JP7598359B2 - ウェハプロセス、物品を製造する装置および方法 - Google Patents

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Description

本開示は、ウェハ処理に関し、より詳細には、半導体製造における表面の硬化プロセスに関する。
平坦化技術は、半導体デバイスを製造する際に有用である。例えば、半導体デバイスを作成するためのプロセスは、基板への材料の追加および基板からの材料の除去を繰り返し含む。このプロセスは不規則な高さ変動（すなわち、トポグラフィ）を有する層状基板を生成することができ、より多くの層が追加されるにつれて、基板高さ変動が増大しうる。高さの変動は、層状基板にさらなる層を追加する能力に負の影響を及ぼす。別個に、半導体基板（例えば、シリコンウェハ）自体は常に完全に平坦ではなく、初期表面高さ変動（すなわち、トポグラフィ）を含みうる。この問題に対処する１つの方法は、積層ステップの間に基板を平坦化することである。種々のリソグラフィパターニング方法は、平面表面上のパターニングから利益を得る。ＡｒＦレーザベースのリソグラフィーでは、平坦化は焦点深度（ＤＯＦ）、臨界寸法（ＣＤ）、および臨界寸法均一性を改善する。極端紫外リソグラフィー（ＥＵＶ）では、平坦化はフィーチャ配置とＤＯＦを改善する。ナノインプリントリソグラフィー（ＮＩＬ）では、平坦化によりパターン転写後のフィーチャ充填とＣＤ制御が改善される。
インクジェットベース適応平坦化（ＩＡＰ）と呼ばれることもある平坦化技術は基板とスーパーストレートとの間に重合性材料の可変ドロップパターンを分配することを含み、ここでドロップパターンは基板トポグラフィに依存して変化する。次に、スーパーストレートを重合性材料と接触させ、その後、材料を基板上で重合させ、スーパーストレートを除去する。ＩＡＰ技法を含む平坦化技法の改良は、例えば、全ウェハ処理および半導体デバイス製造を改良するために望まれる。
装置が提供される。前記装置は、スーパーストレートまたはテンプレートを保持するように構成された第１サイド、および、第２サイドを有するチャックと、前記チャックの前記第２サイドに配置され、前記チャックから離間された撮像センサ群のアレイと、前記透明チャックと前記撮像センサ群のアレイとの間に配置された光源群のアレイと、を備える。前記撮像センサ群のアレイおよび前記光源群のアレイの各々は、前記撮像センサ群の各々から取得される画像と前記光源群からの光との干渉が最小化されるように前記チャックから特定の距離だけ離間されうる。前記撮像センサ群のアレイおよび前記光源群のアレイは、前記撮像センサ群の各々と前記光源群の各々との間の重複を最小化するように配置される。前記チャックは、前記光源群の各々に対して透明である。前記撮像センサ群が可視光を測定するように構成されうる。前記撮像センサ群の各々は、局所領域の画像を得るように構成されている。前記装置は、前記撮像センサ群の各々によって取得された画像群を単一の画像に結合するように構成された画像プロセッサを更に備えうる。前記光源群のアレイは、前記チャックおよび前記スーパーストレートおよび前記テンプレートを透過するＵＶ光を生成するように構成される。例えば、前記光源群のアレイは、ＵＶ発光ダイオード（LED）群のアレイを含みうる。
１つの実施形態において、前記層装置は、前記光源群のアレイをその上に実装するための第１ボードと、前記撮像センサ群のアレイをその上に実装するための第２ボードと、を更に備えることができる。前記第１ボードは、前記光源群の間に複数の穴を含む。好ましくは、前記撮像センサ群の各々が、前記複数の穴のうち対応する１つと位置合わせされている。
硬化方法も提供される。前記方法は、基板上に硬化性材料を堆積させること、前記硬化性材料の上方に配置された撮像センサ群のアレイによって、当該堆積された硬化性材料の複数の局所画像を取得することと、前記硬化性材料と前記撮像センサ群のアレイとの間に配置された光源群のアレイで前記硬化性材料を放射することによって前記材料を硬化させること、を含む。前記方法は、前記光源群のアレイによって前記硬化性材料にＵＶを放射することを更に含みうる。前記光源群のアレイは、UV LED群のアレイを含みうる。
好ましくは、前記複数の局所画像は、単一画像に処理される。前記光源群の各々と前記撮像センサ群の各々との間の重なりは最小化される。前記方法は、前記硬化性材料を硬化させる前に、チャックで、前記硬化性材料と接触するようにスーパーストレートまたはテンプレートを前進させることを更に含む。前記チャックは、前記光源群から放射される光に対して透明である。
物品を製造するための方法が提供される。前記方法は、基板上に成形性材料を分配することと、チャックでスーパーストレートを保持することと、前記スーパーストレートを前記成形性材料と接触させるように前記チャックを前進させることと、前記成形性材料の上方に配置された撮像センサ群のアレイによって前記材料の複数の局所画像を取得することと、前記硬化性材料と前記撮像センサ群のアレイとの間に配置された光源群のアレイで前記材料を放射することによって前記材料を硬化させることと、前記基板上の当該硬化した材料から前記スーパーストレートを分離することと、当該硬化し材料を使って前記基板を処理して前記物品を形成することと、を含む。
本開示のこれらおよび他の目的、特徴、および利点は、添付の図面および提供される特許請求の範囲と併せて、本開示の例示的な実施形態の以下の詳細な説明を読むことによって明らかになるのであろう。
本発明の特徴および利点が詳細に理解され得るように、本発明の実施形態のより具体的な説明は、添付の図面に示される実施形態を参照することによってなされ得る。しかし、添付の図面は本発明の典型的な実施形態を示すに過ぎず、したがって、本発明は他の等しく有効な実施形態を認めることができるので、本発明の範囲を限定するものと見なされるべきではないことに留意されたい。
装置を示す図。 平坦化プロセスを示す図。 平坦化プロセスを示す図。 平坦化プロセスを示す図。 ＬＥＤ硬化源のアレイと撮像ユニットのアレイとのアセンブリの断面図。 ＬＥＤ硬化源のアレイを撮像ユニットのアレイと組み立てる別の例の断面図。 撮像ユニットのアレイと一体化されるＬＥＤのアレイの上面図。 ＬＥＤのアレイと一体化される撮像ユニットのアレイの上面図。 一体化されたＬＥＤおよび撮像ユニットを示す上面図。 層を形成するために一体化されたＵＶ電源およびカメラを使用するプロセスを示す図。 図面全体を通して、別段の記載がない限り、同じ参照符号および文字は、例示された実施形態の同様の特徴、要素、構成要素または部分を示すために使用される。更に、本開示は図面を参照して詳細に説明されるが、例示的な実施形態に関連してそのように行われる。添付の特許請求の範囲によって定義される主題の開示の真の範囲および精神から逸脱することなく、記載された例示的な実施形態に対して変更および修正を行うことができることが意図される。
平坦化システム
図１は、とりわけ、基板１０２上の膜を平坦化するために使用され得る装置１００を示している。基板１０２は、基板チャック１０４に結合されてもよい。基板チャック１０４は真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック、電磁チャック等であってもよいが、これらに限定されない。
基板１０２および基板チャック１０４は、基板位置決めステージ１０６によって更に支持されてもよい。基板位置決めステージ１０６は、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸、θ軸、ψ軸、及びφ軸のうちの１つ又は複数に沿った並進及び／又は回転運動を提供することができる。また、基板位置決めステージ１０６、基板１０２、及び基板チャック１０４は、ベース（図示せず）上に位置決めされてもよい。基板位置決めステージは、位置決めシステムの一部であってもよい。
基板１０２から離間して配置されているのは、基板１０２に対向する作用面１１２を有するスーパーストレート１０８である。スーパーストレート１０８は、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、硬化サファイアなどを含むがこれらに限定されない材料から形成されてもよい。一実施形態では、スーパーストレートがＵＶ光に対して明確に透明である。面１１２は、一般に、基板１０８の表面と同じ面積サイズであるか、またはわずかに小さい。スーパーストレート１０８の面１１２は、平面接触面を含むことができる。別の実施形態では、接触面が基板１０２上に形成されるパターンの基礎を形成する任意のオリジナルパターンを画定するフィーチャを含むことができる。
スーパーストレート１０８は、スーパーストレートチャック１１８に連結されてもよく、又は保持されてもよい。スーパーストレートチャック１１８は真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック、電磁チャック、および／または他の同様のチャック型であってもよいが、これらに限定されない。スーパーストレートチャック１１８は、スーパーストレート１０８を横切って変化する応力、圧力、及び／又は歪みをスーパーストレート１０８に加えるように構成することができる。一実施形態では、スーパーストレートチャックが同様に、ＵＶ光に対して明確に透明である。スーパーストレートチャック１１８は、ゾーンベースの真空チャック、アクチュエータアレイ、圧力ブラダなどのシステムを含んでもよく、このシステムはテンプレートを曲げ変形させるために、スーパーストレート１０８の裏面に圧力差を加えることができる。一実施形態では、スーパーストレートチャック１１８が圧力差をスーパーストレートの裏面に加えることができるゾーンベースの真空チャックを含み、スーパーストレートを本明細書に更に詳述するように曲げ変形させる。
スーパーストレートチャック１１８は、位置決めシステムの一部であるヘッド１２０に連結することができる。ヘッド１２０は、ブリッジに移動可能に連結されてもよい。ヘッド１２０はボイスコイルモータ、圧電モータ、リニアモータ、ナットおよびスクリューモータなどの１つまたは複数のアクチュエータを含むことができ、これらのアクチュエータは少なくともｚ軸方向、および潜在的に他の方向（例えば、ｘ軸、ｙ軸、θ軸、Σ軸、およびφ軸）に基板１０２に対してスーパーストレートチャック１１８を移動させるように構成される。
装置１００は、流体ディスペンサ１２２を更に備えることができる。流体ディスペンサ１２２はまた、ブリッジに移動可能に連結されてもよい。一実施形態では、流体ディスペンサ１２２およびヘッド１２０がすべての位置決め構成要素のうちの１つまたは複数を共有する。代替実施形態では、流体ディスペンサ１２２およびヘッドが互いに独立して移動する。流体ディスペンサ１２２は液体形成可能材料１２４（例えば、光硬化性重合可能材料）の液滴を基板１０２上に堆積させるために使用されてもよく、堆積される材料の体積は、そのトポグラフィプロファイルに少なくとも部分的に基づいて、基板１０２の領域にわたって変化する。異なる流体ディスペンサ１２２は、成形可能材料１２４を分配するために異なる技術を使用することができる。成形性材料１２４が噴射可能である場合、インクジェットタイプのディスペンサを使用して成形性材料を分配することができる。例えば、サーマルインクジェッティング、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）ベースのインクジェッティング、バルブジェット、および圧電インクジェッティングは、ジェッタブル液体を分配するための一般的な技術である。
装置１００は、露光経路１２８に沿って化学線エネルギー、例えばＵＶ放射線を方向付ける放射線源１２６を含む硬化システムを更に備える。ヘッド１２０及び基板位置決め状態１０６は、露光経路１２８と重ね合わせてスーパーストレート１０８及び基板１０２を位置決めするように構成することができる。放射線源１２６は、スーパーストレート１０８が成形性材料１２８に接触した後、露光経路１２８に沿って化学線エネルギーを送る。図１は、スーパーストレート１０８が成形性材料１２４と接触していないときの露光経路１２８を示す。これは、個々の構成要素の相対位置を容易に識別することができるように、例示の目的で行われる。当業者であれば、スーパーストレート１０８が成形可能材料１２４と接触したときに、露光経路１２８が実質的に変化しないことを理解するのであろう。
装置１００は、平坦化処理中にスーパーストレート１０８が成形性材料１２４に接触するときに成形性材料１２４の広がりを見るように配置されたカメラ１３６を更に備える。図１は、フィールドカメラの画像フィールドの光軸１３８を示している。図１に示すように、装置１００は、化学線をカメラ１３６によって検出される光と結合する１つ以上の光学部品（ダイクロイックミラー、ビームコンバイナ、プリズム、レンズ、ミラー等）を含むことができる。カメラ１３６はＣＣＤ、センサアレイ、ラインカメラ、および光検出器のうちの１つまたは複数を含むことができ、これらの光検出器はスーパーストレート１０８の下の領域のうち形成可能材料１２４と接触している領域とスーパーストレート１０８の下の領域のうち形成可能材料１２４と接触していない領域との間のコントラストを示す波の光を集めるように構成される。カメラ１３６はスーパーストレート１０８の下の成形性材料１２４の広がり、および／または、硬化した成形性材料１２４からのスーパーストレート１０８の分離の画像を提供するように構成されてもよい。また、カメラ１３６は、形成可能材料１２４が面１１２と基板表面との間のギャップの間に広がるにつれて変化する干渉縞を測定するように構成されてもよい。
装置１００は、基板チャック１０４、基板位置決めステージ１０６、スーパーストレートチャック１１８、ヘッド１２０、流体ディスペンサ１２２、放射線源１２６、および／またはカメラ１３６などの１つまたは複数の構成要素および／またはサブシステムと通信する１つまたは複数のプロセッサ１４０（コントローラ）によって、調整、制御、および／または指示されることができる。プロセッサ１４０は、非一時的コンピュータメモリ１４２に記憶されたコンピュータ可読プログラム内の命令に基づいて動作することができる。プロセッサ１４０は、ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＧＰＵ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＤＳＰ、および汎用コンピュータのうちの１つ以上であり得るか、またはそれらを含み得る。プロセッサ１４０は、汎用のコントローラであってもよく、またはコントローラであるように構成された汎用のコンピューティングデバイスであってもよい。一時的でないコンピュータ可読メモリの例としてはＲＡＭ、ＲＯＭ、ＣＤ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ－Ｒａｙ、ハードドライブ、ネットワーク接続されたアタッチトストレージ（ＮＡＳ）、イントラネット接続された一時的でないコンピュータ可読なストレージデバイス、およびインターネット接続された一時的でないコンピュータ可読なストレージデバイスが挙げられるが、これらに限定されない。
動作中、平坦化ヘッド１２０、基板位置ステージ１０６、又は両方は、スーパーストレート１１８と基板１０２との間の距離を変化させて、成形性材料１２４で満たされる所望の空間（３次元での有界な物理的広がり）を規定する。例えば、ヘッド１２０を基板に向かって移動させ、スーパーストレート１０８に力を加えて、スーパーストレートが本明細書で更に詳述するように、成形性材料１２４の液滴に接触し、それを広げるようにすることができる。
平坦化プロセス
平坦化プロセスは、図２Ａ－２Ｃに概略的に示されるステップを含む。図２Ａに示すように、成形性材料１２４は、液滴の形態で基板１０２上に分配される。先に議論したように、基板表面は、トポグラフィを有し、このトポグラフィは、以前の処理操作に基づいて既知であるかもしれないし、プロファイルメータ、ＡＦＭ、ＳＥＭ、またはZygo NewView 8200のような光学干渉効果に基づく光学表面プロファイラプロファイルメータを使用して測定されかもしれない。堆積された成形性材料１２４の局所体積密度は、基板トポグラフィに応じて変化する。次に、スーパーストレート１０８は、成形可能なデータ１２４と接触するように配置される。
図２Ｂはスーパーストレート１０８が成形性材料１２４と完全に接触した後であるが、重合プロセスが開始する前のポスト接触ステップを示す。スーパーストレート１０８が成形可能材料１２４に接触すると、液滴は併合して、スーパーストレート１０８と基板１０２との間の空間を満たす成形性材料膜１４４を形成する。好ましくは、充填プロセスは、非充填欠陥を最小化するように、スーパーストレート１０８と基板１０２との間に空気または気泡が捕捉されることなく、均一に行われる。成形性材料１２４の重合プロセスまたは硬化は化学線（例えば、ＵＶ線）で開始されうる。例えば、図１の放射線源１２６は化学線を提供し、形成性材料膜１４４を硬化、固化、および／または架橋させ、基板１０２上に硬化した平坦化層１４６を画定することができる。あるいは、成形性材料膜１４４の硬化が熱、圧力、化学反応、他の種類の放射線、またはこれらの任意の組合せを使用することによって開始されてもよい。一旦硬化されると、平坦化層１４６が形成され、スーパーストレート１０８は、そこから分離され得る。図２Ｃは、スーパーストレート１０８の分離後の基板１０２上の硬化した平坦化層１４６を示す。
スーパーストレート１０８の接触表面がパターンフィーチャを含む代替の実施形態では、上述したのと同様のプロセスを実行して、基板１０２上にパターン化層を形成することができる（例えば、「ウェハ全体」パターニング）。ウェハ全体処理は、生物学的または光学的デバイス製造と同様に半導体デバイス製造において有用である。このようなウェハ全体処理は、更に、局所膜厚を所望の局所膜厚の関数として調整することができるように適合させることができる。
ＵＶユニットとカメラユニットとの統合
しかしながら、プロセス撮像ユニットとの統合は難しい。統合のための一つの重要な要件は、ＵＶユニット１２６及びカメラ１３６のための非干渉光路である。更に、ＬＥＤのアレイの露光強度が距離の関数として二次関数的に低下することにつれて、ＬＥＤ群のアレイとウェハとの間の短い距離が、ウェハ上のＵＶ露光の効率的な強度を確保するために必要とされる。
図３は、一実施形態による、硬化プロセスに使用されるＬＥＤ群およびウェハを撮像するためのカメラの統合の断面図を示す。図示のように、ＵＶ放射線によって露光されるウェハ５０２は、基板チャック５００によって保持される。ウェハ５０４の上のテンプレートまたはスーパーストレート５０４は、スーパーストレートチャック５０４によって保持される。ＬＥＤ群５０１のアレイと撮像センサ群あるいは撮像ユニット群５０３とのアレイのアセンブリは、スーパーストレートチャック５０６の上方に配置される。スーパーストレートチャック５０６は、撮像ユニット群５０３がウェハ５０２の画像をキャプチャすることを可能にし、また、ＵＶ放射線が透過することを可能にするために透明である。ＬＥＤ群５０１のアレイおよび撮像ユニット群５０３のアレイは、ボード５０５によって支持される。ＬＥＤ群５０１は、ウェハ５０２全体に対して所定のＵＶ強度プロファイルを提供することが望まれる。露光面積がＬＥＤ群５０１のそれよりも著しく大きいので、ＬＥＤアセンブリのより大きな表面積を非占有にすることができる。したがって、複数の撮像ユニット５０３を、占有されていないエリアで統合して、プロセスが必要とするプロセス撮像を取り込むことができる。撮像ユニット群５０３の各々は、ウェハ５０２の局所領域の画像を撮像することができる。次いで、撮像ユニット群５０３によって撮像された画像群は、必要に応じて、ウェハ全体の画像にデジタル的に統合することができる。あるいは、ウェハの部分的な画像が必要とされるとき、ウェハの選択された部分の画像がキャプチャされうる。
ＬＥＤ群５０１のアレイおよび撮像ユニット群４０３のアレイは互いに重なり合うことなく、同じボード内に組み立てられるため、ＬＥＤ群５０１および撮像ユニット群５０３の光路が互いに干渉することを防ぐための長い距離は必要とされない。図３に示されるような３００ｍｍウェハの場合、ＬＥＤ群５０１のアセンブリと撮像ユニット５０３との間の距離ｄは、約３５ｍｍに低減される。
また、ＬＥＤ群５０１および撮像ユニット群５０３は図４に示されるように、２つの別々のボード５０５および５０７に組み立てることができる。ボード５０５および５０７の間の距離は図５に示されるように、単一のボードを使用することと同じ効果を達成するために、十分に小さく維持される。加えて、ボード５０５は、撮像ユニット５０３が、ウェハの画像を妨害することなくキャプチャすることを可能にするように透明であるか、または、穴または開口のいずれかを含む。
ＬＥＤ群５０１は硬化プロセスで使用されるＵＶ放射の効率的な選択であるように見えるが、十分な強度および同様の特性を提供することができる他のタイプの光源も、ウェハ露光に使用することができる。撮像ユニット群５０３は、可視光を測定することができるセンサから選択されてもよい。
図５は、ＬＥＤ群５０１のアレイのレイアウトを示す上面図である。破線の円５０１ａは、ＬＥＤ群５０１の各々の露光範囲を示す。ＬＥＤ群５０１の配置により、ウェハ５０２全体が、所定の強度のＵＶ光によって露光されることが可能になる。図６は、撮像ユニット群５０３のアレイを示す上面図である。図示されているように、撮像ユニット群５０３の各々は、ウェハ５０２の一部分の画像をキャプチャすることができる。また、撮像ユニット群５０３のアレイは、ウェハ５０２の周囲領域の画像をキャプチャするように構成されてもよい。ＬＥＤ群５０１のアレイおよび撮像ユニット群５０３のアレイは図７の上面図に示されるように、互いに重複される。図７に示されるように、撮像ユニット群５０３の各々はＬＥＤ群５０１によって占有されない位置に配置され、好ましくは撮像ユニット群のアレイがＬＥＤ群５０１との干渉を防止して、連続した視野（ＦＯＶ）をもたらすように、局所的に調整され得る。
図８にカメラと硬化源の統合を用いた硬化プロセスを示す。ステップ１０１において、硬化性材料が基板上に堆積される。図３～図８に示されるような撮像センサ群のアレイおよびＬＥＤ群のアレイのアセンブリが、硬化および撮像処理を実行するために使用される。ステップＳ１０２では、撮像センサ群のアレイがウェハの画像をキャプチャするために使用される。上述のように、撮像センサ群の各々は、ウェハの局所領域をキャプチャすることができる。ステップＳ１０３において、ＬＥＤ群のアレイは、硬化性材料と画像センサ群との間に配置され、硬化性材料を所定の強度およびプロファイルで放射する。プロセスはまた、撮像センサ群によって撮像された画像をウェハ全体の画像に統合するステップを含み得る。あるいは、ウェハの部分的な画像が望ましい場合には、対応する撮像センサによって撮像された画像が単一の画像に統合される。
様々な態様のさらなる修正および代替実施形態は、この説明を考慮すれば当業者には明らかであろう。したがって、この説明は、例示としてのみ解釈されるべきである。本明細書で示され、説明される形態は、実施形態の例として解釈されるべきであることが理解されるべきである。要素およびデータは本明細書に図示され、説明されたものと置き換えることができ、部品およびプロセスは逆にすることができ、特定の特徴は独立して利用することができ、すべて、この説明の恩恵を受けた後に当業者には明らかになるのであろう。

Claims (20)

  1. スーパーストレートまたはテンプレートを保持するように構成された第１サイド、および、第２サイドを有するチャックと、
    前記チャックの前記第２サイドから離間されたボードによって支持された複数の撮像センサと、
    前記チャックと前記複数の撮像センサとの間に配置されるように前記ボードによって支持された複数の光源と、
    を備え、
    前記複数の撮像センサの各々は、前記複数の光源の各々に対して重ならないように配置されることを特徴とする装置。
  2. 前記複数の撮像センサおよび前記複数の光源の各々は、前記複数の撮像センサの各々から取得される画像と前記複数の光源からの光との干渉が最小化されるように前記チャックから特定の距離だけ離間されている、
    ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
  3. 前記複数の撮像センサは、前記ボードの１つの面によって支持され、前記複数の光源は、前記ボードの他の面によって支持される、
    ことを特徴とする請求項１記載の装置。
  4. 前記チャックは、前記複数の光源の各々から射出される光を透過する、
    ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
  5. 前記複数の撮像センサは、可視光を測定するように構成されている、
    ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
  6. 前記複数の撮像センサの各々は、局所領域の画像を得るように構成されている、
    ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
  7. 前記複数の撮像センサの各々によって取得された画像群を単一の画像に結合するように構成された画像プロセッサを更に備える、
    ことを特徴とする請求項４に記載の装置。
  8. 前記複数の光源は、前記チャックおよび前記スーパーストレートおよび前記テンプレートを透過するＵＶ光を生成するように構成されている、
    ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
  9. 前記複数の光源は、ＵＶ発光ダイオード（LED）を含む、
    ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
  10. 前記複数の光源をその上に実装するための第１ボードと、
    前記複数の撮像センサをその上に実装するための第２ボードと、
    を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
  11. 前記第１ボードは、前記複数の光源の各々の間に複数の穴を含む、
    ことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
  12. 前記複数の撮像センサの各々が、前記複数の穴のうち対応する１つと位置合わせされている、
    ことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
  13. 基板上に硬化性材料を堆積させる堆積工程と、
    前記硬化性材料の上方に配置されたボードによって支持された複数の撮像センサを用いて、前記堆積工程で堆積された前記硬化性材料の複数の局所画像を取得する取得工程と、
    前記硬化性材料と前記複数の撮像センサとの間に配置されように前記ボードによって支持された複数の光源からの光で前記硬化性材料を照射することによって前記硬化性材料を硬化させる硬化工程と、
    を含み、
    前記複数の撮像センサの各々は、前記複数の光源の各々に対して重ならないように配置されることを特徴とする硬化方法。
  14. 前記複数の光源によって前記硬化性材料にＵＶを放射することを更に含む、
    ことを特徴とする請求項１３に記載の硬化方法。
  15. 前記複数の光源は、UV発光ダイオード（LED）を含む、
    ことを特徴とする請求項１３に記載の硬化方法。
  16. 前記複数の局所画像を単一画像に処理することを更に含む、
    ことを特徴とする請求項１３に記載の硬化方法。
  17. 前記複数の撮像センサは、前記ボードの１つの面によって支持され、前記複数の光源は、前記ボードの他の面によって支持される、
    ことを特徴とする請求項１３に記載の硬化方法。
  18. 前記硬化工程を行う前に、スーパーストレートまたはテンプレートと前記硬化性材料とを接触させるように、前記スーパーストレートまたは前記テンプレートを保持するチャック、を駆動する駆動工程、
    を更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の硬化方法。
  19. 前記チャックは、前記複数の光源から射出される光を透過する、
    ことを特徴とする請求項１８に記載の硬化方法。
  20. 物品を製造するための方法であって、
    請求項１３に記載の硬化方法で、基板上の硬化性材料を硬化させる硬化工程と、
    前記硬化工程が行われた前記基板を処理する処理工程と、
    を含み、
    前記処理工程で処理された前記基板から物品を製造することを特徴とする方法。
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