JP7010313B2 - セラミックス接合体、静電チャック装置、セラミックス接合体の製造方法 - Google Patents
セラミックス接合体、静電チャック装置、セラミックス接合体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7010313B2 JP7010313B2 JP2020015793A JP2020015793A JP7010313B2 JP 7010313 B2 JP7010313 B2 JP 7010313B2 JP 2020015793 A JP2020015793 A JP 2020015793A JP 2020015793 A JP2020015793 A JP 2020015793A JP 7010313 B2 JP7010313 B2 JP 7010313B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- intermediate layer
- coating film
- conductive layer
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/003—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
- C04B35/111—Fine ceramics
- C04B35/117—Composites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/5607—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3817—Carbides
- C04B2235/3826—Silicon carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3817—Carbides
- C04B2235/3839—Refractory metal carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/04—Ceramic interlayers
- C04B2237/06—Oxidic interlayers
- C04B2237/064—Oxidic interlayers based on alumina or aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/04—Ceramic interlayers
- C04B2237/08—Non-oxidic interlayers
- C04B2237/083—Carbide interlayers, e.g. silicon carbide interlayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
- C04B2237/343—Alumina or aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
- C04B2237/363—Carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
- C04B2237/365—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
- C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/72—Forming laminates or joined articles comprising at least two interlayers directly next to each other
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
例えば、この板状試料にプラズマ雰囲気下にてエッチング処理等を施す場合、プラズマの熱により板状試料の表面が高温になり、表面のレジスト膜が張り裂ける(バーストする)等の問題が生じる。
そこで、この板状試料の温度を所望の一定の温度に維持するために、静電チャック装置が用いられている。静電チャック装置は、上記の静電チャック部材の下面に、金属製の部材の内部に温度制御用の冷却媒体を循環させる流路が形成された温度調整用ベース部材を、シリコーン系接着剤を介して接合・一体化した装置である。
この静電チャック装置では、温度調整用ベース部材の流路に温度調整用の冷却媒体を循環させて熱交換を行い、静電チャック部材の上面に固定された板状試料の温度を望ましい一定の温度に維持しつつ静電吸着し、この板状試料に各種のプラズマ処理を施すようになっている。
R1=t2/t1×100(%) (1)
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
(第1の実施形態)
以下、図1を参照しながら、本発明の一実施形態に係るセラミックス接合体について説明する。
なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率等は適宜異ならせてある。
以下、セラミックス板2を第1のセラミックス板2、セラミックス板3を第2のセラミックス板3、中間層6を第1の中間層6、中間層7を第2の中間層7と言う。
図1に示すように、セラミックス接合体1は、第1のセラミックス板2と、第1の中間層6と、導電層4および絶縁層5と、第2の中間層7と、第2のセラミックス板3とがこの順に積層されている。すなわち、セラミックス接合体1は、第1のセラミックス板2と第2のセラミックス板3が、第1の中間層6、導電層4、絶縁層5および第2の中間層7を介して、接合一体化されてなる接合体である。
第1のセラミックス板2および第2のセラミックス板3の厚さは、特に限定されず、セラミックス接合体1の用途に応じて適宜調整される。
導電層4が、導電性物質と絶縁性物質からなることにより、第1のセラミック板2および、第2のセラミック板3との接合強度並びに、電極としての機械的強度が強くなる。
導電層4に含まれる絶縁性物質が、酸化アルミニウム(Al2O3)であることにより、高温での誘電特性、高耐食性、耐プラズマ性、耐熱性が保たれる。
本実施形態のセラミックス接合体1では、絶縁層5の厚さは、導電層4の厚さと等しくなっている。
絶縁層5を構成する絶縁性物質は、特に限定されないが、第1のセラミック板2および第2のセラミック板3の主成分と同じにすることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化イットリウム(Y2O3)、イットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)等が挙げられる。絶縁層5を構成する絶縁性物質は、酸化アルミニウム(Al2O3)であることが好ましい。絶縁層5を構成する絶縁性物質が、酸化アルミニウム(Al2O3)であることにより、高温での誘電特性、高耐食性、耐プラズマ性、耐熱性が保たれる。
絶縁層5を構成する絶縁性物質の平均一次粒子径が1.6μm以上であれば、充分な耐電圧性を得ることができる。一方、絶縁層5を構成する絶縁性物質の平均一次粒子径が10.0μm以下であれば、研削等の加工性がよい。
導電層4の厚さをt1、第1の中間層6の厚さと第2の中間層7の厚さの合計をt2としたとき、下記の式(1)で定義される導電層4の厚さt1に対する、第1の中間層6の厚さと第2の中間層7の厚さの合計t2の比(R1)は3%以上であることが好ましく、8%以上であることがより好ましい。
R1=t2/t1×100(%) (1)
R1が3%以上であれば、セラミックス板と内部電極との界面に導電パスが形成されなくなることから、充分な側面絶縁耐性が得られる。
また、R1は、50%以下であることが好ましく、40%以下であることがより好ましい。R1が50%を超えると導電層4が充分な厚みを得ることができなくなるため、均一な吸着力、温度均熱性等が低下するため好ましくない。
第1の中間層6および第2の中間層7を構成する絶縁性物質は、特に限定されないが、第1セラミック板2、第2セラミック板3の主成分と同じとすることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化イットリウム(Y2O3)、イットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)等が挙げられる。第1の中間層6および第2の中間層7を構成する絶縁性物質は、酸化アルミニウム(Al2O3)であることが好ましい。第1の中間層6および第2の中間層7を構成する絶縁性物質が、酸化アルミニウム(Al2O3)であることにより、高温での誘電特性、高耐食性、耐プラズマ性、耐熱性が保たれる。
図2は、本実施形態のセラミックス接合体を示す断面図である。なお、図2において、図1に示したセラミックス接合体と同一の構成には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
図2に示すように、本実施形態のセラミックス接合体10は、導電性物質を含む一対のセラミックス板2,3と、一対のセラミックス板2,3の間に介在する導電層4および絶縁層5と、一対のセラミックス板2,3と導電層4の間に介在し、一対のセラミックス板2,3および導電層4に接する中間層6,7と、を備えている。
図2に示すように、セラミックス接合体10は、導電層4が設けられている領域において、第1のセラミックス板2と、第1の中間層6と、導電層4と、第2の中間層7と、第2のセラミックス板3とがこの順に積層されている。また、セラミックス接合体10は、絶縁層5が設けられている領域において、第1のセラミックス板2と、絶縁層5と、第2のセラミックス板3とがこの順に積層されている。すなわち、セラミックス接合体10は、導電層4が設けられている領域において、第1のセラミックス板2と第2のセラミックス板3が、第1の中間層6、導電層4および第2の中間層7を介して、接合一体化されてなり、絶縁層5が設けられている領域において、第1のセラミックス板2と第2のセラミックス板3が、絶縁層5を介して、接合一体化されてなる接合体である。
本実施形態のセラミックス接合体の製造方法は、導電性物質を含む第1のセラミックス板の一方の面に中間層形成用ペーストを塗布し、第1の中間層塗膜を形成する工程(以下、「第1の工程」と言う。)と、前記第1の中間層塗膜の前記第1のセラミックス板と接する面とは反対側の面に導電層形成用ペーストを塗布し、導電層塗膜を形成する工程(以下、「第2の工程」と言う。)と、前記導電層塗膜の前記第1の中間層塗膜と接する面とは反対側の面に中間層形成用ペーストを塗布し、第2の中間層塗膜を形成する工程(以下、「第3の工程」と言う。)と、前記第2の中間層塗膜の前記導電層塗膜と接する面とは反対側の面に導電性物質を含む第2のセラミックス板を積層する工程(以下、「第4の工程」と言う。)と、前記第1のセラミックス板、前記第1の中間層塗膜、前記導電層塗膜、前記第2の中間層塗膜および前記第2のセラミックス板を含む積層体を、加熱しながら、厚さ方向に加圧する工程(以下、「第5の工程」と言う。)と、を有する。
第1の工程では、スクリーン印刷法等の塗工法により、第1のセラミックス板2の一方の面2aに中間層形成用ペーストを塗布し、第1の中間層6となる塗膜(第1の中間層塗膜)を形成する。
中間層形成用ペーストとしては、第1の中間層6を形成する絶縁性物質を、溶媒に分散させたものが用いられる。
中間層形成用ペーストに含まれる溶媒としては、イソプロピルアルコール等が用いられる。
導電層形成用ペーストとしては、導電層4を形成する導電性物質および絶縁性物質を、溶媒に分散させたものが用いられる。
導電層形成用ペースに含まれる溶媒としては、イソプロピルアルコール等が用いられる。
絶縁層形成用ペーストとしては、絶縁層5を形成する絶縁性物質を、溶媒に分散させたものが用いられる。
絶縁層形成用ペースに含まれる溶媒としては、イソプロピルアルコール等が用いられる。
中間層形成用ペーストとしては、第2の中間層7を形成する絶縁性物質を、溶媒に分散させたものが用いられる。
中間層形成用ペーストに含まれる溶媒としては、イソプロピルアルコール等が用いられる。
積層体を加熱する温度が1600℃以上かつ1900℃以下であれば、それぞれの塗膜に含まれる溶媒を揮発させて、第1のセラミックス板2と第2のセラミックス板3の間に、第2の中間層7、導電層4、絶縁層5および第2の中間層7を形成することができる。また、第2の中間層7、導電層4、絶縁層5および第2の中間層7を介して、第1のセラミックス板2と第2のセラミックス板3を接合一体化することができる。
積層体を厚さ方向に加圧する圧力が1.0MPa以上かつ50.0MPa以下であれば、第1のセラミックス板2と第2のセラミックス板3の間に、互いに密着した第2の中間層7、導電層4、絶縁層5および第2の中間層7を形成することができる。また、第2の中間層7、導電層4、絶縁層5および第2の中間層7を介して、第1のセラミックス板2と第2のセラミックス板3を接合一体化することができる。
以下、図3を参照しながら、本発明の一実施形態に係る静電チャック装置について説明する。
図3に示すように、本実施形態の静電チャック装置100は、円板状の静電チャック部材102と、静電チャック部材102を所望の温度に調整する円板状の温度調節用ベース部材103と、これら静電チャック部材102および温度調整用ベース部材103を接合・一体化する接着剤層104と、を有している。本実施形態の静電チャック装置100では、静電チャック部材102が、例えば、上述の実施形態のセラミックス接合体1またはセラミックス接合体1からなる。ここでは、静電チャック部材102がセラミックス接合体1からなる場合について説明する。
静電チャック部材102は、上面が半導体ウエハ等の板状試料を載置する載置面111aとされたセラミックスからなる載置板111と、載置板111の載置面111aとは反対の面側に設けられた支持板112と、これら載置板111と支持板112との間に挟持された静電吸着用電極113と、載置板111と支持板112とに挟持され静電吸着用電極113の周囲を囲む環状の絶縁材114と、静電吸着用電極113に接するように温度調節用ベース部材103の固定孔115内に設けられた給電用端子116と、を有している。
静電チャック部材102において、載置板111が上記の第2のセラミックス板3に相当し、支持板112が上記の第1のセラミックス板2に相当し、静電吸着用電極113が上記の導電層4に相当し、絶縁材114が上記の絶縁層5に相当する。
載置板111の載置面111aには、半導体ウエハ等の板状試料を支持するための多数の突起が立設され(図示略)ている。さらに、載置板111の載置面111aの周縁部には、ヘリウム(He)等の冷却ガスが漏れないように、この周縁部を一周するように、断面四角形状の環状突起部が設けられていてもよい。さらに、この載置面111a上の環状突起部に囲まれた領域には、環状突起部と高さが同一であり横断面が円形状かつ縦断面が略矩形状の複数の突起部が設けられていてもよい。
支持板112は、載置板111と静電吸着用電極113を下側から支持している。
静電吸着用電極113では、電圧を印加することにより、載置板111の載置面111aに板状試料を保持する静電吸着力が生じる。
絶縁材114は、静電吸着用電極113を囲繞して腐食性ガスおよびそのプラズマから静電吸着用電極113を保護するためのものである。
絶縁材114により、載置板111と支持板112とが、静電吸着用電極113を介して接合一体化されている。
給電用端子116は、静電吸着用電極113に電圧を印加するためのものである。
給電用端子116の数、形状等は、静電吸着用電極113の形態、すなわち単極型か、双極型かにより決定される。
導電性接着層117は、温度調節用ベース部材103の固定孔115内および支持板112の貫通孔118内に設けられている。また、導電性接着層117は、静電吸着用電極113と給電用端子116の間に介在して、静電吸着用電極113と給電用端子116を電気的に接続している。
これらの中でも、伸縮度が高く、熱応力の変化によって凝集破壊し難い点から、シリコーン樹脂が好ましい。
温度調整用ベース部材103は、金属およびセラミックスの少なくとも一方からなる厚みのある円板状のものである。温度調整用ベース部材103の躯体は、プラズマ発生用内部電極を兼ねた構成とされている。温度調整用ベース部材103の躯体の内部には、水、Heガス、N2ガス等の冷却媒体を循環させる流路121が形成されている。
温度調整用ベース部材103における少なくともプラズマに曝される面は、アルマイト処理またはポリイミド系樹脂による樹脂コーティングが施されていることが好ましい。また、温度調整用ベース部材103の全面が、前記のアルマイト処理または樹脂コーティングが施されていることがより好ましい。
接着剤層104は、静電チャック部102と、冷却用ベース部103とを接着一体化するものである。
接着剤層104の厚さが上記の範囲内であれば、静電チャック部102と冷却用ベース部103との間の接着強度を充分に保持することができる。また、静電チャック部102と冷却用ベース部103との間の熱伝導性を充分に確保することができる。
シリコーン系樹脂組成物は、シロキサン結合(Si-O-Si)を有するケイ素化合物であり、耐熱性、弾性に優れた樹脂であるので、より好ましい。
ここで、熱硬化温度が70℃を下回ると、静電チャック部102と冷却用ベース部103とを対向させた状態で接合する際に、接合過程で硬化が充分に進まないことから、作業性に劣ることになるため好ましくない。一方、熱硬化温度が140℃を超えると、静電チャック部102および冷却用ベース部103との熱膨張差が大きく、静電チャック部102と冷却用ベース部103との間の応力が増加し、これらの間で剥離が生じることがあるため好ましくない。
この接着剤の塗布方法としては、ヘラ等を用いて手動で塗布する他、バーコート法、スクリーン印刷法等が挙げられる。
また、立設した給電用端子116を、冷却用ベース部103中に穿孔された固定孔115に挿入し嵌め込む。
次いで、静電チャック部102を冷却用ベース部103に対して所定の圧力にて押圧し、静電チャック部102と冷却用ベース部103を接合一体化する。これにより、静電チャック部102と冷却用ベース部103が接着剤層104を介して接合一体化されたものとなる。
「セラミックス接合体の作製」
91質量%の酸化アルミニウム粉末と、9質量%の炭化ケイ素粉末との混合粉末を成型、焼結し、直径450mm、厚さ5.0mmの円盤状の酸化アルミニウム-炭化ケイ素複合焼結体からなるセラミックス板(第1のセラミックス板、第2のセラミックス板)を作製した。
スクリーン印刷法により、第1のセラミックス板の一方の面に中間層形成用ペーストを塗布し、第1の中間層塗膜を形成した。
中間層形成用ペーストとしては、酸化アルミニウム粉末を、イソプロピルアルコールに分散させたものを用いた。中間層形成用ペーストにおける酸化アルミニウム粉末の含有量を50質量%とした。
次いで、スクリーン印刷法により、第1のセラミックス板の一方の面に形成した第1の中間層塗膜の第1のセラミックス板と接する面とは反対側の面に導電層形成用ペーストを塗布し、導電層塗膜を形成するとともに、スクリーン印刷法により、第1のセラミックス板の一方の面に形成した第1の中間層塗膜の第1のセラミックス板と接する面とは反対側の面に絶縁層形成用ペーストを塗布し、絶縁層塗膜を形成した。
導電層形成用ペーストとしては、酸化アルミニウム粉末と炭化モリブデン粉末を、イソプロピルアルコールに分散させたものを用いた。導電層形成用ペーストにおける酸化アルミニウム粉末の含有量を25質量%とし、炭化モリブデン粉末の含有量を25質量%とした。絶縁層形成用ペーストとしては、平均一次粒子径が2.0μmの酸化アルミニウム粉末を、イソプロピルアルコールに分散させたものを用いた。絶縁層形成用ペーストにおける酸化アルミニウム粉末の含有量を50質量%とした。
次いで、スクリーン印刷法により、導電層塗膜の第1の中間層塗膜と接する面とは反対側の面、および絶縁層塗膜の第1の中間層塗膜と接する面とは反対側の面に、上記の中間層形成用ペーストを塗布し、第2の中間層塗膜を形成した。
次いで、第2の中間層塗膜の導電層塗膜および絶縁層塗膜と接する面とは反対側の面に第2のセラミックス板を積層した。
次いで、第1のセラミックス板、第1の中間層塗膜、導電層塗膜、絶縁層塗膜、第2の中間層塗膜および第2のセラミックス板を含む積層体を、アルゴン雰囲気下、加熱しながら、厚さ方向に加圧した。熱処理温度を1700℃、加圧力を10MPa、熱処理および加圧する時間を2時間とした。
以上の工程により、図1に示すような実施例1のセラミックス接合体を得た。得られたセラミックス接合体において、下記の式(1)で定義される導電層の厚さt1に対する、第1の中間層の厚さと第2の中間層の厚さの合計t2の比(R1)が4%であった。
R1=t2/t1×100(%) (1)
以下のようにして、セラミックス接合体の絶縁性を評価した。
セラミックス接合体の側面(セラミックス接合体の厚さ方向の側面)において、第1のセラミックス板、第1の中間層、導電層、絶縁層、第2の中間層および第2のセラミックス板に接するようにカーボンテープを貼付した。
第1のセラミックス板と第1の中間層を、それらの厚さ方向に貫通し、第1のセラミックス板の第1の中間層と接する面とは反対側の面から導電層に至る貫通電極を形成した。
カーボンテープと貫通電極を介して、セラミックス接合体に電圧を印加し、セラミックス接合体が絶縁破壊する電圧を測定した。具体的には、3000Vの電圧を印加した状態でRF電圧を印加し10分保持し、その後500Vずつ徐々に電圧を印加して、10分保持し、測定した電流値が0.1mA(ミリアンペア)を超えたところを絶縁破壊とした。結果を表1に示す。
絶縁層に含まれる酸化アルミニウム粉末の平均一次粒子径を3.0μmとし、第1のセラミックス板、第1の中間層塗膜、導電層塗膜、絶縁層塗膜、第2の中間層塗膜および第2のセラミックス板を含む積層体の熱処理温度を1750℃としたこと以外は実施例1と同様にして、実施例2のセラミックス接合体を得た。
実施例1と同様にして、実施例2のセラミックス接合体の絶縁性を評価した。結果を表1に示す。
絶縁層に含まれる酸化アルミニウム粉末の平均一次粒子径を1.9μmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例2のセラミックス接合体を得た。得られたセラミックス接合体において、導電層の厚さt1に対する、第1の中間層の厚さと第2の中間層の厚さの合計t2の比(R1)が8%であった。
実施例1と同様にして、実施例3のセラミックス接合体の絶縁性を評価した。結果を表1に示す。
絶縁層に含まれる酸化アルミニウム粉末の平均一次粒子径を3.3μmとし、第1のセラミックス板、第1の中間層塗膜、導電層塗膜、絶縁層塗膜、第2の中間層塗膜および第2のセラミックス板を含む積層体の熱処理温度を1750℃としたこと以外は実施例1と同様にして、実施例4のセラミックス接合体を得た。得られたセラミックス接合体において、導電層の厚さt1に対する、第1の中間層の厚さと第2の中間層の厚さの合計t2の比(R1)が8%であった。
実施例1と同様にして、実施例4のセラミックス接合体の絶縁性を評価した。結果を表1に示す。
絶縁層に含まれる酸化アルミニウム粉末の平均一次粒子径を5.8μmとし、第1のセラミックス板、第1の中間層塗膜、導電層塗膜、絶縁層塗膜、第2の中間層塗膜および第2のセラミックス板を含む積層体の熱処理温度を1800℃としたこと以外は実施例1と同様にして、実施例5のセラミックス接合体を得た。得られたセラミックス接合体において、導電層の厚さt1に対する、第1の中間層の厚さと第2の中間層の厚さの合計t2の比(R1)が13%であった。
実施例1と同様にして、実施例5のセラミックス接合体の絶縁性を評価した。結果を表1に示す。
第1の中間層および第2の中間層を設けなかったこと、絶縁層に含まれる酸化アルミニウム粉末の平均一次粒子径を1.5μmとしたこと以外は実施例1と同様にして、比較例のセラミックス接合体を得た。
実施例1と同様にして、比較例のセラミックス接合体の絶縁性を評価した。結果を表1に示す。
2 セラミックス板(第1のセラミックス板)
3 セラミックス板(第2のセラミックス板)
4 導電層
5 絶縁層
6 中間層(第1の中間層)
7 中間層(第2の中間層)
100 静電チャック装置
102 静電チャック部材
103 温度調整用ベース部材
104 接着剤層
111 載置板
112 支持板
113 静電吸着用電極
114 絶縁材
115 固定孔
116 給電用端子
117 導電性接着層
118 貫通孔
121 流路
122 高周波電源
123 絶縁材料
124 直流電源
Claims (8)
- 導電性物質を含む一対のセラミックス板と、前記一対のセラミックス板の間に介在する導電層および絶縁層と、前記一対のセラミックス板と前記導電層の間に介在し、前記一対のセラミックス板および前記導電層に接する中間層と、を備え、
前記導電層はプラズマ発生用電極、静電チャック用電極、ヒータ電極のいずれか1つもしくは複数の機能を有し、
前記絶縁層は前記導電層が形成されている部分以外の外縁部領域に設けられ、前記一対のセラミックス板を接合するものであり、
前記中間層は絶縁性物質からなり、
前記導電層の厚さをt1、前記中間層の厚さをt2としたとき、下記の式(1)で定義される前記中間層の厚さ比R1は3%以上50%以下である、セラミックス接合体。
R1=t2/t1×100(%) (1) - 前記導電層は導電性物質と絶縁性物質からなり、前記絶縁層および前記中間層は絶縁性物質からなる請求項1に記載のセラミックス接合体。
- 前記絶縁層を構成する絶縁性物質の平均一次粒子径は、1.6μm以上かつ10.0μm以下である請求項1または2に記載のセラミックス接合体。
- 前記セラミックス板は、酸化アルミニウムと炭化ケイ素の複合体である請求項1~3のいずれか1項に記載のセラミックス接合体。
- 前記導電層、前記絶縁層および前記中間層を構成する絶縁性物質は、酸化アルミニウムである請求項1~4のいずれか1項に記載のセラミックス接合体。
- 前記導電層を構成する導電性物質は、Mo2C、Mo、WC、W、TaC、Ta、SiC、カーボンブラック、カーボンナノチューブおよびカーボンナノファイバーからなる群から選択される少なくとも1種である請求項1~5のいずれか1項に記載のセラミックス接合体。
- セラミックスからなる静電チャック部材と、金属からなる温度調整用ベース部材とを、接着剤層を介して接合してなる静電チャック装置であって、
前記静電チャック部材は、請求項1~6のいずれか1項に記載のセラミックス接合体からなる静電チャック装置。 - 請求項1~6いずれか1項に記載のセラミックス接合体の製造方法であって、
導電性物質を含む第1のセラミックス板の一方の面に中間層形成用ペーストを塗布し、第1の中間層塗膜を形成する工程と、
前記第1の中間層塗膜の前記第1のセラミックス板と接する面とは反対側の面に導電層形成用ペーストを塗布し、導電層塗膜を形成する工程と、
前記導電層塗膜の前記第1の中間層塗膜と接する面とは反対側の面に中間層形成用ペーストを塗布し、第2の中間層塗膜を形成する工程と、
前記第2の中間層塗膜の前記導電層塗膜と接する面とは反対側の面に導電性物質を含む第2のセラミックス板を積層する工程と、
前記第1のセラミックス板、前記第1の中間層塗膜、前記導電層塗膜、前記第2の中間層塗膜および前記第2のセラミックス板を含む積層体を、加熱しながら、厚さ方向に加圧する工程と、を有するセラミックス接合体の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020015793A JP7010313B2 (ja) | 2020-01-31 | 2020-01-31 | セラミックス接合体、静電チャック装置、セラミックス接合体の製造方法 |
PCT/JP2020/049220 WO2021153154A1 (ja) | 2020-01-31 | 2020-12-28 | セラミックス接合体、静電チャック装置、セラミックス接合体の製造方法 |
CN202080085106.XA CN114787984A (zh) | 2020-01-31 | 2020-12-28 | 陶瓷接合体、静电卡盘装置及陶瓷接合体的制造方法 |
US17/790,002 US20230043148A1 (en) | 2020-01-31 | 2020-12-28 | Ceramic joined body, electrostatic chuck device, and method for producing ceramic joined body |
KR1020227018978A KR20220136340A (ko) | 2020-01-31 | 2020-12-28 | 세라믹스 접합체, 정전 척 장치, 세라믹스 접합체의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020015793A JP7010313B2 (ja) | 2020-01-31 | 2020-01-31 | セラミックス接合体、静電チャック装置、セラミックス接合体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021125488A JP2021125488A (ja) | 2021-08-30 |
JP7010313B2 true JP7010313B2 (ja) | 2022-01-26 |
Family
ID=77078534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020015793A Active JP7010313B2 (ja) | 2020-01-31 | 2020-01-31 | セラミックス接合体、静電チャック装置、セラミックス接合体の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230043148A1 (ja) |
JP (1) | JP7010313B2 (ja) |
KR (1) | KR20220136340A (ja) |
CN (1) | CN114787984A (ja) |
WO (1) | WO2021153154A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023145552A1 (ja) * | 2022-01-31 | 2023-08-03 | 住友大阪セメント株式会社 | セラミックス接合体、静電チャック装置、及びセラミックス接合体の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6272002B1 (en) | 1997-12-03 | 2001-08-07 | Shin-Estu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic holding apparatus and method of producing the same |
JP2001223261A (ja) | 2000-02-07 | 2001-08-17 | Hitachi Ltd | 静電チャック及び静電吸着装置 |
WO2014129625A1 (ja) | 2013-02-25 | 2014-08-28 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
WO2018181130A1 (ja) | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 住友大阪セメント株式会社 | 複合焼結体、静電チャック部材、静電チャック装置および複合焼結体の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4043219B2 (ja) | 2001-11-13 | 2008-02-06 | 株式会社日本セラテック | 静電チャック |
JP4796354B2 (ja) | 2005-08-19 | 2011-10-19 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック及びイットリア焼結体の製造方法 |
JP5011736B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-08-29 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP5111954B2 (ja) * | 2007-06-22 | 2013-01-09 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック及びその製造方法 |
JP5248242B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-07-31 | 日本発條株式会社 | 異材接合体の製造方法およびその方法による異材接合体 |
US9412635B2 (en) * | 2012-02-08 | 2016-08-09 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic chuck device |
JP6786439B2 (ja) * | 2016-06-28 | 2020-11-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置および保持装置の製造方法 |
-
2020
- 2020-01-31 JP JP2020015793A patent/JP7010313B2/ja active Active
- 2020-12-28 US US17/790,002 patent/US20230043148A1/en active Pending
- 2020-12-28 KR KR1020227018978A patent/KR20220136340A/ko active Search and Examination
- 2020-12-28 CN CN202080085106.XA patent/CN114787984A/zh active Pending
- 2020-12-28 WO PCT/JP2020/049220 patent/WO2021153154A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6272002B1 (en) | 1997-12-03 | 2001-08-07 | Shin-Estu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic holding apparatus and method of producing the same |
JP2001223261A (ja) | 2000-02-07 | 2001-08-17 | Hitachi Ltd | 静電チャック及び静電吸着装置 |
WO2014129625A1 (ja) | 2013-02-25 | 2014-08-28 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
WO2018181130A1 (ja) | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 住友大阪セメント株式会社 | 複合焼結体、静電チャック部材、静電チャック装置および複合焼結体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021125488A (ja) | 2021-08-30 |
CN114787984A (zh) | 2022-07-22 |
WO2021153154A1 (ja) | 2021-08-05 |
KR20220136340A (ko) | 2022-10-07 |
US20230043148A1 (en) | 2023-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5117146B2 (ja) | 加熱装置 | |
KR102508959B1 (ko) | 정전 척 장치 | |
JP2015207765A (ja) | 静電チャック装置 | |
JP5846186B2 (ja) | 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法 | |
JP7322922B2 (ja) | セラミックス接合体の製造方法 | |
JP7020238B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP7010313B2 (ja) | セラミックス接合体、静電チャック装置、セラミックス接合体の製造方法 | |
JP2003124299A (ja) | 電極内蔵型サセプタ及びその製造方法 | |
WO2022085307A1 (ja) | セラミックス接合体、静電チャック装置、セラミックス接合体の製造方法 | |
JP2003152064A (ja) | 電極内蔵型サセプタ及びその製造方法 | |
WO2020066237A1 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP2003086519A (ja) | 被処理物保持体およびその製造方法ならびに処理装置 | |
WO2022145090A1 (ja) | セラミックス接合体、静電チャック装置 | |
JP7327713B1 (ja) | セラミックス接合体、静電チャック装置、及びセラミックス接合体の製造方法 | |
TWI836170B (zh) | 陶瓷接合體、靜電卡盤裝置、陶瓷接合體的製造方法 | |
JP2024028544A (ja) | 静電チャック装置 | |
JP7248182B1 (ja) | 静電チャック部材及び静電チャック装置 | |
JP2022133003A (ja) | 複合導電性部材、試料保持具、静電チャック装置 | |
JP2021158236A (ja) | 静電チャック装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210629 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210805 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211214 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7010313 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |