JP7497912B1 - 高電気伝導性を持つ粒子、材料及びその関連の接続構造体 - Google Patents
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Abstract
Description
一方、コインタブレット7は、AC150Vで、電流を3A以上流せることが観測でき、低損失、高電流に対応できていることが確認できた。
また、図面は理解することを目的としており、実際の寸法比率は実際のものと必ずしも一致しない。
ナノ粒子1は、直径が約1nmのサイズとなっており、材質は、反強磁性体の酸化ニッケル(NiO)である。このNiOは、カルボニルニッケルであり、また、格子欠陥を内包しており、導電性粒子となっている。
マイクロ粒子3をバインダーの中に組み込み、磁場強度として、102ガウス程度の磁場を加えた際に、マイクロ粒子3のトポロジカル反強磁性金属の性質を持つクラスター配列4が得られる。
このクラスター配列4は、スピン流抵抗(Rs)≒0、電気抵抗(Re)≒0の状態となり、TMRの性質を示す。
ここでは、クラスター配列9、クラスター配列10、クラスター配列11、クラスター配列12、クラスター配列13が並んでいる例を示しているが、クラスター配列9、クラスター配列10、クラスター配列11、クラスター配列12、クラスター配列13がお互いの斥力により、離れて配列していることが観測される。
ここでは、クラスター配列15、クラスター配列16、クラスター配列17、クラスター配列18、クラスター配列19が並んでいる例を示しているが、クラスター配列15、クラスター配列16、クラスター配列17、クラスター配列18、クラスター配列19がお互いの斥力により、離れて配列していることが観測される。
これらの伝送路構造を利用することにより、低損失かつ高電流に対応できる伝送方式を可能にできる。
2・・・焼結させたトポロジカル反強磁性金属
3・・・マイクロ粒子
4・・・クラスター配列
5・・・クラスター配列
6・・・クラスター配列
7・・・コインタブレット
8・・・クラスター配列4を、シートの中に埋め込んだ状態のシートの水平方向から観測した際の概念図
9・・・クラスター配列
10・・・クラスター配列
11・・・クラスター配列
12・・・クラスター配列
13・・・クラスター配列
14・・・クラスター配列4を、シートの中に埋め込んだ状態のシートの垂直方向から観測した際の概念図
15・・・クラスター配列
16・・・クラスター配列
17・・・クラスター配列
18・・・クラスター配列
19・・・クラスター配列
20・・・伝送路構造形状
21・・・絶縁体
22・・・被覆した伝送路構造
23・・・伝送路構造22の断面形状
24・・・伝送路構造形状
25・・・絶縁素材
26・・・バインダー
27・・・伝送路素材
Claims (3)
- 反強磁性体であるNiOのナノ粒子を、粉末冶金により、300℃~1200℃で焼成、あるいは、焼結させトポロジカル反強磁性化合物を生成し、このトポロジカル反強磁性化合物から、造粒、分級を行い、直径が約10μmのマイクロ粒子を生成するマイクロ粒子の製造方法。
- 請求項1の製造方法で製造したマイクロ粒子をバインダーの中に組み込み、磁場強度として、102ガウス程度の磁場を加えて、トポロジカル反強磁性化合物の性質を持つ、マイクロ粒子のクラスター配列を生成するマイクロ粒子のクラスター配列の製造方法。
- 請求項2の製造方法で製造したマイクロ粒子のクラスター配列において、加熱成形したトポロジカル反強磁性化合物の性質を付与した垂直方向に電流が流れる導電性シートの製造方法。
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