JP7807641B2 - 鋳造条件の設定装置、連続鋳造装置、鋳造条件の設定方法、連続鋳造方法、及び高張力鋼鋳片の製造方法 - Google Patents
鋳造条件の設定装置、連続鋳造装置、鋳造条件の設定方法、連続鋳造方法、及び高張力鋼鋳片の製造方法Info
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[1] 本発明のある観点によれば、一対の長辺壁及び一対の短辺壁により断面矩形状をなす鋳型と、上記鋳型の一対の短辺壁のそれぞれに対向して配された2つの吐出孔を有し、上記吐出孔のそれぞれから上記鋳型の内部に溶鋼を供給する浸漬ノズルと、磁場を発生して、上記鋳型内部の上記溶鋼に電磁力を作用させて上記溶鋼を撹拌する電磁撹拌装置と、磁場を発生して、上記吐出孔から吐出された溶鋼の主な流れである吐出流を構成する上記溶鋼に電磁力を作用させて上記吐出流を制動する電磁ブレーキ装置と、を備え、連続的に高張力鋼鋳片を鋳造する連続鋳造装置の鋳造条件を設定する鋳造条件の設定装置であって、上記設定装置は、鋳造条件として、鋳造速度Vc、溶鋼表面から上記電磁ブレーキ装置のコア上端までの距離Hb、合金成分の質量濃度、上記電磁ブレーキ装置が発生する磁場の平均磁束密度Bb、上記電磁撹拌装置が発生する磁場の平均磁束密度Bs、上記電磁撹拌装置に印加される交流電流の位相の波長Δx、上記電磁撹拌装置に印加される交流電流の周波数f、上記吐出孔の断面積Sp、上記吐出孔の下向き角度θ、上記吐出孔の深さ位置D、上記浸漬ノズルの外径D1、上記鋳型の内部空間の水平断面における断面積Ss、及び内部空間における上記長辺壁間の距離Wのうちの少なくとも1つを変更することができ、上記吐出流が上記電磁撹拌装置及び上記電磁ブレーキ装置による電磁力の作用を受けて上記鋳型の上記長辺壁へ衝突するときの衝突速度を、所定の基準値未満にするための上記鋳造条件を算出する鋳造条件算出部と、上記鋳造条件算出部により算出された上記鋳造条件で鋳造可能な設定値を上記連続鋳造装置に対して設定する設定部と、を備え、上記所定の基準値が、上記吐出流による、上記溶鋼に含まれるSi及びMnの濃度変化が包晶凝固に及ぼす影響度に基づいて決定される値である、鋳造条件の設定装置が提供される。
[2] 上記[1]に記載の鋳造条件の設定装置では、上記鋳造条件に、少なくとも上記電磁撹拌装置が発生する磁場の強度が含まれてもよい。
[3] 上記[1]又は[2]に記載の鋳造条件の設定装置では、上記鋳造条件に、上記電磁ブレーキ装置が発生する磁場の強度が含まれてもよい。
[4] 上記[1]~[3]のいずれかに記載の鋳造条件の設定装置では、上記設定部が、上記衝突速度が下記(1)式を満たすように上記設定値を設定してもよい。
U2<0.015×7500×V/{(|0.1×(1-k_Si)×%Si|+|0.02×(1-k_Mn)×%Mn|)-0.015} ・・・(1)式
ここで、
V=6.45×10-5×K×(Vc/Hb)0.5
ただし、
%X:成分Xの質量濃度(質量%)
k_X:成分Xの平衡分配係数(-)
U2:衝突速度(m/s)
Vc:鋳造速度(m/s)
Hb:溶鋼表面から電磁ブレーキのコア上端までの距離(m)
K:凝固係数(mm/min0.5)
[5] 上記[1]~[4]のいずれかに記載の鋳造条件の設定装置では、上記設定部が、下記(2)式で表されるΔCEが0.015未満になるように上記設定値を設定してもよい。
ΔCE=(|0.1×(1-k_Si)×%Si|+|0.02×(1-k_Mn)×%Mn|)/(7500×V/U2+1) ・・・(2)式
ここで、
V=6.45×10-5×K×(Vc/Hb)0.5
U2=U0-(σ×Lb×Bb2) (ただし、U0>σ×Lb×Bb2の場合)
U2=0 (ただし、U0≦σ×Lb×Bb2の場合)
U0=(Vp2+4×Cs×Ls)0.5
Ls=(Hb―D)/sinθ
Lb=0.5×(W―D1)/cosθ―Ls
Cs=0.5×σ×f×Δx×Bs2
Vp=Vc×(Ss/Sp)
ただし、
%X:成分Xの質量濃度(質量%)
k_X:成分Xの平衡分配係数(-)
σ:上記溶鋼の単位質量当たりの導電率(Sm2/kg)
U2:衝突速度(m/s)
Bb:上記電磁ブレーキ装置が発生する磁場の平均磁束密度(T)
Bs:上記電磁撹拌装置が発生する磁場の平均磁束密度(T)
Hb:溶鋼表面から電磁ブレーキのコア上端までの距離(m)
Vc:鋳造速度(m/s)
Vp:上記浸漬ノズルの上記吐出孔における上記吐出流の流速(m/s)
Sp:上記吐出孔の断面積(m2)
Ss:上記鋳型の内部空間の水平断面における断面積(m2)
W:上記鋳型の内部空間における上記長辺壁間の距離(m)
Δx:上記電磁撹拌装置に印加される交流電流の位相の波長(m)
f:上記電磁撹拌装置に印加される交流電流の周波数(1/s)
D:上記吐出孔の深さ位置(m)
D1:上記浸漬ノズルの外径(m)
θ:上記吐出孔の下向き角度(rad)
K:凝固係数(mm/min0.5)
[6] 上記[5]に記載の鋳造条件の設定装置では、上記U0、上記Bb及び上記Lbが、U0≦σ×Lb×Bb2を満たすようにして鋳造してもよい。
[7] 上記[1]~[6]のいずれかに記載の鋳造条件の設定装置では、上記溶鋼が、C:0.1~0.5質量%、かつ、Si:0.8質量%以上又はMn:4.0質量%以上の少なくともいずれかを含有してもよい。
[12] 上記[11]に記載の高張力鋼鋳片の製造方法は、上記衝突速度が下記(1)式を満たしてもよい。
U2<0.015×7500×V/{(|0.1×(1-k_Si)×%Si|+|0.02×(1-k_Mn)×%Mn|)-0.015} ・・・(1)式
ここで、
V=6.45×10-5×K×(Vc/Hb)0.5
ただし、
%X:成分Xの質量濃度(質量%)
k_X:成分Xの平衡分配係数(-)
U2:衝突速度(m/s)
Vc:鋳造速度(m/s)
Hb:溶鋼表面から電磁ブレーキのコア上端までの距離(m)
K:凝固係数(mm/min0.5)
[13] 上記[11]又は[12]に記載の高張力鋼鋳片の製造方法は、上記基準値が下記(2)式で表されるΔCEであり、当該ΔCEが0.015未満になるように上記連続鋳造装置の設定値を定めてもよい。
ΔCE=(|0.1×(1-k_Si)×%Si|+|0.02×(1-k_Mn)×%Mn|)/(7500×V/U2+1) ・・・(2)式
ここで、
V=6.45×10-5×K×(Vc/Hb)0.5
U2=U0-(σ×Lb×Bb2) (ただし、U0>σ×Lb×Bb2の場合)
U2=0 (ただし、U0≦σ×Lb×Bb2の場合)
U0=(Vp2+4×Cs×Ls)0.5
Ls=(Hb―D)/sinθ
Lb=0.5×(W―D1)/cosθ―Ls
Cs=0.5×σ×f×Δx×Bs2
Vp=Vc×(Ss/Sp)
ただし、
%X:成分Xの質量濃度(質量%)
k_X:成分Xの平衡分配係数(-)
σ:上記溶鋼の単位質量当たりの導電率(Sm2/kg)
U2:衝突速度(m/s)
Bb:上記電磁ブレーキ装置が発生する磁場の平均磁束密度(T)
Bs:上記電磁撹拌装置が発生する磁場の平均磁束密度(T)
Hb:溶鋼表面から電磁ブレーキのコア上端までの距離(m)
Vc:鋳造速度(m/s)
Vp:上記浸漬ノズルの上記吐出孔における上記吐出流の流速(m/s)
Sp:上記吐出孔の断面積(m2)
Ss:上記鋳型の内部空間の水平断面における断面積(m2)
W:上記鋳型の内部空間における上記長辺壁間の距離(m)
Δx:上記電磁撹拌装置に印加される交流電流の位相の波長(m)
f:上記電磁撹拌装置に印加される交流電流の周波数(1/s)
D:上記吐出孔の深さ位置(m)
D1:上記浸漬ノズルの外径(m)
θ:上記吐出孔の下向き角度(rad)
K:凝固係数(mm/min0.5)
[14] 上記[13]に記載の高張力鋼鋳片の製造方法は、上記U0、上記Bb及び上記Lbが、U0≦σ×Lb×Bb2を満たすようにして鋳造してもよい。
[15] 上記[11]~[14]のいずれかに記載の高張力鋼鋳片の製造方法では、上記溶鋼が、C:0.1~0.5質量%、かつ、Si:0.8質量%以上又はMn:4.0質量%以上の少なくともいずれかを含有してもよい。
まず、図1を参照して、本発明の一実施形態に係る鋳造条件の設定装置が適用され得る連続鋳造装置の全体構成を説明する。図1は、連続鋳造装置の一例を示す概略説明図である。
<電磁力発生装置170の構成>
図2~図5を参照して、上述した鋳型110に対して設置される電磁力発生装置170の構成について詳細に説明する。
ここまで、電磁力発生装置170について説明した。
溶鋼2は、鋳造される鋼鋳片が高張力鋼板の製造プロセスにおけるものであれば、次のものに特段制限されないが、C:0.1~0.5質量%である包晶凝固を伴う組成の溶鋼で、Si、Mnを比較的多く含む場合に、鋼鋳片製造時に割れが発生しやすくなる。したがって、本発明は、溶鋼2が、C:0.1~0.5質量%、かつ、Si:0.8質量%以上又はMn:4.0質量%以上の少なくともいずれかを含有する場合に適用されることが特に好ましい。
次に、図7を参照して、本発明の一実施形態に係る鋳造条件の設定装置を説明する。図7は、本発明の一実施形態に係る鋳造条件の設定装置の構成を示すブロック図である。図7に示す鋳造条件設定装置50は、本発明の一実施形態に係る鋳造条件の設定装置であり、高張力鋼鋳片を製造する場合の、吐出流が鋳型110の長辺壁へ衝突するときの衝突速度を所定の基準値未満にするための鋳造条件を算出する鋳造条件算出部51と、鋳造条件算出部51により算出された鋳造条件で鋳造可能な設定値を連続鋳造装置1に対して設定する設定部52と、を備える。ここでいう高張力鋼鋳片とは、SiやMnを比較的多く含有し、例えば780MPa程度の引張強度をもつ高張力鋼板の製造プロセスにおいて鋳造された鋼鋳片のことをいう。
図8を参照して、吐出流が鋳型110の長辺壁へ衝突するときの衝突速度の基準値について説明する。図8は、電磁ブレーキが作用しない場合及び十分作用する場合における吐出流の流動を説明するための概念図である。図8では、鋳型110中の溶鋼2をZ軸に垂直な断面(X-Y平面)における吐出流の流動を示している。
一方、溶鋼の強い流動がある場合、凝固の過程で溶鋼に排出される、CやSi、Mnといった成分が流動することでマクロ偏析が生じやすくなる。Si及びMnは、Cと比較して固相内の拡散速度が遅く、Si及びMnの偏析が鋼鋳片に悪影響を及ぼしやすい(鋼鋳片の組織が不均一になり、割れが発生しやすい)。普通鋼のようなSi及びMnの含有量が多くない鋼種を鋳造する場合、固相内の拡散速度が遅いSi及びMnの含有量が少ないため、鋳型110の内壁面付近に生じるマクロ偏析は悪影響を及ぼしにくい。しかし、高張力鋼のような、Si又はMnを多く含有し、さらにCを0.1~0.5質量%程度含有する包晶凝固を伴う鋼種では、マクロ偏析が鋼鋳片の品質に悪影響を及ぼす場合がある。上記の鋼種では、凝固時に、フェライト安定化元素であるSi又はオーステナイト安定化元素であるMnの濃度分布に局所的な濃淡があると、生成した包晶組織が空間的に不均一に分布する。例えば、Siの濃度が高い部分ではδ相が局所的に多く発生し、δ相が不均一に分布する。Si濃度が高い部分ではδ相からγ相に変態するδγ変態による体積収縮がδ相の生成が少ない領域におけるδγ変態よりも大きくなることで、凝固シェルに歪みが生じ、鋼鋳片の割れが発生する場合がある。
したがって、電磁ブレーキ装置160によって吐出流を制動し、電磁ブレーキ装置160が設置されていない場合に強く流動する隅部付近のマクロ偏析を抑制して、包晶凝固を空間的に均一にすることで、鋼鋳片の割れを抑制することができる。
吐出孔61から吐出された溶鋼2の吐出流速Vpは、吐出孔61の流路方向に垂直であり吐出孔61の四辺を含む断面の断面積Sp,鋳型110の内部空間のXY平面に沿った水平断面における断面積Ss,鋳造速度Vcを用いて以下の(1)式で表すことができる。
Vp=Vc×(Ss/Sp) ・・・(1)式
Ls=(Hb―D)/sinθ ・・・(2)式
F1=σ×Es×Bs ・・・(3)式
ここで、σは溶鋼2(吐出流)の単位質量あたりの導電率であり、Esは電磁撹拌装置150が発生する磁場の時間変化により発生する電場であり、Bsは電磁撹拌装置150が発生する磁場の空間平均磁束密度である。
Es=f×Δx×Bs ・・・(4)式
F1=σ×f×Δx×Bs2 ・・・(5)式
du/dt=σ×f×Δx×Bs2 ・・・(6)式
u1=Vp+2×Cs×t ・・・(7)式
ただし、Cs=0.5×σ×f×Δx×Bs2である。
Vp×T1+Cs×T12=Ls ・・・(8)式
T1=0.5/Cs×(-Vp+(Vp2+4×Cs×Ls)0.5) ・・・(9)式
U0=(Vp2+4×Cs×Ls)0.5 ・・・(10)式
電磁ブレーキコア162が配置された高さに流入した吐出流は、鋳型110の短辺壁に達するまで、電磁ブレーキ装置160が発生した磁場によって減速する。電磁ブレーキコア162が配置された高さに流入した吐出流が電磁ブレーキ装置160によって減速している間に進む距離Lbは、鋳型110の幅(短辺壁間の距離)W及び浸漬ノズル6の外径D1を用いて、以下の(11)式で表される。
Lb=0.5×(W―D1)/cosθ―Ls ・・・(11)式
F2=σ×(u×Bb)×Bb ・・・(12)式
ここで、uは吐出流の流速、Bbは電磁ブレーキ装置160が生成する磁場の空間平均磁束密度である。
du/dt=-σ×u×Bb2 ・・・(13)式
u2=U0×exp(-σ×Bb2×t) ・・・(14)式
(U0/(σ×Bb2))×(1-exp(-σ×Bb2×T))=L ・・・(15)式
Lmax=U0/(σ×Bb2)≦Lb ・・・(16)式
U2=U0-σ×Lb×Bb2 ・・・(17)式
次に、溶鋼が凝固するときの溶鋼の流速が溶鋼の成分の偏析に及ぼす影響について説明する。先述のマクロ偏析は、非特許文献1によると、溶鋼の流速Uと当該溶鋼の凝固速度Vの影響を受け、その程度は以下の(19)式で近似できるとされる。
Cm/C0=1-(1-k)/((7500×V/U)+1) ・・・(19)式
ここで、Cmは凝固後の固相の合金成分濃度、Coは凝固前の溶鋼の合金成分濃度、kは合金成分の平衡分配係数である。
d=K√t ・・・(20)式
V=6.45×10-5×K×(Vc/Hb)0.5 ・・・(21)式
上記(20)式中、Kは15~30程度の定数であり、tは時刻(min.)である。また、上記(21)式中、Vcは鋳造速度である。
次に、偏析による局所的なSiの濃度変化及びMnの濃度変化が包晶組織に与える影響について説明する。凝固前の溶鋼のSi濃度C0_Siと凝固後の固相のSi濃度Cm_Siとの差分であるSiの濃度変化ΔC_Si=C0_Si-Cm_Siは、上記(19)式から以下の(22)式で表される。
ΔC_Si=(C0_Si)×(1-k_Si)/((7500×V/U)+1) ・・・(22)式
上記(22)式中、k_SiはSiの平衡分配係数である。
ΔC_Mn=(C0_Mn)×(1-k_Mn)/((7500×V/U)+1) ・・・(23)式
上記(23)式中、k_MnはMnの平衡分配係数である。
ΔCE=(|0.1×(1-k_Si)×C0_Si|+|0.02×(1-k_Mn)×C0_Mn|)/(7500×V/U+1) ・・・(24)式
ここまで、影響度ΔCEを上記基準値とすることができる理由を説明した。
本発明者らは、上記影響度ΔCEを0.015未満にするように鋳造することで、高張力鋼の連続鋳造においても,鋳片の割れを抑制できることをつきとめた。溶鋼2のSi及びMnの含有量に応じて、操業条件を適正化して、影響度ΔCEを0.015未満にすることで、鋳片欠陥を低減することができる。
連続鋳造における鋼鋳片の割れの形態には様々あるが、特に軽度な歪みで割れが生じる高温脆化域での割れに関しては、臨界歪みεcrを超えて鋼鋳片が歪むときに、鋼鋳片に割れが生じる場合が多い。例えば、非特許文献2によれば、鋼鋳片に割れが発生するときの凝固シェルに臨界歪みεcrは0.32×10-2~3.8×10-2程度である。したがって、鋳造中の凝固シェルに生じる歪みを0.32×10-2未満にすることで、鋼鋳片の割れを低減することができる。
ε=|1-(ργ/ρδ)|<εcr ・・・(25)式
ργ=8099.8-0.5×T ・・・(26)式
ρδ=7876.0-0.3×T ・・・(27)式
ΔfδC=-12.7×ΔC ・・・(28)式
|Δfδ|=-12.7×ΔCE(ΔC_Si、ΔC_Mn) ・・・(29)式
0.017×12.7×ΔCE(ΔC_Si、ΔC_Mn)<0.32×10-2 ・・・(30)式
ΔCE(ΔC_Si、ΔC_Mn)<1.5×10-2 ・・・(31)式
ここまで、影響度ΔCEの閾値を0.015と定めた根拠について説明した。
U2<0.015×7500×V/{(|0.1×(1-k_Si)×%Si|+|0.02×(1-k_Mn)×%Mn|)-0.015}・・・(32)式
鋳造条件算出部51は、上述したとおり、高張力鋼鋳片を製造する場合において、吐出流が鋳型110の長辺壁へ衝突するときの衝突速度を、所定の基準値未満にするための前記鋳造条件を算出する。そして、所定の基準値は、上述したとおり、吐出流による、溶鋼2が含有する固相内の拡散速度が小さい元素の濃度変化が包晶凝固に及ぼす影響度に基づいて決定される値であることが好ましく、影響度ΔCE=0.015を基準値とすることがより好ましい。従来、鋼鋳片の製造においては、鋼鋳片の長辺に割れが発生することが多い。そのため、鋳造条件算出部51が算出する鋳造条件は、吐出流が鋳型110の長辺壁へ衝突するときの衝突速度を所定の基準値未満とする条件とした。
設定部52は、上述したとおり、鋳造条件算出部51により算出された鋳造条件で鋳造可能な設定値を連続鋳造装置1に対して設定する。設定部52は、鋳造条件算出部51から鋳造条件の情報を受け取り、連続鋳造装置1に当該情報を出力する。連続鋳造装置1は、受け取った情報に基づいて鋼鋳片の鋳造を行う。
鋳造条件を設定するには、上述のとおり、鋳造条件算出部51が鋳造条件を算出し、設定部52が鋳造条件算出部51により算出された鋳造条件で鋳造可能な設定値を連続鋳造装置1に対して設定する。よって、鋳造条件の設定方法は、一対の長辺壁及び一対の短辺壁により断面矩形状をなす鋳型と、鋳型の一対の短辺壁のそれぞれに対向して配された2つの吐出孔を有し、吐出孔のそれぞれから鋳型の内部に溶鋼を供給する浸漬ノズルと、磁場を発生して、鋳型内部の溶鋼に電磁力を作用させて溶鋼を撹拌する電磁撹拌装置と、磁場を発生して、吐出孔から吐出された溶鋼の流れである吐出流を構成する溶鋼に電磁力を作用させて吐出流を制動する電磁ブレーキ装置と、を備え、連続的に鋼鋳片を鋳造する連続鋳造装置の鋳造条件を設定する鋳造条件の設定方法であって、高張力鋼鋳片を製造する場合において、吐出流が前記鋳型の長辺壁へ衝突するときの衝突速度が、所定の基準値未満になるための鋳造条件を算出する鋳造条件算出ステップと、鋳造条件算出ステップにおいて算出された鋳造条件で鋳造可能な設定値を連続鋳造装置に対して設定する設定ステップと、を有する。
上記連続鋳造装置1及び鋳造条件設定装置50を用いれば、高張力鋼鋳片を製造することができる。具体的には、高張力鋼鋳片の製造方法は、一対の長辺壁及び一対の短辺壁により断面矩形状をなす鋳型と、鋳型の一対の短辺壁のそれぞれに対向して配された2つの吐出孔を有し、吐出孔のそれぞれから前記鋳型の内部に溶鋼を供給する浸漬ノズルと、磁場を発生して、鋳型内部の溶鋼に電磁力を作用させて溶鋼を撹拌する電磁撹拌装置と、磁場を発生して、吐出孔から吐出された溶鋼の流れである吐出流を構成する溶鋼に電磁力を作用させて前記吐出流を制動する電磁ブレーキ装置と、を備える連続鋳造装置を用いて連続的に高強度鋼鋳片を鋳造する高張力鋼片の製造方法であって、電磁撹拌装置が発生した磁場によって鋳型内の溶鋼に電磁力を作用させて、溶鋼が水平方向に旋回する旋回流を生じさせ、電磁ブレーキ装置が発生した磁場によって吐出流を構成する溶鋼に作用する電磁力が、吐出流を制動し、旋回流により湾曲して鋳型の長辺壁へ衝突する吐出流の衝突速度を所定の基準値未満にする。なお、上記高張力鋼鋳片の製造方法に用いられる各装置の構成は、連続鋳造装置1が備える構成に限られないことは言うまでもない。
0.13%C-1.0%Si-0.1%Mnで表される鋼種を対象に、凝固と成分偏析を考慮した鋳型内熱流体シミュレーションを行い、Si及びMnの濃度偏析について計算した。上記鋳型内熱流体シミュレーションは、非特許文献4に記載の数値シミュレーションモデルを用いて行った。さらに、鋳型内熱流体シミュレーションで得られたSiとMnの濃度偏析の値の最大値から、Si及びMnの濃度変化が包晶凝固に及ぼす影響度ΔCE’を以下の式で算出した。
ΔCE’=|0.1×Δ%Si|+|0.02×Δ%Mn|
Δ%Si/%Si=(C0_Si-Cm_Si)/Cm_Si=ΔC_Si/Cm_Si
図12に、EMS強度を変更したときのEMBr強度とΔCE’の関係のグラフを示す。図13に、鋳造速度Vcを変更したときのEMBr強度とΔCE’の関係のグラフを示す。図10、12は、鋳型の幅wを1.6m、鋳造速度1.6m/min.として、鋳型内熱流体シミュレーション結果より求めたものである。図11、13は、鋳型の幅wを1.6m、電磁撹拌装置に印加する交流電流の大きさを300Aとして、鋳型内熱流体シミュレーション結果より求めたものである。
なお、鋳型内熱流体数値シミュレーションによる数値計算においては、電磁ブレーキ装置により発生する磁場の平均磁束密度を0.2T以上とした場合でも、流体計算が内在する不安定性に起因して非定常な僅かな流動が生じるため、厳密に偏析率が0になることはないが、偏析比率が十分小さく、ほぼ一定値に収束していることが分かった。
表3に、組成0.13%C-0.1%Si-0.1%Mn(表3中、A)、0.13%C-1.0%Si-0.1%Mn(表3中、B)、及び0.13%C-0.1%Si-6.0%Mn(表3中、C)で表される鋼に関して、上記(24)式に基づいて算出したSi及びMnの濃度変化が包晶凝固に及ぼす影響度ΔCEを示す。図14に鋼種が0.13%C-0.1%Si-0.1%Mn鋼であるときの、ΔCE=0.015なるEMS強度(電磁撹拌装置が発生する磁場の強度)とEMBr電磁ブレーキ強度(電磁ブレーキ装置が発生する磁場の強度)の関係を示し、図15に鋼種が0.13%C-1.0%Si-0.1%Mn鋼であるときの、ΔCE=0.015なるEMS強度とEMBr電磁ブレーキ強度の関係を示し、図16に鋼種が0.13%C-0.1%Si-6.0%Mn鋼であるときの、ΔCE=0.015なるEMS強度とEMBr電磁ブレーキ強度の関係を示す。ただし、鋳型の幅wを1.6m、鋳造速度1.6m/min.とした。
2 溶鋼
3、14 鋳片
4 取鍋
5 タンディッシュ
6 浸漬ノズル
7 二次冷却装置
8 鋳片切断機
11 サポートロール
12 ピンチロール
13 セグメントロール
15 テーブルロール
16 二次冷却帯
50 鋳造条件設定装置
51 鋳造条件算出部
52 設定部
61 吐出孔
110 鋳型
111 長辺鋳型板
112 短辺鋳型板
121、122 バックアッププレート
123 バックアッププレート(幅方向バックアッププレート)
130、140 水箱
150 電磁撹拌装置
151 ケース
152 電磁撹拌コア
153 コイル
154 ティース部
160 電磁ブレーキ装置
161 ケース
162 電磁ブレーキコア
163 コイル
170 電磁力発生装置
Claims (15)
- 一対の長辺壁及び一対の短辺壁により断面矩形状をなす鋳型と、前記鋳型の一対の短辺壁のそれぞれに対向して配された2つの吐出孔を有し、前記吐出孔のそれぞれから前記鋳型の内部に溶鋼を供給する浸漬ノズルと、磁場を発生して、前記鋳型内部の前記溶鋼に電磁力を作用させて前記溶鋼を撹拌する電磁撹拌装置と、磁場を発生して、前記吐出孔から吐出された溶鋼の主な流れである吐出流を構成する前記溶鋼に電磁力を作用させて前記吐出流を制動する電磁ブレーキ装置と、を備え、連続的に高張力鋼鋳片を鋳造する連続鋳造装置の鋳造条件を設定する鋳造条件の設定装置であって、
前記設定装置は、鋳造条件として、鋳造速度Vc、溶鋼表面から前記電磁ブレーキ装置のコア上端までの距離Hb、合金成分の質量濃度、前記電磁ブレーキ装置が発生する磁場の平均磁束密度Bb、前記電磁撹拌装置が発生する磁場の平均磁束密度Bs、前記電磁撹拌装置に印加される交流電流の位相の波長Δx、前記電磁撹拌装置に印加される交流電流の周波数f、前記吐出孔の断面積Sp、前記吐出孔の下向き角度θ、前記吐出孔の深さ位置D、前記浸漬ノズルの外径D1、前記鋳型の内部空間の水平断面における断面積Ss、及び内部空間における前記長辺壁間の距離Wのうちの少なくとも1つを変更することができ、
前記吐出流が前記電磁撹拌装置及び前記電磁ブレーキ装置による電磁力の作用を受けて前記鋳型の前記長辺壁へ衝突するときの衝突速度を、所定の基準値未満にするための前記鋳造条件を算出する鋳造条件算出部と、
前記鋳造条件算出部により算出された前記鋳造条件で鋳造可能な設定値を前記連続鋳造装置に対して設定する設定部と、を備え、
前記所定の基準値は、前記吐出流による、前記溶鋼に含まれるSi及びMnの濃度変化が包晶凝固に及ぼす影響度に基づいて決定される値である、鋳造条件の設定装置。 - 前記鋳造条件には、少なくとも前記電磁撹拌装置が発生する磁場の強度が含まれる、請求項1に記載の鋳造条件の設定装置。
- 前記鋳造条件には、前記電磁ブレーキ装置が発生する磁場の強度が含まれる、請求項1又は2に記載の鋳造条件の設定装置。
- 前記設定部は、前記衝突速度が下記(1)式を満たすように前記設定値を設定する、請求項1~3のいずれか一項に記載の鋳造条件の設定装置。
U2<0.015×7500×V/{(|0.1×(1-k_Si)×%Si|+|0.02×(1-k_Mn)×%Mn|)-0.015} ・・・(1)式
ここで、
V=6.45×10-5×K×(Vc/Hb)0.5
ただし、
%X:成分Xの質量濃度(質量%)
k_X:成分Xの平衡分配係数(-)
U2:衝突速度(m/s)
Vc:鋳造速度(m/s)
Hb:溶鋼表面から電磁ブレーキのコア上端までの距離(m)
K:凝固係数(mm/min0.5) - 前記設定部は、下記(2)式で表されるΔCEが0.015未満になるように前記設定値を設定する、請求項1~4のいずれか一項に記載の鋳造条件の設定装置。
ΔCE=(|0.1×(1-k_Si)×%Si|+|0.02×(1-k_Mn)×%Mn|)/(7500×V/U2+1) ・・・(2)式
ここで、
V=6.45×10-5×K×(Vc/Hb)0.5
U2=U0-(σ×Lb×Bb2) (ただし、U0>σ×Lb×Bb2の場合)
U2=0 (ただし、U0≦σ×Lb×Bb2の場合)
U0=(Vp2+4×Cs×Ls)0.5
Ls=(Hb―D)/sinθ
Lb=0.5×(W―D1)/cosθ―Ls
Cs=0.5×σ×f×Δx×Bs2
Vp=Vc×(Ss/Sp)
ただし、
%X:成分Xの質量濃度(質量%)
k_X:成分Xの平衡分配係数(-)
σ:前記溶鋼の単位質量当たりの導電率(Sm2/kg)
U2:衝突速度(m/s)
Bb:前記電磁ブレーキ装置が発生する磁場の平均磁束密度(T)
Bs:前記電磁撹拌装置が発生する磁場の平均磁束密度(T)
Hb:溶鋼表面から電磁ブレーキのコア上端までの距離(m)
Vc:鋳造速度(m/s)
Vp:前記浸漬ノズルの前記吐出孔における前記吐出流の流速(m/s)
Sp:前記吐出孔の断面積(m2)
Ss:前記鋳型の内部空間の水平断面における断面積(m2)
W:前記鋳型の内部空間における前記長辺壁間の距離(m)
Δx:前記電磁撹拌装置に印加される交流電流の位相の波長(m)
f:前記電磁撹拌装置に印加される交流電流の周波数(1/s)
D:前記吐出孔の深さ位置(m)
D1:前記浸漬ノズルの外径(m)
θ:前記吐出孔の下向き角度(rad)
K:凝固係数(mm/min0.5) - 前記U0、前記Bb及び前記Lbが、U0≦σ×Lb×Bb2を満たすようにして鋳造する、請求項5に記載の鋳造条件の設定装置。
- 前記溶鋼が、C:0.1~0.5質量%、かつ、Si:0.8質量%以上又はMn:4.0質量%以上の少なくともいずれかを含有する、請求項1~6のいずれか一項に記載の鋳造条件の設定装置。
- 請求項1~7のいずれか一項に記載の鋳造条件の設定装置により設定された前記鋳造条件で高張力鋼鋳片を鋳造する、連続鋳造装置。
- 一対の長辺壁及び一対の短辺壁により断面矩形状をなす鋳型と、前記鋳型の一対の短辺壁のそれぞれに対向して配された2つの吐出孔を有し、前記吐出孔のそれぞれから前記鋳型の内部に溶鋼を供給する浸漬ノズルと、磁場を発生して、前記鋳型内部の前記溶鋼に電磁力を作用させて前記溶鋼を撹拌する電磁撹拌装置と、磁場を発生して、前記吐出孔から吐出された溶鋼の主な流れである吐出流を構成する前記溶鋼に電磁力を作用させて前記吐出流を制動する電磁ブレーキ装置と、を備え、連続的に高張力鋼鋳片を鋳造する連続鋳造装置の鋳造条件を設定する鋳造条件の設定方法であって、
前記設定方法において、鋳造条件として、鋳造速度Vc、溶鋼表面から前記電磁ブレーキ装置のコア上端までの距離Hb、合金成分の質量濃度、前記電磁ブレーキ装置が発生する磁場の平均磁束密度Bb、前記電磁撹拌装置が発生する磁場の平均磁束密度Bs、前記電磁撹拌装置に印加される交流電流の位相の波長Δx、前記電磁撹拌装置に印加される交流電流の周波数f、前記吐出孔の断面積Sp、前記吐出孔の下向き角度θ、前記吐出孔の深さ位置D、前記浸漬ノズルの外径D1、前記鋳型の内部空間の水平断面における断面積Ss、及び内部空間における前記長辺壁間の距離Wのうちの少なくとも1つを変更することができ、
前記吐出流が前記電磁撹拌装置及び前記電磁ブレーキ装置による電磁力の作用を受けて前記鋳型の前記長辺壁へ衝突するときの衝突速度が、所定の基準値未満になるための前記鋳造条件を算出する鋳造条件算出ステップと、
前記鋳造条件算出ステップにおいて算出された前記鋳造条件で鋳造可能な設定値を前記連続鋳造装置に対して設定する設定ステップと、を有し、
前記所定の基準値は、前記吐出流による、前記溶鋼に含まれるSi及びMnの濃度変化が包晶凝固に及ぼす影響度に基づいて決定される値である、鋳造条件の設定方法。 - 請求項9に記載の鋳造条件の設定方法により設定された前記鋳造条件で高張力鋼鋳片を鋳造する、連続鋳造方法。
- 一対の長辺壁及び一対の短辺壁により断面矩形状をなす鋳型と、前記鋳型の一対の短辺壁のそれぞれに対向して配された2つの吐出孔を有し、前記吐出孔のそれぞれから前記鋳型の内部に溶鋼を供給する浸漬ノズルと、磁場を発生して、前記鋳型内部の前記溶鋼に電磁力を作用させて前記溶鋼を撹拌する電磁撹拌装置と、磁場を発生して、前記吐出孔から吐出された溶鋼の主な流れである吐出流を構成する前記溶鋼に電磁力を作用させて前記吐出流を制動する電磁ブレーキ装置と、を備える連続鋳造装置を用いて連続的に高張力鋼鋳片を鋳造する高張力鋼鋳片の製造方法であって、
前記電磁撹拌装置が発生した磁場によって前記鋳型内の前記溶鋼に電磁力を作用させて、前記溶鋼が水平方向に旋回する旋回流を生じさせ、
前記電磁ブレーキ装置が発生した磁場によって前記吐出流を構成する前記溶鋼に作用する電磁力が、前記吐出流を制動し、
前記旋回流により湾曲して前記鋳型の長辺壁へ衝突する前記吐出流の衝突速度を所定の基準値未満にし、
前記所定の基準値は、前記吐出流による、前記溶鋼に含まれるSi及びMnの濃度変化が包晶凝固に及ぼす影響度に基づいて決定される値である、高張力鋼鋳片の製造方法。 - 前記衝突速度が下記(1)式を満たす、請求項11に記載の高張力鋼鋳片の製造方法。
U2<0.015×7500×V/{(|0.1×(1-k_Si)×%Si|+|0.02×(1-k_Mn)×%Mn|)-0.015} ・・・(1)式
ここで、
V=6.45×10-5×K×(Vc/Hb)0.5
ただし、
%X:成分Xの質量濃度(質量%)
k_X:成分Xの平衡分配係数(-)
U2:衝突速度(m/s)
Vc:鋳造速度(m/s)
Hb:溶鋼表面から電磁ブレーキのコア上端までの距離(m)
K:凝固係数(mm/min0.5) - 前記基準値が下記(2)式で表されるΔCEであり、前記ΔCEが0.015未満になるように前記連続鋳造装置の設定値を定める、請求項11又は12に記載の高張力鋼鋳片の製造方法。
ΔCE=(|0.1×(1-k_Si)×%Si|+|0.02×(1-k_Mn)×%Mn|)/(7500×V/U2+1) ・・・(2)式
ここで、
V=6.45×10-5×K×(Vc/Hb)0.5
U2=U0-(σ×Lb×Bb2) (ただし、U0>σ×Lb×Bb2の場合)
U2=0 (ただし、U0≦σ×Lb×Bb2の場合)
U0=(Vp2+4×Cs×Ls)0.5
Ls=(Hb―D)/sinθ
Lb=0.5×(W―D1)/cosθ―Ls
Cs=0.5×σ×f×Δx×Bs2
Vp=Vc×(Ss/Sp)
ただし、
%X:成分Xの質量濃度(質量%)
k_X:成分Xの平衡分配係数(-)
σ:前記溶鋼の単位質量当たりの導電率(Sm2/kg)
U2:衝突速度(m/s)
Bb:前記電磁ブレーキ装置が発生する磁場の平均磁束密度(T)
Bs:前記電磁撹拌装置が発生する磁場の平均磁束密度(T)
Hb:溶鋼表面から電磁ブレーキのコア上端までの距離(m)
Vc:鋳造速度(m/s)
Vp:前記浸漬ノズルの前記吐出孔における前記吐出流の流速(m/s)
Sp:前記吐出孔の断面積(m2)
Ss:前記鋳型の内部空間の水平断面における断面積(m2)
W:前記鋳型の内部空間における前記長辺壁間の距離(m)
Δx:前記電磁撹拌装置に印加される交流電流の位相の波長(m)
f:前記電磁撹拌装置に印加される交流電流の周波数(1/s)
D:前記吐出孔の深さ位置(m)
D1:前記浸漬ノズルの外径(m)
θ:前記吐出孔の下向き角度(rad)
K:凝固係数(mm/min0.5) - 前記U0、前記Bb及び前記Lbが、U0≦σ×Lb×Bb2を満たすようにして鋳造する、請求項13に記載の高張力鋼鋳片の製造方法。
- 前記溶鋼が、C:0.1~0.5質量%、かつ、Si:0.8質量%以上又はMn:4.0質量%以上の少なくともいずれかを含有する、請求項11~14のいずれか一項に記載の高張力鋼鋳片の製造方法。
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| JP2021204579A JP7807641B2 (ja) | 2021-12-16 | 2021-12-16 | 鋳造条件の設定装置、連続鋳造装置、鋳造条件の設定方法、連続鋳造方法、及び高張力鋼鋳片の製造方法 |
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| JP2021204579A JP7807641B2 (ja) | 2021-12-16 | 2021-12-16 | 鋳造条件の設定装置、連続鋳造装置、鋳造条件の設定方法、連続鋳造方法、及び高張力鋼鋳片の製造方法 |
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| JP2001047195A (ja) | 1999-08-12 | 2001-02-20 | Nippon Steel Corp | 連続鋳造方法 |
| JP2009066618A (ja) | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Nippon Steel Corp | 鋼の連続鋳造方法 |
| JP2010240686A (ja) | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Nippon Steel Corp | 溶鋼の鋳型内流動制御方法 |
| JP2011121115A (ja) | 2009-11-10 | 2011-06-23 | Jfe Steel Corp | 鋼の連続鋳造方法 |
| JP2020078815A (ja) | 2018-11-13 | 2020-05-28 | 日本製鉄株式会社 | 連続鋳造方法 |
-
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