JP7608871B2 - 複合導電性部材、試料保持具、静電チャック装置 - Google Patents
複合導電性部材、試料保持具、静電チャック装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7608871B2 JP7608871B2 JP2021031789A JP2021031789A JP7608871B2 JP 7608871 B2 JP7608871 B2 JP 7608871B2 JP 2021031789 A JP2021031789 A JP 2021031789A JP 2021031789 A JP2021031789 A JP 2021031789A JP 7608871 B2 JP7608871 B2 JP 7608871B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- internal electrode
- sample holder
- power supply
- supply terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 99
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 127
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 52
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 43
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 35
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 33
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 22
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 10
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 6
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 5
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 5
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003703 image analysis method Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- -1 graphite and carbon Chemical compound 0.000 description 3
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000282341 Mustela putorius furo Species 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003921 particle size analysis Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBOUWLBQUVHNJT-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Y+3].[Mo+4] Chemical compound [O-2].[Y+3].[Mo+4] OBOUWLBQUVHNJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAIQCYZCSGLAAN-UHFFFAOYSA-N [Si+4].[O-2].[Al+3] Chemical compound [Si+4].[O-2].[Al+3] YAIQCYZCSGLAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGDHHIUWSXNBR-UHFFFAOYSA-N [W+4].[O-2].[Al+3] Chemical compound [W+4].[O-2].[Al+3] QVGDHHIUWSXNBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQLOCUKZAJRPAO-UHFFFAOYSA-N aluminum oxygen(2-) tantalum(5+) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Ta+5] VQLOCUKZAJRPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDUQUDHFIZQTCS-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);samarium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Sm+3] DDUQUDHFIZQTCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000002847 impedance measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical class C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAGQSESDQXCFCH-UHFFFAOYSA-N methane;molybdenum Chemical compound C.[Mo].[Mo] JAGQSESDQXCFCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
試料保持具では、その載置面に半導体ウエハ等の板状試料を載置し、内部電極に高周波の電力を印加することによって、板状試料の処理を可能としている。
また、試料保持具の載置面に静電チャック部を備えている構成を有してもよい。
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
本発明の一実施形態に係る複合導電性部材は、絶縁性材料と、導電性材料と、を含む。
本実施形態の複合導電性部材は、複合導電性部材からなり、直径10mm以上の試験片の両端のインピーダンスを測定した場合、100kHzで測定されるインピーダンスが、100Hzで測定されるインピーダンスの0.2倍以上5倍以下であり、1倍以上5倍以下であることが好ましく、1倍以上2倍以下であることがより好ましい。100kHzで測定されるインピーダンスと100Hzで測定されるインピーダンスが0.2倍未満では、プラズマを発生させる高周波の位相がずれるため、静電チャックを使用する半導体製造装置を正常に動作させるのが難しくなる。100kHzで測定されるインピーダンスと100Hzで測定されるインピーダンスが5倍を超えると、静電チャックの発熱の周波数による変化が大きくなり静電チャックの温度制御を適切に行うことができなくなる。
試験片の直径は、試験片に電流が流れる面積が、試験片を電極層に用いた場合の電流が流れる面の断面の面積よりも大きくなればよい。しかしながら、試験片を試料保持具の電極材料として使用する場合には、試料保持具の給電端子の導通方向の直径は最大でも10mm程度である。そのため、直径が10mm以上の試験片を使用すればよく、例えば、厚さ3mm、直径28mmの平面視で円盤状の試験片を用い、試験片両面の間でのインピーダンスを直径13mmの電極を用いて測定することができる。
表皮効果によりインピーダンスが大きくなる影響は、導体に電流が流れる断面の面積が大きいほど受けやすくなる。そのため、試験片の直径は、試験片に電流が流れる面積が、試験片を電極層に用いた場合の電流が流れる面の断面の面積よりも大きければ、試料保持具の給電端子や内部電極層等に用いが場合でも、周波数によりインピーダンスが変化する影響が小さい試料保持具とすることができる複合導電性部材であることが確認できる。
なお、インピーダンスの測定は複合導電性部材を試料保持具部材などに内部電極層および(または)給電端子として組み込んだ後、試料保持具が実際に使用されるのと同様の状態で電圧を印加して周波数によるインピーダンスの変化を測定してもよい。
本実施形態の複合導電性部材は、上記内部電極層以外にも用いられるため、その形状は平面視で円盤状に限定されない。
導電性材料としては、例えば、導電性セラミックス、炭素(C)、高融点金属、およびこれらの混合物や化合物等が挙げられる。
導電性セラミックスとしては、特に限定されないが、例えば、炭化ケイ素(SiC)、酸化チタン(TiO2)、窒化チタン(TiN)、炭化チタン(TiC)、炭化タングステン(WC)、炭化モリブデン(Mo2C)、タンタル(Ta)、炭化タンタル(TaC、Ta4C5)等が挙げられる。炭素(C)としては、例えば、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、フラーレン等が挙げられる。高融点金属としては、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、等が挙げられる。
導電性材料の粒径は最大フェレー径が20μm以下であることが好ましく、15μm以下であることがより好ましい。また、フェレー径のD10は4.5μm以下であることが好ましく、4.0μm以下であることがより好ましく、3.0μm以下であることがさらに好ましい。フェレー径のD50は10μm以下であることが好ましい。フェレー径のD90は15μm以下であることが好ましく、10μm以下であることがより好ましい。フェレー径を上記下限以下にすることによって、導電パスの太さが小さくなり、表皮効果の影響を小さくする効果が得られる。
フェレー径のD10に対するフェレー径のD90比率(D90/D10)は5以下 であることが好ましく4以下であることがより好ましく、3.5以下であることがさらに好ましい。前記比率(D90/D10)を4以下とすれば、導電性材料の粒径のばらつきが小さくなるため、導電に寄与しない粒子を減らすことができ、直流での抵抗値を低くすることができる。また、高周波を印加した際にコンデンサとして作用する成分を減らすことができる。
フェレー径は、複合導電性部材の断面をSEMにより観察した画像(SEM画像)から測定することができる。SEM画像を二値化することにより、測定対象となる領域の境界を明確にして測定することが好ましい。測定における基本的操作については、JIS Z8827-1「粒子径解析-画像解析法-第1部:静的画像解析法」に記載の方法に準拠した方法を用いることが好ましい。
絶縁性材料としては、例えば、絶縁性セラミックス、ガラス、プラスチック、シリコーン等が挙げられる。
絶縁性セラミックスとしては、特に限定されないが、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ケイ素(Si3N4)、酸化イットリウム(Y2O3)、イットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)、サマリウム-アルミニウム酸化物(SmAlO3)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化ケイ素(SiO2)等が挙げられる。
導電性複合部材は、導電性材料の原料粉末を絶縁性材料の原料と混合し、成形または焼結することによって、導電性材料と絶縁性材料が一体となった複合体を形成する。
焼結温度は、複合導電性部材の焼結が充分に行える温度範囲でなるべく低い温度とすることが好ましく、例えば、絶縁性材料として酸化アルミニウムを使用する場合には1500℃以上1800℃以下であることが好ましく、1600℃以上1700℃以下であることがより好ましい。焼結温度が前記の下限値未満であると、導電性材料の焼結を充分に行うことができない。焼結温度が前記の上限値を超えると、導電性材料の焼結が進み、導電性材料の粒子径が大きくなってしまう。
本発明の一実施形態に係る試料保持具は、試料を載置する載置面を有するセラミックス部材と、セラミックス部材の内部に設けられた内部電極層と、セラミックス部材における載置面とは反対側の面に設けられ、内部電極層に電圧を印加する給電端子と、を備える。
なお、以下の全ての図面においては、図面を見易くするため、各構成要素の寸法や比率等は適宜異ならせてある。
図1に示すように、本実施形態の試料保持具1は、上面が半導体ウエハ等の板状試料を載置する載置面2aとされたセラミックスからなる載置板2と、載置板2の載置面2aとは反対の面側に設けられたセラミックスからなる支持板3と、これら載置板2と支持板3との間に挟持された内部電極層4と、内部電極層4における上記載置面2aとは反対側の面(下面)4bに設けられた給電端子5と、を有している。また、本実施形態の試料保持具1は、内部電極層4の周囲を囲む環状の絶縁材6を有する。
支持板3には、その厚さ方向に貫通する固定孔7が形成されている。給電端子5の外周部と固定孔7は焼結により接合されている。また、給電端子5の厚さ方向の上面5aと内部電極層4の下面4bは焼結により接合されている。
以下の説明においては、載置板2の載置面2a側を「上」、支持板3側を「下」として記載し、各構成の相対位置を表すことがある。
また、距離d1および距離d3は、d1<d3の関係を満たすことが好ましい。距離d3が距離d1よりも大きくなることで、給電端子5の周囲の熱容量が給電端子5の上部における載置板2の熱容量よりも多くなる。さらに、給電端子5と載置板2との間の熱伝達を向上することができるため、試料保持具1は、給電端子5の周囲においても均熱性に優れる。
なお、距離d2は、支持板3の厚さに相当する。また、距離d3は、給電端子5の厚さに相当する。
載置板2を構成するセラミックスとしては、誘電体材料であり、機械的な強度を有し、しかも腐食性ガスおよびそのプラズマに対する耐久性を有するものであれば特に限定されない。このようなセラミックスとしては、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)焼結体、窒化アルミニウム(AlN)焼結体、酸化アルミニウム(Al2O3)-炭化ケイ素(SiC)複合焼結体等が好適に用いられる。
支持板3は、載置板2と内部電極層4を下側から支持している。
支持板3の厚さは、0.5mm以上かつ5mm以下であることが好ましく、0.5mm以上かつ3mm以下であることがより好ましい。支持板3の厚さが前記下限値以上であると、充分な耐電圧を確保することができる。支持板3の厚さが前記上限値以下であると、載置板2の熱容量が小さくなり、処理中の板状試料の温度を均一にすることができるため、板状試料の温度を制御することが容易になる。
内部電極層4では、高周波電圧を印加することにより、載置板2に載置した基板を処理するために用いる。
給電端子5は、内部電極層4に高周波電圧を印加するためのものである。給電端子5は、支持板3を厚さ方向に貫通するように形成された固定孔7内に設けられている。
給電端子5の厚さd3は、支持板3の厚さd2に対して、1/2d2<d3≦d2の範囲であることが好ましい。給電端子5の厚さd3をこの範囲にすることによって、給電端子5と載置板2の間の熱伝達が充分に行えるようになるため、試料保持具1は、給電端子5の周囲においても均熱性に優れる。
給電端子5は、焼結により固定孔7と接合していることが好ましい。焼結により給電端子5と固定孔7が接合していることで、給電端子5の近傍での熱伝達が向上し、試料保持具1は、給電端子5の周囲においても均熱性に優れるものとなる。
絶縁材6は、内部電極層4を囲繞して、腐食性ガスおよびそのプラズマから、内部電極層4を保護するためのものである。
絶縁材6は、載置板2および支持板3と同一組成、または主成分が同一の絶縁性材料から構成されている。絶縁材6により、載置板2と支持板3とが、内部電極層4を介して接合一体化されている。
以下、図1を参照しながら、本実施形態の試料保持具の製造方法について説明する。
本実施形態の試料保持具の製造方法は以下の通りである。
載置板および支持板を準備する。なお、試料保持具を静電チャックとして使用する場合には、試料を静電吸着させるための静電吸着用内部電極層を内蔵した支持板を準備する。試料保持具を加熱装置として使用する場合には、加熱用のヒーター電極層を内蔵させた支持板または載置板を準備する。載置板および支持板に静電吸着用内部電極層やヒーター電極層を内蔵させる方法としては、公知の方法を適宜用いることができる。例えば、2枚のセラミックス板を用意し、一方のセラミックス板の一面に、焼結することによって静電吸着用内部電極層またはヒーター電極層となるペーストを塗布し、2枚のセラミックス板の間にペーストを塗布した面を挟み、ホットプレス等によって加熱して接合、焼結する方法用いることができる。なお、試料保持具に静電吸着用の電極層やヒーター電極層を設ける場合や、試料保持具に使用目的に応じた貫通孔を穿孔する必要がある場合には、目的に応じで電極層となる塗膜の中に絶縁層となる塗膜を設けておくことができる。
前記支持板に給電端子を設置するための固定孔を穿孔する。また、上述の方法で作製した本実施形態の複合導電性部材を固定孔と同じ形状に加工する。この際、複合導電性部材の直径を、固定孔の直径よりも0.01mm以上0.1mm以下の範囲内で小さくすることが好ましい。複合導電性部材の直径を前記範囲内にすることによって、後述する第4の工程において、給電端子と固定孔および内部電極層とを良好に接合することができる。
なお、給電端子は固定孔に挿入し、テープ等で仮止めしておく。
第1の工程で得られた載置板または支持板の一方に、内部電極層形成用ペーストを塗布して、内部電極層形成用の塗膜を形成するとともに、絶縁層形成用ペーストを塗布して絶縁層形成用の塗膜を形成する。
なお、試料保持具に静電吸着用の電極層やヒーター電極層を設ける場合やガス導入孔等の使用目的に応じた貫通孔を穿孔する必要がある場合には、目的に応じで電極層となる塗膜の中に絶縁層となる塗膜を設けておくことができる。
また、本実施形態の試料保持具の製造方法では、内部電極層形成用ペーストまたは給電端子の少なくとも一方が本実施形態の複合導電性部材を含む。
載置板と支持板を、上記内部電極層形成用の塗膜および上記絶縁層形成用の塗膜を形成した面が内側になるように挟み、ホットプレス装置に設置する。載置板と支持板を設置する際に、給電端子を固定孔に仮止めするために用いたテープ等を剥がしておく。
ホットプレス装置を加圧、昇温して、載置板、支持体、電極層、給電端子が一体化する。ホットプレスの温度や圧力、雰囲気等の条件は、上述の複合導電性部材を焼結する際と同様の条件とすることができる。
得られた部材の表面等を研削加工して、目的の形状とすることによって、本実施形態の試料保持具が得られる。
本発明の一実施形態に係る静電チャック装置100は、載置板に静電吸着電極層を内蔵した本発明の試料保持具を用い、温度調整用ベース部材と載置板に静電吸着電極層を内蔵した本発明の試料保持具とを、接着剤層を介して接合してなる静電チャック装置であってもよい。
図2に示すように、静電チャック装置100は、支持板内に静電吸着用の電極層を有する試料保持具1と温度調整用ベース部材30と、これら試料保持具1および温度調整用ベース部材30を接合・一体化する接着剤層40と、を有している。本実施形態の静電チャック装置100では、試料保持具1は静電チャック部材である。
温度調整用ベース部材30は、金属およびセラミックスの少なくとも一方からなる厚みのある円板状のものである。温度調整用ベース部材30の躯体は、プラズマ発生用内部電極を兼ねた構成としてもよい。温度調整用ベース部材30の躯体の内部には、水、Heガス、N2ガス等の冷却媒体を循環させる流路(図示略)が形成されている。また、温度調整用ベース部材30の躯体には、収容孔41が形成されている。収容孔41は、支持板3の固定孔7と連通している。
温度調整用ベース部材30における少なくともプラズマに曝される面は、アルマイト処理またはポリイミド系樹脂による樹脂コーティングが施されていることが好ましい。また、温度調整用ベース部材30の全面が、前記のアルマイト処理または樹脂コーティングが施されていることがより好ましい。
接着剤層40は、試料保持具1と温度調整用ベース部材30とを接合・一体化するものである。
接着剤層40の厚さが上記の範囲内であれば、試料保持具1と温度調整用ベース部材30との間の接着強度を充分に保持することができる。また、試料保持具1と温度調整用ベース部材30との間の熱伝導性を充分に確保することができる。
シリコーン系樹脂組成物は、シロキサン結合(Si-O-Si)を有するケイ素化合物であり、耐熱性、弾性に優れた樹脂であるので、より好ましい。
ここで、熱硬化温度が70℃を下回ると、試料保持具1と温度調整用ベース部材30とを対向させた状態で接合する際に、接合過程で硬化が充分に進まないことから、作業性に劣ることになるため好ましくない。一方、熱硬化温度が140℃を超えると、試料保持具1および温度調整用ベース部材30との熱膨張差が大きく、試料保持具1と温度調整用ベース部材30との間の応力が増加し、これらの間で剥離が生じることがあるため好ましくない。
誘電体板22と、中間板23と、支持板3となる3枚のセラミックス板を用意する。
中間板23における静電吸着用内部電極層24が形成される一方の面に、焼結することで静電吸着用内部電極層24となるペーストを塗布する。同様に、支持板3における内部電極層4が形成される一方の面に、焼結することで内部電極層4となるペーストを塗布する。
次いで、誘電体板22と中間板23との間に静電吸着用内部電極層24となるペーストを塗布した面を挟み込む。また、中間板23と支持板3との間に内部電極層4となるペーストを塗布した面を挟み込む。これにより、上記のペーストを介して積層された誘電体板22と中間板23と支持板3との積層体を形成する。
次いで、上記の積層体をホットプレス等で加熱して焼結し、誘電体板22と中間板23と支持板3とを接合するとともに、誘電体板22と中間板23との間に静電吸着用内部電極層24を形成し、中間板23と支持板3との間に内部電極層4を形成する。これにより、試料保持具1が得られる。
なお、使用目的に応じで、内部電極層4や静電吸着用内部電極層24となる塗膜の中に、絶縁層となる塗膜を設けておくことができる。
ホットプレスの温度や圧力、雰囲気等の条件は、上述の複合導電性部材を焼結する際と同様の条件とすることができる。
また、試料保持具1および静電チャック装置100には、使用する目的に応じて冷却用のヘリウム(He)ガスを流すための貫通孔や板状試料を搬送する際に使用するリフトピンを通すための貫通孔等を公知の技術を用いて、適宜設けることができる。
出発原料に、絶縁性材料の原料として酸化アルミニウム粉末(平均粒子径0.2μm、大明化学社製)と、導電性材料の原料として炭化タングステン粉末(平均粒子径1μm、日本新金属社製)とを用いた。
分散媒としての2-プロパノールに、炭化タングステン粉末と、分散剤としての高分子分散剤とを加え、直径0.1mmの酸化ジルコニウム製のビーズを用いたビーズミルにて2時間分散処理を行い、炭化タングステン粉末分散液を得た。
得られた炭化タングステン粉末分散液に、酸化アルミニウム粉末と2-プロパノールとを加え、直径が1mm以上5mm以下の酸化アルミニウム製のメディアを用いたボールミルを使用し、5時間混合した。なお、酸化アルミニウム粉末と炭化タングステン粉末の割合は、酸化アルミニウム粉末が60体積%、炭化タングステン粉末が40体積%となるようにした。ボールミルで混合して得られた分散液を乾燥して、複合導電性部材の原料粉末を得た。
複合導電性部材の原料粉末を、金型成形法によりプレス圧5MPaで一軸プレス成形し、直径50mm×厚さ6mmの円盤状の複合導電性部材の成形体を得た。
得られた成形体を黒鉛製のモールドにセットし、加圧焼結を行った。まず、成形体を、真空雰囲気下、プレス圧を加えることなく、室温から900℃まで10℃/分の昇温速度で昇温させた。加熱温度が900℃に達した後、1時間保持し、その後、大気圧のアルゴン雰囲気、プレス圧を20MPaとし、1650℃まで10℃/分の昇温速度で昇温させ、3時間保持することにより焼結を行い、実施例1の複合導電性部材を得た。
導電性材料の原料として炭化タンタル粉末(平均粒子径1μm、日本新金属社製)を用いたこと以外は実施例1と同様の方法により、実施例2の複合導電性部材を得た。
導電性材料の原料として炭化モリブデン粉末(平均粒子径1μm、日本新金属社製)を用い、ビーズミルによる導電性材料の原料の分散処理を行わないこと以外は実施例1と同様の方法により、実験例1の複合導電性部材を得た。
導電性材料の原料として炭化モリブデン粉末(平均粒子径1μm、日本新金属社製)を用い、加圧焼結における最高温度を1800℃、プレス圧を10MPaとしたこと以外は実施例1と同様の方法により、比較例1の複合導電性部材を得た。
実施例1、実施例2、実験例1および比較例1における複合導電性部材について、導電性粒子のフェレー径、導電性粒子のフェレー径のばらつき、インピーダンスを測定した。
導電性粒子のフェレー径を、複合導電性部材の断面をSEMにより観察した画像(SEM画像)から測定した。測定における基本的操作には、JIS Z8827-1「粒子径解析-画像解析法-第1部:静的画像解析法」に記載の方法に準拠した方法を用いた。
上記の方法により、導電性粒子のフェレー径のD90とD10を測定し、フェレー径のD10に対するフェレー径のD90比率(D90/D10)を算出して、導電性粒子のフェレー径のばらつきを評価した。
結果を表2に示す。
実施例1、実施例2、実験例1および比較例1における複合導電性部材について、直径を28mm、厚さを3mmの試験片を作成してインピーダンスを測定した。測定に用いる電極の主電極の直径は13mmとし、100Hz、100kHzおよび1MHzでインピーダンスを測定した。測定にはキーサイトテクノロジーズ社製のインピーダンスアナライザE4990A、テストフィクスチャー16451B電極タイプTypeD(試験片サイズ:直径28mm、厚さ3mm、主電極の直径13mm)を使用した。100kHzでのインピーダンスから100Hzでのインピーダンスを除した値を100kHzでのインピーダンス変化率とし、1MHzでのインピーダンスから100Hzでのインピーダンスを除した値を100kHzでのインピーダンス変化率とした。
結果を表2に示す。
また、実施例1の複合導電性部材のインピーダンス変化率は1以上であり、実施例2の複合導電性部材のインピーダンス変化率は1.9以下であった。これは、実施例2の複合導電性部材のフェレー径のばらつき(D90/D10)が大きいため、導電に寄与しない導電性粒子の割合が増え、複合導電性部材のリアクタンスにコンデンサとして作用する成分が増えたためである。
2 載置板
3 支持板
4 内部電極層
5 給電端子
6 絶縁材
7 固定孔
22 誘電体板
23 中間板
24 静電吸着用内部電極層
25 静電吸着用給電端子
26 絶縁材
30 温度調整用ベース部材
40 接着剤層
41 収容孔
51 碍子
52 貫通孔
61 高周波電源
62 直流電源
71 電源接続部
81 ロウ材
100 静電チャック装置
Claims (7)
- 試料保持具の内部電極又は給電端子を構成する複合導電性部材であって、
前記複合導電性部材は、絶縁性材料と、導電性材料と、を含み、
前記複合導電性部材からなり、直径10mm以上の試験片の両端のインピーダンスを測定した場合、100kHzで測定されるインピーダンスが、100Hzで測定されるインピーダンスの0.2倍以上5倍以下である、複合導電性部材。 - 前記試験片において、100kHzで測定されるインピーダンスが、100Hzで測定されるインピーダンスの1倍以上5倍以下である、請求項1に記載の複合導電性部材。
- 前記導電性材料の粒径は20μm以下である、請求項1または2に記載の複合導電性部材。
- 試料を載置する載置面を有するセラミックス部材と、前記セラミックス部材の内部に設けられた内部電極層と、前記内部電極層における前記載置面とは反対側の面に設けられた給電端子と、を備え、
前記内部電極層および前記給電端子の少なくとも一方が請求項1または2に記載の複合導電性部材から構成される、試料保持具。 - 前記内部電極層の厚さは50μm以上である、請求項4に記載の試料保持具。
- 前記内部電極層の厚さ方向の下面と前記セラミックス部材における前記載置面とは反対側の面との距離をd2、前記内部電極層の厚さ方向の下面と前記給電端子の厚さ方向の下面との距離をd3とした場合、1/2d2<d3≦d2を満たす、請求項4または5に記載の試料保持具。
- 静電チャック部材と、温度調整用ベース部材とを、接着剤層を介して接合してなる静電チャック装置であって、
前記静電チャック部材は、請求項4~6のいずれか1項に記載の試料保持具からなる、静電チャック装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021031789A JP7608871B2 (ja) | 2021-03-01 | 2021-03-01 | 複合導電性部材、試料保持具、静電チャック装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021031789A JP7608871B2 (ja) | 2021-03-01 | 2021-03-01 | 複合導電性部材、試料保持具、静電チャック装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022133003A JP2022133003A (ja) | 2022-09-13 |
| JP7608871B2 true JP7608871B2 (ja) | 2025-01-07 |
Family
ID=83229352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021031789A Active JP7608871B2 (ja) | 2021-03-01 | 2021-03-01 | 複合導電性部材、試料保持具、静電チャック装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7608871B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003212657A (ja) | 2002-01-25 | 2003-07-30 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 接地抵抗器及びその製造方法 |
| JP2012178552A (ja) | 2011-02-04 | 2012-09-13 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 静電チャック部材 |
| WO2019208191A1 (ja) | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 日本碍子株式会社 | ウエハ支持台 |
| JP2020161801A (ja) | 2019-03-22 | 2020-10-01 | Toto株式会社 | 静電チャック |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6155922B2 (ja) * | 2013-07-12 | 2017-07-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
-
2021
- 2021-03-01 JP JP2021031789A patent/JP7608871B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003212657A (ja) | 2002-01-25 | 2003-07-30 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 接地抵抗器及びその製造方法 |
| JP2012178552A (ja) | 2011-02-04 | 2012-09-13 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 静電チャック部材 |
| WO2019208191A1 (ja) | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 日本碍子株式会社 | ウエハ支持台 |
| JP2020161801A (ja) | 2019-03-22 | 2020-10-01 | Toto株式会社 | 静電チャック |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022133003A (ja) | 2022-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102675440B1 (ko) | 정전 척 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP5117146B2 (ja) | 加熱装置 | |
| CN101501834A (zh) | 静电吸盘装置 | |
| JP7020221B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
| JP7322922B2 (ja) | セラミックス接合体の製造方法 | |
| JP6645319B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
| JP7020238B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
| JP2003124299A (ja) | 電極内蔵型サセプタ及びその製造方法 | |
| KR20040007347A (ko) | 전극 내장형 서셉터 | |
| JP2021158242A (ja) | 静電チャック装置 | |
| JP2003152064A (ja) | 電極内蔵型サセプタ及びその製造方法 | |
| JP7608871B2 (ja) | 複合導電性部材、試料保持具、静電チャック装置 | |
| JP4943085B2 (ja) | 静電チャック装置及びプラズマ処理装置 | |
| JP2001077185A (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
| TWI894416B (zh) | 陶瓷接合體及靜電卡盤裝置 | |
| JP2021158236A (ja) | 静電チャック装置 | |
| JP4241571B2 (ja) | 双極型静電チャックの製造方法 | |
| JP7010313B2 (ja) | セラミックス接合体、静電チャック装置、セラミックス接合体の製造方法 | |
| JP2023138087A (ja) | 静電チャック部材、静電チャック装置、および静電チャック部材の製造方法 | |
| JP4069875B2 (ja) | ウェハ保持部材 | |
| JP7772111B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
| WO2025205323A1 (ja) | 静電チャック装置、基台の製造方法及び静電チャック装置の製造方法 | |
| JP2023138085A (ja) | 静電チャック部材、および静電チャック装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230824 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240516 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240618 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240802 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20241119 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20241202 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7608871 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |

