JP7495235B2 - プラスチック光ファイバのコア径計測方法およびそれに用いるプラスチック光ファイバのコア径計測装置、プラスチック光ファイバの欠陥検出方法およびそれに用いるプラスチック光ファイバの欠陥検出装置 - Google Patents
プラスチック光ファイバのコア径計測方法およびそれに用いるプラスチック光ファイバのコア径計測装置、プラスチック光ファイバの欠陥検出方法およびそれに用いるプラスチック光ファイバの欠陥検出装置 Download PDFInfo
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Description
[1]POFのコア径を計測する方法であって、上記POFの一方の側面に向って光を照射する光照射手段と、上記POFの、光が照射される側面の反対側の側面を撮像する撮像手段とを設け、上記光照射手段によりPOFの側面に光を照射し、上記撮像手段によって上記POFの反対側の側面を撮像し画像データを得る撮像工程と、上記撮像手段により得られたPOFの画像データを処理するデータ処理工程とを備え、上記撮像工程において、上記光照射手段の発光幅をWとし、光照射手段の発光位置と上記POFの側面との最短距離をDとして、上記発光幅Wに対する最短距離Dの比(D/W)が0.9~1.3となるように上記光照射手段とPOFを配置し、上記データ処理工程において、上記POFの画像データからPOFの側面における光強度分布を取得し、上記光強度分布に基づき上記POFのコア径を算出するPOFのコア径計測方法。
[2]上記撮像工程において、上記POFに対する光照射と撮像を、少なくとも2方向から行い、上記POFの、方向の異なる少なくとも2つの側面の画像データを得るとともに、上記データ処理工程において、上記少なくとも2つの画像データから取得される光強度分布に基づき上記POFのコア径を算出する、[1]に記載のPOFのコア径計測方法。[3]上記データ処理工程において、上記POFの画像データから取得したPOFの径方向における光強度分布に基づいて、上記POFのコア径とともにクラッド径を算出する、[1]または[2]に記載のPOFのコア径計測方法。
[4]上記データ処理工程において、算出された上記POFのコア径とクラッド径に基づき上記POFのコアの偏心量を算出する、[3]に記載のPOFのコア径計測方法。
[6]上記光照射手段による光照射と撮像手段による撮像が、上記POFに対し少なくとも2方向から行われ、上記POFの、方向の異なる少なくとも2つの側面の画像データが得られるようになっており、上記データ処理手段が、上記少なくとも2つの画像データから取得される光強度分布に基づき上記POFのコア径を算出するよう設定されている、[5]に記載のPOFのコア径計測装置。
[7]上記POFを介して対峙する光照射手段と撮像手段からなる撮像ユニットが、少なくとも2セット、POFに対し方向が異なる配置で設けられている、[6]に記載のPOFのコア径計測装置。
[8]上記POFを介して対峙する光照射手段と撮像手段からなる撮像ユニットが単一で設けられており、上記POFと、上記撮像ユニットとの相対的な配置が変更可能になっている、[6]に記載のPOFのコア径計測装置。
[9]上記データ処理手段が、上記POFの画像データから取得したPOFの径方向における光強度分布に基づいて、上記POFのコア径とともにクラッド径を算出するよう設定されている、[5]~[8]のいずれかに記載のPOFのコア径計測装置。
[10]上記データ処理手段が、算出された上記POFのコア径とクラッド径に基づき上記POFのコアの偏心量を算出するよう設定されている、[9]に記載のPOFのコア径計測装置。
[12]POFの欠陥を検出する装置であって、上記POFの一方の側面に向って光を照射する光照射手段と、上記POFの、光が照射される側面の反対側の側面を撮像する上記光照射手段に対応する撮像手段とを設け、上記光照射手段がいずれもPOFの側面に光を照射し、上記光照射手段に対応する撮像手段によって上記POFの反対側の側面を撮像し画像データを得る撮像手段と、上記撮像手段により得られた画像データを処理するデータ処理手段とを備え、上記光照射手段の発光幅をWとし、光照射手段の発光位置と上記POFの側面との最短距離をDとして、上記発光幅Wに対する最短距離Dの比(D/W)がいずれも0.9~1.3となるように上記光照射手段が配置されており、上記記撮像工程において、上記POFに対する光照射と撮像が、少なくとも2方向から行われ、上記POFの、方向の異なる少なくとも2つの側面の画像データが得られるようになっており、上記データ処理手段が、上記少なくとも2つの画像データから取得される光強度分布に基づき上記POFの欠陥を検出するよう設定されているPOFの欠陥検出装置。
[14]POFの欠陥を検出する装置であって、上記POFの一方の側面に向って光を照射する少なくとも3つの光照射手段と、上記POFの、光が照射される側面の反対側の側面を撮像する上記光照射手段に対応する撮像手段とを設け、上記光照射手段がいずれもPOFの側面に光を照射し、上記光照射手段に対応する撮像手段によって上記POFの反対側の側面を撮像し少なくとも3つの画像データを得る撮像手段と、上記撮像手段により得られた少なくとも3つの画像データを処理するデータ処理手段とを備え、上記光照射手段の発光幅をWとし、光照射手段の発光位置と上記POFの側面との最短距離をDとして、上記発光幅Wに対する最短距離Dの比(D/W)がいずれも0.9~1.3となるように上記光照射手段が配置されており、上記データ処理手段が、上記少なくとも3つの画像データからPOFの側面における少なくとも3つの光強度分布を取得し、上記少なくとも3つの光強度分布に基づき上記POFの欠陥を検出するよう設定されているPOFの欠陥検出装置。
まず、図1に示す装置において、撮像ユニットAの第1の光照射手段2の発光幅Wと、上記光照射手段2とPOF1の最短距離Dを、後記の表1に示すように設定することにより、実施例1~5および比較例1~3のコア径計測装置を作製した。なお、上記光照射手段2としてLED(波長630nmtyp.、拡散光、CCS社製)を用い、POF1のすぐ外側(地合部)におけるカメラ受光量が128/256諧調以上となるよう光量を調整して使用した。また、撮像ユニットBについても上記撮像Aと同様の設定を行っている。
なお、上記POF1は、コア径が120μmであり、上記コアおよびクラッドは、いずれもメチルメタクリレート(MMA)を主成分とする樹脂からなり、上記コアは、屈折率調整剤により屈折率が高められている。また、オーバークラッドはポリカーボネート(PC)系樹脂からなっている。上記「主成分」とは、その材料の特性に影響を与える成分の意味であり、その成分の含有量は、通常、材料全体の50質量%以上である。
そして、上記計測の結果に基づいて装置の評価を行い、その結果を後記の表1に併せて示した。評価方法は、以下のとおりである。
◎:コアとクラッドとの界面およびクラッドとオーバークラッドとの界面のいずれも容易に特定できた。
〇:コアとクラッドとの界面およびクラッドとオーバークラッドとの界面のいずれも特定できた。
×:コアとクラッドとの界面およびクラッドとオーバークラッドとの界面のいずれかが特定できなかった。
つぎに、図7に示す装置を用い、POF1のコア4(図3参照)の径および偏心量の計測を、計測箇所を変えて10回、インラインで行った。なお、図7の装置は、撮像ユニットCを追加している以外は実施例2と同様の構成(発光幅等)である。また、計測対象のPOF1についても実施例2と同様のものを用いている。得られたコア4の径および偏心量を、実際に測定したコア4の径および偏心量と対比した結果を図9および図10に示す。
両者を対比した結果、コア4の径の差は最大で2.2μmであり、コア4の偏心量の差は最大で1.6μmであった。
なお、実際に測定したPOF1のコア4の径および偏心量は、以下のとおりにして求めたものである。すなわち、POF1のコア4の径および偏心量を計測した箇所を実際に切断し、研磨する。その研磨面を顕微鏡にて拡大して観察し、顕微鏡断面画像を得る。この顕微鏡断面画像から、POF1のコア4の径および偏心量を特定し、この値を実際のコア4の径および偏心量とした。
図1に示す装置を用い、計測箇所を4箇所にした以外は、実施例6と同様にしてPOF1のコア4(図3参照)の径および偏心量の計測を行った。得られたコア4の径および偏心量を、実際に測定したコア4の径および偏心量と対比した結果を図11および図12に示す。
両者を対比した結果、コア4の径の差は最大で2.9μmであり、コア4の偏心量の差は最大で3.3μmであった。
そして、図7に示す装置を用い、後記に示す欠陥の検出方法に従って、6.5mのPOF1において層を特定せず、POF1の全体に含まれる欠陥の検出を行った。その結果を下記の表2に示す。表2の結果から、層を特定せずに欠陥の検出を行った場合、コア4(図3参照)の欠陥も検出できるものの、伝送損失に関係のないオーバークラッド6内の異物が過剰に検出されることがわかる。
さらに、図7に示す装置を用い、後記に示す欠陥の検出方法に従って、24mのPOF1においてコア4(図3参照)を特定して、POF1の全体に含まれる欠陥の検出を行った。その結果を下記の表3に示す。表3の結果から、コア4を特定して欠陥の検出を行った場合、伝送損失に関係のないオーバークラッド6内の欠陥の過剰な検出が抑制され、コア4内の欠陥が効率よく検出できた。
まず、図7に示す装置において、撮像ユニットA,B,Cを用いて、POF1について周方向に120°ずつ向きを変えた、3方向からの異なる画像データを得る。
得られた画像データそれぞれに対し、図13および下記に示す処理フロー(I)のとおり、検出候補物の重心座標を取得する。なお、処理フロー(I)において、「5.2値化抽出」は、閾値を10とし、8bit画像データ256諧調の内、正常部に対し10諧調差がある箇所を検出候補物として抽出している。
つぎに、得られた検出候補物を、図14および後記に示す処理フロー(II)に従って処理することにより、POF1の欠点(欠陥)を検出することができる。
1.撮像ユニットA,B,Cを用いて異なる画像データを取得し、メモリに格納する。
2.画像データに対しエッジ検出処理を行い、画像内のPOF1の座標を取得する。
3.取得したPOF1の座標と設定値とを用い、POF1部分の画像を切出す。
4.切出されたPOF1の画像を予め登録している良品画像に照らして差分を異常部として特定する。
5.異常部の画像を設定された閾値に照らして2値化処理を行う。
6.異常部の2値化画像に対してブロブ処理解析を行い、異常部の重心座標を取得し、検出候補物として抽出する。
1.処理フロー(I)により抽出された検出候補物の座標データのうち、POF1の流れ方向座標の若い順に、各撮像ユニットの検出候補物の座標データを準備する。
2.準備された座標データにおいて、互いのPOF1の流れ方向座標の差異が設定閾値以下のものを抽出する。
3.抽出された検出候補物の2つの流れ方向座標を使用し、2視野からそれぞれ光線追跡を行いPOF1断面における交点の座標を求める。
4.上記交点とコア4の中心座標との間の距離を計算して求める。
5.上記距離が設定閾値以下であるか否かを評価する。
6.上記閾値以下のものを欠点として検出する。
2 第1の光照射手段
2' 第2の光照射手段
3 第1の撮像手段
3' 第2の撮像手段
Claims (14)
- プラスチック光ファイバのコア径を計測する方法であって、
上記プラスチック光ファイバの一方の側面に向って光を照射する光照射手段と、上記プラスチック光ファイバの、光が照射される側面の反対側の側面を撮像する撮像手段とを設け、上記光照射手段によりプラスチック光ファイバの側面に光を照射し、上記撮像手段によって上記プラスチック光ファイバの反対側の側面を撮像し画像データを得る撮像工程と、
上記撮像手段により得られたプラスチック光ファイバの画像データを処理するデータ処理工程とを備え、
上記撮像工程において、上記光照射手段の発光幅をWとし、光照射手段の発光位置と上記プラスチック光ファイバの側面との最短距離をDとして、上記発光幅Wに対する最短距離Dの比(D/W)が0.9~1.3となるように上記光照射手段とプラスチック光ファイバを配置し、
上記データ処理工程において、上記プラスチック光ファイバの画像データからプラスチック光ファイバの側面における光強度分布を取得し、上記光強度分布に基づき上記プラスチック光ファイバのコア径を算出することを特徴とするプラスチック光ファイバのコア径計測方法。 - 上記撮像工程において、上記プラスチック光ファイバに対する光照射と撮像を、少なくとも2方向から行い、上記プラスチック光ファイバの、方向の異なる少なくとも2つの側面の画像データを得るとともに、上記データ処理工程において、上記少なくとも2つの画像データから取得される光強度分布に基づき上記プラスチック光ファイバのコア径を算出する請求項1記載のプラスチック光ファイバのコア径計測方法。
- 上記データ処理工程において、上記プラスチック光ファイバの画像データから取得したプラスチック光ファイバの径方向における光強度分布に基づいて、上記プラスチック光ファイバのコア径とともにクラッド径を算出する請求項1または2記載のプラスチック光ファイバのコア径計測方法。
- 上記データ処理工程において、算出された上記プラスチック光ファイバのコア径とクラッド径に基づき上記プラスチック光ファイバの偏心量を算出する請求項3記載のプラスチック光ファイバのコア径計測方法。
- コアとクラッドとを有するプラスチック光ファイバのコア径を計測する装置であって、 上記プラスチック光ファイバの一方の側面に向って光を照射する光照射手段と、上記プラスチック光ファイバに対して上記光照射手段と反対側に設けられ、上記プラスチック光ファイバの、光が照射される側面の反対側の側面を撮像する撮像手段と、上記撮像手段によって得られたプラスチック光ファイバの画像データを処理するデータ処理手段とを備え、
上記光照射手段の発光幅をWとし、上記光照射手段の発光位置と上記プラスチック光ファイバの側面との最短距離をDとして、上記発光幅Wに対する最短距離Dの比(D/W)が0.9~1.3となるように上記光照射手段が配置されており、
上記データ処理手段が、上記プラスチック光ファイバの画像データからプラスチック光ファイバの径方向における光強度分布を取得し、上記光強度分布に基づき上記プラスチック光ファイバのコア径を算出するよう設定されていることを特徴とするプラスチック光ファイバのコア径計測装置。 - 上記光照射手段による光照射と撮像手段による撮像が、上記プラスチック光ファイバに対し少なくとも2方向から行われ、上記プラスチック光ファイバの、方向の異なる少なくとも2つの側面の画像データが得られるようになっており、上記データ処理手段が、上記少なくとも2つの画像データから取得される光強度分布に基づき上記プラスチック光ファイバのコア径を算出するよう設定されている請求項5記載のプラスチック光ファイバのコア径計測装置。
- 上記プラスチック光ファイバを介して対峙する光照射手段と撮像手段からなる撮像ユニットが、少なくとも2セット、プラスチック光ファイバに対し方向が異なる配置で設けられている請求項6記載のプラスチック光ファイバのコア径計測装置。
- 上記プラスチック光ファイバを介して対峙する光照射手段と撮像手段からなる撮像ユニットが単一で設けられており、上記プラスチック光ファイバと、上記撮像ユニットとの相対的な配置が変更可能になっている請求項6記載のプラスチック光ファイバのコア径計測装置。
- 上記データ処理手段が、上記プラスチック光ファイバの画像データから取得したプラスチック光ファイバの径方向における光強度分布に基づいて、上記プラスチック光ファイバのコア径とともにクラッド径を算出するよう設定されている請求項5~8のいずれか一項に記載のプラスチック光ファイバのコア径計測装置。
- 上記データ処理手段が、算出された上記プラスチック光ファイバのコア径とクラッド径に基づき上記プラスチック光ファイバの偏心量を算出するよう設定されている請求項9記載のプラスチック光ファイバのコア径計測装置。
- プラスチック光ファイバの欠陥を検出する方法であって、
上記プラスチック光ファイバの一方の側面に向って光を照射する光照射手段と、上記プラスチック光ファイバの、光が照射される側面の反対側の側面を撮像する上記光照射手段に対応する撮像手段とを設け、上記光照射手段がいずれもプラスチック光ファイバの側面に光を照射し、上記光照射手段に対応する撮像手段によって上記プラスチック光ファイバの反対側の側面を撮像し画像データを得る撮像工程と、
上記撮像手段により得られた画像データを処理するデータ処理工程とを備え、
上記撮像工程において、上記光照射手段の発光幅をWとし、光照射手段の発光位置と上記プラスチック光ファイバの側面との最短距離をDとして、上記発光幅Wに対する最短距離Dの比(D/W)がいずれも0.9~1.3となるように上記光照射手段とプラスチック光ファイバを配置し、
上記撮像工程において、上記プラスチック光ファイバに対する光照射と撮像を、少なくとも2方向から行い、上記プラスチック光ファイバの、方向の異なる少なくとも2つの側面の画像データを得るとともに、上記データ処理工程において、上記少なくとも2つの画像データからプラスチック光ファイバの側面における少なくとも2つの光強度分布を取得し、上記少なくとも2つの光強度分布に基づき上記プラスチック光ファイバの欠陥を検出することを特徴とするプラスチック光ファイバの欠陥検出方法。 - プラスチック光ファイバの欠陥を検出する装置であって、
上記プラスチック光ファイバの一方の側面に向って光を照射する光照射手段と、上記プラスチック光ファイバの、光が照射される側面の反対側の側面を撮像する上記光照射手段に対応する撮像手段とを設け、上記光照射手段がいずれもプラスチック光ファイバの側面に光を照射し、上記光照射手段に対応する撮像手段によって上記プラスチック光ファイバの反対側の側面を撮像し画像データを得る撮像手段と、
上記撮像手段により得られた画像データを処理するデータ処理手段とを備え、
上記光照射手段の発光幅をWとし、光照射手段の発光位置と上記プラスチック光ファイバの側面との最短距離をDとして、上記発光幅Wに対する最短距離Dの比(D/W)がいずれも0.9~1.3となるように上記光照射手段が配置されており、
上記撮像手段において、上記プラスチック光ファイバに対する光照射と撮像が、少なくとも2方向から行われ、上記プラスチック光ファイバの、方向の異なる少なくとも2つの側面の画像データが得られるようになっており、
上記データ処理手段が、上記少なくとも2つの画像データから取得される光強度分布に基づき上記プラスチック光ファイバの欠陥を検出するよう設定されていることを特徴とするプラスチック光ファイバの欠陥検出装置。 - プラスチック光ファイバの欠陥を検出する方法であって、
上記プラスチック光ファイバの一方の側面に向って光を照射する少なくとも3つの光照射手段と、上記プラスチック光ファイバの、光が照射される側面の反対側の側面を撮像する上記光照射手段に対応する撮像手段とを設け、上記光照射手段がいずれもプラスチック光ファイバの側面に光を照射し、上記光照射手段に対応する撮像手段によって上記プラスチック光ファイバの反対側の側面を撮像し少なくとも3つの画像データを得る撮像工程と、
上記撮像手段により得られた少なくとも3つの画像データを処理するデータ処理工程とを備え、
上記撮像工程において、上記光照射手段の発光幅をWとし、光照射手段の発光位置と上記プラスチック光ファイバの側面との最短距離をDとして、上記発光幅Wに対する最短距離Dの比(D/W)がいずれも0.9~1.3となるように上記光照射手段とプラスチック光ファイバを配置し、
上記データ処理工程において、上記少なくとも3つの画像データからプラスチック光ファイバの側面における少なくとも3つの光強度分布を取得し、上記少なくとも3つの光強度分布に基づき上記プラスチック光ファイバの欠陥を検出することを特徴とするプラスチック光ファイバの欠陥検出方法。 - プラスチック光ファイバの欠陥を検出する装置であって、
上記プラスチック光ファイバの一方の側面に向って光を照射する少なくとも3つの光照射手段と、上記プラスチック光ファイバの、光が照射される側面の反対側の側面を撮像する上記光照射手段に対応する撮像手段とを設け、上記光照射手段がいずれもプラスチック光ファイバの側面に光を照射し、上記光照射手段に対応する撮像手段によって上記プラスチック光ファイバの反対側の側面を撮像し少なくとも3つの画像データを得る撮像手段と、
上記撮像手段により得られた少なくとも3つの画像データを処理するデータ処理手段とを備え、
上記光照射手段の発光幅をWとし、光照射手段の発光位置と上記プラスチック光ファイバの側面との最短距離をDとして、上記発光幅Wに対する最短距離Dの比(D/W)がいずれも0.9~1.3となるように上記光照射手段が配置されており、
上記データ処理手段が、上記少なくとも3つの画像データからプラスチック光ファイバの側面における少なくとも3つの光強度分布を取得し、上記少なくとも3つの光強度分布に基づき上記プラスチック光ファイバの欠陥を検出するよう設定されていることを特徴とするプラスチック光ファイバの欠陥検出装置。
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