JPH01105440A - 進行波管の遅波回路の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） この発明は、進行波管の遅波回路の製造方法に関する。

（従来の技術） 一般に、進行波管は第２図に示すように構成され、電子
を発生する電子銃１と、信号を増幅する遅波回路２と、
電子ビームを捕捉するコレクタ３とからなっている。そ
して、遅波回路２は第３図に示すように構成され、パイ
プ状真空容器４内に螺旋状のＭｏ製ヘリックス５が３本
の誘電体支持棒６に支持固定されている。

このような遅波回路の製造に当たっては、従来、ヘリッ
クス５に発生した熱損失を逃がすために、ベリリア等を
始めとした高熱伝導率の材料からなる誘電体支持棒６に
、ヘリックス５を鑞接するという接合手段を用いている
。

尚、現在、このような構造の場合に一般的に採用されて
いる方法は、Ａｇ５Ａｕ、Ｃｕ等にＴ１、Ｔａ或いはＺ
ｒ等の一種以上の金属を加えた、いわゆる活性金属鑞に
よる接合方法であるが、この接合方法の場合は、鑞材供
給法が問題であり、実際の進行波管に適用するにも可成
り難しい点が多い。

（発明が解決しようとする問題点） 先ず、線鑞材の場合では、ヘリックス５と誘電体支持棒
６の接触点各々に均等・均一に鑞材を供給するのが難し
いため、勢い接触点に平行に線鑞材を並べる方式となる
。この場合、接触点以外の空間に相当する鑞材は、接触
点に有効に活用される材料を越えることになり、接合点
は球状を示し、電気的特性（特にアッテネータ−の減衰
特性）に影響を与えている。

又、箔状鑞材の場合では、ヘリックス５と誘電体支持棒
６の接触面の隙間に板状に供給する結果、溶融結果後の
隙間発生並びに上記に述べたように、接触点以外の空間
に相当する鑞材が供給過多傾向を示し、球状接合等にな
り、電気的特性に影響を与える。

又、ヘリックス５にメツキ或いはスバ・ツタ等で上述の
鑞材を付けて製作する方法では、ヘリ・ソクス５の内外
面共に全面に供給されてしまう。この場合は、遅波回路
２を動作させることにより、ヘリックス５面面に電子ビ
ームが衝突する可能性があるため、上記の金属のうち特
にＡｇやＴｉのような２次電子の発生し易いような金属
の存在は、電気特性上、非常に不利な材料となる。

以上述べたように、理想的にはヘリックス５と誘電体支
持棒６のそれぞれの接触点に相当する部分にだけ、鑞材
が存在することが望ましい。

そこで、この発明は、ヘリックスの外面のみに活性金属
鑞を付着することにより、上記従来の問題点を解決した
進行波管の遅波回路の製造方法を提供することを目的と
する。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） この発明は、ヘリックスを誘電体支持棒に鑞付けする進
行波管の遅波回路の製造方法において、上記ヘリックス
を予めワックスで覆い、該ヘリックスの外面側のワック
スを除去してヘリックスの外面を露出し、該露出面に活
性金属鑞を付着、その後、残りのワックスを除去して、
上記誘電体支持棒に鑞付けする進行波管の遅波回路の製
造方法である。

（作用） この発明によれば、所要箇所のみ活性金属鑞を付着する
ことが可能であり、その結果、管内圧力を充分に低くす
ることが出来る。又、熱的接触性が向上し、温度上昇を
抑制することが出来る。

（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。

この発明は、進行波管の遅波回路の製造方法のうち、ヘ
リックスを誘電体支持棒に鑞付けする方法の改良であり
、その方法についてのみ述べることにする。尚、第２図
及び第３図と同一箇所は、同一符号を付すことにする。

即ち、第１図に示すように、先ずヘリックス５の全面に
、Ｎｉストライクメツキ（図示せず）を行なう。このス
トライクメツキは、後述の鑞材の密着性を上げるために
行なうもので、置換反応を防ぐために、出来るだけ薄い
メツキ液で強電流で初期電着をさせることである。従っ
て、この発明では０．１〜０．２μｍ厚の薄付けである
。

次に、約９００℃で１０分間、シンターリングを行なう
。

次に、ヘリックス５の全面にワックス７を塗布して、ヘ
リックス５をワックス７で覆う。

次に、冷却や自然乾燥でワックス７を固める。

次に、ヘリックス５の外面側（誘電体支持棒に接合する
側）のワックス７を、少し温めながら、機械研削等の方
法により除去してヘリックス５の外面のみを露出させる
。

次に、この露出したヘリックス５の外面に活性金属鑞を
付着する。この場合、第１図から明らかなように、先ず
活性金属鑞であるＣｕ層８をメツキにより約３μｍ厚で
付着する。

次に、このＣｕ層８の上に、やはり活性金属鑞であるＡ
ｇ層９をメツキにより約７μｍ厚で付着する。

尚、Ｃｕ層とＡｇ層とは、順序を上記と逆にしても良い
。

次に、Ａｇ層９を含むヘリックス５面に、やはり活性金
属鑞であるＴｉ層１０をスパッタ等の方法により約０．
１μｍ厚で付着する。

上記の場合、活性金属鑞として充分な組成であるＣｕ層
８、Ａｇ層９、Ｔｉ層１０の割合は、２８ニア１：１重
量％に設定されている。そして、各厚さは上記の通りで
あり、Ｔｉ層１０は上述のように約０．１μｍでよく、
スパッタ法で充分カバーしきれる範囲である（メツキ法
では不可能）。

その後、１５０〜２５０℃最適には約２００℃で１５分
間に亘り加熱して、ヘリックス５を覆う残りのワックス
層７を溶かしきって、除去する。

最後に、ヘリックス５を洗浄する。

このようにして、外面に活性金属鑞（Ｃｕ。

Ａｇ５Ｔｉ）を付着したヘリックス５を、今度は誘電体
支持棒６（第３図参照）に鑞接する。この鑞接の方法は
、周知の方法で行なう。

（変形例） ヘリックス５の材質は、ＭＯ以外にＷ、Ｃｕ等も使用可
能である。又、誘電体支持棒６は、ベリリヤ以外にアル
ミナ等も使用可能である。更に、活性金属鑞は、Ａｇ、
Ｃｕ、Ｔｉ以外にＡｕ又はＡｕを基体にした活性金属等
も使用可能である。

［発明の効果］ この発明によれば、ヘリックスの外面にＣｕ　ｓＡｇ、
Ｔｉ等の活性金属の薄層を順次付着しているので、活性
金属の共晶鑞材を極めて容易に得ることが出来る。

又、この発明では、ワックスの使用により所定箇所のみ
に、鑞材を設けることが出来る。

更に、この発明によれば、電子が通過するヘリックス内
面には、不要な鑞材の付着を防止出来るため、不要な管
内圧力の上昇を避けることが可能、である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例に係る進行波管の遅波回路
の製造方法を示す一部断面を含む斜視図、第２図は一般
的な進行波管を示す断面図、第３図は第２図の一部を拡
大して示す斜視図である。 ５・・・ヘリックス、６・・・誘電体支持棒、７・・・
ワックス層、８・・・Ｃｕ層、９・・・Ａｇ層、１０・
・・Ｔｉ層。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ヘリックスを誘電体支持棒に鑞付けする進行波管の遅波
   回路の製造方法において、 上記ヘリックスを予めワックスで覆い、該ヘリックスの
   外面側のワックスを除去してヘリックスの外面を露出し
   、該露出面に活性金属鑞を付着、その後、残りのワック
   スを除去して、上記誘電体支持棒に鑞付けすることを特
   徴とする進行波管の遅波回路の製造方法。