JP7581311B2 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本明細書は、表示装置に関し、より詳細には、二重層からなるアンダーカット構造物を用いて有機発光層を形成することのできる表示装置、及びその製造方法に関する。
有機発光表示装置は、素子自体が発光体となる自発光（ｓｅｌｆ－ｅｍｉｓｓｉｖｅ）素子であって、電気的な信号が光に変換する時間が短く、発生した光は、方向性なく均一に広がって行く。有機発光表示装置は、色相の実現、視野角、及び明暗対比比に優れ、かつ、応答速度が早いという長所があり、高画質の動画を実現するための表示装置の製作が可能である。また、有機発光表示装置は、全体厚が薄く、特に、液晶表示装置（ＬＣＤ；Ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ；Ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）よりもさらに薄い表示装置の製作が可能であることから、大面積かつ高画質の次世代ディスプレイとして開発されている。
これら有機発光表示装置の発光体である有機物は、ファインメタルマスク（ＦＭＭ；Ｆｉｎｅ ｍｅｔａｌ ｍａｓｋ）を用いて、基板上の個々のサブ画素に形成している。しかしながら、ファインメタルマスクの薄厚により、マスクの中央部分に垂れ現象が発生することにより、中小型サイズのパネルに対する製作は可能であるものの、大面積パネルには適用し難い問題がある。
表示装置は、複数のサブ画素パターンがマトリックス状に配列されており、これらサブ画素パターンを形成するために、ファインメタルマスク（ＦＭＭ）又はオープンマスクを用いて白色発光層を形成する方式を利用している。しかしながら、ファインメタルマスク（ＦＭＭ）は、マスク垂れ現象が発生して、大面積パネルには適用し難く、微細なパターンも形成し難い限界がある。
大面積を有するパネルに対する要望が増加しつつあり、映像の品質を向上させるためにサブ画素パターンを微細パターンに形成することに対する必要性が高くなるにつれて、サブ画素パターンを形成する方法に対する研究が行われている。
本明細書は、上述した課題を解決するためのものであり、二重層からなるアンダーカット構造物を用いたパターニング方式を利用して形成されたサブ画素パターンを含む表示装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
また、二重層からなるアンダーカット構造物を用いたパターニング方式を利用してサブ画素パターンを形成することによって、ファインメタルマスク（ＦＭＭ）を用いて形成する場合よりも、さらに微細なパターンを実現することを目的とする。
また、二重層からなるアンダーカット構造物を用いたパターニング方式を利用して、大面積パネルにおいてもサブ画素パターンを形成することを目的とする。
本明細書の課題は、以上に言及した目的に制限されず、言及していないさらに他の課題は、下記の記載から当業者にとって明確に理解することができる。
本明細書の一実施形態による表示装置は、複数のサブ画素をそれぞれ含む複数の画素が配置された基板と、それぞれのサブ画素に配置されて、複数のサブ画素を駆動して発光させるためのトランジスタに接続された第１電極と、複数のサブ画素の発光領域を区分し、かつ、第１電極の一部を露出させるバンク孔を含むバンクと、を含み、それぞれのサブ画素は、バンク孔の底面に配置され、第１電極の露出した表面に接触し、かつ、バンク孔の側壁及びバンクの上部外側縁の上部表面に沿って連続して延びるサブ画素パターンを含み、サブ画素パターンの厚さは、サブ画素パターンが隣接するサブピクセルに向かう方向に、バンクの上部外側縁の上部表面に沿って延びながら段階的に減少することを特徴とする。
本明細書の他の実施形態による表示装置は、複数のサブ画素をそれぞれ含む複数の画素が配置された基板と、それぞれのサブ画素に配置されて、複数のサブ画素を駆動して発光させるためのトランジスタに接続された第１電極と、複数のサブ画素の発光領域を区分し、かつ、第１電極の一部を露出させるバンク孔を含むバンクと、を含み、それぞれのサブ画素は、バンク孔の底面に配置され、第１電極の露出した表面に接触し、かつ、バンク孔の側壁及びバンクの上部外側縁の上部表面に沿って連続して延びるサブ画素パターンを含み、各サブ画素パターンは、バンクの外側縁の上部表面に沿って連続して延びて、基板から遠くなるテール部で終了することを特徴とする。
本明細書のさらに他の実施形態による表示装置の製造方法は、基板上に薄膜トランジスタと電気的に連結される第１電極を形成するステップと、前記第１電極を露出させるバンク孔が備えられたバンクを形成するステップと、前記バンク上に保護層を形成するステップと、前記保護層の表面の一部を露出させるフォトレジストパターンを形成するステップと、前記保護層を除去して、前記フォトレジストパターンの下にアンダーカット領域を形成しつつ、前記保護層パターン及び前記フォトレジストパターンの二重層からなるアンダーカット構造物を形成するステップと、前記バンク孔の底面に位置して、前記第１電極の露出した表面に接触し、前記バンク孔の側壁上で、前記バンクの上部外側縁の表面に沿って前記アンダーカット領域内に連続して延びるサブ画素パターンを形成するステップと、前記アンダーカット構造物を除去するステップと、前記サブ画素パターン上に位置する第２電極を形成するステップと、を含むことを特徴とする。
本明細書の実施形態によれば、二重層からなるアンダーカット構造物を用いたパターニング方式でサブ画素パターンを形成することによって、ファインメタルマスク（ＦＭＭ）を用いてサブ画素パターンを形成する場合よりも、さらに微細なパターンを実現できる効果を有する。
また、フッ素重合体物質からなる保護層パターン及びフォトレジストパターンの二重層からなるアンダーカット構造物、及びリフトオフ方式を利用することで、大面積パネルにおいても、複数のサブ画素パターンを容易に形成できる利点を有する。
また、フッ素重合体物質からなる保護層パターン及びフォトレジストパターンの二重層からなるアンダーカット構造物を用いたパターニング方式を利用することで、サブ画素パターンを構成する有機素材の損傷を防止することができ、表示装置の性能及び信頼性を向上させる利点を有する。
また、フッ素重合体物質からなる保護層パターン及びフォトレジストパターンの二重層からなるアンダーカット構造物を導入することで、サブ画素パターンの形状を制御するためにアンダーカット領域の深さを調節できる利点を有する。
さらに、アンダーカット構造物を用いたパターニング方式を利用してサブ画素パターンを形成することで、サブ画素パターンにおける縁部の外郭方向に行くほど、ますます薄厚を有することにより、リーク電流を減少できる効果がある。
ちなみに、本明細書の実施形態によれば、アンダーカット構造物を用いたパターニング過程において、アンダーカット領域の深さを制御して、サブ画素パターンの形状を変形させることで、白色光を発光させるタンデム構造の有機発光層における電荷生成層を断線させることができ、リーク電流が発生することを防止できる利点を有する。
表示装置の表示領域を概略的に示した平面図。 図１のＩ－Ｉ’方向に沿って切り出して示した断面図。 １つのサブ画素パターンを説明するために示した図。 本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第２実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第２実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第２実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第２実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第２実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第２実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第２実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第２実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第２実施形態におけるアンダーカット領域の深さの調節によって発生した不良を説明するために示した図。 本明細書の第２実施形態におけるアンダーカット領域の深さの調節によって発生した不良を説明するために示した図。 本明細書の第２実施形態におけるアンダーカット領域の深さの調節によって発生した不良を説明するために示した図。 本明細書の第３実施形態を説明するために示した図。 本明細書の第３実施形態を説明するために示した図。 本明細書の第３実施形態を説明するために示した図。 本明細書の第３実施形態を説明するために示した図。 本明細書の第３実施形態を説明するために示した図。 本明細書の第３実施形態を説明するために示した図。 本明細書の第３実施形態を説明するために示した図。 本明細書の第３実施形態を説明するために示した図。 本明細書の第４実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第４実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第４実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第４実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第４実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第４実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。 本明細書の第４実施形態による有機発光表示装置を説明するために示した図。
本明細書の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すれば明確になる。しかしながら、本明細書は、以下に開示の実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる様々な形態に構成されるものである。ただ、本実施形態は、本明細書の開示を完全にして、本明細書の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。
本明細書の実施形態を説明するため図面に開示の形状、大きさ、比率、角度、本数等は、例示的なものであり、本明細書は、示された事項に限定されるものではない。全明細書における同じ参照符号は、同じ構成要素を称する。また、本明細書を説明することにおいて、関連する公知技術に対する具体的な説明が、本明細書の要旨を曖昧にすると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。本明細書上に言及されている「含む」、「有する」、「なる」などが使われる場合、「～のみ」が使われていない限り、他の部分を加えてもよい。構成要素を単数で表現した場合、別に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合も含む。
構成要素を解釈することにおいて、別途明示的記載がなくても、誤差範囲を含むものと解釈する。
位置関係に関する説明の場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～側に」などと、両部分の位置関係を説明する場合、「直ぐに」又は「直接」が使われていない限り、両部分の間に一以上の他の部分が位置してもよい。
時間関係に関する説明の場合、例えば、「～後に」、「～に次いで」、「～次に」、「～前に」などと、時間的先後関係を説明する場合、「直ぐに」又は「直接」が使われていない限り、連続的でない場合も含むことができる。
第１、第２などは、様々な構成要素を述べるために使われるものの、これら構成要素は、これら用語によって制限されない。これら用語は、単に一構成要素を他の構成要素と区別するために使うものである。よって、以下に言及する第１構成要素は、本明細書の技術思想内における第２構成要素であってもよい。
本明細書の実施形態における「相当量のフッ素」という表現は、フッ素原子の数が分子、重合体、物質、又は作用基の総原子数の５０％以上、又は６０％、７０％、８０％、又は９０％以上に至ることを意味し得る。
本明細書の複数の実施形態の個々の特徴は、部分的に又は全体的に互いに結合若しくは組み合わせが可能であり、技術的に様々な連動及び駆動が可能であり、各実施形態を互いに独立して実施することができ、連関関係をもって共に実施することもできる。
以下では、図面を参照して、本明細書の実施形態による二重層アンダーカット構造を用いて形成された表示装置、及びその製造方法を説明することとする。
図１は、表示装置の表示領域を概略的に示した平面図である。図２は、図１のＩ－Ｉ’方向に沿って切り出して示した断面図である。そして、図３は、１つの画素パターンを説明するために示した図面である。
図１～図３を参照すると、表示装置の表示領域（ＡＡ）は、画像を表示する領域であって、複数の画素（ＰＸ）が備えられている。複数の画素（ＰＸ，ｐｉｘｅｌ）は、表示領域（ＡＡ；ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）上に、第１方向（Ｘ）及び第１方向（Ｘ）と交差する第２方向（Ｙ）に沿って、マトリックス（ＰＸ１～ＰＸｍ、ＰＸｎ、ｍ及びｎは自然数）状に配列されている。１つの画素（ＰＸ）は、それぞれ複数のサブ画素（ＳＰ，ｓｕｂ ｐｉｘｅｌ）を含めてなる。サブ画素（ＳＰ）は、実際に光が発光する、基本となる色の要素であって、最小発光単位領域と理解することができる。個々のサブ画素（ＳＰ）は、自発光素子である有機発光素子及び有機発光素子を駆動するための薄膜トランジスタ（ＴＲ）を含むことができる。
一例において、図１における１つの画素（ＰＸ）を拡大して示した部分を参照すると、互いに隣接するサブ画素（ＳＰ）は、第１サブ画素（ＳＰ_１）、第２サブ画素（ＳＰ_２）、第３サブ画素（ＳＰ_３）、及び補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）を含めて１つの画素（ＰＸ）を構成することができる。ここで、第１サブ画素（ＳＰ_１）、第２サブ画素（ＳＰ_２）、及び第３サブ画素（ＳＰ_３）は、表示領域（ＡＡ）がカラー映像を表示する場合、互いに異なる複数の色相のうちいずれか色相に対応する波長領域の光を放出することができる。ここで、複数の色相は、赤、緑及び青を含むことができる。または、複数の色相は、白色をさらに含むことができる。
補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）は、駆動電圧の不均衡を防止するために、複数の画素（ＰＸ）にそれぞれ配置されてもよい。画素（ＰＸ）に駆動電圧を印加する配線は、表示領域（ＡＡ）の外郭に位置する非表示領域に配置されている。このため、マトリックス状に配列された画素（ＰＸ）と、非表示領域に配置された配線との間の離隔距離が発生することにより、駆動電圧が不均衡に印加されて、画素（ＰＸ）の位置によって輝度がばらつく不良が発生し得る。これら駆動電圧の不均衡による輝度バラツキを防止するために、個々の画素（ＰＸ）に補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）を含めて構成することができる。補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）は、図２に示したように、第２電極１９０と第１電極１２２が直接接触するように構成することができる。補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）は、平面視、メッシュ（ｍｅｓｈ）状を有するように表示領域（ＡＡ）上に配列されてもよい。図２には、補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）の第１電極１２２が、表示領域（ＡＡ）内で薄膜トランジスタ（ＴＲ）と連結されているものの、これに限定されるものではなく、補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）の第１電極１２２は、表示領域（ＡＡ）内で薄膜トランジスタ（ＴＲ）と連結されていなくてもよい。
更に図２を参照すると、本明細書の実施形態による表示装置は、基板１００上に光遮断層１０２、バッファ層１０４、薄膜トランジスタ（ＴＲ）、層間絶縁膜１１２、平坦化膜１１６、第１電極１２２、バンク１２４、複数の画素パターン１４５ａ，１６５ａ，１８５ａ、第２電極１９０、及び封止層１９７を含むことができる。
光遮断層１０２は、薄膜トランジスタ（ＴＲ）と重畳するように基板１００上に配置されて、バッファ層１０４は、光遮断層１０２を覆うように位置する。バッファ層１０４上には薄膜トランジスタ（ＴＲ）が配置される。薄膜トランジスタ（ＴＲ）は、活性領域１０６、ゲート電極１１０、ソース電極１１４、及びドレイン電極１１５を含むことができる。活性領域１０６は、ゲート電極１１０と重畳するチャンネル領域（ＣＨ）を介して配置されたソース領域（ＳＡ）及びドレイン領域（ＤＡ）を含む。ゲート電極１１０は、ゲート絶縁膜１０８を介して活性領域１０６上に配置される。
層間絶縁膜１１２は、活性領域１０６及びゲート電極１１０を全て覆い、活性領域１０６の表面の一部を露出させる第１コンタクト孔１１３を含むことができる。第１コンタクト孔１１３を介してソース電極１１４及びドレイン電極１１５は、それぞれソース領域（ＳＡ）及びドレイン領域（ＤＡ）と接触するように配置されてもよい。
層間絶縁膜１１２上には、ドレイン電極１１５の表面の一部を露出させる第２コンタクト孔１２０を含む平坦化膜１１６が配置されてもよい。平坦化膜１１６上には第１電極１２２が配置され、第１電極１２２は、第２コンタクト孔１２０によって露出したドレイン電極１１５と接触して、ゲート電極１１０と電気的に連結されてもよい。第１電極１２２は、アノード電極又は画素電極とも称し得る。第１電極１２２は、複数のサブ画素（ＳＰ－１，ＳＰ－２，ＳＰ－３）上にそれぞれ配置されてもよい。
平坦化膜１１６上には複数のバンク１２４が配置されて、複数のサブ画素（ＳＰ－１，ＳＰ－２，ＳＰ－３）各々の発光領域を定義し、かつ、サブ画素（ＳＰ－１，ＳＰ－２，ＳＰ－３）を互いに区分する。バンク１２４に備えられたバンク孔１２５によって個々のサブ画素（ＳＰ－１，ＳＰ－２，ＳＰ－３）の第１電極１２２の表面の一部が露出してもよい。
サブ画素パターン１４５ａ，１６５ａ，１８５ａは、複数のサブ画素（ＳＰ－１，ＳＰ－２，ＳＰ－３）の第１電極１２２の露出面と、バンク１２４の側壁及び上部面に配置されている。サブ画素パターン１４５ａ，１６５ａ，１８５ａは、第１サブ画素（ＳＰ－１）に配置された第１のサブ画素パターン１４５ａ、第２サブ画素（ＳＰ－２）に配置された第２のサブ画素パターン１６５ａ、及び第３サブ画素（ＳＰ－３）に配置された第３のサブ画素パターン１８５ａを含むことができる。ここで、第１のサブ画素パターン１４５ａ～第３のサブ画素パターン１８５ａは、それぞれ赤、緑及び青のうち１つの色相に対応する波長領域の光を放出することができるものの、これに限定されるものではない。
図３を参照すると、第１のサブ画素パターン１４５ａ～第３のサブ画素パターン１８５ａは、平面視、縁部（ＢＤ）及び縁部（ＢＤ）の内側方向に配置されたトレンチ部（ＴＣ）を含む長方形の形状を有してもよい。第１サブ画素の縁部（ＢＤ）は、バンク１２４の上部面に位置することができ、トレンチ部（ＴＣ）は、縁部（ＢＤ）の内側に位置しつつ、隣接するバンク１２４の間に配置されたバンク孔１２５と重畳して位置することができる。図３では、説明のため第１のサブ画素パターン１４５ａのみについて示しているが、第２のサブ画素パターン１６５ａ及び第３のサブ画素パターン１８５ａも同じ形状を有してもよい。
また、個々のサブ画素パターン１４５ａ，１６５ａ，１８５ａは、バンク孔１２５の方向に行くほど、厚さ（ｔｈ１、ｔｈ２、ｔｈ３）がますます厚くなるように形成されてもよい。言い換えれば、個々のサブ画素パターン１４５ａ，１６５ａ，１８５ａは、バンク孔１２５によって定義されたトレンチ部（ＴＣ）を覆いつつ、バンク１２４の上部面に延びて、隣接する他のサブ画素パターンの方向に行くほど、ますます薄厚を有するように形成されてもよい。これによって、サブ画素パターン１４５ａ，１６５ａ，１８５ａは、トレンチ部（ＴＣ）から連結された縁部（ＢＤ）における最も厚い第１厚さ（ｔｈ１）を有して、縁部（ＢＤ ）の最外郭部における最も薄い第３厚さ（ｔｈ３）を有してもよい。
これら個々のサブ画素パターン１４５ａ，１６５ａ，１８５ａの縁部（ＢＤ）は、平面視、隣り合うサブ画素パターンの方向に環状が繰り返して配置された形状を有する。また、環状は、隣り合うサブ画素パターンの方向に行くほど、薄厚を有するように形成されることによって、段差形状を有してもよい。
このように、サブ画素パターン１４５ａ，１６５ａ，１８５ａにおける縁部（ＢＤ）の外郭方向に行くほど、ますます薄厚を有することにより、リーク電流が減少し得る。一例において、縁部（ＢＤ）の最外郭部に形成された最も薄い第３厚さ（ｔｈ３）は、電荷が移動しにくい薄厚を有することにより、リーク電流が減少し得る。また、個々のサブ画素パターン１４５ａ，１６５ａ，１８５ａの縁部（ＢＤ）は、平面視、環状が繰り返して配置された段差形状を有することにより、抵抗の急激に増加する段差部が繰り返して配置されており、リーク電流がさらに効果的に減少し得る。
バンク１２４上に第１のサブ画素パターン１４５ａ、第２のサブ画素パターン１６５ａ、及び第３のサブ画素パターン１８５ａと共通して接触する第２電極１９０が配置されてもよい。第２電極１９０は、カソード電極とも称し得、個々のサブ画素パターン１４５ａ，１６５ａ，１８５ａに電子を供給する。一例において、第２電極１９０は、補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）上で第１電極１２２と直接に接触して、補助電極１９５を構成することができる。これによって、第１のサブ画素パターン１４５ａ、第２のサブ画素パターン１６５ａ、第３のサブ画素パターン１８５ａ、及び補助電極１９５が１つのグループを成すことができる。
第２電極１９０上には封止層１９７が配置されてもよい。封止層１９７は、外部から流入する水分又は酸素の浸透を遮断して、表示装置の信頼性を向上させる役割を担う。このために封止層１９７は、少なくとも１つ以上の無機膜又は有機膜の単一層、若しくは、無機膜及び有機膜が積層された多重層で形成することができる。
本明細書の第１実施形態による表示装置上に配置されたサブ画素パターンは、平面視、縁部及び内部にトレンチ部を含む長方形の形状を含むことができる。また、個々のサブ画素パターンは、バンク孔の方向に行くほど、厚さがますます厚くなるように形成されてもよい。言い換えれば、バンク孔の露出面からバンクの上部面に延びて、隣接する他のサブ画素パターンが配置された外郭方向に行くほど、ますます薄厚を有するように形成されてもよい。このように、サブ画素パターンの外郭方向に行くほど、ますます薄厚を有することにより、リーク電流が減少し得る。
以下の図面を参照して、本明細書の実施形態による製造方法を説明することとする。
図４～図１９は、本明細書の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。ここで、図４～図１９は、図１のＩ－Ｉ’方向に沿って切り出して示しており、以下では、これに関する説明は省略することとする。
図４を参照すると、基板１００上に光遮断層１０２を形成し、光遮断層１０２上に基板１００の前面を覆うバッファ層１０４を形成する。基板１００は、透光性基板であってもよい。基板１００は、ガラス又は強化ガラスのような堅い物質からなるか、プラスチック材質のフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）な材料からなってもよいものの、これに限定されるものではない。
光遮断層１０２は、上部に位置する活性領域１０６と重畳するように配置されて、外部から入射する光から薄膜トランジスタ（Ｔｒ）を保護し、薄膜トランジスタ（ＴＲ）にオフ電流（ｏｆｆ ｃｕｒｒｅｎｔ）が発生することを防止する。
バッファ層１０４は、基板１００から上部の有機発光素子の方向に水分又は酸素が浸透することを遮断して、イオン又は不純物から薄膜トランジスタ（ＴＲ）を保護する。また、バッファ層１０４は、光遮断層１０２を絶縁する役割を担う。バッファ層１０４は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、又はシリコンオキシ窒化物（ＳｉＯＮ）を含む無機絶縁膜又は有機絶縁膜の単一層、若しくは、無機絶縁膜と有機絶縁膜の多層構造で形成することができる。
バッファ層１０４の上部には薄膜トランジスタ（ＴＲ）が配置されてもよい。本明細書の第１実施形態における薄膜トランジスタ（ＴＲ）は、活性領域１０６、ゲート電極１１０、ソース電極１１４、及びドレイン電極１１５を含むことができる。ゲート電極１１０は、活性領域１０６のチャンネル領域（ＣＨ）と重畳して位置する。ゲート電極１１０と、活性領域１０６のチャンネル領域（ＣＨ）との間には、ゲート絶縁膜１０８が配置される。ゲート電極１１０は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、又は銅（Ｃｕ）からなるグループのうちいずれか又はこれらの合金からなってもよい。
活性領域１０６は、チャンネル領域（ＣＨ）を介して向かい合うソース領域（ＳＡ）及びドレイン領域（ＤＡ）を具備する。活性領域１０６は、非晶質シリコン、多結晶シリコン、又は酸化物半導体のうち少なくとも１つを含めて形成することができる。
薄膜トランジスタ（ＴＲ）上に層間絶縁膜１１２が形成されてもよい。層間絶縁膜１１２は、ゲート電極１１０及び活性領域１０６を含む基板１００の前面にわたって形成することができ、ゲート電極１１０の上部面を全て覆う厚さに形成することができる。層間絶縁膜１１２は、無機絶縁膜の単一層からなるか、若しくは、無機絶縁膜と有機絶縁膜からなる複数の層で形成することができる。
層間絶縁膜１１２は、層間絶縁膜１１２を貫通して、活性領域１０６の表面の一部を露出させる第１コンタクト孔１１３が配置されて、第１コンタクト孔１１３は、ソース電極１１４及びドレイン電極１１５で満たされてもよい。
ソース電極１１４は、活性領域１０６のソース領域（ＳＡ）と電気的に接続され、ドレイン電極１１５は、活性領域１０６のドレイン領域（ＤＡ）と電気的に接続される。ソース電極１１４及びドレイン電極１１５は、ゲート電極１１０を介して相互離隔して配置されてもよい。ソース電極１１４及びドレイン電極１１５は、第１コンタクト孔１１３のオープン領域を全て満たし、層間絶縁膜１１２の上部表面を一部覆うように延びて形成されてもよい。
層間絶縁膜１１２上には、第２コンタクト孔１２０の備えられた平坦化膜１１６が配置されてもよい。平坦化膜１１６は、基板１００の前面を覆いつつ、基板１００上の表面が平たい表面を有するに十分な厚さを有してもよい。平坦化膜１１６を貫通する第２コンタクト孔１２０は、ドレイン電極１１５の表面の一部を露出するように形成することができる。
第１電極１２２は、平坦化膜１１６上に形成される。第１電極１２２は、第２コンタクト孔１２０によって露出したドレイン電極１１５を介してゲート電極１１０と電気的に連結されてもよい。第１電極１２２は、インジウム－スズ－酸化物（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）又はインジウム－亜鉛－酸化物（ＩＺＯ；Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）のような透明な金属酸化物からなってよい。第１電極１２２は、アノード電極又は画素電極とも称し得る。第１電極１２２は、サブ画素別に相互離隔して配置されてもよい。
平坦化膜１１６上には、バンク孔１２５の備えられたバンク１２４が形成される。バンク１２４は、画素の発光領域１２６を定義する境界領域に個々のサブ画素を区分する役割を担う。また、バンク１２４は、隣接する画素の他の色の光が互いに混合して出力されることを防止する隔壁の役割を担う。バンク１２４は、第１電極１２２をサブ画素別に相互離隔して配置させることができる。
バンク１２４は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）等のような無機絶縁物質、若しくは、ポリイミド等のような有機絶縁物質を用いて形成することができる。バンク１２４は、バンク孔１２５によって定義された発光領域１２６における第１電極１２２の露出部分を除いた他の領域を覆えるように形成することができる。バンク孔１２５は、トレンチ形状を有してもよい。
図５を参照すると、バンク１２４を含む基板１００の前面に第１保護層（ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ ｌａｙｅｒ）１３０及び第１フォトレジスト層１３５を形成する。第１保護層１３０は、その後に形成される有機発光層が工程ステップを行ううちに生じ得る損傷、例えば、エッチング物質による損傷を防止する役割を担う。第１保護層１３０は、バンク孔１２５を全て満たしつつ、バンク１２４の表面上に第１厚さ（Ｔ１）を有するように形成する。
第１保護層１３０は、一例において、炭素－炭素の結合が鎖構造で連続して行われつつ、作用基（又は機能基）に多量のフッ素（Ｆ）を含有したフッ素重合体（ｆｌｏｒｏｐｏｌｙｍｅｒ）物質からなってもよい。第１保護層１３０は、多量のフッ素（Ｆ）を含有していることによって、直交特性（ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌｉｔｙ）を有するようになる。直交特性とは、ある両事物が互いに関係なく、独立して存在する特性と理解することができる。これによって、第１保護層１３０は、水との親和力が少ない疎水性（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）と、油との親和力が少ない疎油性（ｏｌｅｏｐｈｏｂｉｃ）の特性を両方とも有する。これら直交特性によって、第１保護層１３０は、水分と分離されるか、水分を排斥することができる。また、工程ステップを行う過程で用いる有機溶剤（ｏｒｇａｎｉｃ ｓｏｌｖｅｎｔ）を含む現像剤（ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ）から受ける影響が少ない。
第１保護層１３０上に形成された第１フォトレジスト層１３５は、ポジティブタイプ又はネガティブタイプのフォトレジスト物質のうち１つを選択して形成することができ、本発明の実施形態では、ポジティブタイプのフォトレジスト物質で形成することができる。第１フォトレジスト層１３５は、その後にアンダーカット領域を形成する過程において、下部に垂れるか崩れる不良を防止できる第１厚さ（Ｐ１）で形成するのが好ましい。
図６を参照すると、有機発光層の第１画素パターンが形成される領域を定義する開口領域１３６を含む第１のフォトレジストパターン１３５ａを形成する。このために、開口領域１３６が形成される領域の第１フォトレジスト層１３５（図５参照）を露出させる部分に、開口部が位置するフォトマスクを位置させて、開口部を介して露出した 第１のフォトレジスト層１３５上に、紫外線（ＵＶ）等のような光に露出させる露光工程を行う。次に、現像液を用いて、 第１のフォトレジスト層１３５を除去する現像工程を行うと、 第１のフォトレジスト層１３５のうち紫外線（ＵＶ）光に露出した部分のみ選択的に除去される。すると、有機発光層の第１のサブ画素パターンが形成される領域を定義する開口領域１３６を含む第１のフォトレジストパターン１３５ａが形成される。第１のフォトレジストパターン１３５ａの開口領域１３６を介して第１保護層１３０の表面の一部が露出してもよい。
図７及び図８を参照すると、第１のフォトレジストパターン１３５ａをエッチングマスクとしたパターニング工程を行って、第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）を形成する。第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）は、第１の保護層パターン１３０ａ及び第１のフォトレジストパターン１３５ａの二重層からなる。第１のアンダーカット領域１４０は、第１の保護層パターン１３０ａ上に形成されてもよい。
第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）は、第１のフォトレジストパターン１３５ａに対してアンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）形状を有してもよい。アンダーカットは、第１の保護層パターン１３０ａが、第１のフォトレジストパターン１３５の下方にさらに除去される現象と理解することができる。言い換えれば、第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）は、第１のフォトレジストパターン１３５ａの末端部（ｅｄ１）と整列して垂直に除去されず、第１のフォトレジストパターン１３５ａの両末端部（ｅｄ１）から内側方向に第１深さ（ｄ１）だけさらに除去される。これによって、第１のフォトレジストパターン１３５ａの両末端部（ｅｄ１）の間の第１幅（Ｗ１）よりも、隣接する第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）の両末端部（ｅｄ２）の間の第２幅（Ｗ２）が相対的にさらに広い幅を有するように形成される。
第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）を形成するためのパターニング工程は、リフトオフ（ｌｉｆｅ－ｏｆｆ）方式を利用して行うことができる。リフトオフ工程は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒を用いて行うことができる。フッ素（Ｆ）系有機溶媒は、炭素－炭素の結合が鎖構造で連続して行われつつ、作用基（又は機能基）に多量のフッ素（Ｆ）を含有した重合体物質からなってもよい。作用基に多量のフッ素（Ｆ）を含有しているフッ素（Ｆ）系有機溶媒も、多量のフッ素（Ｆ）を作用基に含有したフッ素重合体物質からなる第１保護層１３０内に浸透して、第１のフォトレジストパターン１３５ａには影響を及ぼさず、第１保護層１３０のみ選択的に除去して、パターニングすることができる。
リフトオフ方式を利用したパターニング工程は、多量のフッ素（Ｆ）が作用基に含有されているフッ素重合体物質からなる第１保護層１３０が、フッ素（Ｆ）系有機溶媒に露出する時間を調節して、第１保護層１３０が除去される量を調節することができ、第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）の第１のアンダーカット領域１４０の深さ（ｄ１）を制御することができる。
例えば、図８は、基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）上に保護層（ＳＬ１，ＳＬ２）及びフォトレジストパターン（ＰＲ１，ＰＲ２）が配置された状態で、保護層（ＳＬ１，ＳＬ２）を、時間をそれぞれ異にして、フッ素（Ｆ）系有機溶媒に露出させた後に形成されたアンダーカット領域を示した写真である。
図８を参照すると、保護層（ＳＬ１）をフッ素（Ｆ）系有機溶媒に第１時間（１０秒）の間露出させる場合である、図８の（ａ）で形成されたアンダーカット領域の深さ（ＵＣＷ１）は、第１深さに形成される一方、保護層（ＳＬ２）を第１時間よりも相対的に長い第２時間（４５秒）の間露出させる場合である、図８の（ｂ）で形成されたアンダーカット領域の深さ（ＵＣＷ２）は、第１深さよりもさらに大きいサイズを有する第２深さを有するように形成されることが確認できる。言い換えれば、保護層（ＳＬ１，ＳＬ２）がフッ素（Ｆ）系有機溶媒に露出する時間が長くなるほど、アンダーカット領域の深さがさらに大きいサイズを有するように形成される。
これら保護層の特性を利用して、図７に示したように、第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）の第１のアンダーカット領域１４０の第１深さ（ｄ１）は、第１の保護層パターン１３０ａの厚さ（Ｔ１）よりもさらに大きいサイズ（ｄ１＞Ｔ１）を有するように形成する。
図９を参照すると、基板１００上に第１のサブ画素パターン１４５ａ及び第１有機材料層１４５ｂを含む第１有機発光層１４５を形成する。
このために先ず、第１のアンダーカット領域１４０が形成された基板１００上にプラズマトリートメントを行う。プラズマトリートメントは、前の工程を行う過程で発生した異物又は残余物等を除去する役割を担う。一例において、プラズマトリートメントは、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、又はアルゴン（Ａｒ）の単独又は混合気体をプラズマ化して行うことができる。
プラズマトリートメントを行った後、基板１００上に第１有機発光層１４５を形成する。第１有機発光層１４５は、第１電極１２２の露出面及び第１のフォトレジストパターン１３５ａの表面上に形成されてもよい。
第１のサブ画素パターン１４５ａは、第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）の第１のアンダーカット領域１４０を通過して、バンク１２４上に形成されてもよい。これによって、第１のサブ画素パターン１４５ａは、第１電極１２２の露出面を覆いつつ、バンク孔１２５によって露出したバンク１２４の側壁の形状に沿って、バンク１２４の上部面まで延びて形成することができる。第１有機材料層１４５ｂは、第１のフォトレジストパターン１３５ａの露出面上に形成されてもよい。
一例において、第１のサブ画素パターン１４５ａは、図１０に示したように、バンク孔１２５の方向に行くほど、厚さがますます厚くなるように形成されてもよい。具体的に、第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）が形成された状態で、第１有機発光層１４５を形成するための蒸着工程を行うと、第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）によって有機材料物質が不均一に蒸着されてもよい。
例えば、図１０における矢印で示されたように、第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）の第１のアンダーカット領域１４０では、上部に位置した第１のフォトレジストパターン１３５ａによって相対的に有機素材が少なく蒸着されてもよい。これによって、最も薄い第３厚さ（ｔｈ３）を有するように形成されてもよい。また、バンク孔１２５と近い部分に行くほど、蒸着工程で妨げられる構造物がないことから、相対的に最も厚い第１厚さ（ｔｈ１）を有するように形成されてもよい。そして、第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）と相対的に近く配置された部分は、第１のフォトレジストパターン１３５ａの末端部に、有機素材の積もる部分が発生することから、第３厚さ（ｔｈ３）よりは相対的に厚く形成されるものの、第１厚さ（ｔｈ１）よりは相対的に薄い第２厚さ（ｔｈ２）を有するように形成されてもよい。
第１有機発光層１４５は、たとえ図面には示していないものの、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、及び電子輸送層（ＥＴＬ）の積層構造を含むことができる。第１有機発光層１４５は、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、及び電子輸送層（ＥＴＬ）と共に、正孔遮断層（ｈｏｌｅ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ，ＨＢＬ）、正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ，ＨＩＬ）、電子遮断層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ，ＥＢＬ）、及び電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ，ＥＩＬ）をさらに含めて構成することもできる。第１有機発光層１４５の発光層（ＥＭＬ）は、第１電極１２２から注入された正孔と、その後に形成される第２電極から注入された電子との再結合によって光を放出する層であって、本発明の実施形態では、赤色光を放出することができる。
図１１を参照すると、フルリフトオフ（ｆｕｌｌ ｌｉｆｔ－ｏｆｆ）工程を行って、第１のサブ画素パターン１４５ａを除いた他の領域の第１電極１２２を露出させる。フルリフトオフ工程は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒を用いて行うことができる。フッ素（Ｆ）系有機溶媒も、多量のフッ素（Ｆ）を含む重合体（ｐｏｌｙｍｅｒ）物質からなっている第１の保護層パターン１３０ａの内部に浸透して、第１保護層パターン１３０ａを除去することができる。すると、第１の保護層パターン１３０ａの上部に配置されている第１のフォトレジストパターン１３５ａ及び第１のフォトレジストパターン１３５ａの表面に形成された第１有機材料層１４５ｂは、第１の保護層パターン１３０ａが除去される過程で、共に除去することができる。
ここで、第１のサブ画素パターン１４５ａを構成する有機素材は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒に対して耐性を有していることから、劣化するか変質しない。これによって、フルリフトオフ工程を行う過程において、第１のサブ画素パターン１４５ａは損傷しない。上述したフルリフトオフ工程を行うと、第１のサブ画素パターン１４５ａを除いた他の領域の第１電極１２２及びバンク１２４の表面が露出し、第１のサブ画素パターン１４５ａが形成された部分は、第１サブ画素（ＳＰ－１）と定義することができる。
第１のサブ画素パターン１４５ａは、図３に示したように、平面視、縁部（ＢＤ）及び縁部（ＢＤ）の内側方向に配置されたトレンチ部（ＴＣ）を含む長方形の形状を有してもよい。また、第１のサブ画素パターン１４５ａの縁部（ＢＤ）は、平面視、環状が繰り返して配置された段差形状を有してもよい。
図１２を参照すると、第１のサブ画素パターン１４５ａが形成された基板１００の前面に、第２保護層１５０及び第２フォトレジスト層１５５を順次形成する。第２保護層１５０は、その後に形成される有機発光層の損傷を防止するために、第１のサブ画素パターン１４５ａの露出面を全て覆うに十分な厚さを有するように形成することができる。第２保護層１５０は、第１保護層１３０（図５参照）と同じ物質及び同じ第１厚さ（Ｔ１）で形成することができる。例えば、第２保護層１５０は、炭素－炭素の結合が鎖構造で連続して行われつつ、作用基（又は機能基）に多量のフッ素（Ｆ）を含有したフッ素重合体物質からなってもよい。これによって、第２保護層１５０は、疎水性及び疎油性の特性を両方とも含む直交特性を有する。
第２保護層１５０上に形成された第２フォトレジスト層１５５は、ポジティブタイプ又はネガティブタイプのフォトレジスト物質のうち１つを選択して形成することができ、本発明の実施形態では、ポジティブタイプのフォトレジスト物質で形成することができる。第２フォトレジスト層１５５は、その後にアンダーカット領域を形成する過程において、下部に垂れるか崩れる不良を防止できる第１厚さ（Ｐ１）で形成するのが好ましい。
図１３を参照すると、有機発光層の第２画素パターンが形成される領域を定義する開口領域１５６を含む第２のフォトレジストパターン１５５ａを形成する。このために、開口領域１５６が形成される領域の第２フォトレジスト層１５５を露出させる部分に、開口部が位置するフォトマスクを位置して、開口部を介して露出した第２フォトレジスト層１５５上に紫外線（ＵＶ）のような光に露出させる露光工程を行う。続いて、現像液を用いた現像工程を行うと、第２フォトレジスト層１５５のうち紫外線（ＵＶ）光に露出した部分のみ選択的に除去される。すると、有機発光層の第２のサブ画素パターンが形成される領域を定義する開口領域１５６を含む第２のフォトレジストパターン１５５ａが形成される。第２のフォトレジストパターン１５５ａの開口領域１５６を介して第２保護層１５０の表面の一部が露出してもよい。
図１４を参照すると、第２のフォトレジストパターン１５５ａをエッチングマスクとしたパターニング工程を行って、第２のアンダーカット構造物（ＵＣ２）を形成する。第２のアンダーカット構造物（ＵＣ２）は、第２の保護層パターン１５０ａ及び第２のフォトレジストパターン１５５ａの二重層からなる。第２のアンダーカット領域１６０は、第２の保護層パターン１５０ａ上に形成されてもよい。
第２のアンダーカット構造物（ＵＣ２）は、第２のフォトレジストパターン１５５ａに対してアンダーカット形状を有してもよい。第２のアンダーカット構造物（ＵＣ２）は、第２のフォトレジストパターン１５５ａの末端部（ｅｄ３）と整列して垂直に除去されず、第２のフォトレジストパターン１５５ａの両末端部（ｅｄ３）から内側方向に所定の深さ（ｄ１）だけさらに除去される。これによって、第２のフォトレジストパターン１５５ａの両末端部（ｅｄ３）の間の幅（Ｗ３）よりも、第２のアンダーカット構造物（ＵＣ２）の両末端部（ｅｄ４）の間の幅が相対的にさらに広い幅（Ｗ４）を有するように形成される。
第２のアンダーカット構造物（ＵＣ２）を形成するためのパターニング工程は、リフトオフ方式を利用して行うことができる。リフトオフ工程は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒を用いて行うことができる。作用基に多量のフッ素（Ｆ）を含有しているフッ素（Ｆ）系有機溶媒が、第２保護層１５０内に浸透して、第２保護層１５０のみ選択的に除去し、第２のアンダーカット領域１６０を形成することができる。
第２のアンダーカット領域１６０の深さ（ｄ１）は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒に第２保護層１５０が露出する時間を調節して制御することができる。一例において、第２のアンダーカット構造物（ＵＣ２）の第２のアンダーカット領域１６０の深さ（ｄ１）は、第１のアンダーカット領域１４０（図７参照）と同様の深さを有してもよい。これによって、第２のアンダーカット領域１６０の深さ（ｄ１）は、第２の保護層パターン１５０ａの厚さ（Ｔ１）よりもさらに大きいサイズ（ｄ１＞Ｔ１）を有するように形成する。
図１５を参照すると、基板１００上に第２のサブ画素パターン１６５ａ及び第２有機材料層１６５ｂを含む第２有機発光層１６５を形成する。
このために先ず、第２のアンダーカット領域１６０が形成された基板１００上に、前の工程を行う過程で発生した異物又は残余物等を除去するプラズマトリートメントを行う。一例において、プラズマトリートメントは、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、又はアルゴン（Ａｒ）の単独又は混合気体をプラズマ化して行うことができる。
プラズマトリートメントを行った後、基板１００上に第２有機発光層１６５を形成する。第２有機発光層１６５は、第１電極１２２の露出面及び第２のフォトレジストパターン１５５ａの表面上に形成されてもよい。
第２のサブ画素パターン１６５ａは、第２のアンダーカット構造物（ＵＣ２）の第２のアンダーカット領域１６０を通過して、バンク１２４上に形成されてもよい。これによって、第２のサブ画素パターン１６５ａは、第１電極１２２の露出面を覆いつつ、バンク孔１２５によって露出したバンク１２４の側壁の形状に沿って、バンク１２４の上部面まで延びるように形成することができる。一例において、第２のサブ画素パターン１６５ａは、第１のサブ画素パターン１４５ａと同様、図３に示したように、バンク孔１２５の方向に行くほど、厚さがますます厚くなるように形成されてもよい。また、第２のサブ画素パターン１６５ａの縁部（ＢＤ、図３参照）は平面視、環状が繰り返して配置された段差形状を有してもよい。
第２有機発光層１６５は、たとえ図面には示していないものの、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、及び電子輸送層（ＥＴＬ）の積層構造を含むことができる。第２有機発光層１６５は、正孔遮断層（ＨＢＬ）、正孔注入層（ＨＩＬ）、電子遮断層（ＥＢＬ）、及び電子注入層（ＥＩＬ）をさらに含むこともできる。
第２有機発光層１６５の発光層（ＥＭＬ）は、第１電極１２２から注入された正孔と、その後に形成される第２電極から注入された電子との再結合によって光を放出する層であって、本発明の実施形態では、緑色光を放出することができる。
図１６を参照すると、フルリフトオフ工程を行って、第１のサブ画素パターン１４５ａ及び第２のサブ画素パターン１６５ａを除いた他の領域の第１電極１２２を露出させる。フルリフトオフ工程は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒を用いて行うことができる。フッ素（Ｆ）系有機溶媒は、第２の保護層パターン１５０ａの内部に浸透して、バンク１２４及び第１電極１２２から剥離して除去することができる。すると、第２の保護層パターン１５０ａの上部に配置されている第２のフォトレジストパターン１５５ａ及び第２有機材料層１６５ｂは、第２の保護層パターン１５０ａが剥離及び除去される過程で、共に除去することができる。
ここで、第１のサブ画素パターン１４５ａ及び第２のサブ画素パターン１６５ａを構成する有機素材は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒に対して耐性を有していることから、劣化するか変質しない。これによって、フルリフトオフ工程を行う過程において、第１のサブ画素パターン１４５ａ及び第２のサブ画素パターン１６５ａは、損傷しない。また、第１のサブ画素パターン１４５ａ及び第２のサブ画素パターン１６５ａは、相互所定の距離（ｓ１）だけ離隔して配置されてもよい。第２のサブ画素パターン１６５ａが形成された部分は、第２サブ画素（ＳＰ－２）と定義することができる。
次に、上述したように、第１のサブ画素パターン１４５ａ又は第２画素パターン１４５ａを形成するために、アンダーカット構造物を形成する工程を行って、第３のアンダーカット構造物（ＵＣ３）を形成する。
具体的に、基板１００上に保護層及びフォトレジスト層を形成して、フォトレジスト層上に露光及び現像工程を行い、図１７に示したように、第３画素パターンが形成される領域を定義する第３のフォトレジストパターン１７５ａを形成する。そして、第３のフォトレジストパターン１７５ａをエッチングマスクとしたパターニング工程を行って、第３の保護層パターン１７０ａ及び第３のフォトレジストパターン１７５ａの二重層からなる第３のアンダーカット構造物（ＵＣ３）を形成する。ここで、第３の保護層パターン１７０ａは、第１保護層１３０又は第２保護層１５０と同じ物質、例えば、多量のフッ素（Ｆ）を含有した重合体（ｐｏｌｙｍｅｒ）物質からなってもよい。また、第３保護層１７０ａは、第１保護層１３０又は第２保護層１５０と同様の厚さ（Ｔ１）を有するように形成することができ、第３のフォトレジストパターン１７０ａは、第１のフォトレジストパターン１３５ａ又は第２のフォトレジストパターン１５５ａと同様の厚さ（Ｐ１）を有してもよい。
これによって、第３のアンダーカット構造物（ＵＣ３）を形成するためのパターニング工程は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒を用いたリフトオフ方式を利用して行うことができる。これらパターニング工程で形成された第３のアンダーカット構造物（ＵＣ３）は、第３の保護層パターン１７０ａ及び第３のフォトレジストパターン１７５ａの二重層からなる。第３の保護層パターン１７０ａは、第３のアンダーカット領域１８０を含むことができる。第３のアンダーカット領域１８０の深さ（ｄ１）は、第３の保護層パターン１７０ａの厚さ（Ｔ１）よりもさらに大きいサイズ（ｄ１＞Ｔ１）を有するように形成することができる。
続いて、第３有機発光層１８５を形成する前に、異物又は残余物等を除去するためのプラズマトリートメントを行う。そして、更に図１７に示したように、基板１００上に第３有機発光層１８５を形成する。第３有機発光層１８５は、第１電極１２２の露出面上に形成された第３のサブ画素パターン１８５ａと、第３のフォトレジストパターン１７５ａの表面上に形成された第３有機材料層１８５ｂとを含むことができる。
第３のサブ画素パターン１８５ａは、第３のアンダーカット構造物（ＵＣ３）の第３のアンダーカット領域１８０を通過して、バンク１２４上に形成されてもよい。これによって、第３のサブ画素パターン１８５ａは、第１電極１２２の露出面を覆いつつ、バンク孔１２５によって露出したバンク１２４の側壁の形状に沿って、バンク１２４の上部面まで延びるように形成することができる。一例において、第３のサブ画素パターン１８５ａは、第１のサブ画素パターン１４５ａと同様、図３に示したように、バンク孔１２５の方向に行くほど、厚さがますます厚くなるように形成されてもよい。また、第３のサブ画素パターン１８５ａの縁部（ＢＤ）は、平面視、環状が繰り返して配置された段差形状を有してもよい。第１～第３のサブ画素パターン１４５ａ，１６５ａ，１８５ａの縁部（ＢＤ）が平面視、環状が繰り返して配置された段差形状を有することにより、抵抗の急激に増加する段差部が繰り返して配置されており、リーク電流をさらに効果的に減少することができる。
第３有機発光層１８５は、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、及び電子輸送層（ＥＴＬ）の積層構造を含むことができ、正孔遮断層（ＨＢＬ）、正孔注入層（ＨＩＬ）、電子遮断層（ＥＢＬ）、及び電子注入層（ＥＩＬ）をさらに含めて構成することもできる。
第３有機発光層１８５の発光層（ＥＭＬ）は、第１電極１２２から注入された正孔と、その後に形成される第２電極から注入された電子との再結合によって光を放出する層であって、本発明の実施形態では、青色光を放出することができる。
図１８を参照すると、第３のサブ画素パターン１８５ａを含む基板１００上にフルリフトオフ工程を行う。フルリフトオフ工程は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒を用いて行い、バンク１２４及び第１電極１２２から第３の保護層パターン１７０ａを剥離して除去することができる。すると、第３の保護層パターン１７０ａの上部に配置されている第３のフォトレジストパターン１７５ａ及び第３有機材料層１８５ｂは、第３の保護層パターン１７０ａが剥離及び除去される過程で、共に除去することができる。
ここで、第１のサブ画素パターン１４５ａ、第２のサブ画素パターン１６５ａ、及び第３のサブ画素パターン１８５ａを構成する有機素材は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒に対して耐性を有していることから、劣化するか変質しない。これによって、フルリフトオフ工程を行う過程において、第３のサブ画素パターン１８５ａは損傷しない。また、第１のサブ画素パターン１４５ａ及び第２のサブ画素パターン１６５ａを構成する有機素材も、フルリフトオフ工程を行う過程で損傷しない。
フルリフトオフ工程を行って形成された第１のサブ画素パターン１４５ａ、第２のサブ画素パターン１６５ａ、及び第３のサブ画素パターン１８５ａは、それぞれ所定の距離（ｓ１）だけ相互離隔して配置されてもよい。第３のサブ画素パターン１８５ａが形成された部分は、第３サブ画素（ＳＰ－３）と定義することができる。そして、サブ画素パターン１４５ａ，１６５ａ，１８５ａが配置されず、第１電極１２２が露出している部分は、補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）からなってもよい。
図１９を参照すると、基板１００の前面に第２電極１９０を形成する。第２電極１９０は、第１のサブ画素パターン１４５ａ、第２のサブ画素パターン１６５ａ、及び第３のサブ画素パターン１８５ａと共通して接触して、電圧を印加する共通電極で形成することができる。第２電極１９０は、カソード電極とも称し得、個々のサブ画素パターン１４５ａ，１６５ａ，１８５ａに電子を供給する。
第２電極１９０は、光を透過させることのできる透明な金属物質を含めて形成することができる。一例において、第２電極１９０は、インジウム－スズ－酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム－亜鉛－酸化物（ＩＺＯ）のような透明な金属酸化物からなってもよい。または、第２電極１９０は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）、又はアルミニウム（Ａｌ）、及びこれを少なくとも１つ以上含む合金からなる半透過金属物質で形成することもできる。また、補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）における第２電極１９０は、第１電極１２２が直接に接触して、補助電極１９５で形成することができる。補助電極１９５は、駆動電圧の不均衡を防止する役割を担う。
第１のサブ画素パターン１４５ａ、第２のサブ画素パターン１６５ａ、第３のサブ画素パターン１８５ａ、及び補助電極１９５が１つのグループを成して、１つの画素を構成することができる。そして、画素は、複数の画素がマトリックス状に配列される構造からなってもよい。これによって、補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）は平面視、メッシュ状に配置されてもよい。
第２電極１９０が形成された基板１００上に封止層１９７を形成する。封止層１９７は、外部から流入する水分又は酸素の浸透を遮断して、表示装置の信頼性を向上させる役割を担う。このために封止層１９７は、少なくとも１つ以上の無機膜又は有機膜の単一層、若しくは、無機膜及び有機膜が積層された多重層で形成することができる。
本明細書の第１実施形態による表示装置は、多量のフッ素（Ｆ）を含有したフッ素重合体物質からなる保護層、及びフォトレジストパターンの二重層からなるアンダーカット構造物を用いたパターニング方式を利用して、複数のサブ画素パターンを形成することができる。パターニング方式を利用してサブ画素パターンを形成することによって、ファインメタルマスク（ＦＭＭ）を用いてサブ画素パターンを形成する場合よりも、さらに微細なパターンを実現することができる。また、ファインメタルマスク（ＦＭＭ）は、マスク垂れ現象などにより、大面積パネルに適用し難い一方、パターニング方式は、大面積パネルにおいても、複数のサブ画素パターンを容易に形成することができる。
また、フッ素重合体物質からなる保護層、及びフォトレジストパターンの二重層からなるアンダーカット構造物を用いたパターニング方式を利用することによって、サブ画素パターンを構成する有機素材の損傷を防止することができ、表示装置の性能及び信頼性を向上させることができる。
さらに、個々のサブ画素パターンの縁部は平面視、環状が繰り返して配置された段差形状を有することから、抵抗の急激に増加する段差部が繰り返して配置されており、リーク電流がさらに効果的に減少し得る。
一方、フッ素重合体物質からなる保護層、及びフォトレジストパターンの二重層からなるアンダーカット構造物を導入して、アンダーカット領域の深さを調節することで、サブ画素パターンの形状を制御することができる。以下では、図面を参照して説明することとする。
図２０～図２７は、本明細書の第２実施形態による表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。そして、図２８ａ～図２８ｃは、本明細書の第２実施形態におけるアンダーカット領域の深さの調節によって発生した不良を説明するために示した図面である。ここで、図４～図１９と同一又は類似の構成要素については、同じ図面符号を使って簡単に説明することとする。
図２０を参照すると、基板１００上に光遮断層１０２、バッファ層１０４、薄膜トランジスタ（ＴＲ）、層間絶縁膜１１２、ソース電極１１４、ドレイン電極１１５、平坦化膜１１６、第１電極１２２、及びバンク１２４を備えることができる。
光遮断層１０２は、薄膜トランジスタ（ＴＲ）と重畳するように基板１００上に配置されて、光遮断層１０２を覆うバッファ層１０４が形成されてもよい。バッファ層１０４上には薄膜トランジスタ（ＴＲ）が配置される。薄膜トランジスタ（ＴＲ）は、活性領域１０６、ゲート電極１１０、ソース電極１１４、及びドレイン電極１１５を含むことができる。
活性領域１０６上には、ゲート絶縁膜１０８を介してゲート電極１１０が配置されて、ソース電極１１４及びドレイン電極１１５は、活性領域１０６のソース領域（ＳＡ）及びドレイン領域（ＤＡ）にそれぞれ直接接触するように配置されてもよいものの、これに限定されるものではない。
層間絶縁膜１１２は、活性領域１０６、ゲート電極１１０を全て覆うように形成することができる。層間絶縁膜１１２は、ソース電極１１４及びドレイン電極１１５を活性領域１０６と接触させることができるように、活性領域１０６の表面の一部を露出させる第１コンタクト孔１１３を含むことができる。ソース電極１１４及びドレイン電極１１５は、ゲート電極１１０を介して相互離隔して配置されてもよい。ソース電極１１４及びドレイン電極１１５は、層間絶縁膜１１２内に形成された第１コンタクト孔１１３を全て満たすように形成され、層間絶縁膜１１２の上部表面を一部覆うように延びて位置することができる。
層間絶縁膜１１２上には、第２コンタクト孔１２０の備えられた平坦化膜１１６が配置されてもよい。平坦化膜１１６を貫通する第２コンタクト孔１２０は、ドレイン電極１１５の表面の一部を露出させる。平坦化膜１１６上には第１電極１２２が配置される。第１電極１２２は、ドレイン電極１１５を介してゲート電極１１０と電気的に連結されてもよい。第１電極１２２は、アノード電極又は画素電極とも称し得る。第１電極１２２は、サブ画素別に相互離隔して配置されてもよい。
平坦化膜１１６上には複数のバンク１２４が配置されてもよい。バンク１２４は、画素の発光領域を定義し、個々のサブ画素を区分することができる。バンク１２４は、相互離隔して配置され、第１電極１２２を個々のサブ画素別に分離する。
上述した構造物が形成された基板１００の前面に、第１保護層２００及び第１フォトレジスト層２０５を形成する。第１保護層２００は、バンク孔１２５を全て満たしつつ、バンク１２４の表面上に第１厚さ（Ｔ１）を有するように形成する。第１保護層２００は、作用基（又は機能基）に多量のフッ素（Ｆ）を含有したフッ素重合体物質からなり、直交特性を有する。第１保護層２００上に形成された第１フォトレジスト層２０５は、その後にアンダーカット領域を形成する過程において、下部に垂れるか崩れる不良を防止するように、第１厚さ（Ｐ１）で形成するのが好ましい。
図２１を参照すると、第１フォトレジスト層２０５（図２０参照）上に、フォトマスクを用いた露光工程及び現像工程を行って、第１のフォトレジストパターン２０５ａを形成する。露光工程は、第１のサブ画素パターンが形成される領域の第１フォトレジスト層２０５に選択的に行って、現像工程を行い、露光工程が行われた部分の第１フォトレジスト層２０５を除去する。
すると、第１のサブ画素パターンが形成される領域を定義する開口領域２０７によって、第１保護層２００の表面が露出する第１のフォトレジストパターン２０５ａが形成される。
図２２を参照すると、第１のフォトレジストパターン２０５ａをエッチングマスクとしたパターニング工程を行って、第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）を形成する。第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）は、第１の保護層パターン２００ａ及び第１のフォトレジストパターン２０５ａの二重層からなる。第１のアンダーカット領域２１０は、第１の保護層パターン２００ａ上に形成されてもよい。
第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）は、第１のフォトレジストパターン２０５ａに対してアンダーカット形状を有してもよい。一例において、第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）は、第１のフォトレジストパターン２０５ａの末端部（ｅｄ１）と整列して垂直に除去されず、第１のフォトレジストパターン２０５ａの両末端部（ｅｄ１）から内側方向に所定の深さ（ｄ２）だけさらに除去される。
第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）を形成するためのパターニング工程は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒を用いたリフトオフ方式で行うことができる。フッ素（Ｆ）系有機溶媒が、第１保護層２００（図２１参照）の露出面を介して内部に浸透して、第１のフォトレジストパターン２０５ａには影響を及ぼさず、第１保護層２００のみを選択的に除去して、アンダーカット形状を成すことができる。リフトオフ方式のパターニング工程は、フッ素重合体物質からなる第１保護層２００が、フッ素（Ｆ）系有機溶媒に露出する時間を調節して、第１保護層２００が除去される量を調節することで、第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）の第１のアンダーカット領域２１０の深さ（ｄ２）を制御する。
本明細書の第２実施形態による第１のアンダーカット領域２１０の深さ（ｄ２）は、第１の保護層パターン２００ａの厚さ（Ｔ１）よりもさらに小さいサイズ（ｄ２＜Ｔ１）を有するように形成する。
図２３を参照すると、基板１００上に、第１のサブ画素パターン２１５ａ及び第１有機材料層２１５ｂを含む第１有機発光層２１５を形成する。
このために先ず、第１のアンダーカット領域２１０（図２２参照）が形成された基板１００上にプラズマトリートメントを行う。プラズマトリートメントは、有機発光層を形成する前に、前の工程を行う過程で発生した異物又は残余物等を除去する役割を担う。一例において、プラズマトリートメントは、窒素（Ｎ２）、 酸素（Ｏ２）、又はアルゴン（Ａｒ）の単独又は混合気体をプラズマ化して行うことができる。
次に、基板１００上に第１有機発光層２１５を形成する。第１有機発光層２１５は、蒸着方式を利用して、第１電極１２２の露出面及び第１のフォトレジストパターン２０５ａの表面上に形成されてもよい。
第１のサブ画素パターン２１５ａは、第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）の第１のアンダーカット領域２１０を通過して、バンク１２４上に形成されてもよい。ここで、第１のアンダーカット領域２１０の深さ（ｄ２）は、第１の保護層パターン２００ａの厚さ（Ｔ１）よりもさらに小さいサイズ（ｄ２＜Ｔ１）を有するように形成されている。
これによって、第１のサブ画素パターン２１５ａは、第１電極１２２の露出面を覆いつつ、バンク孔１２５によって露出したバンク１２４の側壁の形状に沿って、バンク１２４の上部面まで延びる。ここで、第１のサブ画素パターン２１５ａは、第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）の第１のアンダーカット領域２１０の深さ（ｄ２）が、第１の保護層パターン２００ａの厚さ（Ｔ１）よりもさらに小さいサイズに形成されることによって、第１の保護層パターン２００ａの露出した両側壁面まで延びて形成されたテール部２１５ｔを含めて形成することができる。ここで、第１のサブ画素パターン２１５ａは、断面視は、両末端部にテール部２１５ｔが位置するものの、平面視、テール部２１５ｔは、図３に示された縁部（ＢＤ）を囲むように形成することができる。
テール部２１５ｔは、平面上で、第１のサブ画素パターン２１５ａが形成される領域を定義することができる。これらテール部２１５ｔは、後続工程において、第１のサブ画素パターン２１５ａに対するアラインマークの機能を行うことができる。例えば、第１のサブ画素パターン２１５ａ上にカラーフィルタが形成される場合、第１のサブ画素パターン２１５ａに対応するテール部２１５ｔを用いて、カラーフィルタ形成領域をアラインすることができる。
第１のサブ画素パターン２１５ａのテール部２１５ｔの高さ（ｈ１）は、第１の保護層パターン２００ａの厚さ（Ｔ１）よりも薄厚を有するように形成されることで、第１の保護層パターン２００ａの側壁面の一部が露出してもよい。そして、第１有機材料層２１５ｂは、第１のフォトレジストパターン２０５ａの露出面上に形成されてもよい。
第１有機発光層２１５は、たとえ図面には示していないものの、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、及び電子輸送層（ＥＴＬ）の積層構造を含むことができ、正孔遮断層（ＨＢＬ）、正孔注入層（ＨＩＬ）、電子遮断層（ＥＢＬ）、及び電子注入層（ＥＩＬ）をさらに含めて構成することもできる。第１有機発光層２１５の発光層（ＥＭＬ）は、第１電極１２２から注入された正孔と、その後に形成される第２電極から注入された電子との再結合によって光を放出する層であって、本発明の実施形態では、赤色光を放出することができる。
図２４を参照すると、第１のサブ画素パターン２１５ａ及び他の画素パターンが形成される領域の第１電極１２２を露出させるフルリフトオフ工程を行う。フルリフトオフ工程は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒を用いて行うことができる。フッ素（Ｆ）系有機溶媒は、フッ素（Ｆ）を含有した重合体物質からなっている第１の保護層パターン２００ａの露出面を介して内部に浸透して、第１の保護層パターン２００ａを除去することができる。すると、第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）は、フルリフトオフ工程で除去されて、第１のサブ画素パターン２１５ａが露出する。第１のサブ画素パターン１４５ａが形成された部分は、第１サブ画素（ＳＰ－１）と定義することができる。ここで、第１のサブ画素パターン２１５ａを構成する有機素材は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒に対して耐性を有していることから、劣化するか変質せず、損傷しない。
次に、第２サブ画素（ＳＰ－１）上に、図２０～図２４に説明したように、アンダーカット構造物を形成する工程を行い、形成されたアンダーカット構造物を用いて、図２５に示したように、第２のサブ画素パターン２２５ａを形成する。アンダーカット構造物のアンダーカット領域の深さが、アンダーカット構造物の保護層の厚さよりもさらに小さいサイズに形成されて、このアンダーカット領域上に第２のサブ画素パターン２２５ａを形成することによって、第２のサブ画素パターン２２５ａは、両末端部にテール部２２５ｔを含むことができる。ここで、第２のサブ画素パターン２２５ａは、断面視は、両末端部にテール部２２５ｔが位置するものの、平面視、テール部２２５ｔは、図３に示された縁部（ＢＤ）を囲むように形成することができる。第２のサブ画素パターン２２５ａは、本発明の実施形態では、緑色光を放出することができる。
続いて、第３サブ画素（ＳＰ－３）上に、図２０～図２４に説明したように、アンダーカット構造物を形成する工程を行い、形成されたアンダーカット構造物を用いて、図２６に示したように、第３のサブ画素パターン２３５ａを形成する。アンダーカット構造物のアンダーカット領域の深さが、アンダーカット構造物の保護層の厚さよりもさらに小さいサイズに形成されて、このアンダーカット領域上に第３のサブ画素パターン２３５ａを形成することによって、第３のサブ画素パターン２３５ａは、両末端部にテール部２３５ｔを含むことができる。第３のサブ画素パターン２３５ａは、本発明の実施形態では、青色光を放出することができる。
第２のサブ画素パターン２２５ａ及び第３のサブ画素パターン２３５ａ各々の両末端部に形成されたテール部２２５ｔ，２３５ｔは、第１のサブ画素パターン２１５ａのテール部２１５ｔの高さ（ｈ１、図２３参照）と同様の高さを有するように形成することができる。
図２７を参照すると、基板１００の前面に第２電極２４０を形成する。第２電極２４０は、第１のサブ画素パターン２１５ａ、第２のサブ画素パターン２２５ａ、及び第３のサブ画素パターン２３５ａと共通して接触して、電圧を印加する共通電極で形成することができる。第２電極２４０は、カソード電極とも称し得、個々のサブ画素パターン２１５ａ，２２５ａ，２３５ａに電子を供給する。
第２電極２４０は、個々のサブ画素パターン２１５ａ，２２５ａ，２３５ａの両末端部に位置するテール部２１５ｔ，２２５ｔ，２３５ｔを全て覆える厚さで形成することができる。第２電極２４０は、光を透過させることのできる透明な金属物質又は半透過金属物質のうちから選択して形成することができる。また、補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）における第２電極２４０は、第１電極１２２が直接に接触して、補助電極２４５で形成することができる。補助電極２４５は、駆動電圧の不均衡を防止する役割を担う。
第１のサブ画素パターン２１５ａ、第２のサブ画素パターン２２５ａ、第３のサブ画素パターン２３５ａ、及び補助電極２４５は、１つの画素を構成することができる。そして、画素は、複数の画素がマトリックス状に配列される構造からなることで、補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）は、平面視、メッシュ状に配置されてもよい。
第２電極２４０が形成された基板１００上に封止層２５０を形成する。封止層２５０は、外部から流入する水分又は酸素の浸透を遮断して、表示装置の信頼性を向上させる役割を担う。このために封止層２５０は、少なくとも１つ以上の無機膜又は有機膜の単一層、若しくは、無機膜及び有機膜が積層された多重層で形成することができる。
本明細書の第２実施形態によれば、複数のサブ画素パターン２１５ａ，２２５ａ，２３５ａ各々の両末端部にテール部２１５ｔ，２２５ｔ，２３５ｔを含めて形成することができる。これらテール部２１５ｔ，２２５ｔ，２３５ｔは、上述したように、第１のアンダーカット構造物（ＵＣ１）における第１のアンダーカット領域２１０の深さ（ｄ２）を、第１の保護層パターン２００ａの厚さ（Ｔ１）よりもさらに小さいサイズ（ｄ２＜Ｔ１）を有するように制御することで形成することができる。そして、この第１のアンダーカット領域２１０の深さ（ｄ２）は、第１保護層２００がフッ素（Ｆ）系有機溶媒に露出する時間を調節することで制御することになる。
ところが、この第１保護層２００は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒に露出する時間を、目標とする時間よりも短く露出する場合がある。以下では、図面を参照して説明することとする。
図２８ａ～図２８ｃを参照すると、第１電極（ＡＥ）等を含む下部構造物（ＢＮ１）が形成された基板上に、保護層（ＳＬ）及びフォトレジストパターン（ＰＲ）の二重層を形成し、アンダーカット構造物を形成するために、保護層（ＳＬ）をフッ素（Ｆ）系有機溶媒に露出させる過程において、目標とする時間よりも短く露出すると、保護層（ＳＬ）の末端部（ｅｄｓ）がフォトレジストパターン（ＰＲ）の末端部（ｅｄｐ）から突出して、保護層（ＳＬ）の表面（ａ）が一部露出してもよい。
保護層（ＳＬ）の表面（ａ）が一部露出した状態で、有機発光層を蒸着する前に行うプラズマトリートメントを行うと、保護層（ＳＬ）の露出した表面（ａ）は、プラズマトリートメント物質に直接露出して硬化し得る。硬化した保護層（ＳＬ）は、その後に行うフルリフトオフ工程において、フッ素（Ｆ）系有機溶媒によって除去されなくてもよい。そして、保護層（ＳＬ）の末端部（ｅｄｓ）がフォトレジストパターン（ＰＲ）の末端部（ｅｄｐ）から突出した状態で、有機発光層を蒸着して、サブ画素パターン（ＥＭＬ－ＳＰ）を形成すると、サブ画素パターン（ＥＭＬ－ＳＰ）は、保護層（ＳＬ）の末端部（ｅｄｓ）の側壁面に延びつつ、保護層（ＳＬ）の厚さよりもさらに厚い厚さを有するテール部（ＥＭＬ－Ｔ）を形成することができる。
そして、保護層（ＳＬ）及びフォトレジストパターン（ＰＲ）を除去するためのフルリフトオフ工程を行うと、図２８ｂの「Ｙ」部分に示したように、サブ画素パターン（ＥＭＬ－ＳＰ）のテール部（ＥＭＬ－Ｔ）の一側面に保護層（ＳＬ）が除去し切れず、保護層残余物（ＳＬ－Ｒ）が残るようになる。
このように、保護層残余物（ＳＬ－Ｒ）が残っている状態で、第２電極（ＣＥ）をサブ画素パターン（ＥＭＬ－ＳＰ）上に形成すると、図２８ｃに示したように、サブ画素パターン（ＥＭＬ－１，ＥＭＬ－２，ＥＭＬ－３）のテール部（ＥＭＬ－Ｔ）における第２電極（ＣＥ）が断線されうる。第２電極（ＣＥ）は、第１のサブ画素パターン（ＥＭＬ－１）、第２のサブ画素パターン（ＥＭＬ－２）、及び第３のサブ画素パターン（ＥＭＬ－３）と共通して接触して、電圧を印加する共通電極であることから、第２電極（ＣＥ）が断線されると、複数のサブ画素（ＳＰ－１，ＳＰ－２，ＳＰ－３）のうち少なくとも１つ以上の色相が発光しない不良が発生することにより、表示装置の信頼性を低下させることができる。
これによって、保護層及びフォトレジストパターンの二重層からなるアンダーカット構造物のアンダーカット領域の深さは、少なくても保護層の厚さよりもさらに大きいか小さいサイズを有するように形成し、フォトレジストパターンの末端部から保護層が直接に外部に露出しないように、リフトオフ工程を行うのが好ましい。
一方、アンダーカット構造物を用いたパターニング工程を通じてサブ画素パターンを形成する方法は、白色光を発光する表示装置においても適用することができる。以下では、図面を参照して説明することとする。
図２９～図３６は、本明細書の第３実施形態を説明するために示した図面である。ここで、図４～図１９と同一又は類似の構成要素については、同じ図面符号を使って簡単に説明することとする。
図２９を参照すると、基板１００上に光遮断層１０２、バッファ層１０４、薄膜トランジスタ（Ｔｒ）、層間絶縁膜１１２、ソース電極１１４、ドレイン電極１１５、平坦化膜１１６、第１電極１２２、及びバンク１２４を備えることができる。
層間絶縁膜１１２上にはカラーフィルタ（ＣＦ）が配置される。カラーフィルタ（ＣＦ）は、バンク孔１２５によって定義された発光領域と重畳する位置に配置する。有機発光層が白色光を放出する有機物質からなる場合、カラーフィルタ（ＣＦ）は、各サブ画素に割り当てられた色相を示すことができる。例えば、カラーフィルタ（ＣＦ）は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）のうち１つであってもよい。
上述した構成要素が形成された基板１００の前面に保護層３００を第１厚さ（Ｔ１）に形成し、フォトレジスト層３０５を第１厚さ（Ｐ１）に形成する。保護層３００は、作用基（又は機能基）に多量のフッ素（Ｆ）を含むフッ素重合体物質からなり、直交特性を有する。保護層３００上に形成されたフォトレジスト層３０５は、その後にアンダーカット領域を形成する過程において、下部に垂れるか崩れる不良を防止できる厚さに形成するのが好ましい。
図３０を参照すると、フォトレジスト層３０５上に開口部（ＯＡ；ｏｐｅｎ ａｒｅａ）及び遮光部（ＮＯＡ；Ｎｏｎ ｏｐｅｎ ａｒｅａ）が備えられたフォトマスク（Ｍ）を位置させる。フォトマスク（Ｍ）の開口部（ＯＡ）は、サブ画素パターンが形成される領域のフォトレジスト層３０５の表面を露出させて、遮光部は、その後に補助電極用画素が形成される領域のフォトレジスト層３０５の表面を遮光する。次に、フォトマスク（Ｍ）の開口部（ＯＡ）を介して、紫外線（ＵＶ）等のような光にフォトレジスト層３０５を露出させる露光工程を行う。
図３１を参照すると、フォトレジスト層３０５のうち、紫外線（ＵＶ）光に露出した部分のみ選択的に除去する現像工程を行って、フォトレジストパターン３０５ａを形成する。フォトレジストパターン３０５ａは、有機発光層のサブ画素パターンが形成される領域を定義する開口領域３１０を含む。フォトレジストパターン３０５ａの開口領域３１０を介して、保護層３００の表面の一部が露出してもよい。そして、その後に補助電極用画素が形成される領域は、フォトレジストパターン３０５ａで覆われている。
図３２を参照すると、フォトレジストパターン３０５ａをエッチングマスクとしたパターニング工程を行って、アンダーカット構造物（ＵＣ）を形成する。アンダーカット構造物（ＵＣ）は、保護層パターン３００ａ及びフォトレジストパターン３０５ａの二重層からなる。アンダーカット領域３１０は、フォトレジストパターン３０５ａの下部に配置されてもよい。
アンダーカット構造物（ＵＣ）は、フォトレジストパターン３０５ａに対してアンダーカット形状を有してもよい。アンダーカット構造物（ＵＣ）は、フォトレジストパターン３０５ａの両末端部（ｅｄ）から内側方向に所定の深さ（ｄ３）だけさらに除去される。アンダーカット構造物（ＵＣ）を形成するためのパターニング工程は、フッ素系有機溶媒を用いたリフトオフ方式を利用して行うことができる。フッ素（Ｆ）系有機溶媒が、保護層３００内に浸透して選択的に除去し、保護層パターン３００ａを形成することができる。
本明細書の第３実施形態によるアンダーカット構造物（ＵＣ）は、その後に複数のサブ画素パターンが形成される領域を一括して形成することができる。例えば、第１のサブ画素パターン、第２のサブ画素パターン、及び第３のサブ画素パターンが形成される領域を露出させることができる。
図３３を参照すると、基板１００上に第１サブ画素パターン３２０ａ、第２サブ画素パターン３２０ｂ、第３サブ画素パターン３２０ｃ、及び有機材料層３２０ｄを含む有機発光層３２０を形成する。
このために先ず、アンダーカット領域３１５が形成された基板１００上にプラズマトリートメントを行う。プラズマトリートメントを行った後、基板１００上に有機発光層３２０を形成する。有機発光層３２０は、第１電極１２２の露出面及びフォトレジストパターン３０５ａの表面上に形成されてもよい。個々のサブ画素パターン３２０ａ，３２０ｂ，３２０ｃは、アンダーカット構造物（ＵＣ）のアンダーカット領域３１５を通過して、バンク１２４上に形成されてもよい。これによって、複数のサブ画素パターン３２０ａ，３２０ｂ，３２０ｃは、それぞれ第１電極１２２の露出面を覆いつつ、バンク孔１２５によって露出したバンク１２４の側壁の形状に沿って、バンク１２４の上部面まで延びて形成することができる。サブ画素パターン３２０ａ，３２０ｂ，３２０ｃは、保護層パターン３００ａの側壁と接触される位置まで延びて形成されてもよいものの、これに限定されるものではない。有機材料層３４０ｄは、フォトレジストパターン３０５ａの露出面上に形成されてもよい。
図３４を参照すると、本明細書の第３実施形態による有機発光層３２０は、白色光を発光するための複数の発光層スタック（ＳＴ１，ＳＴ２）が積層されたタンデム（ｔａｎｄｅｍ）構造であって、マルチスタック構造で形成されてもよい。有機発光層３２０は、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、及び電子輸送層（ＥＴＬ）が順次積層された構造を１つのスタック（ｓｔａｃｋ）から構成することができる。一例において、有機発光層３２０は、第１正孔輸送層（ＨＴＬ１）、第１発光層（ＥＭＬ１）、及び第１電子輸送層（ＥＴＬ１）が積層された構造からなる第１の発光層スタック（ＳＴ１）と、第２正孔輸送層（ＨＴＬ２）、第２発光層（ＥＭＬ２）、及び第２電子輸送層（ＥＴＬ２）が積層された構造からなる第２の発光層スタック（ＳＴ２）とが積層された構造を含むことができる。ここで、第１の発光層スタック（ＳＴ１）には、第１色相を放出する第１発光層（ＥＭＬ１）を含み、第２の発光層スタック（ＳＴ２）には、第１色相と異なる第２色相を放出する第２発光層（ＥＭＬ２）を含むことができるものの、これに限定されるものではない。他の例において、発光層スタックが３つのスタックが積層された構造からなる場合、２つの青色発光層（Ｂ－ＥＭＬ）と１つのオレンジ色発光層（ＯＲ－ＥＭＬ）をそれぞれ発光層として含むことができる。
ここで、第１の発光層スタック（ＳＴ１）と、第２の発光層スタック（ＳＴ２）との間に電荷生成層（ＣＧＬ）が配置されてもよい。電荷生成層（ＣＧＬ）は、第１の発光層スタック（ＳＴ１）及び第２の発光層スタック（ＳＴ２）それぞれに電荷を供給する役割を担う。
図３５を参照すると、基板１００上で、アンダーカット構造物（ＵＣ）を除去するフルリフトオフ工程を行う。フルリフトオフ工程は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒を用いて行うことができる。フッ素（Ｆ）系有機溶媒は、保護層パターン３００ａの内部に浸透して、バンク１２４及び第１電極１２２から保護層パターン３００ａを剥離して除去することができる。すると、保護層パターン３００ａの上部に配置されているフォトレジストパターン３０５ａ及び有機材料層３２０ｄは、保護層パターン３００ａが剥離及び除去される過程で、共に除去することができる。
フルリフトオフ工程を行う過程において、第１のサブ画素パターン３２０ａ、第２のサブ画素パターン３２０ｂ、及び第３のサブ画素パターン３２０ｃを構成する有機素材は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒に対して耐性を有していることから、劣化または変質せず、損傷しない。
第１のサブ画素パターン３２０ａ、第２のサブ画素パターン３２０ｂ、及び第３のサブ画素パターン３２０ｃは、それぞれ所定距離（Ｓ２）だけ相互離隔して配置されてもよい。第１～第３のサブ画素パターン３２０ａ，３２０ｂ，３２０ｃが形成された部分は、それぞれ第１～第３サブ画素（ＳＰ－１，ＳＰ－２，ＳＰ－３）と定義することができる。
第１～第３のサブ画素パターン３２０ａ，３２０ｂ，３２０ｃは、平面視、図３に示したように、縁部（ＢＤ）及び縁部（ＢＤ）の内側方向に配置されたトレンチ部（ＴＣ）を含む長方形の形状を有してもよい。また、個々のサブ画素パターン３２０ａ，３２０ｂ，３２０ｃの縁部（ＢＤ）は平面視、環状が繰り返して配置された段差形状を有することにより、抵抗の急激に増加する段差部が繰り返して配置されており、リーク電流がさらに効果的に減少し得る。
また、第１～第３のサブ画素パターン３２０ａ， ３２０ｂ，３２０ｃは、それぞれバンク孔１２５の方向に行くほど、厚さがますます厚くなるように形成されてもよい。このように、第１～第３のサブ画素パターン３２０ａ，３２０ｂ，３２０ｃにおける縁部の外郭方向に行くほど、ますます薄厚を有することから、リーク電流が減少し得る。
図３６を参照すると、基板１００の前面に第２電極３２５を形成する。第２電極３２５は、第１～第３のサブ画素パターン３２０ａ，３２０ｂ，３２０ｃと共通して接触して、電圧を印加する共通電極で形成することができる。第２電極３２５は、カソード電極とも称し得、個々のサブ画素パターン３２０ａ，３２０ｂ，３２０ｃに電子を供給する。
一例において、第２電極３２５は、補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）上で第１電極１２２と直接に接触して、補助電極３３０を構成することができる。これによって、第１～第３のサブ画素パターン３２０ａ，３２０ｂ，３２０ｃ及び補助電極３３０が１つのグループを成して、１つの画素を構成することができる。そして、画素は、複数の画素がマトリックス状に配列される構造からなってもよい。これによって、補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）は、平面視、メッシュ状に配置されてもよい。
第２電極３２５上には封止層３４０が配置されてもよい。封止層３４０は、外部から流入する水分又は酸素の浸透を遮断して、表示装置の信頼性を向上させる役割を担う。このために封止層３４０は、少なくとも１つ以上の無機膜又は有機膜の単一層、若しくは、無機膜及び有機膜が積層された多重層で形成することができる。
本明細書の第３実施形態による表示装置は、有機発光層を白色光を発光するための複数の発光層が積層されたタンデム構造かつマルチスタック構造で形成し、電荷生成層（ＣＧＬ）を含めて構成することができる。ここで、電荷生成層（ＣＧＬ）は、電子と正孔を生成して、電子輸送層（ＥＴＬ）及び正孔輸送層（ＨＴＬ）に安定的に供給するための層であって、電荷生成層（ＣＧＬ）からリーク電流が発生することを防止することが重要なイッシュとなり得る。
これによって、本明細書の第４実施形態では、電荷生成層（ＣＧＬ）によるリーク電流の発生を防止できる構造を説明しようとする。以下では、図面を参照して説明することとする。
図３７～図４３は、本明細書の第４実施形態による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
図３７を参照すると、基板１００上に光遮断層１０２、バッファ層１０４、薄膜トランジスタ（ＴＲ）、層間絶縁膜１１２、カラーフィルタ（ＣＦ）、ソース電極１１４、ドレイン電極１１５、平坦化膜１１６、第１電極１２２、及びバンク１２４を備えることができる。
上述した構成要素が形成された基板１００の前面に保護層３００を第１厚さ（Ｔ１）に形成し、フォトレジスト層３０５を第１厚さ（Ｐ１）に形成する。保護層３００は、作用基（又は機能基）に多量のフッ素（Ｆ）を含有したフッ素重合体物質からなり、直交特性を有する。
図３８を参照すると、フォトレジスト層上に露光工程及び現像工程を行って、フォトレジストパターン３０５ａを形成する。フォトレジストパターン３０５ａは、有機発光層のサブ画素パターンが形成される領域を定義する開口領域３１０を含む。開口領域３１０を介して保護層３００の表面が一部露出してもよい。そして、その後に補助電極用画素が形成される領域は、フォトレジストパターン３０５ａで覆われている。
図３９を参照すると、フォトレジストパターン３０５ａをエッチングマスクとしたパターニング工程を行って、モールド構造物３０６を形成する。パターニング工程は、保護層３００をフッ素（Ｆ）系有機溶媒に露出させるリフトオフ工程方式を利用することができる。
モールド構造物３０６は、保護層パターン３００ａ及びフォトレジストパターン３０５ａの二重層からなる。ここで、保護層パターン３００ａは、フォトレジストパターン３０５ａの末端部から突出して、所定の面積（Ｅ）だけ突出するように形成することができる。このために、リフトオフ工程時、保護層３００をフッ素（Ｆ）系有機溶媒に露出させる時間を調節して、保護層パターン３００ａの表面が露出する地点を設定して行うことができる。
すると、フォトレジストパターン３０５ａの開口領域３１０である、隣り合うフォトレジストパターン３０５ａの両末端部の間の幅は、隣り合う保護層パターン３００ａの両末端部の間の幅よりも広い幅を有するように形成されてもよい。
図４０を参照すると、基板１００の第１～第３のサブ画素（ＳＰ－１，ＳＰ－２，ＳＰ－３）上に、第１の発光層スタック３１５及び有機材料層３１５ｄを形成する。
このために先ず、モールド構造物３０６が形成された基板１００上にプラズマトリートメントを行う。プラズマトリートメントを行うと、保護層パターン３００ａの露出した表面が、プラズマトリートメント物質に直接露出して硬化し得る。そして、保護層パターン３００ａの末端部が、フォトレジストパターン３０５ａの末端部から突出した状態で、有機発光層を蒸着すると、第１～第３のサブ画素（ＳＰ－１，ＳＰ－２，ＳＰ－３）上にそれぞれ形成される第１の発光層スタック３１５は、保護層パターン３００ａの末端部の側壁面に延びつつ、保護層パターン３００ａの厚さよりもさらに厚い高さを有するテール部３１５ｔを含めて形成されてもよい。
具体的に、図３４に示しているタンデム構造を形成するために先ず、第１正孔輸送層（ＨＴＬ１）、第１発光層（ＥＭＬ１）、及び第１電子輸送層（ＥＴＬ１）が積層された構造からなる第１の発光層スタック３１５を、モールド構造物３０６の形成された基板１００上に形成する。すると、保護層パターン３００ａの末端部の側壁面に延びつつ、テール部３１５ｔを含むように形成されてもよい。
図４１を参照すると、モールド構造物３０６を除去するためのフルリフトオフ工程を行う。フルリフトオフ工程は、フッ素（Ｆ）系有機溶媒を用いて行うことができる。フルリフトオフ工程を行うと、保護層パターン３００ａの硬化した部分は、除去されないことによって、第１の発光層スタック３１５の各々のテール部３１５ｔの一側面に保護層パターン３００ａの残余パターンが、テール部側面支持部３００ｒとして残るようになる。ここで、テール部側面支持部３００ｒは、第１の発光層スタック３１５のテール部３１５ｔの高さよりも低い高さを有する。
図４２を参照すると、第１の発光層スタック３１５上に電荷生成層３１５Ｇ及び第２の発光層スタック３１７を形成する。電荷生成層３１５Ｇは、第１の発光層スタック３１５のテール部３１５ｔ（図４１ｔ参照）の厚さよりも小さい厚さを有するように形成されてもよい。これによって、電荷生成層３１５Ｇは、第１～第３のサブ画素（ＳＰ－１，ＳＰ－２，ＳＰ－３）からそれぞれ分離された形状を有するように配置されてもよい。
第２の発光層スタック３１７は、第１の発光層スタック３１５のテール部３１５ｔによって分離された電荷生成層３１５Ｇ上に形成され、第１サブ画素（ＳＰ－１）から第２サブ画素（ＳＰ－２）、第３サブ画素（ＳＰ－３）、及び補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）まで延びて切れることなく、連結された構造を有してもよい。第２の発光層スタック３１７は、図３４に示したように、第２正孔輸送層（ＨＴＬ２）、第１発光層（ＥＭＬ１）と異なる色相である第２発光層（ＥＭＬ２）、及び第２電子輸送層（ＥＴＬ２）を含むことができる。電荷生成層（ＣＧＬ）は、第１の発光層スタック３１５及び第２の発光層スタック３１７にそれぞれ電荷を供給する役割を担う。
これによって、第１～第３のサブ画素（ＳＰ－１，ＳＰ－２，ＳＰ－３）において、それぞれ第１の発光層スタック３１５、電荷生成層３１５Ｇ、及び第２の発光層スタック３１７を含む第１のサブ画素パターン３２０ａと、第２のサブ画素パターン３２０ｂと、第３のサブ画素パターン３２０ｃと、が形成されてもよい。
有機発光層が白色光を放出する有機物質からなる場合、有機発光層は、切れることなく、第１のサブ画素パターンから第３のサブ画素パターンまで延びる構造で形成される。この場合、電荷生成層も、第１のサブ画素パターンから第３のサブ画素パターンまで切れることなく形成されることによって、隣接するサブ画素パターンにリーク電流が流れつつ、意図していないサブ画素が駆動する問題が発生し得る。意図していないサブ画素が駆動するようになると、映像画質が低下する不良が発生し得る。
これについて、本明細書の第４実施形態によれば、個々のサブ画素（ＳＰ－１，ＳＰ－２，ＳＰ－３）に形成された第１の発光層スタック３１５が、テール部３１５ｔを含めて形成されることによって、テール部３１５ｔよりも小さい厚さを有する電荷生成層３１５Ｇは、第１～第３のサブ画素（ＳＰ－１，ＳＰ－２，ＳＰ－３）からそれぞれ分離された形状を有するように配置されてもよい。これによって、隣接するサブ画素パターンの間で、第１の発光層スタック３１５と、第２の発光層スタック３１７との間に配置された電荷生成層３１５Ｇは、テール部３１５ｔによって物理的に断線させることができる。すなわち、電荷生成層３１５Ｇから引き起こされるリーク電流の通路を物理的に断線させることで、リーク電流を防止して、映像品質を向上させることができる。
図４３を参照すると、基板１００の前面に第２電極３２５を形成する。第２電極３２５は、第１のサブ画素パターン３２０ａ、第２のサブ画素パターン３２０ｂ、及び第３のサブ画素パターン３２０ｃと共通して接触して、電圧を印加する共通電極で形成することができる。第２電極３２５は、カソード電極とも称し得、個々のサブ画素パターン３２０ａ，３２０ｂ，３２０ｃに電子を供給する。
また、第２電極３２５は、補助電極用画素（ＳＵＢ_Ｅ）における第１電極１２２と直接に接触して、補助電極として形成することができる。補助電極は、駆動電圧の不均衡を防止する役割を担う。
第２電極３２５が形成された基板１００上に封止層３４０を形成する。封止層３４０は、外部から流入する水分又は酸素の浸透を遮断して、表示装置の信頼性を向上させる役割を担う。このために封止層３４０は、少なくとも１つ以上の無機膜又は有機膜の単一層、若しくは、無機膜及び有機膜が積層された多重層で形成することができる。
本明細書の第４実施形態による表示装置の製造方法は、有機発光層を、白色光を発光するための複数の発光層が積層されたタンデム構造で形成時、電荷生成層（ＣＧＬ）を物理的に断線して、リーク電流が発生することを防止し、映像品質を向上させることができる。
１００ 基板
１０２ 光遮断層
１０４ バッファ層
Ｔ 薄膜トランジスタ
１０６ 活性領域
１１０ ゲート電極
１１２ 層間絶縁膜
１１４ ソース電極
１１５ ドレイン電極
１１６ 平坦化膜
１２２ 第１電極
１２４ バンク
１４５ａ、２１５ａ、３２０ａ 第１のサブ画素パターン
１６５ａ、２２５ａ、３２０ｂ 第２のサブ画素パターン
１８５ａ、２３５ａ、３２０ｃ 第３のサブ画素パターン
２１５ｔ、２２５ｔ、２３５ｔ、３１５ｔ テール部
１９０、２４０、３２５ 第２電極
１９５、２４５、３３０ 補助電極
１９７、２５０、３４０ 封止層

Claims (21)

  1. それぞれが複数のサブ画素を含む複数の画素が配置された基板と、
    それぞれの前記サブ画素に配置され、前記複数のサブ画素を駆動して発光させるためのトランジスタに接続された第１電極と、
    前記複数のサブ画素の発光領域を区分し、かつ、前記第１電極の一部を露出させるバンク孔を含むバンクと、を含み、
    それぞれの前記サブ画素は、前記バンク孔の底面に配置され、前記第１電極の露出した表面に接触し、かつ、前記バンク孔の側壁及び前記バンクの上部外側縁の表面に沿って連続して延びるサブ画素パターンを含み、
    前記サブ画素パターンは有機発光層として機能し、
    前記サブ画素パターンの厚みは、前記サブ画素パターンが互いに隣接する他のサブ画素パターンへ向かう方向に、前記バンクの上部外側縁の表面に沿って延びながらステップ状に減少し、
    前記サブ画素パターンの厚みがステップ状に減少することにより段差部が設けられ、前記段差部において電気抵抗が急激に増加する、
    表示装置。
  2. それぞれの前記サブ画素パターンは、前記バンクの上部外側縁の表面に沿って連続して延びて、前記基板から遠くなるテール部で終了する、
    請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記テール部は、前記サブ画素パターンの各末端部に位置して、前記サブ画素パターンの外側部分を囲む、
    請求項２に記載の表示装置。
  4. 前記テール部は、前記サブ画素パターンの領域を定義して、前記サブ画素パターンの整列マークとしての役割を担う、
    請求項２に記載の表示装置。
  5. 前記テール部上に配置された第２電極をさらに含む、
    請求項２に記載の表示装置。
  6. 前記テール部の外側面部と接触するテール部側面支持部をさらに含み、
    前記テール部側面支持部の高さは、前記テール部の高さよりも低い、
    請求項２に記載の表示装置。
  7. それぞれの前記サブ画素パターンは、それぞれ第１正孔輸送層、第１発光層及び第１電子輸送層を含む第１の発光層スタックと、
    前記第１の発光層スタック上に位置し、かつ、前記テール部よりも小さい厚みを有する電荷生成層と、
    前記電荷生成層上に位置する第２正孔輸送層、前記第１発光層と異なる色相を放出する第２発光層、及び第２電子輸送層を含む第２の発光層スタックと、
    を含み、
    前記電荷生成層は、前記テール部の高さよりも低く位置し、前記複数のサブ画素のうちの互いに隣接する他のサブ画素の電荷生成層から分離されている、
    請求項２に記載の表示装置。
  8. 前記複数のサブ画素は、
    第１色相を放出する第１サブ画素と、
    第２色相を放出する第２サブ画素と、
    第３色相を放出する第３サブ画素と、
    前記サブ画素パターンなしに、前記第１電極及び第２電極が互いに直接に接触する補助サブ画素と、を含む、
    請求項１に記載の表示装置。
  9. 前記サブ画素パターンは、
    前記バンクの上部外側角面に沿って延びる縁部と、
    前記バンク孔の底面及び側壁に配置されたトレンチパターンと
    を含む、
    請求項１に記載の表示装置。
  10. 前記縁部は段差を有し、かつ、平面視において、水平に配列された複数の環状パターンを含み、前記複数の環状パターンの最内側の環状パターンの厚みは、最外側の環状パターンの厚みよりも厚い、
    請求項９に記載の表示装置。
  11. それぞれが複数のサブ画素を含む複数の画素が配置された基板と、
    それぞれの前記サブ画素に配置され、前記複数のサブ画素を駆動して発光させるためのトランジスタに接続された第１電極と、
    前記複数のサブ画素の発光領域を区分し、かつ、前記第１電極の一部を露出させるバンク孔を含むバンクと、
    を含み、
    それぞれの前記サブ画素は、前記バンク孔の底面に配置され、前記第１電極の露出した表面に接触し、かつ、前記バンク孔の側壁及び前記バンクの上部外側縁の表面に沿って連続して延びるサブ画素パターンを含み、
    前記サブ画素パターンは有機発光層として機能し、
    それぞれの前記サブ画素パターンは、前記バンクの上部外側縁の表面に沿って連続して延び、前記基板から遠くなるように上方に延びるテール部で終了し、
    前記サブ画素パターンは、前記テール部において最大の厚みを有する、
    表示装置。
  12. 前記テール部は、前記サブ画素パターンの各末端部に位置して、前記サブ画素パターンの外側部分を囲む、
    請求項１１に記載の表示装置。
  13. 前記テール部は、前記サブ画素パターンの領域を定義して、前記サブ画素パターンの整列マークとしての役割を担う、
    請求項１１に記載の表示装置。
  14. 前記テール部上に配置された第２電極をさらに含む、
    請求項１１に記載の表示装置。
  15. 前記テール部の外側面部と接触するテール部側面支持部をさらに含み、
    前記テール部側面支持部の高さは、前記テール部の高さよりも低い、
    請求項１１に記載の表示装置。
  16. 前記サブ画素パターンの厚みは、前記サブ画素パターンが互いに隣接する他のサブ画素パターンへ向かう方向に、前記バンクの上部外側縁の表面に沿って延びながらステップ状に減少する、
    請求項１１に記載の表示装置。
  17. それぞれが複数のサブ画素を含む複数の画素を基板上に形成するステップを含む表示装置の製造方法であって、前記複数の画素を形成するステップは、
    それぞれの前記サブ画素に、前記複数のサブ画素を駆動して発光させるためのトランジスタに接続された第１電極を形成するステップと、
    前記複数のサブ画素の発光領域を区分し、かつ、前記第１電極の一部を露出させるバンク孔が備えられたバンクを形成するステップと、
    前記バンク上に保護層を形成するステップと、
    前記保護層の表面の一部を露出させるフォトレジストパターンを形成するステップと、
    前記保護層の一部を除去して、前記フォトレジストパターンの下にアンダーカット領域を形成する保護層パターン、及び前記フォトレジストパターンの二重層からなるアンダーカット構造物を形成するステップと、
    前記バンク孔の底面に位置し、前記第１電極の露出した表面に接触し、前記バンク孔の側壁及び前記バンクの上部外側縁の表面に沿って前記アンダーカット領域内に連続して延び、有機発光層として機能するサブ画素パターンを形成するステップと、
    前記アンダーカット構造物を除去するステップと、
    前記サブ画素パターン上に位置する第２電極を形成するステップと、
    を含み、
    前記サブ画素パターンを形成するステップは、前記サブ画素パターンが前記アンダーカット領域に延びるにしたがって前記サブ画素パターンの厚みをステップ状に減少させる工程を含み、
    前記サブ画素パターンの厚みがステップ状に減少することにより段差部が設けられ、前記段差部において電気抵抗が急激に増加する、
    表示装置の製造方法。
  18. 前記サブ画素パターンを形成するステップは、前記バンクの上部外側縁の表面に沿って連続して延びて、前記基板から遠くなる方向に延びるテール部で終了する、個々のサブ画素パターンを形成するステップを含む、
    請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
  19. 前記保護層は、炭素－炭素の結合が鎖構造で連続して行われ、作用基（又は機能基）に一定量のフッ素（Ｆ）を含有したフッ素重合体物質を含む、
    請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
  20. 前記アンダーカット構造物を形成するステップは、前記保護層の露出面上にフッ素（Ｆ）系有機溶媒を供給して、前記フォトレジストパターンを除いた前記保護層を選択的に除去し、前記アンダーカット領域を形成する、
    請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
  21. 前記テール部の外側面部と接触するテール部側面支持部を形成するステップをさらに含み、前記テール部側面支持部は、前記テール部を支持する保護層残余パターンを含む、
    請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
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