JP7802001B2

JP7802001B2 - ダイレクトボンディングによる基板への複数のチップの接合方法

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Publication number: JP7802001B2
Application number: JP2022537366A
Authority: JP
Inventors: フランクフォルネル; ロワサンチェス; ブリジットモンマユール
Original assignee: コミサリアアレネルジアトミクエオウエネルジアルタナティヴ
Priority date: 2019-12-19
Filing date: 2020-12-17
Publication date: 2026-01-19
Anticipated expiration: 2040-12-17
Also published as: FR3105569A1; FR3105569B1; CA3161399A1; US20230029338A1; CN115136287A; EP4078663A1; JP2023508867A; WO2021122909A1; US12463174B2

Description

本発明の技術分野は、特にエレクトロニクスの分野、特にマイクロエレクトロニクスの分野において、ダイレクトボンディングによる基板への複数のチップの接合（bonding）に関する。

2014 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS) conferenceで発表された、S. Menezoらによる文献"Advances on III-V on Silicon DBR and DFB Lasers for WDM Optical Interconnects and Associated Heterogeneous Integration 200 mm-wafer-scale Technology"は、受け側のプレートに接合される複数のチップを収容する複数のキャビティを備えたメカニカルグリップを用いて、受け側のプレートに複数のチップをダイレクトボンディングするチップの接合方法について説明している。接合する前の複数のチップを収容するための複数のキャビティを有するメカニカルグリップを使用することの欠点は、複数のチップが同一の厚さを有しておらず、複数のキャビティが同一の深さを有していない場合に、複数のチップの接合される面が同一平面上に含まれないことであり、その結果、複数のチップを受け側のプレートに接合する目的でメカニカルグリップと受け側のプレートとが一緒になるので、これらの複数のチップと受け側のプレートとの間の接触がないために、一部の複数のチップは受け側のプレートに接着しないことがある。さらに、このような複数のチップの接合工程では、各チップを受け側のプレートに正確に位置合わせすることができない。

チップを基板にダイレクトボンディングする場合において、例えば、IEEE 2015 International 3D Systems Integration Conference, TS7.4.1 to TS7.4.4で発表された、福島誉史らの"Transfer and Non-Transfer Stacking Technologies Based on Chip-to-Wafer Self-Assembly for High-Throughput and High-Precision Alignment and Microbump Bonding"に記載されているように、水滴による毛細管現象によりセルフアラインメントを行う技術を用いて、接合されるチップを適切な方法で位置決めすることができる。しかし、このセルフアラインメント技術は、接合されるチップ上に親水性領域と疎水性領域を設け、基板とチップとの間に介在する水の蒸発によってチップを基板に接合する際に適切な位置決めができるように、適量の水を供給する必要があるため、実施が複雑であることに変わりはない。したがって、この解決策は、特に、複数のチップを基板に接合するために適用しなければならない場合には、実施が困難である。さらに、この解決策は、その上に疎水性構造を形成することによってチップを修飾する必要があるので、コストも無視できない。

したがって、ダイレクトボンディングによって複数のチップを基板に接合するための、信頼性が高く実装が容易な解決策の開発が求められている。

本発明の目的は、複数のチップの基板への接合を容易にすることである。

この目的のために、本発明は、ダイレクトボンディングによって複数のチップを基板に接合する方法に関し、当該接合方法は、複数のチップが接触する支持体を提供する段階を含み、支持体に接触する複数のチップは互いに離間している。この接合方法は、基板の一方の面上に液膜を形成する段階と、複数のチップを液膜（liquid film）に接触させる段階であって、複数のチップを液膜に接触させる作用により、複数のチップを基板に向けて引き付ける段階と、複数のチップを基板にダイレクトボンディングするために液膜を蒸発させる段階とを含むことを特徴とする。

これにより、接合方法では、液膜を介して接合対象の複数のチップ同士の段差を吸収しつつ、複数のチップの一括接合とも呼ばれる複数のチップの基板への接合を行うことができる。より具体的には、段差は、複数のチップの接合面同士の段差であり、これらの接合面は、ダイレクトボンディングによって基板に接合するために基板に接触することを意図している。

接合方法は、以下の特徴のうちの１又は複数をさらに含むことができる。
・液膜は脱イオン水の膜である。
・液膜の形成段階は、液膜が遠心によって基板の面上に成膜される。
・複数のチップを液膜に接触させる段階は、基板と支持体を一体化させることにより行う。
・接合方法は、基板と支持体との間に配置された少なくとも１つの当接部（abutment）を用いて、複数のチップを液膜と接触させる一体化動作を停止させ、その結果として、この一体化が停止した瞬間に、複数のチップが液膜に接触し、液膜は各チップを基板から分離させる。
・支持体は、複数のチップが載置されるメカニカルグリップである。
・メカニカルグリップは複数のキャビティを備え、各チップはキャビティ内に配置され、このキャビティから突出しており、複数のキャビティから複数のチップを除去する段階を含み、複数のチップを除去する段階は、複数のチップを液膜に接触させた後、複数のチップを基板に接合させる前に実施される。
・複数のキャビティからの複数のチップの除去段階は、支持体と基板とを離間させることによって行われる。
・接合方法は、前記支持体は複数のチップが接合された接着フィルムを有し、接着フィルムは、蒸発段階において変形するような弾性を示し、基板に複数のチップを接合した後、当該接合方法は、接着フィルムを除去する段階を含む。
・接着フィルムの除去段階は、接着フィルムを加熱処理する段階、又は接着フィルムを紫外線照射処理する段階を含む。
・接合方法は、当接部をメカニカルグリップ上に位置決めし、当接部をメカニカルグリップ上に位置決めした後に基板を当接部に接触させ、基板が当接部に接触する瞬間に複数のチップが液膜に接触することを含む。
・接合方法は、当接部と接着フィルムとを接合し、当接部と接着フィルムとを接合した後に当接部と基板とを接触させ、当接部と基板とが接触した瞬間に、複数のチップと液膜とが接触することを含む。
・蒸発段階において、基板が±１°、好ましくは±０．１°の水平状態に維持される。

他の特徴および利点は、以下の詳細な説明から明らかになるであろう。

以下の詳細な説明を読むことによって、本発明のより良い理解が得られるであろう。この詳細な説明は、単に非限定的な例として与えられ、以下に示す添付図面を参照してなされる。
図１は、本発明による接合方法を介して基板に接合された複数のチップを示す。図２は、本発明の特定の実施形態による接合方法の段階を図式的に示す。図３は、液膜が形成された基板を横から見た図である。図４は、基板に接合される複数のチップを支持する複数のチップの支持体の側面図を示す。図５は、本発明の第１の実施形態に係る、図４の支持体が機械内に配置される接合方法の段階を示す。図６は、第１の実施形態に係る、支持体上の液膜および基板の移動を示す。図７は、第１の実施形態に係る、機械の上側支持体による基板の把持を示す。図８は、第１の実施形態に係る、基板と支持体とを離間させる様子を示す図である。図９は、第１の実施形態に係る、液膜の蒸発によって複数のチップと基板が接合された結果を示す図である。図１０は、接合方法の第２の実施形態に関連して、複数のチップが接合される接着フィルムを含む複数のチップ用支持体の断面図を示す。図１１は、図１０の支持体の平面図を示す。図１２は、第２の実施形態に係る、図１０の支持体、基板および図３の液膜の、接合方法を実施するための機械における位置決めを示す。図１３は、第２の実施形態に係る、接着フィルムに接合された複数のチップを、基板上に形成された液膜に接触させる様子を示す図である。図１４は、第２の実施形態に係る、液膜の蒸発が複数のチップと基板との接合をもたらした結果を示す図である。図１５は、第２の実施形態に係る、支持体の接着フィルムを複数のチップから剥離するための処理を示す図である。図１６は、第２の実施形態に係る、複数のチップからの剥離を確実にする接着フィルムの剥離の様子を示す図である。図１７は、遠心による成膜によって基板上に得られる脱イオン水の膜の厚さ（μｍ）を、遠心の時間（秒）の関数として示した図である。これらの図では、同じ要素を指定するために同じ参照番号が使用されている。

＜詳細な説明＞
ダイレクトボンディングは分子接着による接合であり、中間接着剤を塗布することなく２つの表面を接着させるものである。

本明細書において、用語「２つの値の間の」は、これらの２つの値によって定義される限界が、考慮される値の範囲に含まれることを意味すると理解される。

本明細書において、２つの要素を近づける、または２つの要素間を一体化することは、２つの要素の一方を固定したまま２つの要素の他方に近づける、又は２つの要素を両方動かして一体化させることによって、２つの要素を空間的に近づけることに相当する。同じ原理が２つの要素の離間にも適用される。

ダイレクトボンディングによって複数のチップ１００を基板１０１に接合する方法は、例えば、図１に示すような、複数のチップ１００が基板１０１に接合されたものを得ることを可能にする。接合方法は、図２に示される段階を含むことができる。この接合方法の第１の実施形態の一例を、特定の側面図を示す図３～９に示す。この接合方法の第２の実施形態の一例を図３及び図１０～図１６に示し、特に図１０及び図１２～図１６については支持体１０５の部分断面を示す側面図、図１１については平面図を示す。

複数のチップ１００は、マイクロエレクトロニクスの技術段階（例えば、材料堆積、フォトリソグラフィ、エッチングなど）を経ていても経ていなくてもよい。例えば、マイクロエレクトロニクスの技術段階を経たチップは、回路レベル、配線レベルで構成することができる。複数のチップ１００は、シリコン（silicon）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリカ、ゲルマニウム、またはサファイアを含むか、又はこれらに基づくことができ、これらの複数のチップ１００は、表面において、シリカ、窒化ケイ素、銅またはチタンなどの金属などの材料層を示すことができ、二酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）、有機ケイ素材料（ＳｉＯＣ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、又はアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）の層などのマイクロエレクトロニクスから知られている他のすべての層を示すことができる。複数のチップ１００は、「ダイ」とも呼ばれる電子チップとすることができる。

基板１０１は、好ましくは、これらの複数のチップ１００を基板１０１にダイレクトボンディングすることによって、複数のチップ１００に、好ましくは電気的に連結または接続される電子部品１０２（図１）を含むことができる。基板１０１は、電子部品１０２を形成するために技術段階が適用された、例えばシリコンインゴットを切断した後に得られる、例えばシリコンのスライスとも呼ばれるウエハとすることができる。また、電子部品１０２を含む基板１０１は、機能化基板１０１とも呼ばれる。図１は、特に、電子部品１０２を含む基板１０１にダイレクトボンディングすることによって接合された複数のチップ１００を示し、各電子部品１０２は、例えば、複数のチップ１００のうちの１つのみに接合されている。図１に示される非限定的な例によれば、１８個の複数のチップ１００は、それぞれ対応する電子部品１０２に接続されている。

接合方法は、基板１０１の面１０４上に液膜１０３を形成する段階Ｅ１を含む。したがって、接合方法は、この段階Ｅ１の前に、基板１０１を提供する段階を含むことができる。例えば、図３において、基板１０１の面１０４は、複数のチップ１００をダイレクトボンディングによって接合しなければならない面である。基板１０１の面１０４は、好ましくは平坦である。この液膜１０３の役割は、特に毛細管現象によって、複数のチップ１００を基板１０１に向けて引き付けることである。

また、接合方法は、基板１０１に接合される複数のチップ１００が接触する支持体１０５を提供する段階Ｅ２も含む。換言すると、提供段階Ｅ２は、支持体１０５と、支持体１０５に接触する複数のチップ１００とを提供することを可能にする。図４及び図１０は、以下により詳細に説明され、第１の実施形態および第２の実施形態においてそれぞれ使用することができる支持体１０５の２つの具体的な実施形態を示す図である。このような支持体１０５の利点は、基板１０１に対するこれらの複数のチップ１００の一括接合を実施する目的で、基板１０１への接合のための複数のチップ１００を同時に提示することができることである。

支持体１０５に接触する複数のチップ１００は互いに離間している。「互いに離間された複数のチップ１００」によって、これらの複数のチップ１００は、それらの形成を可能にしたウエハまたはスライス内に配置されていないことが理解される。特に、互いに離間された複数のチップ１００は、１枚又は複数枚のウエハから切り出された複数のチップ１００であり、これにより、基板１０１に接合される複数のチップ１００が全て同じ厚さにならない可能性があり、したがって、これらの複数のチップ１００を基板１０１に一括接合することがより困難になる。

接合方法は、複数のチップ１００を液膜１０３に接触させる段階Ｅ３（第１の実施形態に係る図６及び第２の実施形態に係る図１３）を含み、複数のチップ１００を液膜１０３に接触させることによって、複数のチップ１００を基板１０１に向かって引き付ける。この引き付けは毛細管現象による引き付けである。

特に、複数のチップ１００と液膜１０３との間に接触があると同時に、毛細管現象の力によって、複数のチップ１００を基板１０１に対して均等な距離に配置するための引き付けが生じる。

図２では、段階Ｅ１の後に段階Ｅ２が示されているが、その順序は重要ではない。

また、接合方法は、ダイレクトボンディングによって複数のチップ１００を基板１０１に接合するための液膜１０３の蒸発段階Ｅ４を含む。特に、蒸発段階Ｅ４は、複数のチップ１００が接触している液膜１０３の蒸発を可能にする。したがって、液膜１０３の蒸発段階Ｅ４の最後に、複数のチップ１００は基板１０１に、特に基板１０１の面１０４にダイレクトボンディングによって接合される（図９および１４）。複数のチップ１００の接合に至る蒸発段階Ｅ４は、第１の実施形態の文脈では図８から図９への経過によって示され、第２の実施形態の文脈では図１３から図１４への経過によって示される。これは、蒸発段階Ｅ４の間、液膜１０３と複数のチップ１００との間の毛細管現象により、特に蒸発段階Ｅ４の後に複数のチップ１００が基板１０１の面１０４に接触するまで複数のチップ１００が液膜１０３に対して維持され、その結果、ダイレクトボンディングが実施されることになるからである。換言すると、接合方法は、蒸発段階Ｅ４の後に実施されるダイレクトボンディングによる複数のチップ１００の接合段階Ｅ５を含むことができる。

液膜１０３の蒸発によって、液膜１０３の体積を減少させることが可能になり、毛細管現象により、複数のチップ１００の基板１０１に対する引き付けを確実に継続させることができる。

段階Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４を実施から、液膜１０３を使用することにより、複数のチップ１００の厚さの差、又はより一般的には複数のチップ１００の接合面１０６の段差の差を補うことができる。複数のチップ１００の接合面１０６は、複数のチップ１００を基板１０１に接合するために基板１０１と接触する面である。したがって、各チップ１００は、接合面１０６（図４～図１６）を含む。各接合面１０６は、好ましくは、この接合面１０６を含むチップ１００の厚さの測定方向と直交する。複数のチップ１００を支持体１０５に接触させたとき、接合面１０６が必ずしも一平面上にあるとは限らないため、全ての複数のチップ１００を基板１０１に接触させることを可能にする目的で、液膜１０３によって接合面１０６間の段差を取ることができる。さらに、複数のチップ１００を液膜１０３に接触させることにより、その後、液膜１０３が蒸発して複数のチップ１００が基板１０１に接触するまで、複数のチップ１００と基板１０１とを一体化させるために毛細管現象により把持することが可能となり、そこから所望のダイレクトボンディングが実現される。

図３に示す例のような液膜１０３は、好ましくは、脱イオン水のフィルムである。脱イオン水は蒸発後に残留物が残らないという利点がある。膜状の脱イオン水は、基板１０１が完全に親水性である場合又はその面１０４が親水性である場合、及び、複数のチップ１００が完全に親水性である場合又は少なくとも接合面１０６が親水性である場合に、適合性を示すという利点を有する。したがって、親水性領域と疎水性領域という複雑な構造を設ける必要がなく、接合方法がシンプルに実施できる。

好ましくは、液膜１０３は、基板１０１の表面の全体、例えばこの表面は基板１０１の面１０４であるという意味で連続的であり、液膜１０３の厚さを局所的に変化させることが可能である。

液膜１０３の厚さは、１０μｍ～１００μｍとすることができる。もちろん、液膜１０３の厚さは、異なる複数のチップ１００の接合面１０６間の段差の差に応じて適合され、特に、蒸発段階Ｅ４の前に、複数のチップ１００のうちの１つが基板１０１の表面に直接接触することを防止することができる。例えば、厚さ１００μｍの液膜１０３の場合、接合される異なるチップの接合面１０６間の段差は、それに達することなく、最大で±５０μｍまでの範囲で補うことができる。

以上のことから、好ましくはこの液膜１０３の適切な厚さを確保しながら、基板１０１の面１０４上に液膜１０３を形成するための解決策を見出すニーズがある。このニーズを満たすために、液膜１０３の形成段階Ｅ１は、遠心によって液膜１０３を基板１０１上、特に基板１０１の面１０４上に成膜させるようにできる。遠心による成膜の技術は、特に、液膜１０３が脱イオン水から形成される場合に、所望の液膜１０３を得るのに非常に特に適している。例えば、３０回転／分で２０秒かけて遠心しながら成膜することで、基板１０１上に厚さ５０μｍ～７５μｍ程度の脱イオン水の膜を得ることができる。図１７は、このような遠心の際に得られる脱イオン水から形成された液膜１０３の厚さ（水厚（μｍ））を、遠心の時間の関数として示した例である。したがって、基板１０１の回転時間と基板１０１の回転速度とにより、この基板１０１上に液膜１０３を遠心で成膜することが可能となり、液膜１０３の膜厚を例えば１０μｍ～１００μｍに制御することが可能となる。

好ましくは、液膜１０３は、基板１０１上で１０°未満、好ましくは５°未満の接触角を示すようなものである。同様に、液膜１０３は、各複数のチップ１００上で１０°未満、好ましくは５°未満の接触角を示すようなものである。このような接触角は、非常に良好な親水性を確保し、したがって、高い毛管力を確保するという利点を示し、これは、接合方法の実施に特に適している。

基板１０１と支持体１０５とを一体化することにより、複数のチップ１００と液膜１０３とを接触させる段階Ｅ３を確保することができる。このような一体化は、これらの複数のチップ１００を液膜と接触させる目的で、複数のチップ１００と基板１０１とを同時に一体化するという利点を示し、この液膜１０３は、その後、その蒸発によって所望のダイレクトボンディングを可能にする。図６に示すように、第１の実施形態によれば、この一体化により、基板１０１の面１０４に形成された液膜１０３に複数のチップ１００を接触させることができる。図１２から図１３への経過は、第２の実施形態との関連で、この一体化を示すものである。

液膜１０３の蒸発により、液膜を用いずに被接合基板にチップを直接接触させる場合と比較して、ゆっくりと接合することができる。このように、液膜がない場合には、接合が急速に進み欠陥が発生するが、液膜１０３では欠陥の発生が制限される。

液膜１０３を蒸発させることにより複数のチップ１００を基板１０１に接触させることが可能になったことは前述した通りである。したがって、複数のチップ１００を基板１０１に接触させるのが液膜１０３の蒸発であるために、所定の瞬間に、各複数のチップ１００と基板１０１との間に介在する液膜１０３に複数のチップ１００を確実に接触させる必要がある。この必要性を満たすために、接合方法は、複数のチップ１００が液膜１０３と接触することを確実にするために、基板１０１と支持体１０５との間に配置された少なくとも１つの当接部１０７ａ，１０７ｂ（楔とも呼ぶ）の使用を含むことができ、これにより、一体化が停止された瞬間に複数のチップ１００が液膜１０３と接触し、液膜１０３が各チップ１００を基板１０１から分離させる。このように、（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂは、適切なタイミングでの一体化の停止を容易にする。図５～図９及び図１２～図１６は、２つの当接部１０７ａ，１０７ｂを使用した場合を示す。その後、液膜１０３がゆっくりと蒸発することにより複数のチップ１００と基板１０１との接合が得られるまで、複数のチップ１００と基板１０１とを一体化させることができるので、これにより、液膜を用いずにチップと基板とを直接接触させる場合の特徴である上記欠陥の発生を抑制することができる。

好ましくは、支持体１０５と基板１０１とが一体化されるとき、支持体１０５と基板１０１はそれぞれ±１°、好ましくは±０．１°の水平状態に維持される。このように基板１０１を水平にすることで、液膜１０３が基板１０１上を滑ることを防止することができる。この水平性はまた、この液膜１０３によりすべての複数のチップ１００を接触させることができ、過度に厚い液膜１０３を必要としないという利点も有する。これらの水平度は、少なくとも複数のチップ１００が基板１０１にダイレクトボンディングされるまで、特に維持される。液膜１０３は、例えば、基板１０１を裏返したときに、基板１０１に対する毛細管現象の力を用いて維持することができる。１又は複数の当接部１０７ａ，１０７ｂの使用はまた、水平性を維持することを可能にし、また全ての複数のチップ１００に接触するために過度に厚い液膜１０３を必要としない。

したがって、好ましい態様では、蒸発段階Ｅ４の間、基板１０１、好ましくは平坦であるその面１０４は、±１°、好ましくは±０．１°の水平状態に維持され、液膜１０３が基板１０１上を滑るのを防止し、その結果、基板１０１に対する複数のチップ１００の位置ずれも防止することができる。

支持体１０５は、例えば、特に剛性のプレートによって形成され、複数のチップ１００が載置されるメカニカルグリップとすることができる。したがって、複数のチップ１００と基板１０１との接触は、例えば、複数のチップ１００を基板１０１に固定する必要がなく、重力による接触とすることができる。第１の実施形態では、メカニカルグリップが支持体１０５として使用される。メカニカルグリップを使用する利点は、洗浄中にこれらの複数のチップ１００を運ぶメカニカルグリップを劣化させることなく、基板１０１に接合される前に複数のチップ１００を洗浄する技術を使用することを可能にすることであり、例えば、このために、メカニカルグリップを、シリコン（silicon）、二酸化ケイ素、サファイア、ゲルマニウム、炭化ケイ素、アルミナ又は窒化ケイ素で作ることができる。このグリップは、これらの材料のうちの１つだけで構成することができ、又は、少なくともこれらの材料のうちの１つでコーティングすることもできる。洗浄技術の１つとして、Ｏ_２プラズマを用いることで、複数のチップ１００の表面における炭化水素汚染を除去することが可能である。他の洗浄技術として、複数のチップ１００の切断による微粒子汚染を除去することを可能にするメガソニック処理を挙げることができる。メガソニック処理は、当業者に知られた処理であり、例えば、ECS Transactions, 33 (4), 495-500 (2010)に掲載されたF. Fournelらによる文献"Innovative megasonic cleaning technology evaluated through direct wafer bonding"に示されている。

メカニカルグリップは、図４～図９にそれぞれ点線で図示された複数のキャビティ１０８を含むことができ、各チップ１００は、特に、複数のチップ１００を基板１０１と接触させる段階Ｅ３の前にキャビティ１０８内に配置され、このキャビティ１０８から突出する。好ましくは、メカニカルグリップの各キャビティ１０８は、複数のチップ１００の一方のみを収容する。この場合、複数のチップ１００が基板１０１に接合される前に、複数のチップ１００が複数のキャビティ１０８から引き抜かれる／引き出される（図８）。したがって、接合方法は、複数のチップ１００を複数のキャビティ１０８から除去する段階を含むことができ、これにより複数のチップ１００を複数のキャビティ１０８から取り出すことができ、複数のチップ１００の除去段階は、複数のチップ１００を基板１０１に接合する前に、複数のチップ１００が液膜１０３に接触した後に行われる。複数のキャビティ１０８は、複数のチップを基板１０１に接合する目的で、適切な方法で複数のチップ１００を位置決めすることを可能にする。複数のチップ１００が複数のキャビティ１０８から突出していることにより、例えば、上述した（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂを用いて液膜１０３と支持体１０５との接触を回避することにより、液膜１０３を支持体１０５に接触させることなく、液膜１０３を複数のチップ１００に接触させることができる。その後、基板１０１との接合前に複数のキャビティ１０８から複数のチップ１００を除去することにより（図８）、接合時に複数のキャビティ１０８内で複数のチップ１００が機械的にロックすることを回避することができる（図９）。これは、複数のチップ１００を基板１０１に接合する際に、複数のチップ１００が少なくとも部分的に複数のキャビティ１０８内に残っている場合、いくつかの複数のチップ１００が複数のキャビティ１０８の側壁に接触している間に基板１０１が押しつけられると、支持体１０５に対して基板１０１がロックされる可能性があるためである。複数のチップ１００は、基板１０１と支持体１０５とを、好ましくは少なくとも基板１０１に接合される複数のチップ１００の中で最も厚いチップ１００の厚さに等しい距離だけ離すことによって、簡単な方法で複数のキャビティ１０８から引き抜くことができる。もちろん、離間移動中は、液膜１０３と複数のチップ１００との間の毛細管現象により、液膜１０３による複数のチップ１００の維持が確保される。複数のキャビティ１０８の深さは、もちろん、複数のチップ１００に適合し、特にその厚さに適合しており、各チップ１００が配置されるキャビティ１０８から突出するために、当該チップ１００の厚さは、このチップ１００が配置されるキャビティ１０８の深さよりも厳密に大きい（チップ１００が液膜１０３と接触する前に、キャビティ１０８の底部からその厚さに沿って延びるチップ１００）。例えば、複数のキャビティ１０８は、４００μｍ～５００μｍの深さを示すことができ、このようなキャビティは、５００μｍ～６００μｍの厚さを有するチップ１００を受け入れるためにそれぞれ好適である。

特に、各キャビティ１０８は、底部と、底部をキャビティの開口部に連結する側壁とを含む開口キャビティ１０８である。この場合、支持体１０５上に載置される各チップ１００は、
・その接合面１０６がキャビティ１０８の外側に位置しており、
・チップ１００の厚さに沿ってその接合面１０６と反対側に、キャビティ１０８の底部と接触する面を示す。

例えば、複数のチップ１００を複数のキャビティ１０８から引き抜くために、支持体１０５及び基板１０１は、例えば、支持体１０５及び／又は基板１０１を移動させることによって分離され得る。換言すると、複数のキャビティ１０８からの複数のチップ１００の除去の段階は、支持体１０５と基板１０１とを離間させることによって実施することができる。このような離間により、複数のチップ１００を複数のキャビティ１０８から除去する必要性を満たすことができる。

あるいは、複数のキャビティ１０８の深さが許すならば、複数のチップ１００を液膜１０３に接触させるだけで、複数のチップ１００が基板１０１に向かって引き付けられるので、複数のチップ１００を複数のキャビティ１０８から引き出すことができる。そして、これらの複数のチップ１００を基板１０１に接合する前に、全ての複数のチップ１００を複数のキャビティから引き出す。

接合方法は、（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂを用いる場合、（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂをメカニカルグリップ上に位置決めし、（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂをメカニカルグリップ上に位置決めした後、基板１０１を（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂに接触させることを含むことができる。これにより、複数のチップ１００と基板１０１との間の完全な平行性と適切な距離を保証することができ、異なる複数のチップ１００に対しても同様に液膜１０３が接触することを保証することができる。この場合、接触する瞬間、すなわち基板１０１が（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂに接触する瞬間に、複数のチップ１００は液膜１０３に接触する（図６）。

支持体１０５としてメカニカルグリップを使用する場合には、例えば、機械１０９に属するガイド１１４ａ、１１４ｂ（図５～９）を使用することによって、下側支持体１１０と、当該下側支持体１１０に対して移動可能な上側支持体１１１とを備えた機械１０９を使用することができる。この下側支持体１１０及び上側支持体１１１は、それぞれ「チャック」と呼ぶこともできる。この場合、接合方法は、複数のチップ１００が載置される支持体１０５を、複数のチップ１００が上側支持体１１１に対向する状態で、下側支持体１１０上に配置されるようにすることができる（図５）。続いて、基板１０１を（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂに対して配置する前に（図６）、（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂを支持体１０５上に配置し（図５）、これにより液膜１０３を複数のチップ１００に接触させる。したがって、ここでは、支持体１０５に接近するのは基板１０１である。続いて、上側支持体１１１は、例えば吸引（suction）によって基板１０１を把持して接触するまで下側支持体１１０の方向に下降でき（図７）、その後、複数のチップ１００を基板１０１に接合する前に（図９）、複数のキャビティ１０８から複数のチップ１００を除去するために基板１０１と支持体１０５を離間させるように上昇させることができる（図８）。ここでの利点は、複数のチップ１００が滑ることを防止し、基板１０１の水平性を保証することである。

上側支持体１１１の変位が正確に制御される場合には、（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂは、好ましくは使用しないことが可能である。基板１０１を上側支持体１１１に固定し、液膜１０３を複数のチップ１００に接触させるために支持体１１１を所定の高さまで下げ、その後、液膜１０３に保持された複数のチップ１００とともに上側支持体１１１を上昇させることが可能である。続いて、複数のチップ１００を基板１０１に接合することを可能にする液膜１０３の蒸発を待つ。

例えば、複数のチップ１００は、メカニカルグリップの表面において、複数のキャビティ１０８から平均１００μｍ突出する。複数のチップ１００は、±５０μｍの可変厚さを有することができる。当接部１０７ａ，１０７ｂは、この例によれば、１５０μｍの厚さを有し、当接部が一方で支持体１０５と、他方で基板１０１と接触するときに、支持体１０５から基板１０１を１５０μｍ離間するスペーサを形成することができる。この場合、液膜１０３がなければ、どのチップ１００も基板１０１に押し付けることができない。厚さ１００μｍの液膜１０３では、毛細管現象により全ての複数のチップ１００が基板１０１側に引き付けられ、液膜１０３が蒸発した後に接合される。

メカニカルグリップの別の実施形態によれば、提供される支持体１０５は、複数のチップ１００が接着フィルム１１２に接着することによって接合される（図１０～図１５）接着フィルム１１２を含むことができる。接着フィルム１１２は、蒸発段階Ｅ４で変形するような弾性を有しており、液膜１０３の蒸発に伴って複数のチップ１００が基板１０１に接近することができる。接着フィルム１１２を使用する利点は、特に、液膜１０３の接合または蒸発の間の接着フィルム１１２に対する複数のチップ１００の動きを防止しつつ、複数のチップ１００の互いに対する配置を最適化することである。これにより、複数のキャビティ１０８を有するメカニカルグリップの使用と比較して、液膜１０３上での複数のチップ１００のいかなる滑りも回避されるので、より正確な接合が得られる。複数のチップ１００を基板１０１に接合した後、接合方法は、複数のチップ１００に対して接着フィルム１１２を除去する段階（図１５及び図１６）を含むことができる。接着フィルム１１２の除去のこの段階は、複数のチップ１００から分離する目的で接着フィルム１１２（図１５）を処理する段階を含むことができる。例えば、この処理段階により、接着フィルム１１２を矢印Ｆ２のように引っ張って剥離（図１６）するなどして、接着フィルムの剥離を容易にするために、接着フィルムの接着力を低減させることが可能となる。

例えば、接着フィルム１１２の除去段階は、接着フィルム１１２を加熱することによる、又は接着フィルム１１２に紫外線を照射することによる、接着フィルム１１２の処理段階（図１５において接着フィルム１１２に向けられた矢印Ｆ１の列によって表される）を含むことができる。この加熱により、接着フィルム１１２を熱的に緩んだ場合に、その除去を容易にすることが可能となる。接着フィルム１１２に紫外線（ＵＶ，ultraviolet）を照射することにより、紫外線照射により接着フィルムが緩んだ場合に、接着フィルムの剥離を容易にすることができる。

支持体１０５が接着フィルム１１２を含む場合には、接着フィルム１１２は、その周縁部をリングとも呼ばれるフレーム１１３（図１０～図１５）に接着して保持することにより、接着フィルム１１２を支持する機能を持たせることができる。図１０及び図１２～図１６において、これらの図を理解しやすくするために、支持体１０５は側断面に沿って表している。

支持体１０５が接着フィルム１１２を含む場合、接合方法は、接着フィルム１１２に（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂを接合することと、接着フィルム１１２に（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂを接合した後に、（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂを基板１０１に接触させることを含むことができる。この場合、接触する瞬間、すなわち（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂが基板１０１に接触する瞬間に、複数のチップ１００が液膜１０３に接触するので、複数のチップ１００と基板１０１との距離や平行度の制御が容易になる。換言すると、（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂの存在は、複数のチップ１００と基板１０１との間の適切な距離を保証することができ、したがって、液膜１０３が異なる複数のチップ１００に同じように接触することを保証することができる。好ましくは、フレーム１１３、（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂ及び複数のチップ１００は、接着フィルム１１２の同一の面に接合される。例えば、複数のチップ１００も接合された接着フィルム１１２に接合された（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂが存在することにより、（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂが基板１０１に接触したときに、（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂの寸法決定において接着フィルム１１２の厚さを考慮することなく、複数のチップ１００が液膜１０３に接触することを保証することができ、異なる厚さの異なる接着フィルム１１２を使用することができる。

接着フィルム１１２の使用に関連して、支持体１０５は、上述の支持体１０５と基板１０１との一体化の際に、基板１０１の下方または基板１０１の上方のいずれかに配置され得る。図１２～図１４に示す例では、支持体１０５が基板１０１の上方に配置されており、支持体１０５を基板１０１に向けて変位させることにより、基板１０１と支持体１０５とが一体化され、基板１０１は固定されたままとなる。複数のチップ１００が液膜１０３に接触できるように複数のチップ１００が液膜１０３に面していれば、支持体１０５と基板１０１は逆でもよい。

下側支持体１１０、上側支持体１１１及びガイド１１４ａ，１１４ｂを含む上記機械１０９は、接着フィルム１１２を有する支持体１０５の場合にも使用できる。しかし、上側支持体１１１が支持体１０５を吸引によって保持している場合には、液膜１０３の蒸発時に複数のチップ１００が接着フィルム１１２に伴って基板１０１側に変形することを可能にするために、複数のチップ１００が付着している接着フィルム１１２の領域では吸引が生じてはならない。したがって、接合方法は、以下のようにすることができる。
・複数のチップ１００が接着フィルム１１２への接着によって接合された支持体１０５は、上側支持体１１１に接触させて配置することができ、接着フィルム１１２を吸引することによって、複数のチップ１００の無い接着フィルムの領域においてフレーム１１３に接触させて支持体１０５を保持する（図１２）。
・基板１０１を下側支持体１１０上に配置する（図１２）。
・任意に、（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂは、接着フィルム１１２に接合されるか（図１２）、または基板１０１上に配置される。
・複数のチップ１００を液膜１０３に接触させるために、上側支持体１１１を下側支持体１１０に向かって下降させる。好ましくは、この下降は、（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂによって制限される（図１３）。
・複数のチップ１００に接触した液膜１０３を蒸発させた後、複数のチップ１００は基板１０１に接合され（図１４）、基板１０１、複数のチップ１００及び支持体１０５で形成されたアセンブリを機械１０９から引き抜くことを可能にするために上側支持体１１１を上昇させることができ（図１５）、接着フィルム１１２を除去することによって複数のチップ１００から支持体１０５を分離する（図１６）。

接着フィルム１１２を使用する場合、好ましくは上側支持体１１１の変位が正確に制御される場合には、（複数の）当接部１０７ａ，１０７ｂを使用しないことも可能である。その場合、接着フィルム１１２をフレーム１１３の基部においてのみ上側支持体１１１に固定し、その後、液膜１０３を複数のチップ１００に接触させるために、上側支持体１１１を所定の高さまで下降させることが可能である。その後、上側支持体１１１とフレーム１１３との距離を変化させずに、液膜１０３の蒸発と複数のチップ１００の接合を待てば十分である（図１４）。また、液膜１０３の蒸発に伴って、上側支持体１１１を徐々に下降させてもよい。

次に、第１の実施形態の具体例について説明する。第１の実施の形態の具体例によれば、複数のチップ１００を形成するために切り出される直径５０ｍｍのリン化インジウム（ＩｎＰ）ウエハ３枚の厚さが測定される。これら３枚のウエハの厚さを測定したところ、すべて３２５μｍ～３７５μｍであった。複数のチップ１００は、３枚のＩｎＰウエハから切り出して形成される。これらの複数のチップ１００はそれぞれ、その厚さに直交して、１０ｍｍ×１０ｍｍの正方形状を示す。続いて、複数のチップ１００の厚さの測定方向が複数のキャビティ１０８の深さの測定方向と平行になるように、メカニカルグリップの複数のキャビティ１０８内に複数のチップ１００を配置する（図４）。メカニカルグリップのサイズは２００ｍｍである。複数のキャビティ１０８は、それぞれ２５０μｍの深さを示し、それぞれキャビティの底部からキャビティ１０８の開口部に向かって延在する側壁を含み、当該側壁は、対応するキャビティ１０８の底部に直交して、１０．２ｍｍ×１０．２ｍｍの正方形状を示す。複数のチップ１００は、「ピックアンドプレイスマシン（pick and place machine）」とも呼ばれる複数のチップ１００を取り扱うためのハンドリング装置によって複数のキャビティ１０８内に配置されるが、基板１０１にダイレクトボンディングすることによって接合される接合面１０６には接触しない。このハンドリング装置は、把持された各チップの端部のみに接触するピラミッド状の工具と、各チップをその側方切欠き端部で把持する爪を形成する工具と、各チップ１００を把持するベンチュリを利用する工具とを含むことができる。その後、複数のチップ１００は、メカニカルグリップの複数のキャビティ１０８内の所定の位置にある状態で、複数のチップ１００上の炭化水素汚染を除去するために、２０秒のＯ_２プラズマでＩｎＰチップの表面処理を行うことができる。また、この処理は、複数のチップ１００のメガソニック処理による微粒子汚染の除去を含むことができる。このメガソニック処理は、メガソニック及び２％のアンモニアを添加した脱イオン水の溶液を用いて行うことができ、このようなメガソニック処理は、例えば、ECS Transactions, 33 (4), 495-500 (2010)に掲載されたF. Fournelらによる文献"Innovative megasonic cleaning technology evaluated through direct wafer bonding"に示されているように、当業者には公知である。任意に、次にシリコンで形成され、１５０μｍの厚さを有する当接部１０７ａ，１０７ｂは、特に複数のチップ１００の表面処理の最後に、複数のキャビティ１０８が形成された支持体１０５の面の周辺に配置される（図５）。アセンブリは、上述の機械内の完全に平坦な下側支持体１１０上に配置される（図５）。下側支持体１１０の水平度は、好ましくは、±０．１°である。基板１０１は、例えば、ECS Transactions, 16 (8), 475-488 (2008)に掲載されたF. Fournelらによる文献"Low Temperature Wafer Bonding"に示されているように、ダイレクトボンディングのために従来の方法で準備することもできる。続いて、基板１０１の表面に脱イオン水の膜を広げて液膜１０３を形成する（図３）。支持体１０５（メカニカルグリップ）と基板１０１とが当接部１０７ａ，１０７ｂによって分離されたときに複数のチップ１００と接触することができるように、基板１０１の表面に厚さ約５０μｍ～７５μｍの脱イオン水の膜のみを残すように、３０回転／分、２０秒の遠心工程を使用して、液膜１０３を形成することができる。直ちに、基板１０１を裏返してメカニカルグリップの上方に配置し、複数のチップ１００を液膜１０３に接触させる（図６）。必要に応じて、この配置は、メカニカルグリップ上に配置された当接部１０７ａ，１０７ｂ上に基板１０１を配置することに相当する。機械１０９内では、基板１０１の液膜１０３が形成されている面１０４とは反対側の面に、吸引用上側支持体１１１が下降する（図７）。基板１０１が上側支持体１１１によって吸引されると、この上側支持体１１１は、基板１０１の水平度、例えば±１°を維持しながら３００μｍ上昇させ、液膜１０３が基板１０１の表面上を滑って基板１０１に接合される複数のチップ１００の位置をずらす影響を防止する。液膜１０３の蒸発に必要な時間が経過すると（例えば、湿度４５％以下の大気圧、環境温度で４時間又は３０分～６時間）、複数のチップ１００は基板１０１にダイレクトボンディングされ（図９）、基板１０１は機械１０９から取り外すことができる。

次に、第２の実施形態の具体例について説明する。第２の実施形態の具体例によれば、複数のチップ１００を形成するために切り出される直径５０ｍｍのリン化インジウム（ＩｎＰ）ウエハ３枚の厚さが測定される。これら３つのウエハの測定された厚さはすべて３２５μｍ～３７５μｍであった。複数のチップ１００は、３枚のＩｎＰウエハから切り出して形成される。これらの複数のチップ１００は、その厚さに直交して、１０ｍｍ×１０ｍｍの正方形状を示す。続いて、複数のチップ１００は、例えば紫外線に感光する接着フィルム１１２上に配置され、複数のチップ１００の厚さの測定方向が接着フィルム１１２の面に直交するようにフレーム１１３上に張られる（図１０及び図１１）。そのような接着フィルム１１２は、Lintec社のAdwill D-650 UV-sensitive filmとすることができる。複数のチップ１００は、上記と同じハンドリング装置を用いて接着フィルム１１２に接着することができる。続いて、炭化水素等の複数のチップ１００の有機汚染物質を除去するために、例えば１０分間、オゾンを含む雰囲気下でチップに紫外線を照射する処理を施して複数のチップ１００の表面処理を行うことができる。その後、ダイレクトボンディング用の複数のチップ１００の表面を処理するために、特に上述したように、メガソニック処理によって微粒子汚染を除去することができる。厚さ４００μｍのシリコン製の当接部１０７ａ，１０７ｂは、特に複数のチップ１００の表面処理の最後に接着フィルム１１２上に配置することができ（図１２）、複数のチップ１００はこれらの当接部の間に位置する。接着フィルム１１２のフレーム１１３と接触している部分は、例えば上述したように、機械１０９の上側支持体１１１と接触して保持され、この保持は、上側支持体１１１によって接着フィルム１１２のこの部分のみに加えられる吸引によって行われ、上側支持体１１１は、例えば±１°の水平度を有する完全に平坦なものである。基板１０１は、その部分について、ダイレクトボンディングのために従来の方法で準備することもできる。続いて、特に用意した基板１０１の表面に脱イオン水の膜を広げて液膜１０３を形成する（図３）。支持体１０５と基板１０１とが当接部１０７ａ，１０７ｂによって分離されたときに複数のチップ１００と接触することができるように、基板１０１の表面に厚さ約５０μｍ～７５μｍの脱イオン水の膜のみを残すように、３０回転／分、２０秒間の遠心工程を使用することができる。液膜１０３を形成した直後に、基板１０１は下側支持体１１０上に配置され（図１２）、この下側支持体１１０は、例えば±０．１°まで平坦かつ水平である。上側支持体１１１は、当接部１０７ａ，１０７ｂが基板１０１の面１０４に接触するまで、複数のチップ１００が接合されるべき基板１０１の面１０４に向かって下降する（図１３）。複数のチップ１００を液膜１０３に接触させた後、この液膜１０３を、例えば、湿度４５％以下の大気圧、環境温度で４時間又は３０分～６時間蒸発させる。液膜１０３の蒸発に要する時間が経過すると、上側支持体１１１は、例えばその吸引を停止することにより、複数のチップ１００が取り付けられた支持体１０５を解放し、再び高い位置に戻る（図１４）。支持体１０５、基板１０１並びに基板１０１及び支持体１０５に接合された複数のチップ１００を含むアセンブリを機械１０９から取り出した後、接着フィルム１１２を、剥離を容易にするのに適切な方法で紫外線照射（図１５）し（例えば、Lintec社のAdwill D-650 UV-sensitive filmの場合、適切な紫外線照射は１６０ｍＪ／ｃｍ^２とすることができる）、接着フィルム１１２を複数のチップ１００から分離するために剥離する（図１６）。

本発明に係る接合方法は、複数のチップ１００間の厚さの差が±５０μｍの範囲であることを考慮しつつ、複数のチップ１００を一括して移動させて基板１０１にダイレクトボンディングによって接合するという技術を提供するという利点を有する。

本発明の接合方法は、基板へのダイレクトボンディングによるチップの接合の分野で産業上利用可能である。

Claims

ダイレクトボンディングによって複数のチップ（１００）を基板（１０１）に接合する接合方法であって、前記接合方法は、複数の前記チップ（１００）が接触する支持体（１０５）を提供する段階（Ｅ２）を含み、前記支持体（１０５）に接触する複数の前記チップ（１００）は互いに離間しており、
以下を含むことを特徴とする、接合方法。
・前記基板（１０１）の一方の平坦な面（１０４）上に直接、１つの連続した液膜（１０３）を形成する段階（Ｅ１）と、
・複数の前記チップ（１００）を連続した前記液膜（１０３）に接触させる段階（Ｅ３）であって、複数の前記チップ（１００）を前記液膜（１０３）に接触させる作用により、複数の前記チップ（１００）を前記基板（１０１）に向けて引き付ける段階（Ｅ３）と、
・複数の前記チップ（１００）を前記基板（１０１）の平坦な面（１０４）にダイレクトボンディングするための前記液膜（１０３）の蒸発段階（Ｅ４）であって、前記蒸発段階（Ｅ４）の間、前記基板（１０１）は、水平状態に維持される。
前記液膜（１０３）が脱イオン水の膜であることを特徴とする、請求項１に記載の接合方法。
前記液膜（１０３）を形成する前記段階（Ｅ１）は、遠心によって前記基板（１０１）の面（１０４）上に前記液膜（１０３）を成膜させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の接合方法。
前記基板（１０１）と前記支持体（１０５）とを一体化させることにより、複数の前記チップ（１００）と前記液膜（１０３）とを接触させる前記段階（Ｅ３）を行うことを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の接合方法。
前記基板（１０１）と前記支持体（１０５）との間に配置された少なくとも１つの当接部（１０７ａ，１０７ｂ）を用いて、複数の前記チップ（１００）を前記液膜（１０３）に接触させる前記一体化の動作を停止させ、その結果として、前記一体化が停止した瞬間に、
・複数の前記チップ（１００）が前記液膜（１０３）に接触し、
・前記液膜（１０３）は、各チップ（１００）を前記基板（１０１）から分離させる
ことを含むことを特徴とする、請求項４に記載の接合方法。
前記支持体（１０５）は、複数の前記チップ（１００）が載置されるメカニカルグリップであることを特徴とする、請求項５に記載の接合方法。
前記メカニカルグリップは複数のキャビティ（１０８）を含み、各チップ（１００）は前記キャビティ（１０８）内に配置され、このキャビティ（１０８）から突出しており、複数の前記キャビティ（１０８）から複数の前記チップ（１００）を除去する除去段階を含み、複数の前記チップ（１００）を除去する前記除去段階は、複数の前記チップ（１００）を前記液膜（１０３）に接触させた後、複数の前記チップ（１００）を前記基板（１０１）に接合させる前に実施されることを特徴とする、請求項６に記載の接合方法。
複数の前記キャビティ（１０８）からの複数の前記チップ（１００）を除去する前記除去段階は、前記支持体（１０５）と前記基板（１０１）とを離間させることによって行われることを特徴とする請求項７に記載の接合方法。
以下を特徴とする、請求項５に記載の接合方法。
・前記支持体（１０５）は、複数の前記チップ（１００）が接合された接着フィルム（１１２）を有する。
・前記接着フィルム（１１２）は、前記蒸発段階（Ｅ４）において変形するような弾性を示す。
・前記基板（１０１）に複数の前記チップ（１００）を接合した後、前記接合方法は前記接着フィルム（１１２）を除去する段階を含む。
前記接着フィルム（１１２）を除去する前記段階は、前記接着フィルム（１１２）を加熱処理する段階、又は前記接着フィルム（１１２）を紫外線照射処理する段階を含むことを特徴とする請求項９に記載の接合方法。
前記当接部（１０７ａ，１０７ｂ）を前記メカニカルグリップ上に位置決めし、前記当接部（１０７ａ，１０７ｂ）を前記メカニカルグリップ上に位置決めした後に前記基板（１０１）を前記当接部（１０７ａ，１０７ｂ）に接触させることを含み、前記基板（１０１）が前記当接部（１０７ａ，１０７ｂ）に接触する瞬間に、複数の前記チップ（１００）が前記液膜（１０３）に接触することを特徴とする、請求項６～８のいずれか一項に記載の接合方法。
前記当接部（１０７ａ，１０７ｂ）と前記接着フィルム（１１２）とを接合し、前記当接部（１０７ａ，１０７ｂ）と前記接着フィルム（１１２）とを接合した後に前記当接部（１０７ａ，１０７ｂ）と前記基板（１０１）とを接触させることを含み、前記当接部（１０７ａ，１０７ｂ）と前記基板（１０１）とが接触した瞬間に、複数の前記チップ（１００）と前記液膜（１０３）とが接触することを特徴とする、請求項９～１０のいずれか一項に記載の接合方法。
前記蒸発段階（Ｅ４）において、前記基板（１０１）が±１°の水平状態に維持されることを特徴とする、請求項１～１２のいずれか一項に記載の接合方法。