JP7841710B2 - 調光デバイス及びその製造方法、並びにスマートウィンドウ - Google Patents
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Description
また、従来の調光デバイスは、耐電圧性能が低い既存の安価な電子部品を用いることもできないため、製品コストが増大するという問題もあった。
本発明の実施形態1に係る調光デバイスは、液晶層として高分子分散型液晶層を備える。
図1は、本発明の実施形態1に係る調光デバイスの断面模式図である。
図1に示されるように、本発明の実施形態1に係る調光デバイス100は、一対の透明基板10a,10bと、一対の透明基板10a,10bの間に挟持された高分子分散型液晶層20とを備えている。
樹脂基板は、例えば、ポリエステル系樹脂、(メタ)アクリル系樹脂、オレフィン系樹脂、環状オレフィン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリウレタン系樹脂、セルロース系樹脂、スチレン系樹脂などを用いて形成され得る。ポリエステル系樹脂の具体例としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、イソフタル酸、シクロヘキサン環などを含む脂環式のジカルボン酸又は脂環式のジオールなどを含む共重合PET(PET-G)、その他ポリエステル、及びこれらの共重合体やブレンド体などが挙げられる。これらは、単独又は2種以上を組み合わせて用いられる。
なお、一対の透明基板10a,10bの材質は同一であっても異なっていてもよい。
透明電極は、高分子分散型液晶層20に電圧を印加できるように設けられていればよい。例えば、透明電極は、一対の透明基板10a,10bの両方の高分子分散型液晶層20側の表面に設けられていてもよいし、一対の透明基板10a,10bのいずれか一方の高分子分散型液晶層20側の表面に設けられていてもよい。一対の透明基板10a,10bの両方に透明電極を設ける場合、透明電極は、高分子分散型液晶層20に対して垂直に電圧を印加することが可能な平面電極とすることができる。また、一対の透明基板10a,10bのいずれか一方に透明電極を設ける場合、透明電極は、高分子分散型液晶層20に対して平行に電圧を印加することが可能な櫛歯電極とすることができる。
(AgNW)、カーボンナノチューブ(CNT)などのカーボン層、有機導電膜、金属層又はこれらの積層体を用いても形成され得る。透明電極は、目的に応じて、所望の形状にパターニングされ得る。例えば、透明電極を縦ストライプ、横ストライプ又は格子状にパターン形成することにより、調光デバイス100にブラインド機能を好適に付与することができる。
例えば、一対の透明基板10a,10bは、高分子分散型液晶層20側の表面に配向膜を備えることができる。本発明の実施形態1に係る調光デバイス100では、垂直配向剤21によって液晶化合物22の垂直配向制御が可能であるため、配向膜は形成しなくてもよいが、配向膜と併用して液晶化合物22の垂直配向制御を行ってもよい。ただし、配向膜を形成することにより、調光デバイス100の駆動電圧が高くなる恐れがあるため、一対の透明基板10a,10bは、配向膜が形成されていないことが好ましい。
ここで、本明細書において「垂直配向剤21」とは、一対の透明基板10a,10bに対して液晶化合物22を垂直に配向させる機能を有するものを意味する。
垂直配向剤21としては、特に限定されないが、一対の透明基板10a,10bに吸着可能なものであることが好ましい。このような垂直配向剤21を用いることにより、一対の透明基板10a,10bと高分子分散型液晶層20との界面に垂直配向剤21が存在し易くなるため、駆動電圧を低くすることができる。
ここで、本明細書において「高分子分散型液晶層20に相溶可能な垂直配向剤21」とは、高分子分散型液晶層20に垂直配向剤21を添加し、これをオーブンで高分子分散型液晶層20の相転移温度以上の温度まで上昇させて等方相にした際に垂直配向剤21が溶解しており(すなわち、高分子分散型液晶層20と垂直配向剤21との混合物が透明であり)、室温(例えば、25℃)まで戻しても垂直配向剤21の沈殿が確認されないものを意味する。
高分子分散型液晶層20に相溶可能な垂直配向剤21を用いることにより、透過モード時の透過性を高めることができる。
ここで、本明細書において「高分子」とは、MALDI-TOF-MSによって測定される分子量が1000以上、好ましくは1500以上、より好ましくは2000以上であるものを意味する。
メソゲン基としては、特に限定されず、当該技術分野において公知のものを用いることができる。メソゲン基の例としては、安息香酸フェニル、ビフェニル、シアノビフェニル、ターフェニル、シアノターフェニル、フェニルベンゾエート、アゾベンゼン、ジアゾベンゼン、アニリンベンジリデン、アゾメチン、アゾキシベンゼン、スチルベン、フェニルシクロヘキシル、ビフェニルシクロヘキシル、フェノキシフェニル、ベンジリデンアニリン、ベンジルベンゾエート、フェニルピリミジン、フェニルジオキサン、ベンゾイルアニリン、トラン及びこれらの誘導体などが挙げられる。
分子間力によって一対の透明基板10a,10bに吸着可能な原子としては、特に限定されないが、例えば、N(窒素)、O(酸素)、P(リン)、S(硫黄)、ハロゲンなどが挙げられる。その中でも当該原子はNであることが好ましい。
多官能性アミン化合物としては、ポリプロピレンテトラミンデンドリマー第1世代(Polypropylene tetramine Dendrimer, Generation 1.0)、ポリプロピレンオクタミンデン
ドリマー第2世代(Polypropylene octaamine Dendrimer, Generation 2.0)などであり
、シグマアルドリッチ社製のDAB-Am-4やDAB-Am-8などの市販品を使用することもできる。また、この多官能性アミン化合物は、エチレンジアミン及びアクリロニトリルを出発原料として合成することもできる。
アクリル酸エステル誘導体としては、合成するデンドリマーに応じて適宜選択すればよく、例えば、上記の式(I)により表されるデンドリマーを合成する場合は、下記の式(IV)で表される化合物を原料として用いることができる。
多官能性アミン化合物とアクリル酸エステル誘導体との反応比は、多官能性アミン化合物1モルに対して、アクリル酸エステル誘導体を1.0~3.0モル、好ましくは1.1~1.5モルである。
また、有機溶剤の量は、多官能性アミン化合物やアクリル酸エステル誘導体の量などに応じて適宜調整すればよく、特に限定されない。
反応時間としては、2~200時間、好ましくは48~100時間である。反応時間が2時間未満であると、反応が十分に進行しないことがある。反応時間が200時間を超えると、時間がかかりすぎて実用的でない。
反応終了後は溶剤を除去することにより、目的とするデンドリマーを得ることができる。また、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ヘキサン、トルエンなどの貧溶剤を加えて加熱し、上澄みを除去することによって精製してもよい。
例えば、上記の一般式(III)を有するデンドロンを合成する場合、以下の一般式(V)を有する化合物を用いることができる。
R-N-((CH2)3-NH2)2 (V)
式中、Rは上記で定義した通りである。
ここで、上記(V)の化合物は、R-NH2とアクリロニトリルと(CH2=CHCN)を反応させた後、水素化リチウムアルミニウムなどの還元剤を用いてニトリルをアミンに変換することによって合成することができる。
また、有機溶剤の量は、使用する原料の種類及び量などに応じて適宜調整すればよく、特に限定されない。
反応時間としては、2~200時間、好ましくは48~100時間である。反応時間が2時間未満であると、反応が十分に進行しないことがある。反応時間が200時間を超えると、時間がかかりすぎて実用的でない。
反応終了後は溶剤を除去することにより、目的とするデンドロンを得ることができる。また、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ヘキサン、トルエンなどの貧溶剤を加えて加熱し、上澄みを除去することによってデンドロンを精製してもよい。
挙げられる。
したがって、高分子分散型液晶層20における垂直配向剤21の含有量は、当該界面に垂直配向剤21を存在させ得るような量であればよい。すなわち、高分子分散型液晶層20における垂直配向剤21の含有量は、高分子分散型液晶層20と接する一対の透明基板10a,10bの面積に依存するため一義的に定義することはできないが、一般的に0.01~50質量%である。
例えば、高分子分散型液晶層20はカイラル剤をさらに含み得る。カイラル剤を用いることにより、液晶化合物22をコレステリック配向性とすることができる。カイラル剤の種類や添加量は、らせんピッチなどの所望の設定値に応じて適切に決定できる。
また、高分子分散型液晶層20は、酸化防止剤、色素などを含み得る。特に、調光デバイス100では、透明(入射光の透過状態)と白濁(入射光の散乱状態)との切替が一般的に行われるが、色素として二色性色素を用いることにより、透明(入射光の透過状態)と黒色(入射光の吸収状態)との切替を行うことが可能になる。なお、二色性色素の添加は、本発明の効果(特に、調光デバイス100の駆動電圧の低減効果)にはほとんど影響しないことを本発明者らは実験的に確認している。
公知の成分の高分子分散型液晶層20における含有量は、特に限定されないが、例えば10質量%以下であり得る。
液晶組成物におけるモノマー成分と液晶化合物22との質量比は、特に限定されないが、例えば5:95~30:70、好ましくは10:90~20:80である。このような範囲にモノマー成分と液晶化合物22との質量比を制御することにより、散乱モードに切り替える場合に、低い駆動電圧でヘイズを80%以上に制御し易くなる。
液晶組成物における垂直配向剤21の含有量は、特に限定されないが、例えば0.01~50質量%、好ましくは0.05~30質量%、より好ましくは0.1~10質量%である。
隔壁23の構造は、特に限定されないが、高分子分散型液晶層20を平面視した場合に格子状の連続構造を有し、一対の透明基板10a,10bを接続するように設けられていることが好ましい。
隔壁23を設けることにより、高分子分散型液晶層20の厚みが変化し難くなるとともに、曲げに伴う一対の透明基板10a,10bのずれなどによって液晶化合物22が流動したり、漏れ出したりすることを防止できる。また、隔壁23は、一対の透明基板10a,10bの間隔を保持するスペーサとしても機能し得る。したがって、隔壁23を設けることにより、フレキシブルな調光デバイス200を製造し易くなる。
隔壁23の幅は、特に限定されないが、例えば3~50μm、好ましくは5~30μm、より好ましくは8~20μmである。
なお、ヘイズ及び駆動電圧は、下記の実施例に記載された方法によって測定することができる。
例えば、一対の透明基板10a,10bの間には、所定の間隔を保持するためにスペーサを設けることができる。また、一対の透明基板10a,10bの間には、高分子分散型液晶層20を封止するためのシール部を設けることができる。さらに、一対の透明基板10a,10bの高分子分散型液晶層20と反対側の表面には、ハードコート層、保護層、粘着層などの各種層を設けることができる。
例えば、一対の透明基板10a,10bの間に毛細管現象を利用して液晶組成物を注入すればよい。
また、一方の透明基板10a(又は透明基板10b)に液晶組成物を塗布して塗布層を形成した後、塗布層上に他方の透明基板10b(又は透明基板10a)を積層してもよい。塗布方法としては、例えば、ロールコート法、スピンコート法、ワイヤーバーコード法、ディップコート法、ダイコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ナイフコート法などの公知の方法を用いることができる。
活性エネルギー線としては、特に限定されないが、紫外線、電子線、α線、β線、γ線などの電離放射線が用いられる。これらの中でも、活性エネルギー線として紫外線を用いることが好ましい。活性エネルギー線は、液晶セルの全面に照射してもよいし、液晶セルの所定の位置のみに照射してもよい。
例えば、活性エネルギー線として紫外線を用いる場合、紫外線の照射条件は、照度を好ましくは1~300mW/cm2、より好ましくは10~150mW/cm2、照射時間を好ましくは1~30分間、より好ましくは1~15分間とすることができる。光源としては、例えば、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、UV-LEDなどを用いることができる。
リバースモードの調光デバイス100,200では、フレデリック転移が起こる閾値よりも大きい電圧を印加することにより、高分子分散型液晶層20において高分子と液晶化合物22との屈折率の差が大きくなるため散乱モードとなる。一方、電圧の印加を停止することにより、高分子分散型液晶層20において高分子と液晶化合物22との屈折率の差が小さくなるため透過モードとなる。この方式は、他の方式よりも応答速度が速いため、透過モードと散乱モードとを高速で切り替えることができる。
本発明の実施形態2に係る調光デバイスは、液晶層としてネマティック液晶層を備える。
図3は、本発明の実施形態2に係る調光デバイスの断面模式図である。
図3に示されるように、本発明の実施形態2に係る調光デバイス300は、一対の透明基板10a,10bと、一対の透明基板10a,10bの間に挟持されたネマティック液晶層30とを備えている。
なお、本発明の実施形態2に係る調光デバイス300は、液晶層としてネマティック液晶層30を用いている点以外は、本発明の実施形態1に係る調光デバイス100と同じ構成要素を有する。したがって、本発明の実施形態1に係る調光デバイス100の説明の中で登場した符号と同一の符号を有する構成要素についての説明は省略する。
なお、ヘイズ及び駆動電圧は、下記の実施例に記載された方法によって測定することができる。
なお、巨視的なストライプパターンは周波数にも依存し、100Hz駆動ではストライプパターンは形成されるが、1000Hzでは印加電圧に関係なくストライプパターンは見られなくなる。これは、高周波になると不純物イオンが追従できず動かなくなるため、電気対流が発生しないことを裏付けており、上記の不純物イオンによる説明と一致している。
なお、上記の現象は、一対の透明基板10a,10bの表面に配向膜を形成した従来の調光デバイスではみられない現象である。また、この方式は、他の方式よりも応答速度が速いため、透過モードと散乱モードとを高速で切り替えることができる。
C/cm2であることが特に好ましい。このような範囲に不純物イオン密度を制御するこ
とにより、電圧印加時に電気対流を安定して発生させることができる。
なお、液晶層における不純物イオン密度は、イオン密度測定システム(株式会社東陽テクニカ製)を用いる下記の手法によって算出することができる。
上記の式(I)におけるR1が下記の式で表されるデンドリマーを次のようにして合成
した。
200mLのナスフラスコに、4-(trans-4-ペンチルシクロヘキシル)フェノキシフェノール(10g、41mmol)、6-ブロモヘキサノール(8.8g、49mmol)、炭酸カリウム(11g、80mmol)及び2-ブタノン(50ml)を入れて溶解し、60時間加熱還流した。加熱還流が終了した後、減圧下で2-ブタノンを除去して得られた残渣を酢酸エチルに溶解し、この溶液を水で3回洗浄した。次に、この溶液に無水硫酸ナトリウムを加えて水分を除去した後、酢酸エチルを減圧下で留去し、得られた残渣をn-ヘキサンで再結晶させることで、白色結晶を収量6.2g(収率44%)で得た。この白色結晶は、IRにより、3340cm-1(OH)、2922cm-1(C-H)、1245cm-1(PhO-)の特性吸収が観測された。
200mLの三口フラスコに、6-[4-(trans-4-ペンチルシクロヘキシル)フェノキシ]ヘキサノール(6.0g、17mmol)、トリエチルアミン(2.2g、22mmol)及びTHF(50ml)を入れて溶解し、氷で0℃になるまで冷却した。この溶液に注射器を用いて塩化アクリロイル(1.9g、21mmol)をゆっくり加え、室温で12時間撹拌した。生じた白色固体をろ別し、ろ液を減圧下で濃縮した後、得られた残渣を酢酸エチルに溶解し、100mLの水で3回洗浄した。次に、有機相に無水硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、減圧下で濃縮した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー(固定相:シリカゲル、移動相:ヘキサン/クロロホルム(容積比率50:1))により精製し、無色透明な液体を収量6.4g(収率93%)で得た。この液体は、IRにより、2920cm-1(C-H)、1716cm-1(C=O)、1245cm-1(PhO-)の特性吸収が観測された。
20mlのナスフラスコに、シグマアルドリッチ社製DAB-Am-8(0.16g、0.21mmol)、6-[4-(trans-4-ペンチルシクロヘキシル)フェノキシ]ヘキシルアクリレート(4.0g、10mmol)及びTHF(5ml)を入れ、50℃で72時間加熱した。次に、この溶液を減圧下で濃縮した後、残渣を少量のクロロホルムに溶解して100mlのメタノールに加え、上澄みをデカンテーションによって除去し、沈殿物を回収した。この操作を2回繰り返すことによって精製し、ペースト状の淡黄色固体を収量0.45g(収率30%)で得た。この淡黄色固体は、IRにより、2921cm-1(C-H)、1736cm-1(C=O)、1247cm-1(PhO-)の特性吸収が観測された。また、この淡黄色固体の元素分析値は、C456H736N14O48として計算した値と0.5%の範囲内で一致した。(計算値~C:76.25%、H:10.33%、N:2.73%、実測値~C:76.09%、H:10.52%、N:2.80%)また、この淡黄色固体のMALDI-TOF-MSによる分子量を測定したところ、理論値m/Z=7183(M+H)に対して、実測値m/Z=7181.2(M+H)であった。さらに、この淡黄色固体のDSC測定を行ったところ、昇温過程においては-24℃にTg、14℃及び73℃に吸熱ピークが観測され、また、降温過程においては69℃及び15℃に発熱ピーク、-26℃にTgが観測された。
まず、デンドリマーを75℃まで加熱した後、液晶化合物(メルク社製ZLI-4788-100)及び液晶モノマー(東京化成工業株式会社製RM257)を加えて混合し、液晶組成物を得た。この液晶組成物において、液晶モノマーと液晶化合物との質量比を20:80、デンドリマーの含有量を1質量%に設定した。
次に、ITO透明電極付きのガラス基板(厚さ1.1mm)を準備し、ITO透明電極を内側にしてスペーサ(マイラーフィルム、厚さ6μm)を2枚のガラス基板で挟持して積層体を得た。次に、毛細管現象を利用して液晶組成物を2枚のガラス基板の間に注入して液晶セルを得た。
次に、液晶セルに紫外線を照射した。具体的には、室温下で、UV-LED光源を備えるUV露光機を用いて10mW/cm2の照度で10分間連続的に紫外線を照射した。こ
れにより、液晶モノマーが重合又は架橋して液晶高分子となり、高分子分散型液晶層が形成された。
デンドリマーを用いない代わりにITO透明電極付きのガラス基板に配向膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして調光デバイスを作製した。具体的には、以下の手順によって調光デバイスを作製した。
まず、液晶化合物(メルク社製ZLI-4788-100)及び液晶モノマー(東京化成工業株式会社製RM257)を混合して液晶組成物を得た。この液晶組成物において、液晶モノマーと液晶化合物との質量比を20:80に設定した。
次に、ITO透明電極付きのガラス基板(厚さ1.1mm)のITO透明電極側の表面に垂直配向膜材料SE-4811(日産化学株式会社製)を塗布して200℃で30分焼成した後、ラビング処理により、配向膜を形成した。
次に、配向膜側を内側にしてスペーサ(マイラーフィルム、厚さ6μm)を2枚のガラス基板で挟持して積層体とした後、毛細管現象を利用して液晶組成物を2枚のガラス基板の間に注入して液晶セルを得た。
次に、実施例1と同じ条件で液晶セルに紫外線を照射した。これにより、液晶モノマーが重合又は架橋して液晶高分子となり、高分子分散型液晶層が形成された。
なお、ヘイズは、以下の式によって算出した。
ヘイズ(%)=拡散光透過率/全光線透過率×100
また、拡散光透過光は、入射光から2.5°以上拡散した光の透過率とした。
(接触角)
以下の3つのサンプルについて接触角の測定を行った。接触角の測定は、市販の接触角計を用いた。また、ITO透明電極付きのガラス基板、液晶化合物、デンドリマー及び配向膜は、上記の実施例及び比較例と同じものを用いた。
サンプル1:ITO透明電極付きのガラス基板に対する液晶化合物の接触角を測定した。
サンプル2:ITO透明電極付きのガラス基板に対する液晶化合物及びデンドリマーの混合物の接触角を測定した。
サンプル3:配向膜を形成したITO透明電極付きのガラス基板に対する液晶化合物の接触角を測定した。
なお、サンプル2において、混合物におけるデンドリマーの含有量は1質量%とした。
接触角の測定結果を表1に示す。
高分子分散型液晶では、基板の濡れ性が低い場合、基板界面の高分子ネットワークが疎になり、バルク部分に密な高分子ネットワークが形成されると考えられる。そのため、配向膜を形成した比較例1の調光デバイスでは、高分子分散型液晶層のバルク部分の高分子ネットワークが密になり、ヘイズ80%以上を達成するための電圧やヘイズの閾値電圧が高くなったものを考えられる。一方、配向膜を形成していない実施例1の調光デバイスでは、バルク部分よりも基板界面の高分子ネットワークが密となったため、ヘイズ80%以上を達成するための電圧やヘイズの閾値電圧を低くすることができたものと考えられる。
以下の2つのサンプルについてレーザー顕微鏡(株式会社キーエンス製VK-9710)及び走査型電子顕微鏡による基板表面の観察を行った。
サンプル1:ガラス基板とポリカーボネート基板(帝人株式会社製SS80)との間に、実施例1で用いた液晶組成物を注入した後、実施例1と同様の条件で紫外線照射した。その後、ポリカーボネート基板を剥がし、液晶化合物及びデンドリマーを除去した後、ガラス基板の表面をレーザー顕微鏡及び走査型電子顕微鏡で観察した。
サンプル2:比較例1と同じ配向膜を形成したガラス基板とポリカーボネート基板(帝人株式会社製SS80)との間に、比較例1で用いた液晶組成物を注入した後、比較例1と同様の条件で紫外線照射した。その後、ポリカーボネート基板を剥がし、液晶化合物を除去した後、ガラス基板の表面をレーザー顕微鏡及び走査型電子顕微鏡で観察した。
レーザー顕微鏡による基板表面の観察像を図5、走査型電子顕微鏡による基板表面の画像を図6にそれぞれ示す。
これらの基板表面の観察結果は、配向膜を形成していない実施例1の調光デバイスが、配向膜を形成した比較例1の調光デバイスに比べて、基板界面の高分子ネットワークが密となり、バルク部分の高分子ネットワークが疎となることを示している。その結果、実施例1の調光デバイスは、バルク部分において、高分子ネットワークによる配向規制力が小さくなり、ヘイズ80%以上を達成するための電圧やヘイズの閾値電圧を低くすることができたものと考えられる。
実施例1で合成したデンドリマーを用い、以下の手順によって調光デバイスを作製した。
まず、デンドリマー及びネマティック型の液晶化合物(メルク社製ZLI-4788-100)を混合して液晶組成物を得た。この液晶組成物において、デンドリマーの含有量を1質量%に設定した。
次に、ITO透明電極付きのガラス基板(20mm×25mm×厚さ1.1mm)を準備し、ITO透明電極を内側にしてスペーサ(マイラーフィルム、厚さ5μm)を2枚のガラス基板で挟持して積層体を得た。次に、液晶組成物を等方相となる140℃まで加熱した後、毛細管現象を利用して2枚のガラス基板の間に注入し、室温まで冷却して液晶セル(調光デバイス)を得た。
図7に示されるように、実施例2の調光デバイスは、ヘイズ80%以上を15V以下の電圧で達成することができた。
(ネマティック液晶層中の不純物イオン密度)
以下の4つの液晶セルに対し、イオン密度測定システム(株式会社東陽テクニカ製)を用い、周波数10Hz、振幅10Vの三角波の電圧を印加した。その結果(印加電圧に対する電流波形のグラフ)を図8に示す。また、図8のグラフにおいて、電流ピークから不純物イオン密度を算出した。その算出手法は、井上勝、「液晶セルの電気特性計測の基礎と応用(1)[基礎編]」、液晶、第13巻、第1号、第68~74頁、2009年に記載されている。その結果を図9に示す。
液晶セルA:デンドリマーを加えなかったこと以外は実施例2と同様にして作製した液晶セル
液晶セルB:実施例2で作製した液晶セル
液晶セルC:デンドリマーの含有量を3質量%に変更したこと以外は実施例2と同様にして作製した液晶セル
液晶セルD:デンドリマーの含有量を5質量%に変更したこと以外は実施例2と同様にして作製した液晶セル
本特許出願の特許成立時には、原則として、利用を希望する者に対し、独占的なライセンス付与や持ち分譲渡を含めて柔軟に検討します。ライセンスなどを希望する者は、本特許出願の代理人にご連絡ください。
20 高分子分散型液晶層
21 垂直配向剤
22 液晶化合物
23 隔壁
30 ネマティック液晶層
31 ネマティック型の液晶化合物
100,200,300 調光デバイス
Claims (16)
- 一対の透明基板と、一対の前記透明基板の間に挟持された液晶層とを備え、駆動方式がリバースモードである調光デバイスであって、
前記液晶層が垂直配向剤を含み、
一対の前記透明基板は、前記液晶層側の表面に配向膜が設けられておらず、
前記液晶層における不純物イオン密度が0.3~400nC/cm2であり、
ヘイズを80%以上にするための駆動電圧が25V以下である、調光デバイス。 - ヘイズを80%以上にするための駆動電圧が20V以下である、請求項1に記載の調光デバイス。
- ヘイズを80%以上にするための駆動電圧が15V以下である、請求項1に記載の調光デバイス。
- 前記垂直配向剤は、側鎖にメソゲン基を含む分岐構造を有する高分子であり、前記高分子は、分子間力によって前記透明基板に吸着可能な原子を1つ以上含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の調光デバイス。
- 前記液晶層は二色性色素を更に含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の調光デバイス。
- 一対の前記透明基板は、ガラス基板及び/又は樹脂基板である、請求項1~5のいずれか一項に記載の調光デバイス。
- 前記液晶層が高分子分散型液晶層である、請求項1~6のいずれか一項に記載の調光デバイス。
- 前記高分子分散型液晶層は、前記高分子分散型液晶層を複数の領域に区画する隔壁を備える、請求項7に記載の調光デバイス。
- 前記液晶層がネマティック液晶層である、請求項1~6のいずれか一項に記載の調光デバイス。
- 請求項1~8のいずれか一項に記載の調光デバイスの製造方法であって、
液晶化合物及び垂直配向剤を含む液晶組成物を一対の透明基板の間に配置して液晶セルを作製する工程を含む調光デバイスの製造方法。 - 前記液晶組成物がモノマー成分を更に含み、且つ前記液晶セルに活性エネルギー線照射を行う工程を更に含む、請求項10に記載の調光デバイスの製造方法。
- 前記モノマー成分が液晶モノマーを含む、請求項11に記載の調光デバイスの製造方法。
- 前記活性エネルギー線照射は、前記液晶セルの所定部分に選択的に照射を行う第1の活性エネルギー線照射と、前記液晶セルの全面に照射を行う第2の活性エネルギー線照射とを含む、請求項11又は12に記載の調光デバイスの製造方法。
- 請求項9に記載の調光デバイスの製造方法であって、
液晶化合物及び垂直配向剤を含む液晶組成物を一対の透明基板の間に配置して液晶セルを作製する工程を含む調光デバイスの製造方法。 - 前記液晶化合物がネマティック液晶化合物である、請求項10又は14に記載の調光デバイスの製造方法。
- 請求項1~9のいずれか一項に記載の調光デバイスを含むスマートウィンドウ。
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