JP7807275B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
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- H10P72/0604—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
<基板処理装置の概要>
図1は、第1の実施の形態にかかる基板処理装置100の構成の一例を概略的に示す平面図であり、図2は、第1の実施の形態にかかる基板処理装置100の構成の一例を概略的に示す側面図である。基板処理装置100は、後述する処理ユニット10において基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。
インデクサ部110は、装置本体120と外部との間で基板Wを搬出入するためのインターフェース部である。ここでは、複数の基板Wを収納した基板収容器(以下、キャリアと呼ぶ)Cが外部からインデクサ部110に搬入される。
装置本体120は、基板Wを処理する部分であり、複数の処理ユニット10と、排気系統20と、センターロボット30とを含む。
処理流体が液体である場合、各処理ユニット10から排出される排出ガスには、処理流体からの気化成分(ガス)およびミストが含まれる。このため、処理ユニット10のノズル部から処理流体として酸性薬液が基板Wに供給されている期間では、排出ガスには酸性薬液のガスおよびミストが含まれる。ここで、排出ガスについての流体区分も導入する。該排出ガスの流体区分は酸性ガスである。アルカリ性薬液が基板Wに供給されている期間では、排出ガスにはアルカリ性薬液のガスおよびミストが含まれる。以下では、該排出ガスの流体区分をアルカリ性ガスと呼ぶ。有機溶剤が基板Wに供給されている期間では、排出ガスには有機溶剤のガスおよびミストが含まれる。以下では、該排出ガスの流体区分を有機ガスと呼ぶ。これらの排出ガスは、その流体区分に応じて、互いに別々に排出されることが望ましい。なお、処理流体がガスである場合も同様である。
制御部90は基板処理装置100を統括的に制御する。具体的には、制御部90は、インデクサロボット112、処理ユニット10、排気系統20(具体的には、切換部23および駆動部243など)およびセンターロボット30を制御する。
制御部90は、処理ユニット10からの排出ガスの流体区分に基づいて切換部23を制御し、該排出ガスを、流体区分に応じた集合排気管22に導く。各処理ユニット10からの排出ガスの流体区分は順次に変化するので、制御部90は流体区分の変化に応じて切換部23の切換状態を変化させ、各処理ユニット10からの排出ガスを適切に集合排気管22に導く。このため、以下で詳述するように、各集合排気管22に流入する排出ガスの流量は切換部23の切換状態の変化に応じて変動する。
ここで、α1~α3は、それぞれ、処理ユニット10a~10cに対応しており、開閉弁232iが開いているときにはαn=0であり、開閉弁232iが閉じているときにはαn=1である。例えば、処理ユニット10aに対応する開閉弁232iが開いているときには、α1=0であり、処理ユニット10aに対応する開閉弁232iが閉じているときには、α1=1である。
図8は、第2の実施の形態にかかる基板処理装置100の構成の一例を概略的に示す平面図であり、図9は、第2の実施の形態にかかる基板処理装置100の構成の一例を概略的に示す側面図である。図8の例では、X軸方向において隣り合う2つのタワー40に対して、1つの集合排気管22iが設けられている。つまり、タワー40Aおよびタワー40Bに共通の集合排気管22i、および、タワー40Cおよびタワー40Dに共通の集合排気管22iが設けられている。集合排気管22j,22kも同様である。
10,10a~10c 第1処理ユニット、第2処理ユニット(処理ユニット)
21 第1個別排気管、第2個別排気管(個別排気管)
22 第1集合排気管、第2集合排気管(集合排気管)
23 第1切換部、第2切換部(切換部)
24 第1外気導入部、第2外気導入部(外気導入部)
25 導入管
252 開閉弁
90 制御部
Claims (5)
- 鉛直方向に並んで設けられ、各々が基板を処理する複数の第1処理ユニットを含む第1タワーと、
前記複数の第1処理ユニットから排出されたガスがそれぞれ流れる複数の第1個別排気管と、
第1集合排気管と、
前記複数の第1個別排気管の各々と前記第1集合排気管との連通および遮断を切り換える第1切換部と、
前記第1集合排気管に外部からの外気を導入する流路を有し、当該流路の導入面積が可変である第1外気導入部と、
前記複数の第1処理ユニットのそれぞれに対応する個別導入面積と、前記第1切換部の切換状態とに基づいて、前記第1外気導入部の前記導入面積を制御する制御部と
を備え、
前記複数の第1処理ユニットにそれぞれ対応する前記個別導入面積は、前記複数の第1処理ユニットの各々の設置位置に応じて設定されており、
前記制御部は、前記複数の第1処理ユニットのうち前記第1集合排気管と遮断された第1処理ユニットに対応した前記個別導入面積の総和に基づいて前記導入面積を制御し、
前記個別導入面積は、前記複数の第1処理ユニットのうち設置位置が高い第1処理ユニットほど大きい値に設定される、基板処理装置。
、基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記第1外気導入部は、
前記第1集合排気管に設けられた単一の導入管と、
前記単一の導入管の前記導入面積を調整し、前記制御部によって制御される可動部材と
を含む、基板処理装置。 - 鉛直方向に並んで設けられ、各々が基板を処理する複数の第1処理ユニットを含む第1タワーと、
前記複数の第1処理ユニットから排出されたガスがそれぞれ流れる複数の第1個別排気管と、
第1集合排気管と、
前記複数の第1個別排気管の各々と前記第1集合排気管との連通および遮断を切り換える第1切換部と、
前記第1集合排気管に外部からの外気を導入する流路を有し、当該流路の導入面積が可変である第1外気導入部と、
前記複数の第1処理ユニットのそれぞれに対応する個別導入面積と、前記第1切換部の切換状態とに基づいて、前記第1外気導入部の前記導入面積を制御する制御部と、
前記複数の第1処理ユニットに対応した前記個別導入面積を示す個別面積データを予め記憶する記憶部と
を備え、
前記複数の第1処理ユニットにそれぞれ対応する前記個別導入面積は、前記複数の第1処理ユニットの各々の設置位置に応じて設定されており、
前記第1外気導入部は、
前記第1集合排気管に設けられた単一の導入管と、
前記単一の導入管の前記導入面積を調整し、前記制御部によって制御される可動部材と
を含み、
前記制御部は、前記切換状態と前記個別面積データとに基づいて、前記可動部材を制御する、基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記第1外気導入部は、
前記複数の第1処理ユニットにそれぞれ対応した前記個別導入面積を有する複数の導入管と、
前記複数の導入管の開閉をそれぞれ切り換える複数の開閉弁と
を含み、
前記制御部は前記切換状態に基づいて、前記複数の開閉弁を制御する、基板処理装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
鉛直方向に並んで設けられ、各々が基板を処理する複数の第2処理ユニットを含み、前記第1タワーと水平方向に並んで設けられる第2タワーと、
前記複数の第2処理ユニットから排出されたガスがそれぞれ流れる複数の第2個別排気管と、
第2集合排気管と、
前記複数の第2個別排気管の各々と前記第2集合排気管との連通および遮断を切り換える第2切換部と、
前記第2集合排気管に外部からの外気を導入する流路を有し、当該流路の導入面積が可変である第2外気導入部と
を備え、
前記制御部は、前記複数の第2処理ユニットのそれぞれに対応して設定された個別導入面積と、前記第2切換部の切換状態とに基づいて、前記第2外気導入部の前記導入面積を制御し、
前記複数の第2処理ユニットにそれぞれ対応する前記個別導入面積は互いに異なる、基板処理装置。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP2022046970A JP7807275B2 (ja) | 2022-03-23 | 2022-03-23 | 基板処理装置 |
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- 2023-03-14 CN CN202310246372.1A patent/CN116805589A/zh active Pending
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