行なわれている。
(発明が解決しようとする問題点) 三酸化アンチモンの製造方法のうち乾式法は原料中のヒ
素、鉛、イオウなとが三酸化アンチモン中に混入し、ま
た、湿式法は三塩化アンチモンの精製によりそれらの不
純物は除去できるものの。
原料塩化物あるいはアルカリの残存があり、いずれも品
質的に不満足であり、半導体の封止樹脂用遁燃剤として
ナトリウム及び塩化物の含有が低く抽出水型導度の低い
三酸化アンチモンが望まれていた。
(発明の構成) (問題点を解決するための手段) 本発明は上記従来の問題点を解決するために成されたも
のであり、三塩化アンチモンを加水分解して三酸化アン
チモンを製造する工程においてイ、加水分解中間生成物
であるオキシ塩化アンチモン1モルに対し、炭酸アンモ
ニウム5モル〜10モルを加えて反応させること 口、前記反応を10℃以下で行なうことを特徴とする抽
出水型導度の低い三酸化アンチモンの製造方法に係る。
上記反応により得られた三酸化アンチモンは水洗、乾燥
されて製品となること勿論である。
本発明における炭酸塩との反応温度は10℃以下好まし
くは5℃以下である。温度が高くなると斜方晶系三酸化
アンチモンの生成割合が高くなり。
抽出水型導度が高くなると共に樹脂に対して分散性の良
好な三酸化アンチモンが得られないためである。
本発明において使用する炭酸アンモニウムの量はオキシ
塩化アンチモン1モルに対し5〜10モルがよく、5モ
ル未満ではオキシ塩化アンチモンが残存し、また、10
モル以上使用しても反応に影響無く、かえって三酸化ア
ンチモンの品質に影響を及ぼす結果となる。
(作用) 本発明においては、炭酸塩を炭酸アンモニウムとしてい
るため、オキシ塩化アンチモンとの反応において5反応
温度の調節により生成三酸化アンチモンの結晶系を等軸
晶〜斜方品と任意にコントロールでき、またナトリウム
、カリウムといったアルカリ金属またはアルカリ土類金
属の混入が無く、過剰の炭酸塩の除去が容易である。か
かる本発明方法によれば、抽出水型導度が5t1s/a
1以下で結晶系が等軸晶の三酸化アンチモンを得ること
ができる。
(実施例1) オキシ塩化アンチモン50gを純水500m1に炭酸ア
ンモニウム50g (オキシ塩化アンチモン1モルに対
し6.5モル)を溶解した液にいれて0℃に保持し、1
時間攪拌し反応させた後ろ別した6得られたケーキは5
00m1の純水の入った容器に戻して10分間攪拌した
後吸引濾過するりパルプ洗浄を3回行ない、濾別したケ
ーキを110℃で乾燥した。得られた三酸化アンチモン
の結晶系は斜方品率(斜方晶系121面の回折線と等軸
晶系222面の回折線の強度比)0%で、抽出水型導度
(試料Logに純水100m1を加えて30分間振どう
後、上澄み液を主導度肝で測定)は3,9us/amで
あった。
(実施例2) 反応温度を5℃に変えた以外は実施例1と同様の条件で
反応を行なった。得られた三酸化アンチモンの斜方品率
は28%で電導度は4.5μs/cxmであった。
(比較何重ないし4) 第1表におけるアルカリ及び反応温度で実施例1と同様
の操作を行なった。
第   1   表 注 アルカリ等の量はオキシ塩化アンチモン1モルに対
してのそれである。
実施例1及び比較例3で得た三酸化アンチモンのNa”
、NH4”、Cドの分析値は第2表のとおりであった・ 第  2  表 (発明の効果) 本発明方法によれば、ナトリウム、塩化物の含有率が低
く、抽出水型導度の低い半導体の封止樹脂用這燃剤とし
て好適な三酸化アンチモンを得ることができる。
特許出願人  日本精鉱株式会社 代理人 弁理士  神  戸   消

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)三酸化アンチモンを加水分解して三酸化アンチモ
    ンを製造する工程において イ、加水分解中間生成物であるオキシ塩化アンチモン1
    モルに対し、炭酸アンモニウム5モル〜10モルを加え
    て反応させること ロ、前記反応を10℃以下で行なうこと を特徴とする抽出水電導度の低い三酸化アンチモンの製
    造方法
  2. (2)三酸化アンチモンの結晶の大部分を等軸晶とする
    ごとく反応温度を限定範囲内で適宜調節する特許請求の
    範囲第1項記載の三酸化アンチモンの製造方法
JP62266210A 1987-10-23 1987-10-23 抽出水電導度の低い三酸化アンチモンの製造方法 Expired - Lifetime JP2556713B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5783166A (en) * 1996-09-12 1998-07-21 Roycefield Resources Ltd. Process for producing antimony trioxide
CN106809876A (zh) * 2017-03-24 2017-06-09 南昌专腾科技有限公司 一种立方晶型锑白的冶炼工艺及装置

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