JP7816640B1 - 切削工具 - Google Patents
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Abstract
Description
近年、電気自動車の需要増加、並びに、AI(Artificial Intelligence)や5G(第5世代移動通信システム)の普及にともない、これらの用途に用いられる部品の切削加工のニーズが高まっている。これらの用途の部品材料としては、耐腐食性や機能性の観点から、耐熱合金(例えば、ニッケル基合金、チタン合金)やセラミックなどの難削材が挙げられる。
本開示によれば、特に刃先温度が高温になる切削条件下においても、優れた工具寿命を有することのできる切削工具を提供することが可能である。
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。
(1)本開示の切削工具は、基材と、前記基材上に配置された被膜と、を備える切削工具であって、前記被膜は、第1層を含み、前記第1層は、第1単位層と第2単位層とが交互に積層された交互層からなり、前記第1単位層は、Ti1-a-bAlaScbNからなり、前記aは、0.350以上0.650以下であり、前記bは、0.010以上0.100以下であり、前記第2単位層は、AlcV1-cNからなり、前記cは、0.40以上0.75以下であり、前記aおよび前記cは、c>aの関係を満たす、切削工具である。
本開示の切削工具の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。本開示の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表すものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜変更されており、必ずしも実際の寸法関係を表すものではない。
本開示の一実施形態(以下、「実施形態1」とも記す。)に係る切削工具について、図1~図5を用いて説明する。実施形態1の切削工具1は、基材2と、基材2上に配置された被膜3と、を備える切削工具1である。被膜3は、第1層13を含む。第1層13は、第1単位層12と第2単位層15とが交互に積層された交互層からなる。第1単位層12は、Ti1-a-bAlaScbNからなる。ここで、aは、0.350以上0.650以下であり、bは、0.010以上0.100以下である。第2単位層15は、AlcV1-cNからなる。ここで、cは、0.40以上0.75以下である。aおよびcは、c>aの関係を満たす。
実施形態1の切削工具は、ドリル、エンドミル、ドリル用刃先交換型切削チップ、エンドミル用刃先交換型切削チップ、フライス加工用刃先交換型切削チップ、旋削加工用刃先交換型切削チップ、メタルソー、歯切工具、リーマ、タップ等として好適に使用することができる。
基材の組成は、従来公知のものであればいずれのものも使用することができる。例えば、超硬合金(WC基超硬合金、WCおよびCoを含む超硬合金、更にTi、Ta、Nb等の炭窒化物を添加した超硬合金など)、サーメット(TiC、TiN、TiCN等を主成分とするもの)、高速度鋼、セラミックス(炭化チタン、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム等)、立方晶型窒化硼素焼結体、または、ダイヤモンド焼結体のいずれかを用いることができる。
実施形態1の切削工具において、被膜は、少なくとも基材の切削に関与する部分を被覆することができる。基材の切削に関与する部分とは、例えば、基材の表面において、刃先稜線からの距離が100μm以内である領域を意味する。被膜は、基材の全面を被覆していてもよいし、または、基材の切削に関与する部分の全面を被覆してもよい。本開示の切削工具が奏する効果を損なわない限り、基材の切削に関与する部分の一部に被膜が形成されていなくても、実施形態1の範囲を逸脱するものではない。本開示の切削工具が奏する効果を損なわない限り、被膜の構成が部分的に異なっていたとしても実施形態1の範囲を逸脱するものではない。
実施形態1の切削工具において、第1層は、第1単位層と第2単位層とが交互に積層された交互層からなる。第1層が、第1単位層と第2単位層とが交互に積層された交互層からなることは、被膜の断面を含む薄片サンプルをTEM(透過型電子顕微鏡)で観察し、コントラストの差によって確認することができる。
第1単位層は、Ti1-a-bAlaScbNからなり、aは、0.350以上0.650以下であり、bは、0.010以上0.100以下である。
第1単位層の平均厚みは、2nm以上200nm以下、かつ、第2単位層の平均厚みは、2nm以上200nm以下でもよい。第1単位層の平均厚みは、5nm以上150nm以下でもよく、または、10nm以上100nm以下でもよい。第2単位層の平均厚みは、5nm以上150nm以下でもよく、または、10nm以上100nm以下でもよい。
実施形態1の切削工具において、被膜は、基材と、第1層との間に配置される第2層を更に含んでもよい。第2層の組成は、第1単位層および第2単位層のいずれかの単位層の組成と同一でもよい。第2層は、基材の直上に配置されてもよい。
実施形態1の切削工具において、被膜は、第1層の基材と反対側に設けられる第3層を更に含んでもよい。第3層は、被膜の最表面に配置されてもよい。第3層は、TiCNまたはTiAlScCNからなってもよい。
本開示の他の一実施形態に係る切削工具について、図6~図10を用いて説明する。実施形態2の切削工具は、基材と、前記基材上に配置された被膜と、を備える切削工具である。被膜は、A層を含む。A層は、第1単位層と第3単位層とが交互に積層された交互層からなる。第1単位層は、Ti1-a-bAlaScbNからなる。ここで、aは、0.350以上0.650以下であり、bは、0.010以上0.100以下である。第3単位層は、AldV1-d-eMeNからなる。ここで、Mは、珪素または硼素であり、dは、0.40以上0.75以下であり、eは、0超0.05以下である。aおよびdは、d>aの関係を満たす。
図6および図7に示されるように、被膜3はA層13Aを含み、A層13Aは、基材2の直上に設けられていてもよい。
実施形態2の切削工具において、A層は、第1単位層と第3単位層とが交互に積層された交互層からなる。A層の厚みは、実施形態1に記載の第1層の厚みと同一とすることができる。第1単位層および第3単位層は、いずれが基材側に最も近い位置に配置されていてもよい。第1単位層は、立方晶型の結晶構造を有することができる。第3単位層は、立方晶型の結晶構造を有することができる。
実施形態2の第1単位層の組成Ti1-a-bAlaScbNは、実施形態1の第1単位層の組成Ti1-a-bAlaScbNと同一とすることができる。
第1単位層の平均厚みは、2nm以上200nm以下、かつ、第3単位層の平均厚みは、2nm以上200nm以下でもよい。第1単位層の平均厚みは、5nm以上150nm以下でもよく、または、10nm以上100nm以下でもよい。第3単位層の平均厚みは、5nm以上150nm以下でもよく、または、10nm以上100nm以下でもよい。
実施形態2の切削工具において、被膜は、基材と、A層との間に配置されるB層を更に含んでもよい。B層の組成は、第1単位層および第3単位層のいずれかの単位層の組成と同一でもよい。B層は、基材の直上に配置されてもよい。
C層は、実施形態1に記載の第3層と同一の構成および効果を有することができる。
実施形態3では、実施形態1または実施形態2の切削工具の製造方法について説明する。実施形態3の切削工具の製造方法は、基材を準備する第1工程と、基材上に被膜を形成する第2工程とを備える。第2工程は、第1層またはA層を形成する工程を含む。各工程の詳細について、以下に説明する。
第1工程では、基材を準備する。基材は、実施形態1に記載の基材を用いることができる。基材は、従来公知のものであればいずれも準備可能である。
第2工程では、基材上に被膜を形成する。第2工程は、第1層またはA層を形成する工程を含む。
第2工程は、第1層またはA層を形成する工程に加えて、ブラシを使った研磨、乾式または湿式のショットブラストなどの被膜の表面処理工程を含むことができる。また、第2工程は、第2層、第3層、B層、および、C層等の他の層を形成する工程を含むことができる。他の層は、従来公知の化学気相蒸着法や物理的蒸着法により形成することができる。一つの物理的蒸着装置内において、他の層を、第1層またはA層と連続的に形成できるという観点から、他の層は物理的蒸着法により形成することが好ましい。
<試料1~試料18、試料101~試料109>
≪切削工具の作製≫
図11は、実施例1で用いたカソードアークイオンプレーティング装置の模式的な断面図であり、図12は、図11の装置の概略上面図である。
各試料の切削工具について、第1単位層、第2単位層、第2層、および、第3層の組成、第1単位層および第2単位層のそれぞれの積層数、第1単位層の平均厚み、第2単位層の平均厚み、第1層の厚み、第2層の厚み、第3層の厚み、および、λ2/λ1を実施形態1に記載の方法により測定した。結果を表1および表2に示す。
各試料のCNMG120408形状の切削工具について、以下の切削条件で連続旋削試験を行い、刃先の逃げ面摩耗量が0.2mmになるまでの時間を測定した。結果を表2に記す。切削時間が長いことは、工具寿命が長いことを示す。
≪切削条件≫
・被削材:インコネル718(HB400)
・切削速度:95m/min
・送り速度:0.2mm/rev
・切り込み:1.5mm
・クーラント:水溶性
上記切削条件で実行される切削加工は、難削材の高能率加工であり、刃先温度が高い条件下で実行される切削加工に該当する。
<試料21~試料40、試料121~試料139>
実施例1と同一のカソードアークイオンプレーティング装置を用いて、基材上に被膜を形成した。カソード106は、Ti、Al、および、Scからなり、各元素の比率が表3および表4の第1単位層の組成が得られるように調整してある。カソード107は、Al、V、および、SiまたはBからなり、各元素の比率が表3および表4の第3単位層の組成が得られるように調整してある。カソード120の組成は、Tiである。
各試料の切削工具について、第1単位層、第3単位層、B層、および、C層の組成、第1単位層および第3単位層のそれぞれの積層数、第1単位層の平均厚み、第3単位層の平均厚み、A層の厚み、B層の厚み、C層の厚み、および、λ3/λ1を実施例1と同様の方法により測定した。結果を表3~表6に示す。
各試料のCNMG120408形状の切削工具について、以下の切削条件で連続旋削試験を行い、刃先の逃げ面摩耗量が0.2mmになるまでの時間を測定した。結果を表2に記す。切削時間が長いことは、工具寿命が長いことを示す。
≪切削条件≫
・被削材:インコネル718(HB400)
・切削速度:70m/min
・送り速度:0.15mm/rev
・切り込み:1.0mm
・ドライ加工
上記切削条件で実行される切削加工は、難削材の高能率加工であり、刃先温度が高い条件下で実行される切削加工に該当する。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態および実施例ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
Claims (14)
- 基材と、前記基材上に配置された被膜と、を備える切削工具であって、
前記被膜は、第1層を含み、
前記第1層は、第1単位層と第2単位層とが交互に積層された交互層からなり、
前記第1単位層は、Ti1-a-bAlaScbNからなり、
前記aは、0.350以上0.650以下であり、
前記bは、0.010以上0.100以下であり、
前記第2単位層は、AlcV1-cNからなり、
前記cは、0.40以上0.75以下であり、
前記aおよび前記cは、c>aの関係を満たす、切削工具。 - 前記第1単位層と、前記第1単位層に隣接する前記第2単位層とにおいて、前記第1単位層の厚みλ1に対する、前記第2単位層の厚みλ2の比λ2/λ1は、1以上5以下である、請求項1に記載の切削工具。
- 前記第1単位層の平均厚みは、2nm以上200nm以下であり、
前記第2単位層の平均厚みは、2nm以上200nm以下である、請求項1または請求項2に記載の切削工具。 - 前記被膜は、前記基材と、前記第1層との間に配置される第2層を更に含み、
前記第2層の組成は、前記第1単位層および前記第2単位層のいずれかの単位層の組成と同一であり、
前記第2層の厚みは、同一の組成を有する前記単位層の平均厚みよりも大きく、
前記第2層の厚みは、0.1μm以上1.0μm以下である、請求項1または請求項2に記載の切削工具。 - 前記被膜は、前記第1層の前記基材と反対側に設けられる第3層を更に含み、
前記第3層は、TiCNまたはTiAlScCNからなり、
前記第3層の厚みは、0.1μm以上1.0μm以下である、請求項1または請求項2に記載の切削工具。 - 前記第1層の厚みは、0.5μm以上15μm以下である、請求項1または請求項2に記載の切削工具。
- 基材と、前記基材上に配置された被膜と、を備える切削工具であって、
前記被膜は、A層を含み、
前記A層は、第1単位層と第3単位層とが交互に積層された交互層からなり、
前記第1単位層は、Ti1-a-bAlaScbNからなり、
前記aは、0.350以上0.650以下であり、
前記bは、0.010以上0.100以下であり、
前記第3単位層は、AldV1-d-eMeNからなり、
前記Mは、珪素または硼素であり、
前記dは、0.40以上0.75以下であり、
前記eは、0超0.05以下であり、
前記aおよび前記dは、d>aの関係を満たす、切削工具。 - 前記第1単位層と、前記第1単位層に隣接する前記第3単位層とにおいて、前記第1単位層の厚みλ1に対する、前記第3単位層の厚みλ3の比λ3/λ1は、1以上5以下である、請求項7に記載の切削工具。
- 前記Mは、珪素である、請求項7または請求項8に記載の切削工具。
- 前記Mは、硼素である、請求項7または請求項8に記載の切削工具。
- 前記第1単位層の平均厚みは、2nm以上200nm以下であり、
前記第3単位層の平均厚みは、2nm以上200nm以下である、請求項7または請求項8に記載の切削工具。 - 前記被膜は、前記基材と、前記A層との間に配置されるB層を更に含み、
前記B層の組成は、前記第1単位層および前記第3単位層のいずれかの単位層の組成と同一であり、
前記B層の厚みは、同一の組成を有する前記単位層の平均厚みよりも大きく、
前記B層の厚みは、0.1μm以上1μm以下である、請求項7または請求項8に記載の切削工具。 - 前記被膜は、前記A層の前記基材と反対側に設けられるC層を更に含み、
前記C層は、TiCNまたはTiAlScCNからなり、
前記C層の厚みは、0.1μm以上1.0μm以下である、請求項7または請求項8に記載の切削工具。 - 前記A層の厚みは、0.5μm以上15μm以下である、請求項7または請求項8に記載の切削工具。
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