JPH01100257A - 反射防止膜 - Google Patents
反射防止膜Info
- Publication number
- JPH01100257A JPH01100257A JP25658387A JP25658387A JPH01100257A JP H01100257 A JPH01100257 A JP H01100257A JP 25658387 A JP25658387 A JP 25658387A JP 25658387 A JP25658387 A JP 25658387A JP H01100257 A JPH01100257 A JP H01100257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- antireflection film
- transparent conductive
- layers
- thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 15
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 15
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 6
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- BLBNEWYCYZMDEK-UHFFFAOYSA-N $l^{1}-indiganyloxyindium Chemical compound [In]O[In] BLBNEWYCYZMDEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- -1 oxygen molecular ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は、レンズやプリズム、ビームスプリッタ−各種
々の光学部品に形成される反射防止膜に関する。
々の光学部品に形成される反射防止膜に関する。
(従来技術)
レンズ等の光学部品に反射防止膜を設けることは、従来
から一般に行われている。
から一般に行われている。
かかる反射防止膜としては、例えばMgF、の単層もし
くは多層膜、あるいはMgF2の層をSiO□の層で挟
持する構造としたもの(特公昭62−22122号公報
)など、MgF2.SiO,、TiO□等の層を組み合
わせたものが知られているが、これらの膜材料はいずれ
も電気絶縁性である。
くは多層膜、あるいはMgF2の層をSiO□の層で挟
持する構造としたもの(特公昭62−22122号公報
)など、MgF2.SiO,、TiO□等の層を組み合
わせたものが知られているが、これらの膜材料はいずれ
も電気絶縁性である。
一方、近来、レンズ等の光学部品の材料として各種プラ
スチックが用いられるようになった。プラスチックは光
学部品の材料としては、軽量で形成加工が容易である等
の適合性をもつが、ガラスと同様反射率が高いので1反
射防止膜の形成は必要である。また、プラスチック材料
は静電気により帯電しやすいという特徴を持っている。
スチックが用いられるようになった。プラスチックは光
学部品の材料としては、軽量で形成加工が容易である等
の適合性をもつが、ガラスと同様反射率が高いので1反
射防止膜の形成は必要である。また、プラスチック材料
は静電気により帯電しやすいという特徴を持っている。
このためプラスチックにより構成された光学部品には、
帯電によりほこり等が吸着されやすく、このためプラス
チックレンズを用いるカメラではレンズの汚れで画像に
障害が出る等の問題があり、あるいはプラスチック製の
光学部品の使用環境が制限される等の問題があった。
帯電によりほこり等が吸着されやすく、このためプラス
チックレンズを用いるカメラではレンズの汚れで画像に
障害が出る等の問題があり、あるいはプラスチック製の
光学部品の使用環境が制限される等の問題があった。
(目 的)
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって
、光学部品の帯電を有効に防止しうる反射防止膜の提供
を目的としている。
、光学部品の帯電を有効に防止しうる反射防止膜の提供
を目的としている。
(構 成)
以下、本発明を説明する。
本発明の反射防止膜は、レンズ等の光学部品に設けられ
るものであるが1反射防止膜の形成される光学部品の種
類、材料は反射防止膜が形成され得るという条件を除け
ば特に制限はない。しかし。
るものであるが1反射防止膜の形成される光学部品の種
類、材料は反射防止膜が形成され得るという条件を除け
ば特に制限はない。しかし。
プラスチック製の光学部品に形成した場合に特に有益で
ある。
ある。
本発明の反射防止膜は、2層以上の積層構造を有し、少
なくとも1層は透明導電性薄膜であることを特徴とする
。
なくとも1層は透明導電性薄膜であることを特徴とする
。
このように、本発明の反射防止膜は何層かに積層する層
の内、1層以上が透明導電性薄膜であるので、この透明
導電性薄膜により光学部品のTr fGbを有効に防止
することができる。
の内、1層以上が透明導電性薄膜であるので、この透明
導電性薄膜により光学部品のTr fGbを有効に防止
することができる。
反射防止膜中に於いて、透明導電性薄膜の占める位置は
任意であり、光学部品表面と他の層との間でも良いし9
反射防止膜を構成する他の層と層との間に位置しても良
く、あるいは、反射防止膜表面として空気と接するよう
に位置しても良い。
任意であり、光学部品表面と他の層との間でも良いし9
反射防止膜を構成する他の層と層との間に位置しても良
く、あるいは、反射防止膜表面として空気と接するよう
に位置しても良い。
透明導電性薄膜の材料としては、In、0□ITO,S
n0□やZnO等を用いることができる。また、透明導
電性薄膜とともに反射防止膜を構成する他の層の材料と
しては−MgF2pSxO□、A1.0.、TiO2等
を用いることが出来る。各材料により形成される薄層の
屈折率は互いに異なるが、これら材料による薄層の組み
合わせで、所望の反射防止効果を持つ反射防止膜を形成
するのである。勿論、上記各層はそれ自体、薄膜である
。
n0□やZnO等を用いることができる。また、透明導
電性薄膜とともに反射防止膜を構成する他の層の材料と
しては−MgF2pSxO□、A1.0.、TiO2等
を用いることが出来る。各材料により形成される薄層の
屈折率は互いに異なるが、これら材料による薄層の組み
合わせで、所望の反射防止効果を持つ反射防止膜を形成
するのである。勿論、上記各層はそれ自体、薄膜である
。
(実施例)
以下1図面を参照しながら具体的な実施例を以て説明す
る。
る。
第1図は、本発明の1実施例を説明図的に示している。
符号11はPMMA即ち屈折率n:1.49のプラスチ
ック基板を示している。
ック基板を示している。
このPMMAIIは、具体的にはレンズ等のプラスチッ
ク製光学部品であるが、ここでは、WJ単に平面的な基
板として描かれているに のPMMAII上には、第1層として二酸化ケイ素Si
n、の薄膜層20、第2層として酸化インジウムIn2
O3の薄膜層21、第37iyとしてフッ化マグネシウ
ムMgFtの薄膜層22がこの順序に、基板側から積層
形成されており、これら3層で反射防止膜を構成してい
る。
ク製光学部品であるが、ここでは、WJ単に平面的な基
板として描かれているに のPMMAII上には、第1層として二酸化ケイ素Si
n、の薄膜層20、第2層として酸化インジウムIn2
O3の薄膜層21、第37iyとしてフッ化マグネシウ
ムMgFtの薄膜層22がこの順序に、基板側から積層
形成されており、これら3層で反射防止膜を構成してい
る。
図中、nは屈折率、Rは電気抵抗を表している。
この実施例では、第2層21のIn2O,の薄膜層が透
明導電性薄膜であり、帯電防止の機能を持つ。
明導電性薄膜であり、帯電防止の機能を持つ。
以下、PMMAII上に、かかる反射防止膜を形成する
具体的な方法を実施例に即して説明する。
具体的な方法を実施例に即して説明する。
第2図は、反射防止膜を形成するための装置を要部のみ
説明図的に略伝しているに の装置は、先に出頭人が特開昭59−89763号公報
に於いて提案したものである。
説明図的に略伝しているに の装置は、先に出頭人が特開昭59−89763号公報
に於いて提案したものである。
ベースプレート1とペルジャー2とはバッキング15を
介して一体化され真空槽を形成している。
介して一体化され真空槽を形成している。
ベースプレート1は、支持体兼用の電極3,5゜7.9
により、真空槽の気密状態を保ち、且つ、電気的な絶縁
性を保ちつつ貫通されている。
により、真空槽の気密状態を保ち、且つ、電気的な絶縁
性を保ちつつ貫通されている。
ベースプレート1の中央部には孔IAが穿設され、図示
されない真空排気系へ連結されている。
されない真空排気系へ連結されている。
一対の支持体兼用電極3は、蒸発源4を保持している。
蒸発源4は抵抗加熱式であるが電子ビーム蒸発源等地の
種類のものであってもよい。
種類のものであってもよい。
一対の支持体兼用電極5には、タングステン等による熱
電子発生用のフィラメント6が支持されている。このフ
ィラメント6は複数本のフィラメントを網目状に配列し
、蒸発源から蒸発した、蒸発物質の広がりをカバーしう
るようにしたものであるが、複数本のフィラメントを平
行に配列したものでも良い。
電子発生用のフィラメント6が支持されている。このフ
ィラメント6は複数本のフィラメントを網目状に配列し
、蒸発源から蒸発した、蒸発物質の広がりをカバーしう
るようにしたものであるが、複数本のフィラメントを平
行に配列したものでも良い。
支持体電極7に保持されたグリッド8は、蒸発物質を通
過させつる形状、この例では網口状に形成されている。
過させつる形状、この例では網口状に形成されている。
支持体兼用電極9には5対向電極10が支持され、反射
防止膜を形成されるPMMAIIは、この対向電極10
に適宜の方法で支持され、膜形成面を蒸発源4と対向さ
せられる。
防止膜を形成されるPMMAIIは、この対向電極10
に適宜の方法で支持され、膜形成面を蒸発源4と対向さ
せられる。
支持体兼用電極3,5,7.9には、真空槽外に於いて
1図の如く、各種電源12,13.14と接続され、図
示されないスイッチにより各電極への電圧印加操作を行
いうるようになっている。
1図の如く、各種電源12,13.14と接続され、図
示されないスイッチにより各電極への電圧印加操作を行
いうるようになっている。
さて、第1図に即して説明した反射防止膜は、以下の如
きプロセスで形成される。
きプロセスで形成される。
第2図の如くにPMMAIIを対向電極10に保持させ
、一方、蒸着物質として一酸化ケイ素を蒸発源4に保持
させる。真空槽内は、 10−3〜l叶’Paの圧力と
し、a素ガスを単独で、もしくはアルゴンガスと共に1
0°〜10−”Paの圧力で導入する。
、一方、蒸着物質として一酸化ケイ素を蒸発源4に保持
させる。真空槽内は、 10−3〜l叶’Paの圧力と
し、a素ガスを単独で、もしくはアルゴンガスと共に1
0°〜10−”Paの圧力で導入する。
この状態で、電圧操作により、グリッド8に正電位を印
加し、対向電極10を接地し、フィラメント6には、交
流電流を通じて熱電子を発生させる。
加し、対向電極10を接地し、フィラメント6には、交
流電流を通じて熱電子を発生させる。
この熱電子は真空槽内の酸素分子、アルゴン分子を衝突
によりイオン化し、同槽内にプラズマ状態が実現される
。
によりイオン化し、同槽内にプラズマ状態が実現される
。
蒸発源4を抵抗加熱すると、蒸発物質としての−m化ケ
イ素が蒸発し、PMMAIIの方へ広がりつつ飛行する
。そして飛行の途上において、熱電子と衝突によりイオ
ン化される。
イ素が蒸発し、PMMAIIの方へ広がりつつ飛行する
。そして飛行の途上において、熱電子と衝突によりイオ
ン化される。
このようにイオン化されたケイ素や酸素を含む蒸発物質
は、グリッド8を通過するが、このときグリッド8の近
傍で振動的に運動する熱電子や。
は、グリッド8を通過するが、このときグリッド8の近
傍で振動的に運動する熱電子や。
上記の如くイオン化された画素分子等との衝突により、
更にイオン化を促進される6グリツド8を通過した蒸発
物質中いまだイオン化されていない部分は、さらにグリ
ッド8とPHMA 11との間で、酸素分子イオン等と
の衝突でさらにイオン化率を高められる。
更にイオン化を促進される6グリツド8を通過した蒸発
物質中いまだイオン化されていない部分は、さらにグリ
ッド8とPHMA 11との間で、酸素分子イオン等と
の衝突でさらにイオン化率を高められる。
かくして正イオンにイオン化された酸素やケイ素は、グ
リッド8から対向電極10に向かう電界の作用により、
PMMAIIに向かって加速され高エネルギーで衝突す
るが、ケイ素は飛行途上及びPMMAIIの表面で酸素
と結合し、SiO□の薄膜層20を形成する。
リッド8から対向電極10に向かう電界の作用により、
PMMAIIに向かって加速され高エネルギーで衝突す
るが、ケイ素は飛行途上及びPMMAIIの表面で酸素
と結合し、SiO□の薄膜層20を形成する。
続いて、上記と同様、酸素ガスもしくは酸素ガスとアル
ゴンガスを導入ガスとして導入し、蒸発源4にインジウ
ムを蒸発物質として保持させ、上記と同様にして、蒸発
物質と酸素を反応させて、In2O,の薄膜[2]を透
明導電性薄膜として形成する。
ゴンガスを導入ガスとして導入し、蒸発源4にインジウ
ムを蒸発物質として保持させ、上記と同様にして、蒸発
物質と酸素を反応させて、In2O,の薄膜[2]を透
明導電性薄膜として形成する。
最後に、導入ガスとしてアルゴンなど不活性ガスやフッ
素系のガスを導入してプラズマを発生させ、蒸発物質と
してフッ化マグネシウムを蒸発させ、MgF、の薄膜層
22を形成する。
素系のガスを導入してプラズマを発生させ、蒸発物質と
してフッ化マグネシウムを蒸発させ、MgF、の薄膜層
22を形成する。
熱電子は、最終的にはその大部分がグリッド8に吸収さ
れ、一部がグリッド8を通過するが、グリッド8と対向
電極10との間に形成されている電界により減速される
ので、PMMAILに到達してもこれを加熱するには到
らない。
れ、一部がグリッド8を通過するが、グリッド8と対向
電極10との間に形成されている電界により減速される
ので、PMMAILに到達してもこれを加熱するには到
らない。
従って、上記の如き方法によればプラスチックのような
耐熱性に劣る材質の光学部品にも透明導電性薄膜を含む
反射防止膜を密着性良く形成できる。
耐熱性に劣る材質の光学部品にも透明導電性薄膜を含む
反射防止膜を密着性良く形成できる。
(効 果)
以上、本発明によれば、新規な反射防止膜を提供できる
。この反射防止膜は上記の如き構成により光学部品の帯
電を防止する機能を持ち、特にプラスチック製の光学部
品の帯電を有効に防止できる。これにより、光学部品の
帯電によるほこりの吸着を防止でき、また、これまでほ
こりの吸着のためにプラスチック製光学部品を使用でき
なかった環境でもプラスチック製光学部品の使用が可能
となり、光学装置の機能拡大や、光学装置の設計、製造
の容易化が図れる。また、本発明の反射防止膜は、前述
の如き方法で耐熱性に劣るプラスチック製光学部品にも
容易且つ確実に形成できる。図面の簡単な説明 第1図は、本発明の1実施例を説明する為の図、第2図
は、第1図の実施例の反射防止膜の形成方法を説明する
ための図である。
。この反射防止膜は上記の如き構成により光学部品の帯
電を防止する機能を持ち、特にプラスチック製の光学部
品の帯電を有効に防止できる。これにより、光学部品の
帯電によるほこりの吸着を防止でき、また、これまでほ
こりの吸着のためにプラスチック製光学部品を使用でき
なかった環境でもプラスチック製光学部品の使用が可能
となり、光学装置の機能拡大や、光学装置の設計、製造
の容易化が図れる。また、本発明の反射防止膜は、前述
の如き方法で耐熱性に劣るプラスチック製光学部品にも
容易且つ確実に形成できる。図面の簡単な説明 第1図は、本発明の1実施例を説明する為の図、第2図
は、第1図の実施例の反射防止膜の形成方法を説明する
ための図である。
11、、、PMMA(プラスチック製基板として示され
た光学部品) 、20,21,22.、、反射防止膜を
構成す第1図 アクリル樹脂の帯電・反射防」 M!It成: (MgFt/InzO3/5i02/
PMMA)序2 図
た光学部品) 、20,21,22.、、反射防止膜を
構成す第1図 アクリル樹脂の帯電・反射防」 M!It成: (MgFt/InzO3/5i02/
PMMA)序2 図
Claims (1)
- 光学部品の表面に形成される反射防止膜であって、2層
以上の積層構造を有し、少なくとも1層は透明導電性薄
膜であることを特徴とする、反射防止膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25658387A JPH01100257A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25658387A JPH01100257A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 反射防止膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01100257A true JPH01100257A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17294646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25658387A Pending JPH01100257A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 反射防止膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01100257A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5251202A (en) * | 1991-05-23 | 1993-10-05 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium having multi-layered structures for preventing undesired reflection and electric charging |
US5667880A (en) * | 1992-07-20 | 1997-09-16 | Fuji Photo Optical Co., Ltd. | Electroconductive antireflection film |
EP1255130A1 (en) * | 2001-05-01 | 2002-11-06 | Nidek Co., Ltd. | Transparent substrate with multilayer antireflection film having electrical conductivity |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6149387A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-11 | ジーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 複数の絶縁された導線のための接続装置 |
-
1987
- 1987-10-12 JP JP25658387A patent/JPH01100257A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6149387A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-11 | ジーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 複数の絶縁された導線のための接続装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5251202A (en) * | 1991-05-23 | 1993-10-05 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium having multi-layered structures for preventing undesired reflection and electric charging |
US5667880A (en) * | 1992-07-20 | 1997-09-16 | Fuji Photo Optical Co., Ltd. | Electroconductive antireflection film |
EP1255130A1 (en) * | 2001-05-01 | 2002-11-06 | Nidek Co., Ltd. | Transparent substrate with multilayer antireflection film having electrical conductivity |
US6657271B2 (en) | 2001-05-01 | 2003-12-02 | Nidek Company, Limited | Transparent substrate with multilayer antireflection film having electrical conductivity |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI272314B (en) | Optical antireflection film and process for forming the same | |
KR101708194B1 (ko) | 기판 코팅 방법 및 코팅 장치 | |
EP0385475A2 (en) | Method of forming a transparent conductive film | |
JPH01100257A (ja) | 反射防止膜 | |
JPS5989763A (ja) | 薄膜蒸着装置 | |
US6783644B2 (en) | Film deposition method | |
JPH03140463A (ja) | 薄膜形成装置 | |
KR20170133566A (ko) | 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 스퍼터링 방법 | |
CN111596340B (zh) | 高计数率多气隙电阻板室探测器的制备方法 | |
JP2010242174A (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP4093955B2 (ja) | イオンビーム発生装置及び蒸着方法 | |
KR102140598B1 (ko) | 스퍼터 증착 소스, 스퍼터 증착 장치 및 스퍼터 증착 소스를 동작시키는 방법 | |
JP3108681B2 (ja) | 導電性膜の製造方法 | |
US20120000775A1 (en) | Apparatus for Forming Electronic Material Layer | |
JP3067150B2 (ja) | 光学素子の製造装置 | |
JPH0346516A (ja) | 帯電防止兼反射防止用積層被膜をもつ表示計器またはそのカバー | |
JPS6320461A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPS61183810A (ja) | 透明電極 | |
JP2874548B2 (ja) | アーク放電プラズマによる被膜の形成方法 | |
JP2807783B2 (ja) | 斜め放電プレーナー型マグネトロンスパッタリング法による薄膜形成方法 | |
JPS63203760A (ja) | ガラス基板面への無機質膜の形成方法及びその装置 | |
JP3330632B2 (ja) | 薄膜蒸着装置 | |
JPH04141909A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
JP2024070168A (ja) | 透明導電性フィルム | |
JP2024012228A (ja) | 透明導電性フィルム |