JPH01101725A - 入力遷移検出回路 - Google Patents

入力遷移検出回路

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JPH01101725A
JPH01101725A JP62259370A JP25937087A JPH01101725A JP H01101725 A JPH01101725 A JP H01101725A JP 62259370 A JP62259370 A JP 62259370A JP 25937087 A JP25937087 A JP 25937087A JP H01101725 A JPH01101725 A JP H01101725A
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JP
Japan
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pulse
width
delay
input
signal
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Pending
Application number
JP62259370A
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English (en)
Inventor
Nobuyuki Moriwaki
信行 森脇
Kimiko Nishizawa
西澤 喜美子
Katsuro Sasaki
佐々木 勝朗
Mitsuhiro Higuchi
樋口 光宏
Yukio Sasaki
笹木 行雄
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Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は入力遷移検出回路さらには入力遷移に従って発
生するパルス幅の制御技術に関し、例えば、SRAM(
スタティック・ランダム・アクセス・メモリ)などに含
まれるアドレス遷移検出回路に適用して有効な技術に関
するもので漬る。
〔従来技術〕
SRAMなどの半導体記憶装置に含まれるアドレス遷移
検出回路は、アドレス変化を検出して内部クロック信号
を発生させ、内部動作手順に従って必要な回路だけを動
作させることによる低消費電力化や、内部同期動作によ
るアクセスの高速化のために、外部クロックを必要とせ
ずに内部回路をクロックドインタフェース同様に制御す
る方式などに適用される。
尚、アドレス遷移検出回路について記載された文献の例
としては昭和59年11月30オ一ム社発行のrLSI
ハンドブックJ P2O3がある。
本発明者らはアドレス遷移検出回路として例えば第19
図に示される回路について検討した。第19図において
1は所定の1ビツトに対応される。
アドレスバッファであり、外部アドレス信号Aiを相補
レベルの内部アドレス信号ai、aiに変換する。2は
外部アドレス信号Axの正転レベル信号を入力するアド
レス遷移検出回路である。
このアドレス遷移検出回路2は、入力信号とこの入力信
号を遅延回路を通して得られる遅延信号との論理演算に
より、当該遅延回路によって定まる所定幅のパルス信号
φaを、外部アドレス信号Aiのロウレベルへの変化と
ハイレベルへの変化との双方において夫々発生する。こ
のアドレス遷移検出回路2は、外部アドレス信号Aiの
ロウレベルへの変化とハイレベルへの変化との双方にお
いて所定幅のパルス信号φaを発生するとき、直列2段
のインバータINVI及びINV2によって構成される
遅延回路3を共通に利用するが、このとき、パルス信号
φaを形成するための論理ゲート部4は、外部アドレス
信号Alのロウレベルへの変化とハイレベルへの変化と
の夫々につき概ね排他的論理和を採る構成にされている
ため、遅延回路を構成するインバータINVI及びIN
V2の前後にはパルス信号φaを形成するための論理の
整合及び波形整形のための素子としてインバータINV
3〜INV5が直列接続され、これらの素子も実質的に
遅延回路を構成する素子とされる。
上記論理ゲート部4は、回路の1対の電源端子Vdd、
Vssの間に1対のPチャンネル型MOSFETQI、
Q2と1対のNチャンネル型MO8FETQ3.Q4と
を直列接続した回路と、同様に回路の1対の電源端子V
dd、Vssの間に1対のPチャンネル型MO3FET
Q5.Q6と1対のNチャンネル型MO3FETQ7.
Q8とを直列接続した回路とを含み、MOSFETQ2
とQ3の結合ノードと、MOSFETQ6とQ7との結
合ノードとを共通接続し、この共通接続ノードの反転レ
ベルをパルス信号φaとするようにされる。そして、上
記MO5FETQ6.Q7のゲート電極はノードN1に
、上記MO8FETQ2、Q3のゲート電極はノードN
2に、上記M○5FETQI、Q8のゲート電極はノー
ドN3に、更に上記MO8FETQ4.Q5のゲート電
極はノードN4に結合される。
上記アドレス遷移検出回路2は、第20図に示されるよ
うに、外部アドレス信号Axの立ち上がり変化時には、
ノードN2のロウレベルへの変化からノードN3のハイ
レベルへの変化までの期間に呼応する幅W1のロウレベ
ルのパルス信号φaを出力する。外部アドレス信号Ai
の立ち下がり変化時には、ノードN1のロウレベルへの
変化からノードN4のハイレベルへの変化までの期間に
呼応する幅W2のロウレベルのパルス信号φaを出力す
る。
アドレス遷移検出回路2から出力されるロウレベルのパ
ルス信号φaは、それが適用されるSRAM内部の基本
クロック信号もしくは内部タイミング信号とされ、これ
によって直接或いはこれに基づいて形成された内部タイ
ミング信号が所定の手順に従って内部回路を動作制御す
る。例えば、データ線負荷MO5FETのスイッチ制御
、データ線のプリチャージ、さらにはセンスアンプ活性
化制御などに利用され、各種内部回路はダイナミック的
に動作制御される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、第19図に示されるアドレス遷移検出回
路2ではインバータINV3〜INV5も実質的な遅延
素子とされるため、第20図のタイムチャートに示され
るように、外部アドレス信号Aiの立ち上がりと立ち下
がりの夫々において形成されるパルス信号φaの幅がW
l、W2のように相違される。これにより、夫々のパル
ス幅W1、W2毎に内部同期動作を規定しようとすると
内部同期動作を採り難くなり、また、幅の短いパルスを
基本に内部動作を一律に規定すると、幅の長いパルス出
力期間中制御動作に無駄を生ずるという問題点があった
更に、外部アドレス信号Aiのレベルが確定されている
期間中に、ノイズによって当該アドレス信号Aiのレベ
ルが変化されると、それに応じて幅の狭いクロック信号
φaが出力されるという問題点があった。例えば、第2
1図に示されるうに、ノードN2からノードN3に至る
までの伝播遅延幅以下のノイズによってアドレス信号A
iのレベルがハイレベルに変化されると、その変化に呼
応してノードN3がレベル変化される前にノードN2の
レベルが変化されることよって、規定幅W1よりも短い
クロック信号φaが発生される。また。
第22図に示されるうに、ノードN1からノードN4に
至るまでの伝播遅延幅以下のノイズによってアドレス信
号Aiのレベルがロウレベルに変化される場合には、そ
の変化に呼応してノードN4がレベル変化される前にノ
ードN1のレベルが変化されることよって、規定幅W2
よりも短いクロック信号φaが発生される。
このように規定よりも幅の狭いクロ・ツク信号φaが出
力されると、センスアンプに対する活性化などの内部制
御動作が不充分になり、内部回路に誤動作を生じて不所
望なデータの読み出しや書き込みのおそれがあった。
本発明の目的は、信号の立ち上がり及び立ち下がりの夫
々に呼応して形成されるパルス信号相互間に幅のばらつ
きを生じないようにすることができる入力遷移検出回路
を提供することにある。さらに本発明のその他の目的は
、パルス状ノイズの影響によって規定幅よりも短いパル
ス信号が発生されることを防止することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう
〔問題点を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、入力信号とこの入力信号を遅延回路を通して
得られる遅延信号との論理演算により、当該遅延回路に
よって定まる所定幅のパルスを発生可能な1対のパルス
発生回路を有し、上記1対のパルス発生回路には相互に
レベルの反転された入力信号が供給され、双方のパルス
発生回路は遅延回路によって決定される遅延幅以上のパ
ルス幅を有する入力信号の所定の極性へのレベル変化に
基づいて一定幅のパルス信号を夫々出力すると共に、遅
延回路によって決定される遅延幅以上のパルス状ノイズ
により入力が変化されるとき、その変化されるレベルに
応じて何れか一方は上記一定幅のパルス信号を出力し、
他方は上記一方のパルス発生回路における出力パルスに
部分的に重複するタイミングでパルス信号を出力するよ
うにされ、夫々のパルス発生回路の出力信号を2入力と
してその入力パルス幅に応じた幅のパルスを出力可能と
する出力論理ゲートを備えて成るものである。
〔作 用〕
上記した手段によれば、相互にレベルの反転された入力
信号が供給される1対のパルス発生回路は、遅延回路に
よって決定される遅延幅以上のパルス幅を有する外、部
入力の変化に対し、一方がその外部入力の立上り変化に
基づいて所定幅のパルスを発生し、他方がその外部入力
の立ち下がり変化に基づいて所定幅のパルスを発生し、
夫々のバルス発生回路に含まれる遅延回路の遅延時間は
個々に調整もしくは設定可能とされ、これにより、外部
入力の立ち上がり及び立ち下がりの夫々に呼応して形成
されるパルス信号相互間に幅のばらつきを生じないよう
にすることを達成するものである。
更に、遅延回路によって決定される遅延幅以下のパルス
状ノイズにより外部入力が変化されるとき、その変化さ
れるレベルに応じて何れか一方のパルス発生回路は上記
一定幅のパルス信号を出力し、他方のパルス発生回路は
上記一方のパルス発生回路における出力パルスに部分的
に重複するタイミングでパルス信号を出力することによ
り、出力論理ゲートから出力されるパルス信号の幅は、
遅延回路によって決定される遅延幅以下の許容幅におけ
るパルス状ノイズによっても、規定以上の幅に保たれる
〔実 施 例〕
第1図は本発明に係る入力遷移検出回路をSRAMのア
ドレス遷移検出回路に適用した一実施例を示す論理回路
図である。
第1図に示されるアドレス遷移検出回路11は、特に制
限されないが、アドレス信号の変化に従ってセンスアン
プを活性化もしくはセンスアンプに結合されるコモンデ
ータ線をセンスアンプの動作上望ましいハイレベルのよ
うな所定レベルにプリチャージするためのパルス信号φ
aを形成する。
第1図において10は所定1ビツトの外部アドレス信号
Aiを相補レベルの内部アドレス信号ai、aiに変換
するアドレスバッファである。
このアドレスバッファ10は、特に制限されないが、1
対の電源端子Vdd、Vssの間に直列接続したPチャ
ンネル型MO3FETQIO,Qll及びNチャンネル
型MO8FETQ12.Q13を有する。上記MO8F
ETQ13にはNチャンネル型MO8FETQ14が並
列接続され。
当該MO3FETQ14及び上記MOSFETQ11の
ゲート電極にはチップセレクト信号C8が供給され、上
記MO8FETQ12のゲート電極は電源端子Vddに
結合され、上記MO3FETQ10及びQ13のゲート
電極には外部アドレス信号Aiが供給される。チップセ
レクト信号C8はロウレベルによってチップ選択状態を
指示する外部制御信号とされ、このチップセレクト信号
C8がロウレベルにされると、上記MO5FETQ11
、Q12の結合ノードに接続されたインバータINVI
Oから外部アドレス信号Aiの正転レベル信号が出力さ
れ、内部アドレス信号aiは上記インバータINVIO
の出力端子に直列接続されたインバータINVII、I
NV12を介して形成される。内部アドレス信号aiは
上記インバータINVIOの出力端子に結合されたイン
バータINV13を介して形成される。
アドレス遷移検出回路11は、外部アドレス信号Ai即
ち上記インバータINVIOの出力信号の変化に基づい
て所定幅のパルス信号φaを形成する。
このアドレス遷移検出回路11は、入力信号とこの入力
信号を遅延回路を通して得られる遅延信号との論理演算
により、当該遅延回路によって定まる所定幅のパルスを
発生する1対のパルス発生回路20.30を有する。一
方のパルス発生回路20は上記インバータINVIOの
出力信号を入力信号INとし、他方のパルス発生回路3
0は上記インバータINVIOの出力信号をインバータ
INV14で反転させてこれを入力信号INとする。
基本的に、上記一方のパルス発生回路20は外部アドレ
ス信号Aiの立ち下がりに基づいて所定幅パルスを発生
し、他方のパルス発生回路30は外部アドレス信号Ai
の立ち上がりに基づいて所定幅のパルスを発生する。夫
々から発生されるパルスはノアゲートN0RIを介して
レベルの反転されたパルス信号φaとして出力される。
このノアゲートN0RIは、夫々のパルス発生回路20
゜30の出力信号を2入力としてその入力パルス幅に応
じた幅のパルスを出力可能とする出力論理ゲートの一例
である。
上記1対のパルス発生回路20.30は、特に制限され
ないが、相互に同一構成とされる。
パルス発生回路20は、特に制限されないが、入力信号
INとこの入力信号を遅延回路DEL20を通して遅延
させた信号との論理演算を、2入力型ノアゲートN0R
20で行う。
上記遅延回路DEL20は、特に制限されないが、パル
ス発生回路20の入力信号INのロウレベルからハイレ
ベルへの変化に従って出力を反転し、且つ、入力信号I
Nを正転して遅延させた信号のロウレベルへの変化に従
って更に出力を反転させる論理ゲートとしての2入力型
ノアゲートN0R21,N0R22を従続的に2段含む
。上記/7ゲートN0R21,N0R22171一方の
入力端子には夫々入力信号INが供給される。ノアゲー
トN0R21の他方の入力端子には直列接続された2段
ノインバータlNV2O,INV21を介して入力信号
INの正転遅延信号が供給され。
上記ノアゲートN0R22の他方の入力端子にはノアゲ
ートN0R21の出力信号をインバータINV22で反
転遅延させた信号が供給される。
この遅延回路DEL20は、3段のインバータlNV2
O,INV21.INV22による出力反転遅延時間と
、2段のノアゲートN0R21゜N0R22の動作遅延
時間の合計が、入力信号INに対する最大遅延時間もし
くは規定遅延幅とされる。
上記パルス発生回路30は、特に制限されないが、入力
信号INとこの入力信号を遅延回路DEL30を通して
遅延させた信号との論理演算を、2入力型ノアゲートN
0R30で行う。
上記遅延回路DEL30は、特に制限されないが、パル
ス発生回路30の入力信号INのロウレベルからハイレ
ベルへの変化に従って出力を反転し、且つ、入力信号I
Nを正転して遅延させた信号のロウレベルへの変化に従
って更に出力を反転させる論理ゲートとしての2入力型
ノアゲートN0R31,N0R32を従続的に2段含む
。上記/7ゲートN0R31,N0R32(7)一方の
入力端子には夫々入力信号INが供給される。ノアゲー
トN0R31の他方の入力端子には直列接続された2段
のインバータINV30.INV31を介して入力信号
INの正転遅延信号が供給され、上記ノアゲートN0R
32の他方の入力端子にはノアゲートN0R31の出力
信号をインバータエNV32で反転遅延させた信号が供
給される。
この遅延回路DEL30は、3段のインバータINV3
0.INV31.INV32による出力反転遅延時間と
、2段のノアゲートN0R31゜N0R32の動作遅延
時間の合計が、入力信号INに対する最大遅延時間もし
くは規定遅延幅とされる。
上記夫々のパルス発生回路20.30は、遅延回路DE
L20.DEL30によって決定される遅延幅以上のパ
ルス幅を有する入力信号IN、INのハイレベルからロ
ウレベルへの変化に基づいて一定幅のパルス信号を夫々
出力する。更に、上記パルス発生回路20.30は、遅
延回路DEL20、DEL30によって決定される遅延
幅以下のパルス状ノイズにより入力が変化されるとき、
その変化されるレベルに応じて何れか一方は上記一定幅
のパルス信号を出力し、他方は上記一方のパルス発生回
路における出力パルスに部分的に重複するタイミングで
パルス信号を出力する。
ここで、パルス発生回路20.30における上記作用を
パルス発生回路20を一例に詳述する。
説明を判り易くするために、上記インバータエNV2O
,INV21.INV22、及びノアゲートN0R21
,N0R22の動作遅延時間を夫々等しいものと仮定し
、その単位遅延幅をDWとする。
先ず、入力信号INがパルス状にハイレベルに変化され
る場合を説明する。
第2図は入力信号INのパルス幅が単位遅延幅DWの2
倍とされる場合である。時刻t0において入力信号IN
がハイレベルに変化されると、ノアゲートN0R21,
N0R22の出力ノードN2b、N2dが単位遅延幅D
Wに呼応する遅延時間を経過した時刻t□にロウレベル
に変化される。
次いで時刻t2に入力信号INがロウレベルに変化され
ると、ノアゲートN0R20の出力ノードN2aが単位
遅延幅DWに呼応する動作遅延時間を経過した時刻t3
にハイレベルに変化される。
時刻t3以降においては遅延回路DEL20の遅延動作
に順次従い、インバータINV21の出力ノードN2a
が時刻t、にロウレベルに反転されると、これに同期し
てノアゲートN0R21の出力ノードN2bが時刻t、
にハイレベルに反転され、次いでこれに同期してインバ
ータINV22の出力ノードN2cが時刻t、にロウレ
ベルに反転され、そしてこれに同期してノアゲートN0
R22の出力ノードN2dが時刻t7にハイレベルに反
転され、更にこれに同期してノアゲートN。
R20の出力ノードN2aが時刻t8に最終的にロウレ
ベルに反転される。これにより、ノアゲートN0R20
の出力ノードN 2 eには時刻t3からtIlに至る
単位遅延幅DWの5倍の規定幅を有するパルスが得られ
る。
入力信号INがパルス状にハイレベルに変化されるとき
、この入力信号INのパルス幅が単位遅延幅DWの2倍
以上とされる場合には、第2図同様に、入力信号INの
立ち下がりに同期してノアゲートN0R20の出力ノー
ドN 2 eには単位遅延幅DWの5倍の規定幅を有す
るパルスが得られる。
尚、第3図に示されるように、入力信号INがパルス状
にハイレベルに変化される場合にこの入力信号INのパ
ルス幅が単位遅延幅DWの2倍よりも小さいときは、時
刻t□からt2に示されるように、入力信号INのハイ
レベルへの変化がインバータINV21を介してノアゲ
ートN0R21に伝達される前に入力信号INがロウレ
ベルに変化されてしまうため、その変化が順次後段に伝
達される結果、ノアゲートN0R20の出力ノードN 
2 eには正規のパルス幅5WDに相当する規定幅のパ
ルスを得ることができないことに注意する必要がある。
但し、第3図に示される不所望な状態は、遅延回路DE
L20の一部を構成する2段のインバータlNV2O,
INV21による遅延時間(もしくは遅延幅)と入力信
号INのパルス幅との関係によって規定されることにな
るから、実際に問題とされるノイズ幅よりも小さい遅延
幅を当該2段のインバータlNV2O,INV21に設
定しておけば、斯る不所望な状態は実質的に問題となる
ことはない。この場合に最終的に必要とされるパルス信
号の正規の遅延幅は遅延回路DEL20に含まれるその
他の素子の遅延幅の設定次第で確保することができる。
次に、入力信号INがパルス状にロウレベルに変化され
る場合を説明する。
第4図は入力信号INのパルス幅が上記単位遅延幅DW
とされる場合である。時刻t0において入力信号INが
ロウレベルに変化されると、これに同期してノアゲート
N0R20の出力ノードN2eが単位遅延幅DWに呼応
する遅延時間を経過した時刻t工にハイレベルに変化さ
れるが、このときの入力信号INのロウレベルへの変化
がインバータINV21を介しテノアゲートN0R21
に伝達される前に入力信号INがハイレベルに変化され
てしまうため、後段の出力ノードN2b。
N2c、N2dにはレベル変化を生ぜず、これにより、
出力ノードN2eのレベルは、入力信号工Nのハイレベ
ルへの変化に同期して時刻t2にロウレベルに反転され
る。この結果、ノアゲートN0R20の出力ノードN2
eに得られる出力パルス幅は入力信号INに等しい単位
遅延幅DWとされる。
第5図は入力信号INのパルス幅が単位遅延幅 、DW
の2倍とされる場合である。この場合にも第4図同様に
、入力信号INのロウレベルへの変化がインバータIN
V21を介してノアゲートN0R21に伝達される前に
入力信号INがハイレベルに変化されてしまうため、ノ
アゲートN0R20の出力ノードN2eに得られる出力
パルス幅は入力信号INに等しい単位遅延幅DWの2倍
とされる。
第6図は入力信号INのパルス幅が単位遅延幅DWの3
倍とされる場合である0時刻t。において入力信号IN
がロウレベルに変化されると、これに同期してノアゲー
トN0R20の出力ノードN2eが単位遅延幅DWに呼
応する遅延時間を経過した時刻t工にハイレベルに変化
される。入力信号INのロウレベルへの変化が時刻t2
にインバータINV21を介してノアゲートN0R21
に伝達されると、それに同期して時刻t、にノアゲート
N0R21の出力ノードN2bがハイレベルに変化され
るが、当該時刻t、において入力信号INがハイレベル
に反転されるため、ノアゲートN0R20の出力ノード
N2eは、それ以降における出力ノードN2b、N2c
、N2dのレベル変化とは無関係に、上記時刻t3にお
ける入力信号INのレベル反転に同期して時刻t4にロ
ウレベルに反転される。この結果、ノアゲートN。
R20の出力ノードN 2 eに得られる出力パルス幅
は入力信号INに等しいパルス幅3DWとされる。
第7図は入力信号INのパルス幅が単位遅延幅DWの4
倍とされる場合である。この場合にも第6図同様に、入
力信号INのロウレベルへの変化がインバータINV2
2を介してノアゲートN。
R22に伝達される前に入力信号INがハイレベルに変
化されてしまうため、ノアゲートN0R20の出力ノー
ドN2eに得られる出力パルス幅は入力信号INに等し
いパルス幅4DWとされる。
第8図は入力信号INのパルス幅が単位遅延幅DWの5
倍とされる場合である。時刻1.において入力信号IN
がロウレベルに変化されると、これに同期してノアゲー
トN0R20の出力ノードN2eが単位遅延幅DWに呼
応する遅延時間を経過した時刻t工にハイレベルに変化
される。入力信号INのロウレベルへの変化が時刻t2
にインバータINV21を介してノアゲートN0R21
に伝達されると、それに同期して時刻t、にノアゲート
N0R21の出力ノードN2bがハイレベルに変化され
、次いでこれに同期して時刻t4に出力ノードN2cが
ロウレベルに変化され、さらにこれに同期して時刻1.
にノアゲートN0R22の出力ノードN2dがハイレベ
ルに変化される。
したがって、時刻t、における出力ノードN2dのレベ
ル変化に同期してノアゲートN0R20の出力ノードN
2eが時刻t6にロウレベルに反転され、これにより、
ノアゲートN0R20の出力ノードN2sには規定幅5
DWを有するパルス信号が得られる。特に、この説明に
従えば、時刻t、における出力ノードN2dの反転タイ
ミングは入力信号INのレベル反転タイミングと同一に
される。したがって、入力信号INのロウレベルパルス
幅が5DWよりも小さい場合には既述したように、出力
ノードN2eに得られるハイレベルパルス幅は規定幅5
DWよりも小さな入力パルス幅と等しい幅にされる。
第9図は入力信号INのロウレベルパルス幅が単位遅延
幅DWの5倍以上とされる場合である。
この場合は第8図と同様であり、時刻t0における入力
信号INのロウレベルへの変化から遅延幅4DWに呼応
する時間を経過した時刻1sにおいて出力ノードN2d
がハイレベルに変化され、当該時刻t、以降に入力信号
INがハイレベルに変化されることになるから、ノアゲ
ートN0R20の出力ノードN2eには、入力信号IN
のロウレベルパルス幅(≧5DW)とは無関係に規定幅
5DWを有するハイレベルパルスが得られる。
このようにパルス発生回路2oは、その遅延回路DEL
20に2段のノアゲートN0R21,N0R22を含む
ことにより、入力信号INのハイレベルパルス幅がイン
バータlNV2O,INV21の動作遅延時間もしくは
動作遅延時間上とされている限りにおいて遅延回路DE
L20によって決定される規定遅延幅のハイレベルパル
スを発生する。また、入力信号INのロウレベルパルス
幅が遅延回路DEL20によって決定される規定遅延幅
以上のときは当該規定幅のハイレベルパルスを発生し、
入力信号INのロウレベルパルス幅が遅延回路DEL2
0によって決定される規定遅延幅よりも小さいときは当
該入力信号のパルス幅に等しいハイレベルパルスを発生
する。
尚、第10に示されるような直列5段のインバータによ
って構成した遅延回路DELにより上記遅延回路DEL
20同様の規定幅5 D’Wを有するハイレベルパルス
を発生させる場合には、第11図に示されるように入力
信号INのパルス幅が規定幅5DWよりも小さいと、そ
れに従って出力パルスの幅も小さくされる。また、第1
2図に示されるように直列4段のインバータと1つのノ
アゲートによって構成した遅延−路DELにより上記遅
延回路DEL20同様の規定幅5DWを有するハイレベ
ルパルスを発生させる場合には、第13図に示されるよ
うに入力信号INのパルス幅が遅延回路DELを構成す
るインバータの遅延幅以上のときには規定幅5DWのハ
イレベルパルスを発生することができるが、第14図に
示されるように、それよりも小さなパルス幅の入力信号
INに対しては規定幅5DWのハイレベルパルスを発生
させることができない。本実施例の遅延回路DELは2
段ツノアゲートN0R21,N0R22を含んで構成さ
れるため、入力信号INのハイレベルパルス幅がインバ
ータlNV2O,INV21の動作遅延幅以上とされて
いる限りにおいて遅延回路DEL20によって決定され
る規定遅延幅のハイレベルパルスを発生する。
第2図乃至第9図の作用は他方のパルス発生回路30に
ついても全く同様であり、パルス発生回路30は、その
遅延回路DEL30に2段のノアゲートN0R31,N
0R32を含むコトニより。
入力信号INのハイレベルパルス幅がインバータINV
30.INV31の動作遅延時間もしくは動作遅延幅以
上とされている限りにおいて遅延回路DEL30によっ
て決定される規定遅延幅のハイレベルパルスを発生する
。また、入力信号INのロウレベルパルス幅が遅延回路
DEL30によって決定される規定遅延幅以上のときは
当該規定幅のハイレベルパルスを発生し、入力信号IN
のロウレベルパルス幅が遅延回路DEL30によって決
定される規定遅延幅よりも小さいときは当該入力信号の
パルス幅に等しいハイレベルパルスを発生する。
以上の説明から明らかなように、相互にレベルの反転さ
れた入力信号IN、INが供給される上記1対のパルス
発生回路20.30は、相互に遅延時間が等しく設定さ
れた遅延回路DEL20゜DEL30によって決定され
る遅延幅以上のパルス幅を有する入力信号IN、INの
ハイレベルからロウレベルへの変化に基づいて規定幅の
ハイレベルパルスを夫々出力する。このときパルス発生
回路20が規定幅のハイレベルパルスを出力するタイミ
ングは外部アドレス信号Aiの立ち下がりに同期され、
また、パルス発生回路30が規定幅のハイレベルパルス
を出力するタイミングは外部アドレス信号Aiの立ち上
がりに同期される。したがって、外部アドレス信号Ai
が正常な幅をもってベル変化されると、ノアゲートN0
RLからは、外部アドレス信号Aiの立ち上がり及び立
ち下がりの夫々の変化に同期して相互にばらつきのない
規定幅のロウレベルパルス信号φaが出力される。
例えば第15図に示されるように外部アドレス信号Ai
が時刻t0にハイレベルに変化されると、これに同期し
て、順次パルス発生回路3oの入力信号INがロウレベ
ルに反転され、更にノアゲート回路N0R30の出力ノ
ードN3eがハイレベルに反転されることにより、時刻
t工にパルス信号φaがロウレベルに変化される。入力
信号INのロウレベルへの変化が遅延回路DEL30を
介して時刻t2にノアゲートN0R30に伝達されて、
当該ノアゲートN0R30の出力ノードN3eがロウレ
ベルに反転されると、それに同期してパルス信号φaが
時刻t1にハイレベルに反転される。このときのパルス
信号φaのロウレベルの幅は遅延回路DEL30によっ
て規定される正規の遅延幅5DWに等しくされる。一方
、外部アドレス信号Aiが時刻t4にロウレベルに変化
されると、これに同期して、順次パルス発生回路2゜の
入力信号INがロウレベルに反転され、更にノアゲート
回路N0R20の出力ノードN2eがハイレベルに反転
されることにより、時刻t、にパルス信号φaがロウレ
ベルに変化される。入力信号INのロウレベルへの変化
が遅延回路DEL20を介して時刻t6にノアゲートN
0R20に伝達されて、当該ノアゲートN0R20の出
力ノードN2eがロウレベルに反転されると、それに同
期してパルス信号φaが時刻t7にハイレベルに反転さ
れる。このときのパルス信号φaのロウレベル幅は遅延
回路DEL20によって規定される正規の遅延幅5DW
に等しくされる。
また、第2図乃至第9図に基づく説明から明らかなよう
に相互にレベルの反転された入力信号IN、INが供給
される上記1対のパルス発生回路20.30は、相互に
遅延時間が等しく設定された遅延回路DEL20.DE
L30によって決定される遅延幅以下(但し本実施例に
従えば2段のインバータlNV2O,INV21 [I
NV30゜INV31]によって決定される遅延幅以上
)のパルス状ノイズにより入力信号IN、INがレベル
変化されるとき、一方は上記規定幅のパルス信号を出力
し、他方は上記一方のパルス発生回路における出力パル
スに部分的に重複するタイミングでパルス信号を出力す
るようにされる。したがって、規定よりも幅の狭い不所
望な上記パルス状ノイズにより入力信号IN、INがレ
ベル変化されても、ノアゲートN0RIから出力される
パルス信号φaの幅は規定幅5DW以上に保たれる。
例えば、第16図には上記した第2図及び第5図に対応
されるような単位遅延幅DWの2倍に相当する幅のパル
ス状ノイズによって外部アドレス信号Aiがハイレベル
に変化された場合を示す。
尚、特に制限されないが、第16図ではインバータI 
NV 14の動作遅延幅を単位遅延幅DWに等しくしで
ある。したがって、パルス発生回路30の入力信号IN
はパルス発生回路20の入力信号INに対して単位遅延
幅DW分だけそのレベル変化が遅延されている。
第16図において、時刻t0に幅2DWのパルス状ノイ
ズによって外部アドレス信号Aiがハイレベルに変化さ
れると(時刻t0〜t2)、これに対して、単位遅延幅
DWだけ遅れてパルス発生回路20の入力信号INは幅
2DWをもってハイレベルのパルス状に変化され(時刻
ti〜t1)、また、パルス発生回路30の入力信号I
Nは、遅延幅2DWだけ遅れて幅2DWをもったロウレ
ベルのパルス状に変化される(時刻t2〜t4)。この
ようにしてロウレベルパルスが供給されるパルス発生回
路30は、第5図で説明したと同様に1時刻t2におけ
る入力信号INのロウレベルへの反転タイミングに同期
して時刻t、〜t、に至る幅2DWのハイレベルパルス
をノアゲートN0R30の出力ノードN3aに得る。一
方、ハイレベルパルスが供給されるパルス発生回路20
は、第2図で説明したと同様に、時刻t、における入力
信号INのロウレベルへの反転タイミングに同期して時
刻t4〜t、に至る幅5DWのハイレベルパルスをノア
ゲートN0R20の出力ノードN2eに得る。ノアゲー
トN0R30の出力ノードN3aに得られるハイレベル
パルスとノアゲートN0R20の出力ノードN2eに得
られるハイレベルパルスとは時刻t4〜tsにおいて重
複される。これにより、ノアゲートN0RIから出力さ
れるパルス信号φaは、時刻t、における出力ノードN
3eのハイレベルへの変化に同期して時刻t4にロウレ
ベルに変化され、更に、時刻t6における出力ノードN
2eのロウレベルへの変化に同期して時刻t7にハイレ
ベルに反転される。したがって、規定パルス幅5DWよ
りも幅の狭い(但し本実施例では2DW以上)パルス状
ノイズによって外部アドレス信号Aiがレベルに変化さ
れても、これに起因して発生されるパルス信号φaの幅
は規定パルス幅5DW以上を維持する。
上記実施例によれば以下の作用効果を得るものである。
(1)相互にレベルの反転された入力信号IN。
INが供給される上記1対のパルス発生回路20゜30
は、相互に遅延時間が等しく設定された遅延回路DEL
20.DEL30によって決定される遅延幅以上のパル
ス幅を有する入力信号IN、INのハイレベルからロウ
レベルへの変化に基づいて規定幅のハイレベルパルスを
夫々出力する。このときパルス発生回路20が規定幅の
ハイレベルパルスを出力するタイミングは外部アドレス
信号Aiの立ち下がり・に同期され、また、パルス発生
回路3oが規定幅のハイレベルパルスを出力するタイミ
ングは外部アドレス信号Aiの立ち上がりに同期される
。したがって、外部アドレス信号Aiが正常な幅をもっ
てレベル変化されると、ノアゲートN0RIからは、外
部アドレス信号Aiの立ち上がり及び立ち下がりの夫々
の変化に同期して相互にばらつきのない規定幅のロウレ
ベルパルス信号φaを発生することができる。
(2)上記作用効果より、外部アドレス信号Aiの立ち
上がり及び立ち下がりの夫々の変化によって発生される
パルス信号φaの幅はばらつきなく実質的に同一とされ
ることにより、外部アドレス信号AIの立ち上がり及び
立ち下がりの夫々の変化に対して、等しく且つ容易に内
部同期動作を採ることができ、しかも、時間的にも電力
消費の点からも無駄のない内部動作を達成することがで
きる。
(3)パルス発生回路20 (30)は、その遅延回路
DEL20 (DEL30)に2段のノアゲートN0R
21,N0R22(NOR31,N0R32)を含むこ
とにより、入力信号IN(IN)のハイレベルパルス幅
がインバータlNV2O。
INV21 (INV31.INV32)の動作遅延時
間もしくは動作遅延時間上とされている限りにおいて遅
延回路DEL20 (DEL30)によって決定される
規定遅延幅のハイレベルパルスを発生することができる
。更に、入力信号IN (IN)のロウレベルパルス幅
が遅延回路DEL20(DE L 30)によって決定
される規定遅延幅以上のときは当該規定幅のハイレベル
パルスを発生し、入力信号IN(IN)のロウレベルパ
ルス幅が遅延回路DEL20 (DEL30)によって
決定される規定遅延幅よりも小さいときは当該入力信号
のパルス幅に等しいハイレベルパルスを発生することが
できる。
(4)上記作用効果(3)より、相互にレベルの反転さ
れた入力信号IN、INが供給される上記1対のパルス
発生回路20.30は、相互に遅延時間が等しく設定さ
れた遅延回路DEL20.DEL30によって決定され
る遅延幅以下(但し本実施例に従えば2段のインバータ
INV2.O,INV21 [INV30.INV31
]によって決定される遅延幅以上)のパルス状ノイズに
より入力信号IN、INがレベル変化されるとき、一方
は上記規定幅のパルス信号を出力し、他方は上記−方の
パルス発生回路における出力パルスに部分的に重複する
タイミングでパルス信号を出力するようにされる。した
がって、規定よりも幅の狭い不所望な上記パルス状ノイ
ズにより入力信号IN。
INがレベル変化されても、ノアゲートN0RIから出
力されるパルス信号φaの幅を規定幅5DW以上に保つ
ことができる。
(5)上記作用効果(4)より、不所望なノイズに起因
して外部アドレス信号Aiがレベル変化されても、規定
幅以上のパルス信号φaが出力されることにより、当該
パルス信号φaに基づくセンスアンプに対する活性化な
どの内部制御動作が不充分になって内部回路に誤動作を
生じ不所望なデータの書き込みや読み出しが行われる虞
を低減することができ、これによりアドレス遷移検出回
路を適用したSRAMなどの半導体記憶装置におけるデ
ータ保持の信頼性を向上させることができる。
(6)遅延回路DEL20 (DEL30)に含まれる
インバータ20 (INV30)の論理しきい値電圧と
ノアゲートN0R20(NOR30)の論理しきい値電
圧とを夫々独立に決定することができるから、例えばイ
ンバータ20 (INV30)の論理しきい値電圧をノ
アゲートN0R20(NOR30)の論理しきい値電圧
に比べて高く設定することにより、外部アドレス信号A
iが中間レベルにされているようなとき、ノアゲートN
0R22(NOR32)の出力をハイレベルのような所
定レベルに固定することができ、これにより。
外部アドレス信号Aiが不所望に中間レベルにされるよ
うなときにもパルス信号φaの変化を阻止して内部の誤
動作を防止することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づいて
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されず
その要旨を逸脱しない範囲において種々変更することが
できる。
例えば上記実施例ではアドレス遷移検出回路をインバー
タとノアゲートとの組答せによって構成したが、本発明
はそれに限定されるものではなく、第17図に示される
ようなインバータINVとすンドゲートNANDとの組
合せによって構成したり、更には、第18図に示される
ようにインバータINV、ノアゲートN0R1及びナン
トゲートNANDの組合せによって構成したりすること
もできる。第17図において40はパルス発生回路であ
り、夫々には一対の遅延回路DEL40が含まれる。第
18図において50はパルス発生回路であり、夫々には
一対の遅延回路DEL50が含まれる。
パルス発生回路に含まれる遅延回路の遅延時間はその回
路構成によって適宜決淀される。また、第1図に示され
るノアゲートN0R21,N0R22のような遅延回路
に含まれる2入力形論理ゲートの段数は2段に限定され
ず、例えば第18図のように3段のナントゲートNAN
Dによって構成することもできる。
以上の説明では主として本発明者によって成された発明
をその背景となった利用分野であるSRAMのアドレス
遷移検出回路に適用した場合について説明したが、本発
明はそれに限定されるものではなく、その他の半導体集
積回路におけるアドレス遷移検出回路、さらには種々の
入力遷移を検出する回路に適用することができる。本発
明は少なくとも入力の変化に基づいてパルス信号を出力
する条件のものに適用することができる。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、相互にレベルの反転された入力信号が供給さ
れる1対のパルス発生回路は、遅延回路によって決定さ
れる遅延幅以上のパルス幅を有する外部入力の変化に対
し、一方がその外部入力の立上り変化に基づいて所定幅
のパルスを発生し、他方がその外部入力の立ち下がり変
化に基づいて所定幅のパルスを発生し、夫々のパルス発
生回路に含まれる遅延回路の遅延時間は個々に調整もし
くは設定可能とされ、これにより、外部入力の立ち上が
り及び立ち下がりの夫々に呼応して形成されるパルス信
号相互間に幅のばらつきを生じないようにすることがで
きるという効果がある。
更に、遅延回路によって決定される遅延幅以下のパルス
状ノイズにより外部入力が変化されるとき、その変化さ
れるレベルに応じて何れか一方のパルス発生回路は上記
一定幅のパルス信号を出力し、他方のパルス発生回路は
上記一方のパルス発生回路における出力パルスに部分的
に重複するタイミングでパルス信号を出力することによ
り、遅延回路によって決定される遅延幅以下の許容幅に
おけるパルス状ノイズによっても、出力論理ゲートから
出力されるパルス信号の幅を規定以上の幅に保つことが
でき、これにより、当該パルス信号によって動作もしく
は制御されるべき回路の誤動作を防止することができる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る入力遷移検出回路をSRAMのア
ドレス遷移検出回路に適用した一実施例を示す論理回路
図、 第2図はパルス発生回路の入力信号が単位遅延幅の2倍
の幅を持ってパルス状にハイレベルに変化される場合の
作用説明用タイムチャート、第3図はパルス発生回路の
入力信号が単位遅延幅の2倍よりも小さい幅を持ってパ
ルス状にハイレベルに変化される場合の作用説明用タイ
ムチャート、 第4図はパルス発生回路の入力信号が単位遅延幅に等し
い幅を持ってパルス状にロウレベルに変化される場合の
作用説明用タイムチャート、第5図はパルス発生回路の
入力信号が単位遅延幅の2倍の幅を持ってパルス状にロ
ウレベルに変化される場合の作用説明用タイムチャート
、第6図はパルス発生回路の入力信号が単位遅延幅の3
倍の幅を持ってパルス状にロウレベルに変化される場合
の作用説明用タイムチャート。 第7図はパルス発生回路の入力信号が単位遅延幅の4倍
の幅を持ってパルス状にロウレベルに変化される場合の
作用説明用タイムチャート。 第8図はパルス発生回路の入力信号が単位遅延幅の5倍
の幅を持ってパルス状にロウレベルに変化される場合の
作用説明用タイムチャート、第9図はパルス発生回路の
入力信号が単位遅延幅の5倍以上の幅を持ってパルス状
にロウレベルに変化される場合の作用説明用タイムチャ
ート、第10図は直列5段のインバータによって構成さ
れた遅延回路の説明図。 第11図は第1O図に示される回路の作用説明用タイム
チャート。 第12図は直列4段のインバータと1つのノアゲートに
よって構成された遅延回路の説明図。 第13図は第12図において直列4段のインバータで規
定される遅延幅以上のハイレベルパルス変化による作用
説明用タイムチャート、第14図は第12図において直
列4段のインバータで規定される遅延幅よりも小さな幅
のハイレベルパルス変化による作用説明用タイムチャー
ト。 第15図は第1図に示されるアドレス遷移検出回路ルこ
おいて正規の幅でアドレス信号がレベル変化される場合
の作用説明用タイムチャート、第16図は第1図に示さ
れるアドレス遷移検出回路においてノイズの影響によっ
て入力信号レベルが変化される場合の作用説明用タイム
チャート、第17図はその他のアドレス遷移検出回路を
示す論理回路図、 第18図はさらに別のアドレス遷移検出回路を示す論理
回路図。 第19図は従来のアドレス遷移検出回路を示す回路図、 第20図は第19図に示されるアドレス遷移検出回路に
おいて正規の幅でアドレス信号がレベル変化される場合
の作用説明用タイムチャート、第21図は第19図に示
されるアドレス遷移検出回路においてノイズの影響によ
って入力信号レベルがハイレベルに変化される場合の作
用説明用タイムチャート、 第22図は第19図に示され°るアドレス遷移検出回路
においてノイズの影響によって入力信号レベルがロウレ
ベルに変化される場合の作用説明用タイムチャートであ
る。 Ai・・・外部アドレス信号、1o・・・アドレスバッ
ファ、IN、IN・・・入力信号、20,30・・・パ
ルス発生回路、DEL20.DEL30・・・遅延回路
、lNV2O,INV21.INV22・・・インバー
タ、N OR20−/ 7ゲート、N0R21,N。 R22・・・ノアゲート(2入力形論理ゲート)、工N
V30.INV31.INV32・インバータ、N0R
30・・・ノアゲート、N0R31,N0R32・・・
ノアゲート(2入力形論理ゲート)、N0R1・・・ノ
アゲート(出力論理ゲート)、40.50・・・パルス
発生回路、DEL40.DEL50・・・遅延回路。 第  2  図 會O 第  3   図 第  4  図 第  b  図 第  6  図 ↑O 第  7  図 第  8  図 ■6 第  9  図 第10図 N0R20(NOR30) EL 第11図 第12図 第13図 DW  5DW 第15図 第16図 第17図 DEL40 第18図 N0RDEL5゜ 第19図 第20図 第21文   第22図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、入力信号とこの入力信号を遅延回路を通して得られ
    る遅延信号との論理演算により、当該遅延回路によって
    定まる所定幅のパルスを発生可能な1対のパルス発生回
    路を有し、上記1対のパルス発生回路には相互にレベル
    の、反転された入力信号が供給され、双方のパルス発生
    回路は遅延回路によって決定される遅延幅以上のパルス
    幅を有する入力信号の所定の極性へのレベル変化に基づ
    いて一定幅のパルス信号を夫々出力するようにされ、夫
    々のパルス発生回路の出力信号を2入力としてその入力
    パルス幅に応じた幅のパルスを出力可能とする出力論理
    ゲートを備えて成るものであることを特徴とする入力遷
    移検出回路。 2、上記パルス発生回路は、遅延回路によって決定され
    る遅延幅以下のパルス状ノイズにより入力が変化される
    とき、その変化されるレベルに応じて何れか一方は上記
    一定幅のパルス信号を出力し、他方は上記一方のパルス
    発生回路における出力パルスに部分的に重複するタイミ
    ングでパルス信号を出力するようにされて成るものであ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の入力遷
    移検出回路。 3、上記遅延回路は、入力信号の第1極性から第2極性
    へのレベル変化に呼応して出力を反転し且つ入力信号に
    対する遅延信号の第2極性から第1極性へのレベル変化
    に呼応して更に出力を反転させる2入力型論理ゲートを
    含んで成るものであることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項又は第2項記載の入力遷移検出回路。 4、上記遅延回路は、上記2入力型論理ゲートを複数段
    有し、夫々の一方の入力端子には同一入力信号が供給さ
    れ、他方の入力端子は遅延素子を介して前段の2入力型
    論理ゲートの出力端子に従続結合されて成るものである
    ことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の入力遷移
    検出回路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993004476A1 (en) * 1991-08-27 1993-03-04 Seiko Epson Corporation Semiconductor memory device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993004476A1 (en) * 1991-08-27 1993-03-04 Seiko Epson Corporation Semiconductor memory device
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