JP7511824B2 - Apparatus and method for inspecting the appearance of electronic components - Google Patents

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本開示は電子部品の外観検査装置および電子部品の外観検査方法に係り、とりわけ電子部品の稜線およびその近傍において、精度良くかつ確実に外観検査を行なうことができる電子部品の外観検査装置および電子部品の外観検査方法に関する。 This disclosure relates to an electronic component appearance inspection device and an electronic component appearance inspection method, and in particular to an electronic component appearance inspection device and electronic component appearance inspection method that can perform accurate and reliable appearance inspection of the ridges of electronic components and their vicinity.

従来より稜線の外観検査方法として、検査対象物の中心から稜線にかけて法線に近い角度の斜視像を撮像手段によって撮像し、稜線の斜視像を検査する方法が用いられている。
例えばこのような従来の外観検査方法としては、稜線に対して複数の角度から均一な照明を照射し、稜線に不良があれば輝度変化の傾向が変わる現象を利用して検出する外観検査を行なう方法がある。
Conventionally, a method for visually inspecting a ridgeline has been used in which an oblique image of the ridgeline from the center of an object to be inspected to an angle close to the normal line is captured by an imaging means, and the oblique image of the ridgeline is inspected.
For example, one such conventional appearance inspection method is to irradiate the ridgeline with uniform illumination from multiple angles, and detect any defects on the ridgeline by utilizing the phenomenon in which the tendency of luminance change changes.

特開2010-266366号公報JP 2010-266366 A

しかしながら、従来より電子部品の稜線およびその近傍について精度良くかつ確実に外観を検査する方法は開発されていない。
本開示はこのような点を考慮してなされたものであり、とりわけ検査対象となる電子部品の稜線およびその近傍に対して精度良くかつ確実に外観を検出することができる電子部品の外観検査装置および電子部品の外観検査方法を提供することを目的とする。
However, no method has been developed to accurately and reliably inspect the appearance of the ridges and their vicinity of electronic components.
The present disclosure has been made in consideration of these points, and aims to provide an electronic component appearance inspection apparatus and an electronic component appearance inspection method that can accurately and reliably detect the appearance of the ridges and their vicinity of the electronic components to be inspected.

本開示は、少なくとも上面と、側面と、前記上面と前記側面との間の稜線とを有する電子部品の外観を検査する電子部品の外観検査装置において、前記電子部品を支持する支持部と、前記電子部品の上面に対して光を照射し、前記電子部品の上面からの反射光、前記稜線からの反射光、および前記側面からの反射光を含む第1反射光を得る第1照射装置と、前記電子部品の稜線に対して光を照射し、前記電子部品の稜線からの反射光、前記上面からの反射光、および前記側面からの反射光を含む第2反射光を得る第2照射装置と、前記電子部品の側面に対して光を照射し、前記電子部品の側面からの反射光、前記上面からの反射光、および前記稜線からの反射光を含む第3反射光を得る第3照射装置と、前記電子部品からの第1反射光、第2反射光、および第3反射光を受光して第1画像、第2画像、および第3画像を得る撮像装置と、前記撮像装置に接続された画像処理装置と、を備え、前記画像処理装置は、前記第1画像、前記第2画像、および前記第3画像に基づいて、前記上面、前記稜線、または前記側面に存在する欠陥を検出する、電子部品の外観検査装置である。 The present disclosure relates to an appearance inspection device for electronic components that inspects the appearance of an electronic component having at least a top surface, a side surface, and a ridgeline between the top surface and the side surface, the device comprising: a support section that supports the electronic component; a first irradiation device that irradiates light onto the top surface of the electronic component to obtain a first reflected light including reflected light from the top surface of the electronic component, reflected light from the ridgeline, and reflected light from the side surface; a second irradiation device that irradiates light onto the ridgeline of the electronic component to obtain a second reflected light including reflected light from the ridgeline of the electronic component, reflected light from the top surface, and reflected light from the side surface; The electronic component appearance inspection device includes a third irradiation device that irradiates light onto the side of the component and obtains a third reflected light including reflected light from the side of the electronic component, reflected light from the top surface, and reflected light from the ridge line, an imaging device that receives the first reflected light, second reflected light, and third reflected light from the electronic component to obtain a first image, a second image, and a third image, and an image processing device connected to the imaging device, and the image processing device detects defects present on the top surface, the ridge line, or the side based on the first image, the second image, and the third image.

本開示は、前記電子部品からの第1反射光、前記電子部品からの第2反射光、および前記電子部品からの第3反射光を前記撮像装置へ導く反射装置、を更に備えた、電子部品の外観検査装置である。 The present disclosure relates to an electronic component appearance inspection device further comprising a reflecting device that guides a first reflected light from the electronic component, a second reflected light from the electronic component, and a third reflected light from the electronic component to the imaging device.

本開示は、前記反射装置は、前記第1照射装置からの光による直接反射光、前記第2照射装置からの光による直接反射光、および前記第3照射装置からの光による直接反射光を前記撮像装置へ導く、電子部品の外観検査装置である。 The present disclosure relates to an electronic component appearance inspection device, in which the reflecting device guides the direct reflected light of the light from the first irradiation device, the direct reflected light of the light from the second irradiation device, and the direct reflected light of the light from the third irradiation device to the imaging device.

本開示は、前記画像処理装置は、前記第1画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関して2値化されたデータと、前記第2画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関して2値化されたデータと、前記第3画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関して2値化されたデータを含む検査データパターンを作成するとともに、前記検査データパターンを前記検査データパターンに対応して予め定められた基準データパターンと比較しながら、前記上面、前記稜線または前記側面のいずれかに存在する欠陥を検出する、電子部品の外観検査装置である。 The present disclosure relates to an electronic component appearance inspection device, in which the image processing device creates an inspection data pattern including binarized data for the top surface, the ridgeline, and the side surface on the first image, binarized data for the top surface, the ridgeline, and the side surface on the second image, and binarized data for the top surface, the ridgeline, and the side surface on the third image, and detects defects present on the top surface, the ridgeline, or the side surface while comparing the inspection data pattern with a predetermined reference data pattern corresponding to the inspection data pattern.

本開示は、前記反射装置は、前記電子部品の外周に等間隔をおいて複数配置され、前記第1照射装置、前記第2照射装置、前記第3照射装置の各々の光に基づいて複数の第1画像、第2画像、および第3画像を得る、電子部品の外観検査装置である。 The present disclosure relates to an appearance inspection device for electronic components, in which a plurality of the reflecting devices are arranged at equal intervals around the outer periphery of the electronic component, and a plurality of first images, second images, and third images are obtained based on the light from each of the first irradiation device, the second irradiation device, and the third irradiation device.

本開示は、前記反射装置は、ミラー、またはプリズムを含む、電子部品の外観検査装置である。 The present disclosure relates to an electronic component visual inspection device, in which the reflecting device includes a mirror or a prism.

本開示は、前記第1照射装置は第1波長範囲の光を発光し、前記第2照射装置は前記第1波長範囲と異なる第2波長範囲の光を発光し、前記第3照射装置は前記第1波長範囲および前記第2波長範囲と異なる第3波長範囲の光を発光する、電子部品の外観検査装置である。 The present disclosure relates to an appearance inspection device for electronic components, in which the first irradiation device emits light in a first wavelength range, the second irradiation device emits light in a second wavelength range different from the first wavelength range, and the third irradiation device emits light in a third wavelength range different from the first wavelength range and the second wavelength range.

本開示は、前記撮像装置は、前記第1反射光、前記第2反射光、および前記第3反射光を受光して第1画像、第2画像、および第3画像を得るイメージセンサまたは光センサを有する、電子部品の外観検査装置である。 The present disclosure relates to an appearance inspection device for electronic components, the imaging device having an image sensor or optical sensor that receives the first reflected light, the second reflected light, and the third reflected light to obtain a first image, a second image, and a third image.

本開示は、前記電子部品は電子部品本体と、前記電子部品本体に境界線を介して連結された電極と有し、前記画像処理装置は、前記電子部品の前記境界線に直交するとともに互いに対向する一対の稜線について、前記第1画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関するグレースケール画像データと、前記第2画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関するグレースケール画像データと、前記第3画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関するグレースケール画像データを作成して合体し、一方の稜線に関し前記第1画像と前記第2画像と前記第3画像のグレースケール画像を合体して得られたグレースケール画像と、他方の稜線に関し前記第1画像と前記第2画像と前記第3画像のグレースケール画像を合体して得られたグレースケール画像とを互いに接近させて比較することにより、相関度の低く差異のある個所を特定し、前記上面、前記稜線または前記側面のいずれかに存在する欠陥を検出する、電子部品の外観検査装置である。 The present disclosure relates to an electronic component appearance inspection device, in which the electronic component has an electronic component body and an electrode connected to the electronic component body via a boundary line, and the image processing device creates and combines grayscale image data on the top surface, the ridge line, and the side surface on the first image, grayscale image data on the top surface, the ridge line, and the side surface on the second image, and grayscale image data on the top surface, the ridge line, and the side surface on the third image for a pair of ridge lines that are perpendicular to the boundary line of the electronic component and face each other, and identifies locations with low correlation and differences by bringing a grayscale image obtained by combining the grayscale images of the first image, the second image, and the third image for one ridge line and a grayscale image obtained by combining the grayscale images of the first image, the second image, and the third image for the other ridge line close to each other and comparing them, thereby detecting defects present on the top surface, the ridge line, or the side surface.

本開示は、少なくとも上面と、側面と、前記上面と前記側面との間の稜線とを有する電子部品の外観を検査する電子部品の外観検査方法において、前記電子部品の上面に対して第1照射装置から光を照射し、前記電子部品の上面からの反射光、前記稜線からの反射光、および前記側面からの反射光を含む第1反射光を得る工程と、前記電子部品の稜線に対して第2照射装置から光を照射し、前記電子部品の稜線からの反射光、前記上面からの反射光、および前記側面からの反射光を含む第2反射光を得る工程と、前記電子部品の側面に対して第3照射装置から光を照射し、前記電子部品の側面からの反射光、前記上面からの反射光、および前記稜線からの反射光を含む第3反射光を得る工程と、前記電子部品からの第1反射光、第2反射光、および第3反射光を撮像装置により受光して第1画像、第2画像、および第3画像を得る工程と、画像処理装置により前記第1画像、前記第2画像、および前記第3画像に基づいて、前記上面、前記稜線、および前記側面に存在する欠陥を検出する工程とを備えた、電子部品の外観検査方法である。 The present disclosure relates to an appearance inspection method for an electronic component that inspects the appearance of an electronic component having at least a top surface, a side surface, and a ridge line between the top surface and the side surface, the method comprising the steps of: irradiating light from a first irradiation device onto the top surface of the electronic component to obtain a first reflected light including reflected light from the top surface of the electronic component, reflected light from the ridge line, and reflected light from the side surface; irradiating light from a second irradiation device onto the ridge line of the electronic component to obtain a second reflected light including reflected light from the ridge line of the electronic component, reflected light from the top surface, and reflected light from the side surface; This is an appearance inspection method for electronic components, comprising the steps of: irradiating light from a third irradiation device onto the side of the component to obtain third reflected light including reflected light from the side of the electronic component, reflected light from the top surface, and reflected light from the ridge; receiving the first reflected light, second reflected light, and third reflected light from the electronic component with an imaging device to obtain a first image, a second image, and a third image; and detecting defects present on the top surface, the ridge, and the side based on the first image, the second image, and the third image with an image processing device.

本開示は、本開示は、前記電子部品からの第1反射光、前記電子部品からの第2反射光、前記電子部品からの第3反射光を反射装置により前記撮像装置へ導く工程を更に備えた、電子部品の外観検査方法である。 The present disclosure relates to a method for visually inspecting an electronic component, further comprising a step of directing a first reflected light from the electronic component, a second reflected light from the electronic component, and a third reflected light from the electronic component to the imaging device using a reflecting device.

本開示は、前記反射装置は、前記第1照射装置からの光による直接反射光、前記第2照射装置からの光による直接反射光、および前記第3照射装置からの光による直接反射光を前記撮像装置へ導く、電子部品の外観検査方法である。 The present disclosure relates to a method for visually inspecting electronic components, in which the reflecting device guides the direct reflected light of the light from the first irradiation device, the direct reflected light of the light from the second irradiation device, and the direct reflected light of the light from the third irradiation device to the imaging device.

本開示は、前記画像処理装置は、前記第1画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関して2値化されたデータと、前記第2画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関して2値化されたデータと、前記第3画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関して2値化されたデータを含む検査データパターンを作成するとともに、前記検査データパターンを前記検査データパターンに対応して予め定められた基準データパターンと比較しながら、前記上面、前記稜線または前記側面のいずれかに存在する欠陥を検出する、電子部品の外観検査方法である。 The present disclosure relates to a method for visually inspecting an electronic component, in which the image processing device creates an inspection data pattern including binarized data for the top surface, the ridgeline, and the side surface on the first image, binarized data for the top surface, the ridgeline, and the side surface on the second image, and binarized data for the top surface, the ridgeline, and the side surface on the third image, and detects defects present on the top surface, the ridgeline, or the side surface while comparing the inspection data pattern with a predetermined reference data pattern corresponding to the inspection data pattern.

本開示は、前記第1照射装置は第1波長範囲の光を発光し、前記第2照射装置は前記第1波長範囲と異なる第2波長範囲の光を発光し、前記第3照射装置は前記第1波長範囲および前記第2波長範囲と異なる第3波長範囲の光を発光する、電子部品の外観検査方法である。 The present disclosure relates to a method for visually inspecting electronic components, in which the first irradiation device emits light in a first wavelength range, the second irradiation device emits light in a second wavelength range different from the first wavelength range, and the third irradiation device emits light in a third wavelength range different from the first wavelength range and the second wavelength range.

本開示は、前記電子部品は電子部品本体と、前記電子部品本体に境界線を介して連結された電極と有し、前記画像処理装置は、前記電子部品の前記境界線に直交するとともに互いに対向する一対の稜線について、前記第1画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関するグレースケール画像データと、前記第2画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関するグレースケール画像データと、前記第3画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関するグレースケール画像データを作成して合体し、一方の稜線に関し前記第1画像と前記第2画像と前記第3画像のグレースケール画像を合体して得られたグレースケール画像と、他方の稜線に関し前記第1画像と前記第2画像と前記第3画像のグレースケール画像を合体して得られたグレースケール画像とを互いに接近させて比較することにより、相関度の低く差異のある個所を特定し、前記上面、前記稜線または前記側面のいずれかに存在する欠陥を検出する、
電子部品の外観検査方法である。
The present disclosure relates to a method for detecting defects present on the top surface, the top edge, or the side surface, by comparing a grayscale image obtained by combining the grayscale images of the first, second, and third images for one top edge and a grayscale image obtained by combining the grayscale images of the first, second, and third images for the other top edge, with each other, by bringing the grayscale images of the first, second, and third images for the other top edge closer to each other and comparing the grayscale images, and thereby identifying locations with low correlation and differences and detecting defects present on the top surface, the top edge, or the side surface.
A method for visually inspecting electronic components.

本開示によれば、電子部品における稜線およびその近傍を精度良く外観検査するができる。 This disclosure makes it possible to perform visual inspection of ridges and their vicinity in electronic components with high accuracy.

図1Aは本開示による電子部品の外観検査装置の一実施の形態を示す側面図。FIG. 1A is a side view showing one embodiment of an appearance inspection apparatus for electronic components according to the present disclosure. 図1Bは電子部品の外観検査装置の変形例を示す側面図。FIG. 1B is a side view showing a modified example of the visual inspection apparatus for electronic components. 図2は電子部品を撮像して得られた第1画像と第2画像と第3画像を合体した図。FIG. 2 is a combined view of a first image, a second image, and a third image obtained by capturing an image of an electronic component. 図3は電子部品を撮像して得られた第1画像を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a first image obtained by capturing an image of an electronic component. 図4は電子部品を撮像して得られた第2画像を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a second image obtained by capturing an image of the electronic component. 図5は電子部品を撮像して得られた第3画像を示す図。FIG. 5 is a diagram showing a third image obtained by capturing an image of an electronic component. 図6は第1画像と第2画像と第3画像を含む基準データパターンを示す図。FIG. 6 is a diagram showing a reference data pattern including a first image, a second image, and a third image. 図7は第1照射装置から電子部品に光を照射して第1画像を得る状態を示す側面図。FIG. 7 is a side view showing a state in which a first image is obtained by irradiating light from a first irradiation device onto an electronic component. 図8Aは第2照射装置から電子部品に光を照射して第2画像を得る状態を示す側面図。FIG. 8A is a side view showing a state in which a second image is obtained by irradiating light from a second irradiation device onto an electronic component. 図8Bは第2照射装置から電子部品に光を照射して第2画像を得る状態を示す平面図。FIG. 8B is a plan view showing a state in which the second irradiation device irradiates the electronic component with light to obtain a second image. 図9は第3照射装置から電子部品に光を照射して第3画像を得る状態を示す側面図。FIG. 9 is a side view showing a state in which the third irradiation device irradiates the electronic component with light to obtain a third image. 図10は検査対象となる電子部品の外形を示す図。FIG. 10 is a diagram showing the outer shape of an electronic component to be inspected. 図11は電子部品の外観検査方法を示すフローチャート。FIG. 11 is a flowchart showing a method for inspecting the appearance of an electronic component. 図12は本開示による電子部品の外観検査装置の変形例を示す図であって、第1画像と第2画像と第3画像を合体した、電子部品本体と電極との間の理想的な境界線を示す図。FIG. 12 is a diagram showing a modified example of an appearance inspection apparatus for electronic components according to the present disclosure, and is a diagram showing an ideal boundary line between the electronic component body and the electrodes, which is a combination of the first image, the second image, and the third image. 図13は第1画像と第2画像と第3画像を合体した図であって、電子部品本体と電極との間の歪んだ境界線を示す図。FIG. 13 is a diagram combining the first, second, and third images, showing a distorted boundary line between the electronic component body and the electrode. 図14Aは対向する稜線に関し、第1画像と第2画像と第3画像を合体した図。FIG. 14A is a combined view of the first, second, and third images of opposing ridgelines. 図14Bは一方の稜線に関し、第1画像と第2画像と第3画像を合体した図。FIG. 14B is a diagram of one edge line in which the first, second, and third images are combined. 図15は対向する一対の稜線に関するグレースケール画像を比較する図である。FIG. 15 is a comparison of grayscale images for a pair of opposing edges.

<本開示の一実施の形態>
以下、図面を参照して本開示の実施の形態について説明する。
図1A乃至図11は本開示による電子部品の外観検査装置および電子部品の外観検査方法の実施の形態を示す図である。
<One embodiment of the present disclosure>
Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described with reference to the drawings.
1A to 11 are diagrams showing an embodiment of an appearance inspection apparatus and an appearance inspection method for electronic components according to the present disclosure.

まず、電子部品の外観検査装置により検査される被検査対象となる電子部品Wについて、図10により説明する。 First, the electronic component W to be inspected by the electronic component visual inspection device will be described with reference to FIG. 10.

図10に示すように、電子部品Wは電子部品本体W1と、電子部品本体W1の両側に設けられた一対の電極W2,W2とを有する。そして電子部品Wは、全体として上面1と、側面2と、上面1と側面2との間の稜線3とを有する直方体形状をもつ。 As shown in FIG. 10, the electronic component W has an electronic component body W1 and a pair of electrodes W2, W2 provided on both sides of the electronic component body W1. The electronic component W has an overall rectangular parallelepiped shape with an upper surface 1, a side surface 2, and a ridge line 3 between the upper surface 1 and the side surface 2.

このような電子部品Wとしては、例えばチップ抵抗器、チップインダクタ、積層セラミックコンデンサ及びチップLED等の半導体が考えられる。 Examples of such electronic components W include semiconductors such as chip resistors, chip inductors, multilayer ceramic capacitors, and chip LEDs.

本実施の形態による電子部品の外観検査装置は、上記の電子部品Wのうち、とりわけ稜線3、および稜線3近傍の上面1および稜線3近傍の側面2の外観を検査するものである。 The electronic component appearance inspection device according to this embodiment inspects the appearance of the electronic component W, particularly the ridge 3, the top surface 1 near the ridge 3, and the side surface 2 near the ridge 3.

このような電子部品Wを検査する電子部品の外観検査装置10は、図1Aに示すように電子部品Wを支持するテーブル(支持部)14と、テーブル14上の電子部品Wのうち、主としてその稜線3近傍の上面1に対して光を照射する第1照射装置11と、テーブル14上の電子部品Wのうち、主としてその稜線3に対して光を照射する第2照射装置12と、テーブル14上の電子部品Wのうち、主としてその稜線3近傍の側面2に対して光を照射する第3照射装置13とを備えている。 As shown in FIG. 1A, an appearance inspection device 10 for electronic components that inspects such electronic components W includes a table (support) 14 that supports the electronic components W, a first irradiation device 11 that irradiates light mainly onto the top surface 1 of the electronic components W on the table 14 near the ridge line 3, a second irradiation device 12 that irradiates light mainly onto the ridge line 3 of the electronic components W on the table 14, and a third irradiation device 13 that irradiates light mainly onto the side surface 2 of the electronic components W on the table 14 near the ridge line 3.

このうち第1照射装置11は電子部品Wの稜線3近傍の上面1に対して光を照射し、電子部品Wの上面1からの反射光、稜線3からの反射光、および側面2からの反射光を含む第1反射光を生成する。 Of these, the first irradiation device 11 irradiates light onto the top surface 1 of the electronic component W near the ridge line 3, generating a first reflected light that includes reflected light from the top surface 1 of the electronic component W, reflected light from the ridge line 3, and reflected light from the side surface 2.

また第2照射装置12は電子部品Wの稜線3に対して光を照射し、電子部品Wの稜線3からの反射光、上面1からの反射光、および側面2からの反射光を含む第2反射光を生成する。 The second irradiation device 12 also irradiates light onto the edge 3 of the electronic component W to generate second reflected light including reflected light from the edge 3 of the electronic component W, reflected light from the top surface 1, and reflected light from the side surface 2.

さらに第3照射装置13は電子部品Wの稜線3近傍の側面2に対して光を照射し、電子部品Wの側面2からの反射光、上面1からの反射光、および稜線3からの反射光を含む第3反射光を生成する。 Furthermore, the third irradiation device 13 irradiates light onto the side surface 2 near the ridge line 3 of the electronic component W, generating a third reflected light including reflected light from the side surface 2 of the electronic component W, reflected light from the top surface 1, and reflected light from the ridge line 3.

そして電子部品Wからの第1反射光、第2反射光、および第3反射光は、反射装置15により撮像装置20側へ導かれ、この撮像装置20により第1反射光、第2反射光、および第3反射光が受光される。そして撮像装置20により第1反射光に基づいて第1画像が生成され、第2反射光に基づいて第2画像が生成され、第3反射光に基づいて第3画像が得られる。 The first reflected light, second reflected light, and third reflected light from the electronic component W are guided by the reflecting device 15 to the imaging device 20, which receives the first reflected light, second reflected light, and third reflected light. The imaging device 20 then generates a first image based on the first reflected light, generates a second image based on the second reflected light, and obtains a third image based on the third reflected light.

また撮像装置20には、画像処理装置25が接続され、この画像処理装置25により第1画像、第2画像、および第3画像に基づいて電子部品Wのうち稜線3上の欠陥a2、稜線3近傍の上面1上の欠陥a1、および稜線3近傍の側面2上の欠陥a3が検出される。 An image processing device 25 is also connected to the imaging device 20, and this image processing device 25 detects a defect a2 on the edge 3 of the electronic component W, a defect a1 on the top surface 1 near the edge 3, and a defect a3 on the side surface 2 near the edge 3 based on the first image, the second image, and the third image.

本実施の形態において、電子部品Wからの第1反射光、電子部品Wからの第2反射光、および電子部品Wからの第3反射光は、いずれも後述するミラー、プリズム等の反射装置15により撮像装置20側へ導かれる。この場合、反射装置15は第1照射装置11からの光による直接反射光、第2照射装置12からの光による直接反射光、および第3照射装置13からの光による直接反射光を各々撮像装置20側へ導くようになっている。なお反射装置15としては、ミラー、プリズムに限らず、可視光域や特定の波長を反射する波長カットフィルタ等を用いることもできる。 In this embodiment, the first reflected light from the electronic component W, the second reflected light from the electronic component W, and the third reflected light from the electronic component W are all guided to the imaging device 20 by a reflecting device 15 such as a mirror or prism described below. In this case, the reflecting device 15 guides the direct reflected light of the light from the first irradiation device 11, the direct reflected light of the light from the second irradiation device 12, and the direct reflected light of the light from the third irradiation device 13 to the imaging device 20. Note that the reflecting device 15 is not limited to a mirror or a prism, and a wavelength cut filter that reflects visible light or a specific wavelength can also be used.

また撮像装置20は、撮像装置本体21と、撮像装置本体21の下端に設けられたレンズ22とを有する。 The imaging device 20 also has an imaging device body 21 and a lens 22 provided at the lower end of the imaging device body 21.

なお、電子部品Wは直方体形状をなし、直方体形状の上面1をもつ(図10参照)。そして電子部品Wの上面1の4辺、すなわち4本の稜線3およびその近傍の上面1および側面2の欠陥を検出することができるよう、ミラー、プリズム等からなる反射装置15は上面1の4辺に対応して上面1の4辺の外側上方に合計4箇所に設けられていることが好ましい。あるいは、反射装置15は更に、上面1の4つの角部外側上方に、追加で4箇所に設けられ、合計8箇所に設けられていてもよい。 The electronic component W has a rectangular parallelepiped shape and a rectangular parallelepiped top surface 1 (see FIG. 10). In order to detect defects on the four sides of the top surface 1 of the electronic component W, i.e., the four ridges 3 and the top surface 1 and side surfaces 2 in their vicinity, it is preferable that reflecting devices 15 consisting of mirrors, prisms, etc. are provided at a total of four locations above and outside the four sides of the top surface 1, corresponding to the four sides of the top surface 1. Alternatively, reflecting devices 15 may be provided at four additional locations above and outside the four corners of the top surface 1, for a total of eight locations.

あるいは、少なくとも反射装置15は、上面1の対向する一対の辺に対応して、上面1の対向する一対の辺の外側上方に合計2個設けられている。 Alternatively, at least two reflecting devices 15 are provided on the outside and above a pair of opposing sides of the upper surface 1, corresponding to a pair of opposing sides of the upper surface 1.

また図1Aに示すように、第1照射装置11と、第2照射装置12と、第3照射装置13は、それぞれ異なる波長域の照明光を照射し、それにより効率よく直接反射光と散乱反射光を分けることで、それぞれに適した欠陥検査を行なうことができる。 As shown in FIG. 1A, the first irradiation device 11, the second irradiation device 12, and the third irradiation device 13 each emit illumination light in a different wavelength range, thereby efficiently separating the directly reflected light from the scattered reflected light, thereby enabling defect inspection suitable for each device to be performed.

本実施の形態において、例えば第1照射装置11から照射される光は波長300nm以上550nm以下の青色光となっており、第2照射装置12から照射される光は波長470nm以上620nm以下の緑色光となっており、第3照射装置13から照射される光は波長580nm以上1000nm以下の赤色光となっている。 In this embodiment, for example, the light irradiated from the first irradiation device 11 is blue light with a wavelength of 300 nm or more and 550 nm or less, the light irradiated from the second irradiation device 12 is green light with a wavelength of 470 nm or more and 620 nm or less, and the light irradiated from the third irradiation device 13 is red light with a wavelength of 580 nm or more and 1000 nm or less.

ここで第1照射装置11から照射される光は上面1に向かい、上面1から直接反射光が生じ、この上面1からの直接反射光は反射装置15を経て撮像装置20へ送られる(図7参照)。第2照射装置12から照射される光は稜線3に向かい、稜線3から直接反射光が生じ、この稜線3からの直接反射光は反射装置15を経て撮像装置20へ送られる(図8Aおよび図8B参照)。第3照射装置13から照射される光は側面2に向かい、側面2から直接反射光が生じ、この側面2からの直接反射光は反射装置15を経て撮像装置20へ送られる(図9参照)。 Here, the light irradiated from the first irradiation device 11 is directed toward the top surface 1, and light is directly reflected from the top surface 1. This directly reflected light from the top surface 1 is sent to the imaging device 20 via the reflecting device 15 (see FIG. 7). The light irradiated from the second irradiation device 12 is directed toward the ridge line 3, and light is directly reflected from the ridge line 3. This directly reflected light from the ridge line 3 is sent to the imaging device 20 via the reflecting device 15 (see FIG. 8A and FIG. 8B). The light irradiated from the third irradiation device 13 is directed toward the side surface 2, and light is directly reflected from the side surface 2. This directly reflected light from the side surface 2 is sent to the imaging device 20 via the reflecting device 15 (see FIG. 9).

また、撮像装置20の撮像装置本体21は3色以上の色を区別できるフルカラーの撮像手段を有する。 In addition, the imaging device body 21 of the imaging device 20 has a full-color imaging means that can distinguish between three or more colors.

撮像装置20の撮像装置本体21は、例えば第1画像、第2画像および第3画像を生成する1個の撮像板、または各画像に対応する複数撮像板を有するCCD(Charge Coupled Device)カメラやCMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)カメラからなる。 The imaging device body 21 of the imaging device 20 is, for example, a CCD (Charge Coupled Device) camera or a CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) camera having one imaging plate that generates the first image, the second image, and the third image, or multiple imaging plates corresponding to each image.

また電子部品Wを支持するテーブル14は透明支持体からなる。ここでテーブル14を構成する透明支持体の「透明」とは、分光光度計(島津製作所製「UV-3100PC」JISK 0115準拠品)を用いて測定波長380nm~780nmの範囲内で測定したときの、各波長における透過率の平均値として特定される可視光透過率が、50%以上、好ましくは80%以上であることを意味する。 The table 14 that supports the electronic components W is made of a transparent support. Here, the "transparent" nature of the transparent support that constitutes the table 14 means that the visible light transmittance, specified as the average value of the transmittance at each wavelength when measured using a spectrophotometer (Shimadzu Corporation's "UV-3100PC" JIS K 0115 compliant product) within the measurement wavelength range of 380 nm to 780 nm, is 50% or more, preferably 80% or more.

テーブル14を構成する透明支持体は、例えばガラスからなり、透明支持体は任意の形状であり、任意の垂直方向回転軸を中心として回転可能であってもよい。テーブル14が回転可能となっている場合、検査対象となる電子部品Wは透明支持体からなるテーブル14の中心からずれた位置、言い換えるとテーブル14の回転軸からずれた位置に載置されている。 The transparent support constituting the table 14 is made of, for example, glass, and may have any shape and be rotatable around any vertical rotation axis. When the table 14 is rotatable, the electronic component W to be inspected is placed at a position offset from the center of the table 14 made of the transparent support, in other words, at a position offset from the rotation axis of the table 14.

上述のように、検査対象となる電子部品Wには、その上面1に欠陥a1が存在し、稜線3に欠陥a2が存在し、側面2に欠陥a3が存在することがある。 As described above, the electronic component W to be inspected may have a defect a1 on its top surface 1, a defect a2 on its edge 3, and a defect a3 on its side surface 2.

ここで電子部品Wに形成された欠陥a1,a2,a3とは例えば割れ、欠け、汚れ、傷、クラック、電極W2の断線、異物の付着、バリ等からなる。 The defects a1, a2, and a3 formed in the electronic component W include, for example, cracks, chips, stains, scratches, cracks, disconnection of the electrode W2, adhesion of foreign matter, burrs, etc.

例えば電極W2の稜線3上の配線が断線している場合、その電子部品Wを実装した基盤に通電しても電気が流れず、電子部品Wを実装した基盤を含む電気製品が機能しない。あるいは異物が付着したまま電気を放出した場合、異物が電気ショートして火災が発生することも考えられる。 For example, if the wiring on the edge 3 of the electrode W2 is broken, no electricity will flow even if electricity is applied to the board on which the electronic component W is mounted, and the electrical product including the board on which the electronic component W is mounted will not function. Alternatively, if electricity is released while a foreign object is still attached, the foreign object may cause an electrical short circuit and start a fire.

本実施の形態によれば電子部品Wにおける稜線3、およびその近傍に存在する欠陥a1,a2,a3を確実に検出することで、電子部品の歩留まりを向上させることができる。 According to this embodiment, defects a1, a2, and a3 that exist on edge line 3 of electronic component W and in its vicinity can be reliably detected, thereby improving the yield of electronic components.

次に図1Aにより第1照射装置11、第2照射装置12および第3照射装置13について更に述べる。 Next, the first irradiation device 11, the second irradiation device 12, and the third irradiation device 13 will be further described with reference to FIG. 1A.

図1Aに示すように、第1照射装置11は撮像装置20と電子部品Wとの間に設けられ、ミラー等の反射装置15よりも撮像装置20により近い位置に配置されている。 As shown in FIG. 1A, the first irradiation device 11 is provided between the imaging device 20 and the electronic component W, and is positioned closer to the imaging device 20 than the reflecting device 15, such as a mirror.

例えば第1照射装置11は特定範囲(例えば300nm以上550nm以下)の波長をもつ平行光もしくは略平行光(若しくは平面半角で10°以下の照射立体角を持つ照射光)を照射するものであり、第1照射装置11は例えばLEDライトからなる。 For example, the first irradiation device 11 irradiates parallel light or nearly parallel light (or irradiation light having a planar half angle of 10° or less) having a wavelength in a specific range (for example, 300 nm or more and 550 nm or less), and the first irradiation device 11 is, for example, an LED light.

図1Aに示すように、第2照射装置12は撮像装置20と電子部品Wとの間に設けられ、ミラー等の反射装置15の上方近傍に設けられている。 As shown in FIG. 1A, the second irradiation device 12 is provided between the imaging device 20 and the electronic component W, and is provided above and adjacent to a reflecting device 15 such as a mirror.

第2照射装置12は特定範囲(例えば470nm以上620nm以下)の波長をもつ平行光もしくは略平行光(若しくは平面半角で10°以下の照射立体角を持つ照射光)を照射するものであり、第2照射装置12は例えばLEDライトからなる。 The second irradiation device 12 irradiates parallel or nearly parallel light (or irradiation light having a planar half angle of 10° or less) having a wavelength in a specific range (for example, 470 nm or more and 620 nm or less), and the second irradiation device 12 is, for example, an LED light.

図1Aに示すように、第3照射装置13は撮像装置20から見て電子部品Wと同程度の位置もしくは後方に配置され、本実施の形態において、第3照射装置13は、テーブル14の下方に配置されている。 As shown in FIG. 1A, the third irradiation device 13 is disposed at a position approximately the same as or behind the electronic component W as seen from the imaging device 20, and in this embodiment, the third irradiation device 13 is disposed below the table 14.

第3照射装置13は特定範囲(例えば580nm以上1000nm以下)の波長を照射する平行光もしくは略平行光(若しくは平面半角で10°以下の照射立体角を持つ照射光)を照射するものであり、第3照射装置13は例えばLEDライトからなる。 The third irradiation device 13 irradiates parallel or nearly parallel light (or irradiation light having a planar half angle of 10° or less) with a wavelength in a specific range (for example, 580 nm or more and 1000 nm or less), and the third irradiation device 13 is, for example, an LED light.

図1Aに示す第1照射装置11、第2照射装置12および第3照射装置13は、いずれも平面上上方からみて電子部品Wを外方から囲むような構造をもつ。本実施の形態において、第1照射装置11、第2照射装置12および第3照射装置13は、いずれも電子部品Wを外方から囲むような平面上リング形状をもつことが好ましい。 The first irradiation device 11, the second irradiation device 12, and the third irradiation device 13 shown in FIG. 1A all have a structure that surrounds the electronic component W from the outside when viewed from above in a plane. In this embodiment, it is preferable that the first irradiation device 11, the second irradiation device 12, and the third irradiation device 13 all have a ring shape in a plane that surrounds the electronic component W from the outside.

なお、図1Aに示す実施の形態において、電子部品Wをテーブル14上に載置し、テーブル14により電子部品を支持する構造を示したが、これに限らず、図1Bに示すように、電子部品Wを吸着ノズル18aを有する搬送装置18に保持するとともに、反射装置15の下方の所定位置まで搬送してもよい。 In the embodiment shown in FIG. 1A, the electronic component W is placed on the table 14, and the table 14 supports the electronic component. However, the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 1B, the electronic component W may be held by a conveying device 18 having a suction nozzle 18a and conveyed to a predetermined position below the reflecting device 15.

図1Bにおいて、吸着ノズル18aを有する搬送装置18は電子部品Wを支持する支持部を構成する。 In FIG. 1B, a conveying device 18 having a suction nozzle 18a constitutes a support section that supports the electronic component W.

次にこのような構成からなる本実施の形態の作用、すなわち電子部品の外観検査方法について、図11に示すフローチャートにより説明する。 Next, the operation of this embodiment configured as described above, i.e., the method for visually inspecting electronic components, will be explained using the flowchart shown in FIG. 11.

まずテーブル14上に、図10に示す電子部品Wを載置する。 First, place the electronic component W shown in FIG. 10 on the table 14.

次に図7に示すように、第1照射装置11から電子部品Wの稜線3近傍の上面1に直接光が照射され、上面1、稜線3および側面2からの第1反射光が反射装置15を経て撮像装置20へ送られる。次に図8Aおよび図8Bに示すように、第2照射装置12から電子部品Wの稜線3に直接光が照射され、上面1、稜線3および側面2からの第2反射光が反射装置15を経て撮像装置20へ送られる。次に図9に示すように、第3照射装置13から電子部品Wの稜線3近傍の側面2に直接光が照射され、上面1、稜線3および側面2からの第2反射光が反射装置15を経て撮像装置20へ送られる。 7, the first irradiation device 11 directly irradiates the top surface 1 near the ridge 3 of the electronic component W, and the first reflected light from the top surface 1, ridge 3, and side surface 2 is sent to the imaging device 20 via the reflector 15. Next, as shown in FIGS. 8A and 8B, the second irradiation device 12 directly irradiates the ridge 3 of the electronic component W, and the second reflected light from the top surface 1, ridge 3, and side surface 2 is sent to the imaging device 20 via the reflector 15. Next, as shown in FIG. 9, the third irradiation device 13 directly irradiates the side surface 2 near the ridge 3 of the electronic component W, and the second reflected light from the top surface 1, ridge 3, and side surface 2 is sent to the imaging device 20 via the reflector 15.

なお、第1照射装置11からの上面1に対する直接光の照射、第2照射装置12からの稜線3に対する直接光の照射、および第3照射装置13からの側面に対する直接光の照射は、この順で順次実行してもよく、同時に実行することもできる。 The irradiation of the top surface 1 with direct light from the first irradiation device 11, the irradiation of the ridge line 3 with direct light from the second irradiation device 12, and the irradiation of the side surface with direct light from the third irradiation device 13 may be performed sequentially in this order, or may be performed simultaneously.

まず第1照射装置11から電子部品Wに直接光が照射される作用について述べる。第1照射装置11は電子部品Wを外方から囲むリング形状をもち、このため第1照射装置11から電子部品Wの上面1、とりわけ稜線3近傍の上面1に対して電子部品Wの全周外方から直接光を照射することができる(図7参照)。 First, the action of direct light irradiation from the first irradiation device 11 onto the electronic component W will be described. The first irradiation device 11 has a ring shape that surrounds the electronic component W from the outside, and therefore the first irradiation device 11 can directly irradiate the top surface 1 of the electronic component W, particularly the top surface 1 in the vicinity of the ridge line 3, with light from the entire outer periphery of the electronic component W (see FIG. 7).

図7は第1照射装置11から主として電子部品Wの上面1に対して直接光を照射した状態を示す図である。 Figure 7 shows the state in which light is directly irradiated from the first irradiation device 11 mainly onto the top surface 1 of the electronic component W.

図7において、第1照射装置11から主として電子部品Wの上面1に対して直接光を照射した場合、上面1のうち欠陥のない部分で直接反射が生じ、上面1からの直接反射光は反射装置15を経て撮像装置20へ導かれる。この場合、上面1に欠陥a1が存在すると、第1照射装置11からの直接光により、欠陥a1において散乱反射が生じる。欠陥a1で生じた散乱反射光は、欠陥a1から四方へ散乱する光となる。 In FIG. 7, when direct light is irradiated from the first irradiation device 11 mainly onto the top surface 1 of the electronic component W, direct reflection occurs on defect-free parts of the top surface 1, and the directly reflected light from the top surface 1 is guided to the imaging device 20 via the reflecting device 15. In this case, if a defect a1 is present on the top surface 1, the direct light from the first irradiation device 11 causes scattered reflection at the defect a1. The scattered reflected light generated at the defect a1 becomes light that scatters in all directions from the defect a1.

直接光が電子部品Wの上面1の欠陥のない部分で反射して生成された直接反射光は、強い光となって撮像装置20へ導かれるが、他方上面1の欠陥a1で反射して生成された散乱反射光はほとんど撮像装置20へ導かれることはない。 The direct reflected light generated by the direct light being reflected from a defect-free portion of the top surface 1 of the electronic component W is a strong light that is guided to the imaging device 20, but on the other hand, the scattered reflected light generated by the reflection from the defect a1 on the top surface 1 is hardly guided to the imaging device 20.

同様に第1照射装置11から主として電子部品Wの上面1に対して直接光を照射した場合、稜線3のうち欠陥がない部分で直接反射光が生じるが、稜線3からの直接反射光は反射装置15を経て撮像装置20へ導かれることはない。この場合、稜線3に欠陥a2が存在すると、第1照射装置11からの直接光により欠陥a2において散乱反射が生じる。欠陥a2で生じた散乱反射光は、欠陥a2から四方へ散乱するが、その一部が反射装置15を経て撮像装置20へ導かれる。 Similarly, when direct light is irradiated from the first irradiation device 11 mainly onto the top surface 1 of the electronic component W, direct reflected light occurs at the portion of the ridge line 3 that is free of defects, but the direct reflected light from the ridge line 3 is not guided to the imaging device 20 via the reflecting device 15. In this case, if a defect a2 exists on the ridge line 3, the direct light from the first irradiation device 11 causes scattered reflection at the defect a2. The scattered reflected light generated at the defect a2 is scattered in all directions from the defect a2, but some of it is guided to the imaging device 20 via the reflecting device 15.

直接光が電子部品Wの稜線3の欠陥のない部分で反射して生成された直接反射光は、反射装置15から撮像装置20側へ導かれることはないが、他方稜線3の欠陥a2で反射して生成された散乱反射光はその一部が反射装置15から撮像装置20側へ導かれる。 The direct reflected light generated by the direct light being reflected by a defect-free portion of the edge line 3 of the electronic component W is not guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20, but the scattered reflected light generated by the direct light being reflected by the defect a2 of the edge line 3 is partially guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20.

同様に第1照射装置11から主として電子部品Wの上面1に対して直接光を照射した場合、側面2のうち欠陥がない部分で直接反射光が生じるが、側面2からの直接反射光は反射装置15を経て撮像装置20へ導かれることはない。この場合、側面2に欠陥a3が存在すると、第1照射装置11からの直接光により欠陥a3において散乱反射が生じる。欠陥a3で生じた散乱反射光は欠陥a3から四方へ散乱し、その一部が反射装置15を経て撮像装置20へ導かれる。 Similarly, when direct light is irradiated from the first irradiation device 11 mainly onto the top surface 1 of the electronic component W, direct reflected light occurs at parts of the side surface 2 that are free of defects, but the direct reflected light from the side surface 2 is not guided to the imaging device 20 via the reflecting device 15. In this case, if a defect a3 exists on the side surface 2, the direct light from the first irradiation device 11 causes scattered reflection at the defect a3. The scattered reflected light generated at the defect a3 is scattered in all directions from the defect a3, and some of it is guided to the imaging device 20 via the reflecting device 15.

このように、電子部品Wの側面2の欠陥のない部分で反射して生成された直接反射光は、反射装置15から撮像装置20側へ導かれることはないが、他方、側面2の欠陥a3で反射して生成された散乱反射光はその一部が反射装置15から撮像装置20側へ導かれる。 In this way, the direct reflected light generated by reflection from a defect-free portion of the side surface 2 of the electronic component W is not guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20, but on the other hand, a portion of the scattered reflected light generated by reflection from the defect a3 of the side surface 2 is guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20.

以上のように、第1照射装置11から主として電子部品Wの上面1に対して直接光を照射することにより、電子部品Wの上面1において、欠陥のない部分で主として直接反射が生じ、稜線3および側面2において、欠陥のある部分で主として散乱反射が生じ、直接反射および散乱反射により生じた直接反射光および散乱反射光は第1反射光となって反射装置15を経て撮像装置20へ送られる(図6参照)。 As described above, by irradiating the top surface 1 of the electronic component W mainly with direct light from the first irradiation device 11, direct reflection occurs mainly in defect-free areas on the top surface 1 of the electronic component W, and diffuse reflection occurs mainly in defective areas on the ridges 3 and side surfaces 2. The direct reflected light and diffuse reflected light generated by direct reflection and diffuse reflection become the first reflected light and are sent to the imaging device 20 via the reflecting device 15 (see Figure 6).

次に撮像装置20の撮像装置本体21では、電子部品Wの上面1、稜線3および側面2から反射して生成された第1反射光が受光されて第1画像が得られる(図3参照)。 Next, the imaging device body 21 of the imaging device 20 receives the first reflected light generated by reflection from the top surface 1, the ridge 3, and the side surface 2 of the electronic component W, and obtains a first image (see FIG. 3).

次に撮像装置20からの第1画像は画像処理装置25へ送られる。上述のように第1照射装置11からの直接光が上面1に照射されることにより、上面1のうち欠陥のない部分からの直接反射光は反射装置15を経て撮像装置20へ送られ、上面1の欠陥a1で生じた散乱反射光はほとんど反射装置15から撮像装置20へ送られることはない。 The first image from the imaging device 20 is then sent to the image processing device 25. As described above, by irradiating the upper surface 1 with direct light from the first irradiation device 11, the direct reflected light from the defect-free portion of the upper surface 1 is sent to the imaging device 20 via the reflecting device 15, and almost no scattered reflected light generated by the defect a1 on the upper surface 1 is sent from the reflecting device 15 to the imaging device 20.

このため第1画像上で、上面1の欠陥のない部分は明るく表れるが上面1の欠陥a1は黒く鮮明に表れる。 As a result, in the first image, the defect-free parts of the top surface 1 appear bright, but the defect a1 on the top surface 1 appears clearly black.

このように、画像処理装置25において、第1画像上で上面1の欠陥a1を鮮明に検出することができる。 In this way, the image processing device 25 can clearly detect the defect a1 on the upper surface 1 in the first image.

一方、第1画像上で稜線3の欠陥のない部分からの直接反射光は反射装置15から撮像装置20側へ導かれることはないので、暗くなる。稜線3の欠陥a2で生じる散乱反射光はその一部が反射装置15から撮像装置20側へ導かれるため、稜線3の欠陥a2は多少明るく表れる。 On the other hand, the light directly reflected from the non-defective portion of the ridgeline 3 in the first image is not guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20, and so appears dark. The light scattered and reflected from the defect a2 on the ridgeline 3 is partially guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20, so the defect a2 on the ridgeline 3 appears slightly brighter.

このようにして、画像処理装置25において、第1画像上で稜線3の欠陥a2をある程度の確かさで検出することができる。 In this way, the image processing device 25 can detect the defect a2 on the edge line 3 in the first image with a certain degree of accuracy.

同様に、第1画像上で側面2の欠陥のない部分からの直接反射光は反射装置15から撮像装置20側へ導かれることはないので、暗く表される。側面2の欠陥a3で生じる散乱反射光はその一部が反射装置15から撮像装置20側へ導かれるため、側面2の欠陥a3は多少明るく表れる。 Similarly, in the first image, the direct reflected light from the defect-free portion of side surface 2 is not guided from reflecting device 15 to imaging device 20, and so appears dark. The scattered reflected light generated by defect a3 on side surface 2 is partially guided from reflecting device 15 to imaging device 20, and so defect a3 on side surface 2 appears slightly brighter.

画像処理装置25において、第1画像上で側面2の欠陥a3をある程度の確かさで検出することができる。 In the image processing device 25, the defect a3 on the side surface 2 can be detected with a certain degree of accuracy in the first image.

なお、本実施の形態において、直接反射光とは、光を照射した際、直接反射(正反射)が生じて正反射する光の成分を多く含む反射光をいい、散乱反射光とは光を照射した際、散乱反射(拡散反射ともいう)により生じる反射光をいう。 In this embodiment, direct reflected light refers to reflected light that contains a large amount of light components that are reflected directly (specularly) when light is irradiated, and scattered reflected light refers to reflected light that is caused by scattered reflection (also called diffuse reflection) when light is irradiated.

次に、第2照射装置12から電子部品Wに直接光が照射される作用について述べる。第2照射装置12は電子部品Wを囲むリング形状をもち、このため第2照射装置12から電子部品Wの稜線3に対して電子部品Wの全周外方から直接光を照射することができる(図8Aおよび図8B参照)。 Next, the effect of direct irradiation of light from the second irradiation device 12 onto the electronic component W will be described. The second irradiation device 12 has a ring shape that surrounds the electronic component W, and therefore the second irradiation device 12 can directly irradiate light onto the edge line 3 of the electronic component W from the outside of the entire circumference of the electronic component W (see Figures 8A and 8B).

図8Aは第2照射装置12から主として電子部品Wの稜線3に対して直接光を照射した状態を側面からみた図であり、図8Bはその平面図である。図8Bに示すように第2照射装置12からの直接光は反射装置15の脇を通り、反射装置15と干渉することなく、電子部品Wに達することができる。 Figure 8A is a side view of the state in which direct light is irradiated from the second irradiation device 12 mainly onto the edge line 3 of the electronic component W, and Figure 8B is a plan view of the same. As shown in Figure 8B, the direct light from the second irradiation device 12 passes beside the reflecting device 15 and can reach the electronic component W without interfering with the reflecting device 15.

図8Aにおいて、第2照射装置12から主として電子部品Wの稜線3に対して直接光を照射した場合、稜線3のうち欠陥のない部分で直接反射が生じ、稜線3からの直接反射光は反射装置15を経て撮像装置20へ導かれる。この場合、稜線3に欠陥a2が存在すると、第2照射装置12からの直接光により、欠陥a2において散乱反射が生じる。欠陥a2で生じた散乱反射光は、欠陥a2から四方へ散乱する光となる。 In FIG. 8A, when direct light is irradiated from the second irradiation device 12 mainly onto the ridgeline 3 of the electronic component W, direct reflection occurs at the defect-free portion of the ridgeline 3, and the directly reflected light from the ridgeline 3 is guided to the imaging device 20 via the reflecting device 15. In this case, if a defect a2 exists on the ridgeline 3, the direct light from the second irradiation device 12 causes scattered reflection at the defect a2. The scattered reflected light generated at the defect a2 becomes light that scatters in all directions from the defect a2.

直接光が電子部品Wの稜線3の欠陥のない部分で反射して生成された直接反射光は、強い光となって撮像装置20へ導かれるが、他方稜線3の欠陥a2で反射して生成された散乱反射光はほとんど撮像装置20へ導かれることはない。 The direct reflected light generated by the direct light being reflected by a defect-free portion of the edge line 3 of the electronic component W is a strong light that is guided to the imaging device 20, but on the other hand, the scattered reflected light generated by the reflection by the defect a2 of the edge line 3 is hardly guided to the imaging device 20.

同様に第2照射装置12から主として電子部品Wの稜線3に対して直接光を照射した場合、上面1のうち欠陥がない部分で直接反射光が生じるが、上面1からの直接反射光は反射装置15を経て撮像装置20へ導かれることはない。この場合、上面1に欠陥a1が存在すると、第2照射装置12からの光により欠陥a1において散乱反射が生じる。欠陥a1で生じた散乱反射光は、欠陥a1から四方へ散乱するが、その一部が反射装置15を経て撮像装置20へ導かれる。 Similarly, when light is irradiated directly from the second irradiation device 12 mainly onto the ridges 3 of the electronic component W, light is directly reflected from the parts of the top surface 1 that are free of defects, but the light directly reflected from the top surface 1 is not guided to the imaging device 20 via the reflecting device 15. In this case, if a defect a1 is present on the top surface 1, the light from the second irradiation device 12 causes scattered reflection at the defect a1. The scattered reflected light generated by the defect a1 is scattered in all directions from the defect a1, but some of it is guided to the imaging device 20 via the reflecting device 15.

直接光が電子部品Wの上面1の欠陥のない部分で反射して生成された直接反射光は、反射装置15から撮像装置20側へ導かれることはないが、他方上面1の欠陥a1で反射して生成された散乱反射光はその一部が反射装置15から撮像装置20側へ導かれる。 The direct reflected light generated by the direct light being reflected by a defect-free portion of the top surface 1 of the electronic component W is not guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20, but the scattered reflected light generated by the direct light being reflected by the defect a1 on the top surface 1 is partially guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20.

同様に第2照射装置12から主として電子部品Wの稜線3に対して直接光を照射した場合、側面2のうち欠陥がない部分で直接反射光が生じるが、側面2からの直接反射光は反射装置15を経て撮像装置20へ導かれることはない。この場合、側面2に欠陥a3が存在すると、第2照射装置12からの直接光により欠陥a3において散乱反射が生じる。欠陥a3で生じた散乱反射光は欠陥a3から四方へ散乱するが、その一部が反射装置15を経て撮像装置20へ導かれる。 Similarly, when light is irradiated directly from the second irradiation device 12 mainly onto the ridgeline 3 of the electronic component W, direct reflection light occurs at the defect-free portion of the side surface 2, but the direct reflection light from the side surface 2 is not guided to the imaging device 20 via the reflection device 15. In this case, if a defect a3 exists on the side surface 2, the direct light from the second irradiation device 12 causes scattered reflection at the defect a3. The scattered reflection light generated at the defect a3 is scattered in all directions from the defect a3, but some of it is guided to the imaging device 20 via the reflection device 15.

このように、電子部品Wの側面2の欠陥のない部分で反射して生成された直接反射光は、反射装置15から撮像装置20側へ導かれることはないが、他方、側面2の欠陥a3で反射して生成された散乱反射光はその一部が反射装置15から撮像装置20側へ導かれる。 In this way, the direct reflected light generated by reflection from a defect-free portion of the side surface 2 of the electronic component W is not guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20, but on the other hand, a portion of the scattered reflected light generated by reflection from the defect a3 of the side surface 2 is guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20.

以上のように、第2照射装置12から主として電子部品Wの稜線3に対して直接光を照射することにより、電子部品Wの稜線3において、欠陥のない部分で主として直接反射が生じ、上面1および側面2において、欠陥のある部分で主として散乱反射が生じ、直接反射および散乱反射により生じた直接反射光および散乱反射光は第2反射光となって反射装置15を経て撮像装置20へ送られる(図6参照)。 As described above, by irradiating light directly from the second irradiation device 12 mainly onto the ridgeline 3 of the electronic component W, direct reflection mainly occurs in defect-free areas of the ridgeline 3 of the electronic component W, and diffuse reflection mainly occurs in defective areas of the top surface 1 and side surface 2. The direct reflected light and diffuse reflected light generated by the direct reflection and diffuse reflection become second reflected light and are sent to the imaging device 20 via the reflection device 15 (see Figure 6).

次に撮像装置20の撮像装置本体21では、電子部品Wの上面1、稜線3および側面2から反射して生成された第2反射光が受光されて第2画像が得られる(図4参照)。 Next, the imaging device body 21 of the imaging device 20 receives the second reflected light generated by reflection from the top surface 1, the ridge 3, and the side surface 2 of the electronic component W, and obtains a second image (see FIG. 4).

次に撮像装置20からの第2画像は画像処理装置25に送られる。上述のように第2照射装置12からの直接光が稜線3に照射されることにより、稜線3のうち欠陥のない部分からの直接反射光は反射装置15を経て撮像装置20へ送られ、稜線3の欠陥a2で生じた散乱反射光はほとんど反射装置15から撮像装置20側へ送られることはない。 The second image from the imaging device 20 is then sent to the image processing device 25. As described above, when the direct light from the second irradiation device 12 is irradiated onto the ridgeline 3, the direct reflected light from the defect-free portion of the ridgeline 3 is sent to the imaging device 20 via the reflecting device 15, and almost no scattered reflected light generated by the defect a2 on the ridgeline 3 is sent from the reflecting device 15 to the imaging device 20.

このため第2画像上で、稜線3の欠陥のない部分は明るく表れるが稜線3の欠陥a2は黒く鮮明に表れる。 As a result, in the second image, the non-defective parts of edge line 3 appear bright, but defect a2 on edge line 3 appears clearly black.

このように、画像処理装置25において、第2画像上で稜線3の欠陥a2を鮮明に検出することができる。 In this way, the image processing device 25 can clearly detect the defect a2 on the edge line 3 in the second image.

一方、第2画像上で上面1の欠陥のない部分からの反射光は反射装置15から撮像装置20側へ導かれることはないので、暗くなる。上面1の欠陥a1で生じる散乱反射光はその一部が反射装置15から撮像装置20側へ導かれるため、上面1の欠陥a1は多少明るく表れる。 On the other hand, in the second image, the reflected light from the defect-free parts of the upper surface 1 is not guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20, and so appears dark. Since a portion of the scattered reflected light generated by the defect a1 on the upper surface 1 is guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20, the defect a1 on the upper surface 1 appears slightly brighter.

このように、画像処理装置25において、第2画像上で上面1の欠陥a1をある程度の確かさで検出することができる。 In this way, the image processing device 25 can detect the defect a1 on the upper surface 1 in the second image with a certain degree of accuracy.

同様に、第2画像上で側面2の欠陥のない部分からの反射光は反射装置15から撮像装置20側へ導かれることはないので、暗くなる。側面2の欠陥a3で生じる散乱反射光はその一部が反射装置15から撮像装置20側へ導かれるため、側面2の欠陥a3は多少明るく表れる。 Similarly, in the second image, reflected light from a non-defective portion of side surface 2 is not guided from reflecting device 15 to imaging device 20, and so appears dark. A portion of the scattered reflected light generated by defect a3 on side surface 2 is guided from reflecting device 15 to imaging device 20, so defect a3 on side surface 2 appears slightly brighter.

このようにして、画像処理装置25において、第2画像上で側面2の欠陥a3をある程度の確かさで検出することができる。 In this way, the image processing device 25 can detect the defect a3 on the side surface 2 in the second image with a certain degree of certainty.

次に第3照射装置13から電子部品Wに直接光が照射される作用について述べる。第3照射装置13はリング形状をもち、このため第3照射装置13から電子部品Wの側面2、とりわけ稜線3近傍の側面2に対して電子部品Wの全周外方から直接光を照射することができる(図9参照)。 Next, the effect of direct irradiation of light from the third irradiation device 13 onto the electronic component W will be described. The third irradiation device 13 has a ring shape, and therefore the third irradiation device 13 can directly irradiate light onto the side surface 2 of the electronic component W, particularly the side surface 2 in the vicinity of the ridge line 3, from the outside of the entire circumference of the electronic component W (see FIG. 9).

図9は第3照射装置13から主として電子部品Wの側面2に対して直接光を照射した状態を示す図である。 Figure 9 shows the state in which light is irradiated directly from the third irradiation device 13 mainly onto the side surface 2 of the electronic component W.

図9において、第3照射装置13から主として電子部品Wの側面2に対して直接光を照射した場合、側面2のうち欠陥のない部分で直接反射が生じ、側面2からの直接反射光は反射装置15を経て撮像装置20へ導かれる。この場合、側面2に欠陥a3が存在すると、第3照射装置13からの直接光により、欠陥a3において散乱反射が生じる。欠陥a3で生じた散乱反射光は、欠陥a3から四方へ散乱する光となる。 In FIG. 9, when direct light is irradiated from the third irradiation device 13 mainly onto the side surface 2 of the electronic component W, direct reflection occurs at the defect-free portion of the side surface 2, and the directly reflected light from the side surface 2 is guided to the imaging device 20 via the reflection device 15. In this case, if a defect a3 is present on the side surface 2, the direct light from the third irradiation device 13 causes scattered reflection at the defect a3. The scattered reflected light generated at the defect a3 becomes light that scatters in all directions from the defect a3.

直接光が電子部品Wの側面2の欠陥のない部分で反射して生成された直接反射光は、強い光となって撮像装置20へ導かれるが、他方側面2の欠陥a3で反射して生成された散乱反射光はほとんど撮像装置20へ導かれることはない。 The direct reflected light generated by the direct light being reflected from a defect-free portion of the side surface 2 of the electronic component W is an intense light that is guided to the imaging device 20, but on the other hand, the scattered reflected light generated by the direct light being reflected from the defect a3 on the side surface 2 is hardly guided to the imaging device 20.

同様に第3照射装置13から主として電子部品Wの側面2に対して直接光を照射した場合、上面1のうち欠陥がない部分で反射光が生じるが、上面1からの反射光は反射装置15を経て撮像装置20へ導かれることはない。この場合、上面1に欠陥a1が存在すると、第3照射装置13からの光により欠陥a1において散乱反射が生じる。欠陥a1で生じた散乱反射光は、欠陥a1から四方へ散乱するが、その一部が反射装置15を経て撮像装置20へ導かれる。 Similarly, when light is irradiated directly from the third irradiation device 13 mainly onto the side surface 2 of the electronic component W, reflected light occurs on parts of the top surface 1 that are free of defects, but the reflected light from the top surface 1 is not guided to the imaging device 20 via the reflection device 15. In this case, if a defect a1 exists on the top surface 1, the light from the third irradiation device 13 causes scattered reflection at the defect a1. The scattered reflected light generated by the defect a1 is scattered in all directions from the defect a1, but some of it is guided to the imaging device 20 via the reflection device 15.

直接光が電子部品Wの上面1の欠陥のない部分で反射して生成された反射光は、反射装置15から撮像装置20側へ導かれることはないが、他方上面1の欠陥a1で反射して生成された散乱反射光はその一部が反射装置15から撮像装置20側へ導かれる。 The reflected light generated when the direct light is reflected from a defect-free portion of the top surface 1 of the electronic component W is not guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20, but the scattered reflected light generated when the direct light is reflected from the defect a1 on the top surface 1 is partially guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20.

同様に第3照射装置13から主として電子部品Wの側面2に対して直接光を照射した場合、稜線3のうち欠陥がない部分で反射光が生じるが、稜線3からの反射光は反射装置15を経て撮像装置20へ導かれることはない。この場合、稜線3に欠陥a2が存在すると、第3照射装置13からの光により欠陥a2において散乱反射が生じる。欠陥a2で生じた散乱反射光は欠陥a2から四方へ散乱するが、その一部が反射装置15を経て撮像装置20へ導かれる。 Similarly, when light is irradiated directly from the third irradiation device 13 mainly onto the side surface 2 of the electronic component W, reflected light occurs at the portion of the ridge line 3 that is free of defects, but the reflected light from the ridge line 3 is not guided to the imaging device 20 via the reflecting device 15. In this case, if a defect a2 exists on the ridge line 3, the light from the third irradiation device 13 causes scattered reflection at the defect a2. The scattered reflected light generated at the defect a2 is scattered in all directions from the defect a2, but some of it is guided to the imaging device 20 via the reflecting device 15.

このように、電子部品Wの稜線3の欠陥のない部分で反射して生成された直接反射光は、反射装置15から撮像装置20側へ導かれることはないが、他方稜線3の欠陥a2で反射して生成された散乱反射光はその一部が反射装置15から撮像装置20側へ導かれる。 In this way, the direct reflected light generated by reflection from a defect-free portion of the edge line 3 of the electronic component W is not guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20, but a portion of the scattered reflected light generated by reflection from the defect a2 of the edge line 3 is guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20.

以上のように、第3照射装置13から主として電子部品Wの側面2に対して直接光を照射することにより、電子部品Wの側面2において欠陥のない部分で主として直接反射が生じ、上面1および稜線3において、欠陥のある部分で主として散乱反射が生じ、直接反射および散乱反射により生じた直接反射光および散乱反射光は第3反射光となって反射装置15を経て撮像装置20へ送られる(図6参照)。 As described above, by irradiating light directly from the third irradiation device 13 mainly onto the side surface 2 of the electronic component W, mainly direct reflection occurs in defect-free parts of the side surface 2 of the electronic component W, and mainly diffuse reflection occurs in defective parts of the top surface 1 and the ridge line 3. The direct reflected light and diffuse reflected light generated by the direct reflection and diffuse reflection become the third reflected light and are sent to the imaging device 20 via the reflection device 15 (see Figure 6).

次に撮像装置20の撮像装置本体21では、電子部品Wの上面1、稜線3および側面2から反射して生成された第3反射光が受光されて第3画像が得られる(図5参照)。 Next, the imaging device body 21 of the imaging device 20 receives the third reflected light generated by reflection from the top surface 1, the ridge 3, and the side surface 2 of the electronic component W, and obtains a third image (see FIG. 5).

次に撮像装置20からの第3画像は画像処理装置25に送られる。上述のように第3照射装置13からの直接光が側面2に照射されることにより、側面2のうち欠陥のない部分からの直接反射光は反射装置15を経て撮像装置20へ送られ、側面2の欠陥a3で生じた散乱反射光はほとんど反射装置15から撮像装置20側へ送られることはない。 The third image from the imaging device 20 is then sent to the image processing device 25. As described above, by irradiating the side surface 2 with direct light from the third irradiation device 13, the direct reflected light from the defect-free portion of the side surface 2 is sent to the imaging device 20 via the reflecting device 15, and the scattered reflected light generated by the defect a3 on the side surface 2 is hardly sent from the reflecting device 15 to the imaging device 20.

このため第3画像上で、側面2の欠陥のない部分は明るく表れるが側面2の欠陥a3は黒く鮮明に表れる。 As a result, in the third image, the non-defective parts of side 2 appear bright, but defect a3 on side 2 appears clearly black.

このようにして、画像処理装置25において、第3画像上で側面2の欠陥a3を鮮明に検出することができる。 In this way, the image processing device 25 can clearly detect the defect a3 on the side surface 2 in the third image.

一方、第3画像上で上面1の欠陥のない部分からの反射光は反射装置15から撮像装置20側へ導かれることはないので、暗くなる。他方、上面1の欠陥a1で生じる散乱反射光はその一部が反射装置15から撮像装置20側へ導かれるため、上面1の欠陥a1は多少明るく表れる。 On the other hand, in the third image, the reflected light from the defect-free parts of the upper surface 1 is not guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20, and so appears dark. On the other hand, part of the scattered reflected light generated by the defect a1 on the upper surface 1 is guided from the reflecting device 15 to the imaging device 20, so the defect a1 on the upper surface 1 appears slightly brighter.

このようにして、画像処理装置25において、第3画像上で上面1の欠陥a1をある程度の確かさで検出することができる。 In this way, the image processing device 25 can detect the defect a1 on the upper surface 1 in the third image with a certain degree of certainty.

同様に、第3画像上で稜線3の欠陥のない部分からの反射光は反射装置15から撮像装置20側へ導かれることはないので、暗くなる。稜線3の欠陥a2で生じる散乱反射光はその一部が反射装置15から撮像装置20側へ導かれるため、稜線3の欠陥a2は多少明るく表れる。 Similarly, in the third image, reflected light from a non-defective portion of ridgeline 3 is not guided from reflecting device 15 to imaging device 20, and so appears dark. A portion of the scattered reflected light generated by defect a2 on ridgeline 3 is guided from reflecting device 15 to imaging device 20, so defect a2 on ridgeline 3 appears slightly brighter.

このようにして、画像処理装置25において、第3画像上で稜線3の欠陥a2をある程度の確かさで検出することができる。 In this way, the image processing device 25 can detect the defect a2 on the edge line 3 in the third image with a certain degree of certainty.

以上のように本実施の形態によれば、第1照射装置11から電子部品Wに対して直接光を照射することにより第1画像が得られ、画像処理装置25において、この第1画像上に鮮明に表れる上面1の欠陥a1を精度良く検出することができる。同時に画像処理装置25において、稜線3の欠陥a2および側面2の欠陥a3もある程度の確かさで検出することができる。 As described above, according to this embodiment, the first image is obtained by irradiating the electronic component W directly with light from the first irradiation device 11, and the image processing device 25 can accurately detect the defect a1 on the top surface 1 that appears clearly in this first image. At the same time, the image processing device 25 can also detect the defect a2 on the edge line 3 and the defect a3 on the side surface 2 with a certain degree of accuracy.

また第2照射装置12から電子部品Wに対して直接光を照射することにより第2画像が得られ、画像処理装置25において、この第2画像上に鮮明に表れる稜線3の欠陥a2を精度良く検出することができる。同時に画像処理装置25において、上面1の欠陥a1および側面2の欠陥a3もある程度の確かさで検出することができる。 In addition, a second image is obtained by irradiating the electronic component W directly with light from the second irradiation device 12, and the image processing device 25 can accurately detect the defect a2 on the edge line 3 that appears clearly in this second image. At the same time, the image processing device 25 can also detect the defect a1 on the top surface 1 and the defect a3 on the side surface 2 with a certain degree of accuracy.

また第3照射装置13から電子部品Wに対して直接光を照射することにより第3画像が得られ、画像処理装置25において、この第3画像上に鮮明に表れる側面2の欠陥a3を精度良く検出することができる。同時に画像処理装置25において、上面1の欠陥a1および稜線3の欠陥a2もある程度の確かさで検出することができる。 In addition, a third image is obtained by irradiating the electronic component W directly with light from the third irradiation device 13, and the image processing device 25 can accurately detect the defect a3 on the side surface 2 that appears clearly in this third image. At the same time, the image processing device 25 can also detect the defect a1 on the top surface 1 and the defect a2 on the edge line 3 with a certain degree of accuracy.

次に画像処理装置25は、得られた第1画像、第2画像および第3画像の各々に対して2値化処理を施す。 The image processing device 25 then performs binarization processing on each of the obtained first image, second image, and third image.

ここで2値化処理とは、例えば画像の最も明るい部分を100%、最も暗い部分を0%とし、その他の部分の明るさを0~100%の範囲で規定し、明るさが0%以下50%未満の部分を暗部、50%以上100%以下の部分を明部とする処理である。 Here, binarization refers to a process in which, for example, the brightest part of an image is set to 100%, the darkest part to 0%, the brightness of other parts is specified in the range of 0-100%, and parts with a brightness of 0% or less and less than 50% are set to dark parts, and parts between 50% and 100% are set to light parts.

画像処理装置25において、第1画像、第2画像、および第3画像に対して上述した2値化処理を施す。 In the image processing device 25, the first image, the second image, and the third image are subjected to the binarization process described above.

本実施の形態においては、画像処理装置25内に基準となる電子部品から得られた第1画像、第2画像および第3画像の各々に対して2値化処理を施すことにより予め作成された基準データパターンが格納されている。この基準データパターンは第1画像の2値化されたデータと、第2画像の2値化されたデータと、第3画像の2値化されたデータとを含む。 In this embodiment, a reference data pattern is stored in advance in the image processing device 25 by performing binarization processing on each of the first image, second image, and third image obtained from a reference electronic component. This reference data pattern includes binarized data of the first image, binarized data of the second image, and binarized data of the third image.

この基準データパターンを図6に示す。図6に示す基準データパターンにおいて、第1画像上で上面1は欠陥のない部分が主として、直接反射光により明部(100%)となり、稜線3と側面2は欠陥のない部分が主として散乱反射光により暗部(0%)となる。 This reference data pattern is shown in Figure 6. In the reference data pattern shown in Figure 6, the defect-free areas of the top surface 1 in the first image are mainly bright areas (100%) due to direct reflected light, while the defect-free areas of the ridges 3 and side surfaces 2 are mainly dark areas (0%) due to scattered reflected light.

また、第1画像上で上面1の欠陥a1は0%として表れ、稜線3の欠陥a2は100%として表れ、側面2の欠陥a3は100%として表れる。 Furthermore, in the first image, defect a1 on top surface 1 appears as 0%, defect a2 on edge 3 appears as 100%, and defect a3 on side surface 2 appears as 100%.

また第2画像上で稜線3は欠陥のない部分が主として直接反射光により明部(100%)となり、上面1と側面2は欠陥のない部分が主として散乱反射光により暗部(0%)となる。 In addition, in the second image, the ridge line 3 appears bright (100%) in areas without defects due to mainly direct reflected light, while the top surface 1 and side surface 2 appear dark (0%) in areas without defects due to mainly diffuse reflected light.

この第2画像上で稜線3の欠陥a2は0%として表れ、上面1の欠陥a1は100%として表れ、側面2の欠陥a3は100%として表れる。 In this second image, defect a2 on edge 3 appears as 0%, defect a1 on top surface 1 appears as 100%, and defect a3 on side surface 2 appears as 100%.

さらに第3画像上で側面2は欠陥のない部分が主として直接反射光により明部(100%)となり、上面1と稜線3は欠陥のない部分が主として散乱反射光により暗部(0%)となる。 Furthermore, in the third image, the side surface 2 appears bright (100%) in areas without defects due to mainly direct reflected light, while the top surface 1 and ridge line 3 appear dark (0%) in areas without defects due to mainly diffuse reflected light.

また第3画像上で側面2の欠陥a3は0%として表れ、上面1の欠陥a1は100%として表れ、側面2の欠陥a3は100%として表れる。 Furthermore, in the third image, defect a3 on side surface 2 appears as 0%, defect a1 on top surface 1 appears as 100%, and defect a3 on side surface 2 appears as 100%.

他方、上述のように、画像処理装置25は、検査対象となる電子部品Wに対して外観検査を施すことにより撮像装置20により得られた第1画像、第2画像および第3画像の各々に対して2値化処理を施す。このことにより図6に示す基準データパターンに対応する検査データパターンを得ることができる。本実施の形態において、検査データパターンは実際に電子部品Wに対して外観検査を施すことにより得られた第1画像、第2画像、および第3画像の二値化されたデータを含む。 On the other hand, as described above, the image processing device 25 performs binarization processing on each of the first image, second image, and third image obtained by the imaging device 20 by performing a visual inspection on the electronic component W to be inspected. This makes it possible to obtain an inspection data pattern corresponding to the reference data pattern shown in FIG. 6. In this embodiment, the inspection data pattern includes binarized data of the first image, second image, and third image obtained by actually performing a visual inspection on the electronic component W.

その後、画像処理装置25は得られた検査データパターンと、基準データパターンとを比較する。 The image processing device 25 then compares the obtained test data pattern with the reference data pattern.

上述のように、基準データパターンにおいて上面1の欠陥a1は、第1画像上で0%、第2画像上で100%、第3画像上で100%と表される。 As described above, defect a1 on top surface 1 in the reference data pattern is represented as 0% on the first image, 100% on the second image, and 100% on the third image.

他方、検査対象となる電子部品Wを検査して得られた検査データパターンにおいて、上面1の欠陥a1が第1画像上で0%、第2画像上で100%、第3画像上で100%として示された場合、上面1の欠陥a1に関し検査データパターンが基準データパターンに対応するため、検査対象となる電子部品Wから得られた上面1の欠陥a1は正しく検出されたと検証することができる。 On the other hand, if the inspection data pattern obtained by inspecting the electronic component W to be inspected shows defect a1 on top surface 1 as 0% on the first image, 100% on the second image, and 100% on the third image, then since the inspection data pattern for defect a1 on top surface 1 corresponds to the reference data pattern, it can be verified that defect a1 on top surface 1 obtained from the electronic component W to be inspected has been correctly detected.

これに対して、上面1上の欠陥a1、稜線3上の欠陥a2あるいは側面2上の欠陥a3のいずれかについて、基準データパターンと検査データパターンとの間で相違する場合、検査対象となる電子部品Wから得られた欠陥が正しく検出されたか否か再度確認することができる。例えば、検査データパターンにおいて、上面1の欠陥a1が第1画像上で0%となっているが、第2画像上および第3画像上でも同様に0%となっている場合、基準データパターンのように上面1の欠陥a1が第1画像上で0%、第2画像上で100%、第3画像上で100%となっていないため、上面1の欠陥a1の検出精度を再度確認することができる。 In contrast, if there is a difference between the reference data pattern and the inspection data pattern for defect a1 on top surface 1, defect a2 on edge 3, or defect a3 on side surface 2, it is possible to check again whether the defect obtained from the electronic component W to be inspected has been correctly detected. For example, if in the inspection data pattern defect a1 on top surface 1 is 0% on the first image, but is also 0% on the second and third images, the detection accuracy of defect a1 on top surface 1 can be checked again because defect a1 on top surface 1 is not 0% on the first image, 100% on the second image, and 100% on the third image as in the reference data pattern.

なお、上面1の欠陥a1が通常の欠陥でなく、黒い異物、欠け、あるいは膨れの不良箇所が黒く変色した場合、上面1の欠陥a1は、第1画像上で0%となって示され、第2画像上および第3画像上でも同様に0%となってことがあるため、この場合の欠陥a1の特性(黒い異物、欠け等)を特定することもできる。あるいは、上面1の欠陥a1が第1画像上で0%となって示され、第2画像上および第3画像上で100%として示されている場合、第1画像上で0%となっている欠陥a1を見落とした場合でも、第2画像上および第3画像上で100%として示される欠陥a1を確実に検出することも可能となる。 If defect a1 on top surface 1 is not a normal defect, but a black foreign object, chip, or bulge that has turned black, defect a1 on top surface 1 may be shown as 0% on the first image and may also be shown as 0% on the second and third images, making it possible to identify the characteristics of defect a1 in this case (black foreign object, chip, etc.). Alternatively, if defect a1 on top surface 1 is shown as 0% on the first image and shown as 100% on the second and third images, it is possible to reliably detect defect a1 shown as 100% on the second and third images even if defect a1 that is 0% on the first image is overlooked.

本実施の形態によれば、画像処理装置25において、予め求められた基準データパターンと、検査対象となる電子部品Wに対して外観検査を施すことにより得られた検査データパターンとを比較する。そして基準データパターンと検査データパターンとが一致しているか否か検証することにより、検査対象となる電子部品Wを検査して得られた上面1の欠陥a1、稜線3の欠陥a3あるいは側面2の欠陥a2を精度良く検出することができる。 According to this embodiment, the image processing device 25 compares a reference data pattern obtained in advance with an inspection data pattern obtained by performing a visual inspection on the electronic component W to be inspected. Then, by verifying whether the reference data pattern and the inspection data pattern match, it is possible to accurately detect the defect a1 on the top surface 1, the defect a3 on the edge line 3, or the defect a2 on the side surface 2 obtained by inspecting the electronic component W to be inspected.

次に画像処理装置25では、得られた第1画像と第2画像と第3画像を合体する(図2参照)。上述のように第1照射装置11から電子部品Wに照射される光と、第2照射装置12から電子部品Wに照射される光と、第3照射装置13から照射される光は各々別々の色の光、例えば青色光、緑色光および赤色光となっている。 Next, the image processing device 25 combines the obtained first, second, and third images (see FIG. 2). As described above, the light irradiated from the first irradiation device 11 to the electronic component W, the light irradiated from the second irradiation device 12 to the electronic component W, and the light irradiated from the third irradiation device 13 are each light of a different color, for example, blue light, green light, and red light.

図2に示すように、画像処理装置25において合体された第1画像、最2画像および第3画像は各々異なる色をもつ画像となっているため、合体された画像において第1画像上で検出される欠陥と、第2画像上で検出される欠陥と、第3画像上で検出される欠陥を各々区別して認識することができる。 As shown in FIG. 2, the first image, the second image, and the third image combined in the image processing device 25 are images with different colors, so that the defects detected in the first image, the defects detected in the second image, and the defects detected in the third image can be recognized separately in the combined image.

以上のように本実施の形態によれば、第1照射装置11から電子部品Wに対して直接光を照射することにより第1画像が得られ、画像処理装置25において、この第1画像上に鮮明に表れる上面1の欠陥a1を精度良く検出することができる。 As described above, according to this embodiment, the first image is obtained by irradiating the electronic component W directly with light from the first irradiation device 11, and the image processing device 25 can accurately detect the defect a1 on the top surface 1 that appears clearly in this first image.

また第2照射装置12から電子部品Wに対して直接光を照射することにより第2画像が得られ、画像処理装置25において、この第2画像上に鮮明に表れる稜線3の欠陥a2を精度良く検出することができる。 In addition, a second image is obtained by irradiating the electronic component W directly with light from the second irradiation device 12, and the defect a2 on the edge line 3 that appears clearly in this second image can be detected with high accuracy by the image processing device 25.

また第3照射装置13から電子部品Wに対して直接光を照射することにより第3画像が得られ、画像処理装置25において、この第3画像上に鮮明に表れる側面2の欠陥a3を精度良く検出することができる。 In addition, a third image is obtained by irradiating the electronic component W directly with light from the third irradiation device 13, and the defect a3 on the side surface 2 that appears clearly in this third image can be detected with high accuracy by the image processing device 25.

このように画像処理装置25において、第1照射装置11から光を照射して得られた第1画像に基づいて上面1上の欠陥a1を確実に検出することができ、第2照射装置12から光を照射して得られた第2画像に基づいて稜線3上の欠陥a2を確実に検出することができ、第3照射装置13から光を照射して得られた第3画像に基づいて側面2の欠陥a3を確実に検出することができる。 In this way, in the image processing device 25, defect a1 on the top surface 1 can be reliably detected based on the first image obtained by irradiating light from the first irradiation device 11, defect a2 on the ridge line 3 can be reliably detected based on the second image obtained by irradiating light from the second irradiation device 12, and defect a3 on the side surface 2 can be reliably detected based on the third image obtained by irradiating light from the third irradiation device 13.

また本実施の形態によれば、画像処理装置25において、予め求められた基準データパターンと、検査対象となる電子部品Wに対して外観検査を施すことにより得られた検査データパターンとを比較する。そして基準データパターンと検査データパターンとが互いに対応しているか否か検証することにより、検査対象となる電子部品Wを検査して得られた上面1の欠陥a1、稜線3の欠陥a3あるいは側面2の欠陥a2を精度良く検出することができる。 In addition, according to this embodiment, the image processing device 25 compares a reference data pattern obtained in advance with an inspection data pattern obtained by performing a visual inspection on the electronic component W to be inspected. Then, by verifying whether the reference data pattern and the inspection data pattern correspond to each other, it is possible to accurately detect the defect a1 on the top surface 1, the defect a3 on the edge line 3, or the defect a2 on the side surface 2 obtained by inspecting the electronic component W to be inspected.

この場合、基準データパターンおよび検査データパターンは、いずれも主として直接反射光により得られた上面1と、主として散乱反射光により得られた稜線3および側面2とを含む第1画像と、主として直接反射光により得られた稜線3と、主として散乱反射光により得られた上面1および側面2とを含む第2画像と、主として直接反射光により得られた側面2と、主として散乱反射光により得られた上面1および稜線3とを含む第3画像を有する。 In this case, the reference data pattern and the inspection data pattern each have a first image including a top surface 1 obtained primarily by direct reflection light and a ridge line 3 and a side surface 2 obtained primarily by scattered reflection light, a second image including a ridge line 3 obtained primarily by direct reflection light and a top surface 1 and a side surface 2 obtained primarily by scattered reflection light, and a third image including a side surface 2 obtained primarily by direct reflection light and a top surface 1 and a ridge line 3 obtained primarily by scattered reflection light.

このように画像処理装置25は、直接反射光と散乱反射光とにより得られた基準データパターンと、直接反射光と散乱反射光とにより得られた検査データパターンを用い、両者を比較することにより、検査対象となる電子部品を検査して得られた欠陥a1,a2,a3の精度を検証することができる。このように直接反射光と散乱反射光の双方を用いて、検査対象となる電子部品を検査して得られた欠陥a1,a2,a3を検証しながら、確実にこれら欠陥a1,a2,a3を検出することができる。 In this way, the image processing device 25 uses a reference data pattern obtained from direct reflected light and scattered reflected light and an inspection data pattern obtained from direct reflected light and scattered reflected light, and compares the two to verify the accuracy of defects a1, a2, and a3 obtained by inspecting the electronic component to be inspected. In this way, by using both direct reflected light and scattered reflected light, defects a1, a2, and a3 obtained by inspecting the electronic component to be inspected can be verified, and these defects a1, a2, and a3 can be reliably detected.

また本実施の形態によれば、直方体形状の電子部品Wの上面1の4辺、すなわち4本の稜線3に対応して上面1の4辺の外側上方に、4個の反射装置15が設けられている。このことにより、電子部品Wの上面1の4辺すなわち4本の稜線3全周に渡ってこれらの稜線3、および各稜線3近傍の上面1および側面2に存在する欠陥a1,a2,a3を精度良くかつ確実に検出することができる。あるいは、反射装置15が、上面1の4つの角部外側上方に、追加で4箇所に設けられ、合計 8箇所に設けられている場合、電子部品Wの上面1の4辺、すなわち4本の稜線、および4つの角部に渡って、これらの稜線3、および各稜線3近傍の上面1および側面2に存在する欠陥a1,a2,a3を精度良くかつ確実に検出することができる。 According to this embodiment, four reflecting devices 15 are provided on the four sides of the top surface 1 of the rectangular parallelepiped electronic component W, i.e., on the outer upper side of the four sides of the top surface 1 in correspondence with the four ridgelines 3. This allows accurate and reliable detection of defects a1, a2, and a3 present on the ridgelines 3 and on the top surface 1 and side surface 2 near each ridgeline 3 over the four sides of the top surface 1 of the electronic component W, i.e., the entire circumference of the four ridgelines 3. Alternatively, if the reflecting devices 15 are provided at four additional locations above the outer sides of the four corners of the top surface 1, for a total of eight locations, it is possible to accurately and reliably detect defects a1, a2, and a3 present on the ridgelines 3 and on the top surface 1 and side surface 2 near each ridgeline 3 over the four sides of the top surface 1 of the electronic component W, i.e., the four ridgelines and the four corners.

次に本実施の形態の具体的作用について更に述べる。 Next, we will further explain the specific operation of this embodiment.

まずテーブル14を構成するガラス板上に検査対象となる電子部品Wを載置する。 First, the electronic component W to be inspected is placed on the glass plate that constitutes the table 14.

その後、図1Aに示すように、第1照射装置11から電子部品Wの上面1に直接光を照射し、上面1から主として直接反射成分を多く含む反射光が反射され、稜線3および側面2から主として散乱反射成分を多く含む反射光が反射される。 Then, as shown in FIG. 1A, the first irradiation device 11 directly irradiates the top surface 1 of the electronic component W, and the reflected light that mainly contains a large amount of direct reflection components is reflected from the top surface 1, and the reflected light that mainly contains a large amount of scattered reflection components is reflected from the ridges 3 and side surfaces 2.

また、第2照射装置12から電子部品Wの稜線3に直接光を照射し、稜線3からの直接反射成分を多く含む反射光が反射され、上面1および側面2から主として散乱反射成分を多く含む反射光が反射される。また、第3照射装置13から電子部品Wの側面2に直接光を照射し、側面2から主として直接反射成分を多く含む反射光が反射され、上面1および稜線3から散乱反射成分を多く含む反射光が反射される。 The second irradiation device 12 directly irradiates the ridge 3 of the electronic component W, and reflected light containing a large amount of direct reflection components is reflected from the ridge 3, while reflected light containing a large amount of mainly scattered reflection components is reflected from the top surface 1 and side surface 2. The third irradiation device 13 directly irradiates the side surface 2 of the electronic component W, and reflected light containing a large amount of mainly direct reflection components is reflected from the side surface 2, while reflected light containing a large amount of mainly scattered reflection components is reflected from the top surface 1 and the ridge 3.

反射成分は、例えば以下の計算式により表され、材質や表面状態で係数Ka,Kd,Ksが決定される。
I=KaIa+Ii(Kdcosα+Kscosnr)
The reflected component is expressed, for example, by the following formula, and the coefficients Ka, Kd, and Ks are determined depending on the material and surface condition.
I = K a I a + I i (K d cos α + K s cos nr )

ここでKaIaは環境成分であり、Kdcosαは散乱成分であり、Kscosnrは直接反射成分である。 Here, KaIa is the ambient component, Kdcosα is the scattered component, and Kscosnr is the direct reflection component.

例えば、電子部品Wの上面1に欠陥a1が生じている場合、第1照射装置11から光を電子部品Wに照射すると電子部品Wの欠陥a1では直接反射の反射方向が乱れ、ミラー等の反射装置15を経て撮像装置20に入射する光が少なくなるため、第1画像に写る電子部品Wの欠陥a1は黒くなる。 For example, if a defect a1 occurs on the top surface 1 of the electronic component W, when light is irradiated from the first irradiation device 11 onto the electronic component W, the reflection direction of the direct reflection at the defect a1 of the electronic component W is disturbed, and less light passes through the reflecting device 15 such as a mirror and enters the imaging device 20, so that the defect a1 of the electronic component W shown in the first image appears black.

第2照射装置12から光を電子部品Wに照射すると電子部品Wの欠陥a1では反射角度が変わることで直接反射の反射方向を含む散乱反射光が得られるようになり、ミラー等の反射装置15を経て撮像装置20に入射する光が多くなるため、第2画像に写る電子部品Wの欠陥a1は明るい灰色となる。 When light is irradiated from the second irradiation device 12 onto the electronic component W, the reflection angle at the defect a1 in the electronic component W changes, resulting in scattered reflected light including the reflection direction of direct reflection. As a result, more light passes through the reflecting device 15, such as a mirror, and enters the imaging device 20, so that the defect a1 in the electronic component W shown in the second image appears light gray.

また第3照射装置13から光を電子部品Wに照射すると電子部品Wの欠陥a1から、ミラー等の反射装置15を経て撮像装置20に入射する光は直接反射の反射方向を含む散乱反射となり、第3画像に写る電子部品の欠陥a1は明るい灰色となる。 When light is irradiated from the third irradiation device 13 onto the electronic component W, the light that passes through the reflecting device 15, such as a mirror, from the defect a1 in the electronic component W and enters the imaging device 20 is reflected in a scattered manner that includes a direct reflection direction, and the defect a1 in the electronic component that appears in the third image appears light gray.

例えば電子部品Wの稜線3に欠陥a2が生じている場合、第1照射装置11から電子部品Wに光を照射すると電子部品Wの欠陥a2は反射角度が変わることで直接反射の反射方向を含む散乱反射光が得られるようになり、ミラー等の反射装置15を経て撮像装置20に入射する光が多くなる。このため、第1画像に写る電子部品Wの欠陥a2は明るい灰色となる。 For example, if defect a2 occurs on edge line 3 of electronic component W, when light is irradiated from first irradiation device 11 onto electronic component W, the reflection angle of defect a2 in electronic component W changes, resulting in scattered reflected light including the reflection direction of direct reflection, and more light passes through reflection device 15 such as a mirror and enters imaging device 20. For this reason, defect a2 in electronic component W appears light gray in the first image.

また第2照射装置12から電子部品Wに光を照射すると電子部品Wの欠陥a2では直接反射の反射方向が乱れ、ミラー等の反射装置15を経て撮像装置20に入射する光が少なくなるため、第2画像に写る電子部品Wの欠陥a2は黒くなる。 In addition, when light is irradiated from the second irradiation device 12 onto the electronic component W, the reflection direction of the direct reflection is disturbed at the defect a2 in the electronic component W, and less light passes through the reflecting device 15, such as a mirror, and enters the imaging device 20, so that the defect a2 in the electronic component W shown in the second image appears black.

また第3照射装置13から光を電子部品Wに照射すると電子部品Wの欠陥a2では反射角度が変わることで直接反射の反射方向を含む散乱反射光が得られる。このためミラー等の反射装置15を経て撮像装置20に入射する光が多くなるため、第3画像に写る電子部品Wの欠陥a2は明るい灰色となる。 In addition, when light is irradiated from the third irradiation device 13 onto the electronic component W, the reflection angle changes at the defect a2 in the electronic component W, resulting in scattered reflected light including the reflection direction of direct reflection. As a result, more light passes through the reflecting device 15, such as a mirror, and enters the imaging device 20, so the defect a2 in the electronic component W that appears in the third image appears light gray.

例えば、電子部品Wの側面2に欠陥a3が生じている場合、第1照射装置11から電子部品Wに光を照射すると電子部品Wの欠陥a3では反射角度が変わることで直接反射の反射方向を含む散乱反射光が得られ、この散乱反射光はミラー等の反射装置15を経て撮像装置20に入射するため、第1画像に写る電子部品Wの欠陥a3は明るい灰色となる。 For example, if a defect a3 occurs on the side surface 2 of the electronic component W, when light is irradiated from the first irradiation device 11 onto the electronic component W, the angle of reflection changes at the defect a3 of the electronic component W, resulting in scattered reflected light including the reflection direction of direct reflection. This scattered reflected light passes through a reflecting device 15 such as a mirror and enters the imaging device 20, so that the defect a3 of the electronic component W shown in the first image appears light gray.

第2照射装置12から電子部品Wに光を照射すると電子部品Wの欠陥a3では、反射角度が変わることで直接反射の反射方向を含む散乱反射光を得られるようになり、ミラー等の反射装置15を経て撮像装置20に入射する散乱反射光により第2画像に写る電子部品Wの欠陥a3は明るい灰色となる。 When light is irradiated from the second irradiation device 12 onto the electronic component W, the reflection angle changes at defect a3 in the electronic component W, resulting in scattered reflected light including the reflection direction of direct reflection. The scattered reflected light that passes through a reflecting device 15 such as a mirror and enters the imaging device 20 causes defect a3 in the electronic component W to appear light gray in the second image.

第3照射装置13から電子部品Wに光を照射すると電子部品Wの欠陥a3では直接反射の反射方向が乱れ、ミラー等の反射装置15を経て撮像装置20に入射する光が少なくなるため、第3画像に写る電子部品Wの欠陥a3は黒くなる。 When light is irradiated onto the electronic component W from the third irradiation device 13, the reflection direction of the direct reflection is disturbed at the defect a3 in the electronic component W, and less light passes through the reflecting device 15, such as a mirror, and enters the imaging device 20, so that the defect a3 in the electronic component W appears black in the third image.

次にこのようにして得られた第1画像、第2画像、第3画像に対して上述した二値化処理が施されて検査データパターンが得られ、このようにして得られた検査データパターンと、予め求められた基準データパターンとを比較することによって、第1画像、第2画像および第3画像上の欠陥a1,a2,a3の検出精度が検証される。 The first, second, and third images thus obtained are then subjected to the binarization process described above to obtain an inspection data pattern, and the inspection data pattern thus obtained is compared with a previously determined reference data pattern to verify the detection accuracy of defects a1, a2, and a3 in the first, second, and third images.

<変形例>
次に本開示の変形例について、図12乃至図15により説明する。ここで、図12は本開示による電子部品の外観検査装置の変形例を示す図であって、第1画像と第2画像と第3画像を合体した、電子部品本体と電極との間の理想の境界線を示す図、図13は第1画像と第2画像と第3画像を合体した図であって、電子部品本体と電極との間の歪んだ境界線を示す図、図14Aは対向する稜線に関し、第1画像と第2画像と第3画像を合体した図、図14Bは一方の稜線に関し、第1画像と第2画像と第3画像を合体した図、図15は対向する一対の稜線に関するグレースケール画像を比較する図である。
このうち、図12は電子部品本体W1と、電子部品本体W1の両側に設けられた一対の電極W2,W2とを有する電子部品Wを撮像して得られた第1画像、第2画像、第3画像の各々のグレースケール画像を合体した図である。図12において、稜線3の斜め上方から見た電子部品Wが示されている。
<Modification>
Next, modified examples of the present disclosure will be described with reference to Fig. 12 to Fig. 15. Fig. 12 is a diagram showing a modified example of an appearance inspection apparatus for electronic components according to the present disclosure, which is a diagram showing an ideal boundary between an electronic component body and an electrode obtained by combining a first image, a second image, and a third image, Fig. 13 is a diagram showing a distorted boundary between an electronic component body and an electrode obtained by combining a first image, a second image, and a third image, Fig. 14A is a diagram showing a combination of a first image, a second image, and a third image for opposing ridgelines, Fig. 14B is a diagram showing a combination of a first image, a second image, and a third image for one ridgeline, and Fig. 15 is a diagram comparing grayscale images for a pair of opposing ridgelines.
Of these, Fig. 12 is a diagram combining the first image, the second image, and the third image obtained by imaging an electronic component W having an electronic component body W1 and a pair of electrodes W2, W2 provided on both sides of the electronic component body W1, respectively, in grayscale. In Fig. 12, the electronic component W is shown as seen from diagonally above the ridge line 3.

図12に示すように、電子部品Wの電子部品本体W1と一対の電極W2,W2との間には稜線3と直交する理想的な境界線L1が形成されている。 As shown in FIG. 12, an ideal boundary line L1 perpendicular to the ridge line 3 is formed between the electronic component body W1 of the electronic component W and the pair of electrodes W2, W2.

図12において、電子部品Wには白く示された電極W2の上面1に黒い欠陥a1が存在し、黒く示された電子部品本体W1の側面2に白く示された欠陥a3が存在する。ただし、実際には、第1画像と第2画像と第3画像を二値化して合体すると、電子部品本体W1は全体として黒くなり、電極W2,W2の欠陥a1も黒く示される。そして電極W2,W2は全体として白くなり、電子部品本体W1の欠陥a3も白くなる。 In FIG. 12, electronic component W has a black defect a1 on the top surface 1 of electrode W2, which is shown in white, and a white defect a3 on the side surface 2 of electronic component body W1, which is shown in black. However, in reality, when the first image, second image, and third image are binarized and combined, electronic component body W1 appears black overall, and electrodes W2, defect a1 in W2 are also shown in black. Then, electrodes W2, W2 appear white overall, and defect a3 in electronic component body W1 also appears white.

この場合、電子部品本体W1と電極w2との間の境界線L2は、黒く示された欠陥a1と、白く示された欠陥a3とによって、稜線3に対して直交することなく、歪んだ状態で示され、このとき、黒い欠陥a1と白い欠陥a3は見落とされてしまう。 In this case, the boundary line L2 between the electronic component body W1 and the electrode w2 is shown distorted and not perpendicular to the edge line 3 due to the defect a1 shown in black and the defect a3 shown in white, and in this case, the black defect a1 and the white defect a3 are overlooked.

本変形例においては、電子部品Wの一方の稜線3近傍を撮像して得られた第1画像、第2画像、第3画像のグレースケール画像を合体する(図14A参照)。次に電子部品Wの他方の稜線3A近傍を撮像して得られた第1画像、第2画像、第3画像のグレースケール画像を合体する(図14B参照)。図14Aおよび図14Bにおいて、他方の稜線3Aは上面1と他方の側面2Aとの間に形成されている。次に、電子部品Wの一方の稜線3近傍を撮像して得られた第1画像、第2画像、第3画像のグレースケール画像を合体した画像(図14A参照)と、電子部品Wの他方の稜線3A近傍を撮像して得られた第1画像、第2画像、第3画像のグレースケール画像を合体した画像(図14B)を互いに接近させ、電子部品Wの一方の稜線3近傍の合体したグレースケール画像と、他方の稜線3A近傍の合体したグレースケール画像とが互いに重なるよう画像処理を施す(図14A参照)。 In this modified example, the first, second, and third grayscale images obtained by imaging the vicinity of one edge line 3 of the electronic component W are combined (see FIG. 14A). Next, the first, second, and third grayscale images obtained by imaging the vicinity of the other edge line 3A of the electronic component W are combined (see FIG. 14B). In FIGS. 14A and 14B, the other edge line 3A is formed between the top surface 1 and the other side surface 2A. Next, an image (see FIG. 14A) obtained by combining the grayscale images of the first, second, and third images obtained by imaging the vicinity of one edge line 3 of the electronic component W and an image (see FIG. 14B) obtained by combining the grayscale images of the first, second, and third images obtained by imaging the vicinity of the other edge line 3A of the electronic component W are brought close to each other, and image processing is performed so that the combined grayscale image near one edge line 3 of the electronic component W and the combined grayscale image near the other edge line 3A overlap each other (see FIG. 14A).

次に、図15に示すように、電子部品Wの一方の稜線3近傍を撮像して得られた第1画像、第2画像、第3画像のグレースケール画像を合体した画像(図14A参照)と、電子部品Wの他方の稜線3A近傍を撮像して得られた第1画像、第2画像、第3画像のグレースケール画像を合体した画像(図14B)の相関度を比較する。このことによって、一方の稜線3に関し、電子部品本体W1と電極W2との間の境界線L1の周囲の相関度の低く差異のある個所を特定し、このことによって一方の稜線3に関し、電極W2上面1の欠陥a1と電子部品本体W1の側面の欠陥a3を正しく認識して検出することができる。 Next, as shown in FIG. 15, the correlation between an image (see FIG. 14A) obtained by combining the grayscale images of the first, second, and third images obtained by capturing the vicinity of one edge line 3 of the electronic component W and an image (see FIG. 14B) obtained by combining the grayscale images of the first, second, and third images obtained by capturing the vicinity of the other edge line 3A of the electronic component W is compared. This allows for identifying locations with low and different correlations around the boundary line L1 between the electronic component body W1 and the electrode W2 with respect to one edge line 3, and thus allows for the defect a1 on the top surface 1 of the electrode W2 and the defect a3 on the side surface of the electronic component body W1 with respect to one edge line 3 to be correctly recognized and detected.

1 上面
2 側面
2A 他方の側面
3 稜線、一方の稜線
3A 他方の稜線
10 電子部品の外観検査装置
11 第1照射装置
12 第2照射装置
13 第3照射装置
14 テーブル
15 反射装置
18a 吸着ノズル
18 搬送装置
20 撮像装置
21 撮像装置本体
22 レンズ
25 画像処理装置
W 電子部品
a1 欠陥
a2 欠陥
a3 欠陥
REFERENCE SIGNS LIST 1 Upper surface 2 Side surface 2A Other side surface 3 Ridge line, one ridge line 3A Other ridge line 10 Appearance inspection device for electronic components 11 First irradiation device 12 Second irradiation device 13 Third irradiation device 14 Table 15 Reflection device 18a Suction nozzle 18 Conveyor device 20 Imaging device 21 Imaging device main body 22 Lens 25 Image processing device W Electronic component a1 Defect a2 Defect a3 Defect

Claims (7)

少なくとも上面と、側面と、前記上面と前記側面との間の稜線とを有する電子部品の外観を検査する電子部品の外観検査装置において、
前記電子部品を支持する支持部と、
前記電子部品の上面に対して光を照射し、前記電子部品の上面からの反射光、前記稜線からの反射光、および前記側面からの反射光を含む第1反射光を得る第1照射装置と、
前記電子部品の稜線に対して光を照射し、前記電子部品の稜線からの反射光、前記上面からの反射光、および前記側面からの反射光を含む第2反射光を得る第2照射装置と、
前記電子部品の側面に対して光を照射し、前記電子部品の側面からの反射光、前記上面からの反射光、および前記稜線からの反射光を含む第3反射光を得る第3照射装置と、
前記電子部品からの第1反射光、第2反射光、および第3反射光を受光して第1画像、第2画像、および第3画像を得る撮像装置と、
前記撮像装置に接続された画像処理装置と、を備え、
前記画像処理装置は、前記第1画像、前記第2画像、および前記第3画像に基づいて、前記上面、前記稜線、または前記側面に存在する欠陥を検出し、
前記電子部品からの第1反射光、前記電子部品からの第2反射光、および前記電子部品からの第3反射光を前記撮像装置へ導く反射装置、を更に備え
前記反射装置は、前記第1照射装置からの光による直接反射光、前記第2照射装置からの光による直接反射光、および前記第3照射装置からの光による直接反射光を前記撮像装置へ導き、
前記電子部品は電子部品本体と、前記電子部品本体に境界線を介して連結された電極と有し、
前記画像処理装置は、前記電子部品の前記境界線に直交するとともに互いに対向する一対の稜線について、前記第1画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関するグレースケール画像データと、前記第2画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関するグレースケール画像データと、前記第3画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関するグレースケール画像データを作成して合体し、一方の稜線に関し前記第1画像と前記第2画像と前記第3画像のグレースケール画像を合体して得られたグレースケール画像と、他方の稜線に関し前記第1画像と前記第2画像と前記第3画像のグレースケール画像を合体して得られたグレースケール画像とを互いに接近させて比較することにより、相関度の低く差異のある個所を特定し、前記上面、前記稜線または前記側面のいずれかに存在する欠陥を検出する、電子部品の外観検査装置。
An electronic component appearance inspection apparatus for inspecting the appearance of an electronic component having at least a top surface, a side surface, and a ridge line between the top surface and the side surface, comprising:
A support portion that supports the electronic component;
a first irradiation device that irradiates a top surface of the electronic component with light to obtain a first reflected light including reflected light from the top surface of the electronic component, reflected light from the ridge line, and reflected light from the side surface;
a second irradiation device that irradiates a ridge line of the electronic component with light to obtain second reflected light including reflected light from the ridge line of the electronic component, reflected light from the top surface, and reflected light from the side surface;
a third irradiation device that irradiates a side surface of the electronic component with light to obtain a third reflected light including a reflected light from the side surface of the electronic component, a reflected light from the top surface, and a reflected light from the ridge line;
an imaging device that receives a first reflected light, a second reflected light, and a third reflected light from the electronic component to obtain a first image, a second image, and a third image;
an image processing device connected to the imaging device,
the image processing device detects defects present on the top surface, the ridge line, or the side surface based on the first image, the second image, and the third image;
a reflecting device that guides a first reflected light from the electronic component, a second reflected light from the electronic component, and a third reflected light from the electronic component to the imaging device,
the reflection device guides the directly reflected light of the light from the first irradiation device, the directly reflected light of the light from the second irradiation device, and the directly reflected light of the light from the third irradiation device to the imaging device;
The electronic component has an electronic component body and an electrode connected to the electronic component body via a boundary line,
the image processing device creates and combines grayscale image data for the top surface, the ridge line, and the side surface on the first image, grayscale image data for the top surface, the ridge line, and the side surface on the second image, and grayscale image data for the top surface, the ridge line, and the side surface on the third image for a pair of ridge lines that are perpendicular to the boundary line of the electronic component and face each other, and by bringing a grayscale image obtained by combining the grayscale images of the first, second, and third images for one ridge line and a grayscale image obtained by combining the grayscale images of the first, second, and third images for the other ridge line close to each other and comparing them, the device identifies areas where there are differences with low correlation and detects defects present on the top surface, the ridge line, or the side surface .
前記反射装置は、前記電子部品の外周に複数配置され、前記第1照射装置、前記第2照射装置、前記第3照射装置の各々の光に基づいて複数の第1画像、第2画像、および第3画像を得る、請求項記載の電子部品の外観検査装置。 2. The electronic component appearance inspection apparatus according to claim 1, wherein the reflection device is arranged in plurality around the outer periphery of the electronic component, and a plurality of first images, a second image, and a third image are obtained based on the light from each of the first illumination device, the second illumination device, and the third illumination device. 前記反射装置は、ミラー、またはプリズムを含む、請求項記載の電子部品の外観検査装置。 2. The electronic component visual inspection apparatus according to claim 1 , wherein the reflecting device includes a mirror or a prism. 前記第1照射装置は第1波長範囲の光を発光し、前記第2照射装置は前記第1波長範囲と異なる第2波長範囲の光を発光し、前記第3照射装置は前記第1波長範囲および前記第2波長範囲と異なる第3波長範囲の光を発光する、請求項1記載の電子部品の外観検査装置。 The electronic component visual inspection device according to claim 1, wherein the first irradiation device emits light in a first wavelength range, the second irradiation device emits light in a second wavelength range different from the first wavelength range, and the third irradiation device emits light in a third wavelength range different from the first wavelength range and the second wavelength range. 前記撮像装置は、前記第1反射光、前記第2反射光、および前記第3反射光を受光して第1画像、第2画像、および第3画像を得るイメージセンサまたは光センサを有する、請求項1記載の電子部品の外観検査装置。 The electronic component appearance inspection device according to claim 1, wherein the imaging device has an image sensor or optical sensor that receives the first reflected light, the second reflected light, and the third reflected light to obtain a first image, a second image, and a third image. 少なくとも上面と、側面と、前記上面と前記側面との間の稜線とを有する電子部品の外観を検査する電子部品の外観検査方法において、
前記電子部品の上面に対して第1照射装置から光を照射し、前記電子部品の上面からの反射光、前記稜線からの反射光、および前記側面からの反射光を含む第1反射光を得る工程と、
前記電子部品の稜線に対して第2照射装置から光を照射し、前記電子部品の稜線からの反射光、前記上面からの反射光、および前記側面からの反射光を含む第2反射光を得る工程と、
前記電子部品の側面に対して第3照射装置から光を照射し、前記電子部品の側面からの反射光、前記上面からの反射光、および前記稜線からの反射光を含む第3反射光を得る工程と、
前記電子部品からの第1反射光、第2反射光、および第3反射光を撮像装置により受光して第1画像、第2画像、および第3画像を得る工程と、
画像処理装置により、前記第1画像、前記第2画像、および前記第3画像に基づいて、前記上面、前記稜線、および前記側面に存在する欠陥を検出する工程とを備え、
前記電子部品からの第1反射光、前記電子部品からの第2反射光、前記電子部品からの第3反射光を反射装置により前記撮像装置へ導く工程を更に備え、
前記反射装置は、前記第1照射装置からの光による直接反射光、前記第2照射装置からの光による直接反射光、および前記第3照射装置からの光による直接反射光を前記撮像装置へ導き、
前記電子部品は電子部品本体と、前記電子部品本体に境界線を介して連結された電極と有し、
前記画像処理装置は、前記電子部品の前記境界線に直交するとともに互いに対向する一対の稜線について、前記第1画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関するグレースケール画像データと、前記第2画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関するグレースケール画像データと、前記第3画像上で前記上面、前記稜線、および前記側面に関するグレースケール画像データを作成して合体し、一方の稜線に関し前記第1画像と前記第2画像と前記第3画像のグレースケール画像を合体して得られたグレースケール画像と、他方の稜線に関し前記第1画像と前記第2画像と前記第3画像のグレースケール画像を合体して得られたグレースケール画像とを互いに接近させて比較することにより、相関度の低く差異のある個所を特定し、前記上面、前記稜線または前記側面のいずれかに存在する欠陥を検出する、電子部品の外観検査方法。
1. A method for inspecting the appearance of an electronic component having at least a top surface, a side surface, and a ridge line between the top surface and the side surface, comprising:
a step of irradiating a top surface of the electronic component with light from a first irradiation device to obtain a first reflected light including reflected light from the top surface of the electronic component, reflected light from the ridge line, and reflected light from the side surface;
a step of irradiating a ridge line of the electronic component with light from a second irradiation device to obtain second reflected light including reflected light from the ridge line of the electronic component, reflected light from the top surface, and reflected light from the side surface;
irradiating a side surface of the electronic component with light from a third irradiation device to obtain third reflected light including reflected light from the side surface of the electronic component, reflected light from the top surface, and reflected light from the ridge line;
receiving a first reflected light, a second reflected light, and a third reflected light from the electronic component with an imaging device to obtain a first image, a second image, and a third image;
detecting defects present on the top surface, the ridge line, and the side surface based on the first image, the second image, and the third image by an image processing device ;
The method further includes a step of guiding the first reflected light from the electronic component, the second reflected light from the electronic component, and the third reflected light from the electronic component to the imaging device by a reflecting device,
the reflection device guides the directly reflected light of the light from the first irradiation device, the directly reflected light of the light from the second irradiation device, and the directly reflected light of the light from the third irradiation device to the imaging device;
The electronic component has an electronic component body and an electrode connected to the electronic component body via a boundary line,
the image processing device creates and combines grayscale image data for the top surface, the ridge line, and the side surface on the first image, grayscale image data for the top surface, the ridge line, and the side surface on the second image, and grayscale image data for the top surface, the ridge line, and the side surface on the third image for a pair of ridge lines that are perpendicular to the boundary line of the electronic component and face each other, and by bringing a grayscale image obtained by combining the grayscale images of the first, second, and third images for one ridge line and a grayscale image obtained by combining the grayscale images of the first, second, and third images for the other ridge line close to each other and comparing them, locations where there are differences with low correlation are identified and defects present on any of the top surface, the ridge line, or the side surfaces are detected .
前記第1照射装置は第1波長範囲の光を発光し、前記第2照射装置は前記第1波長範囲と異なる第2波長範囲の光を発光し、前記第3照射装置は前記第1波長範囲および前記第2波長範囲と異なる第3波長範囲の光を発光する、請求項記載の電子部品の外観検査方法。 7. The method for visual inspection of electronic components according to claim 6, wherein the first irradiation device emits light in a first wavelength range, the second irradiation device emits light in a second wavelength range different from the first wavelength range, and the third irradiation device emits light in a third wavelength range different from the first wavelength range and the second wavelength range.
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