JP7492037B2 - 光メモリ、光回折素子、及び、記録方法 - Google Patents
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Description
<光メモリの構成>
本発明の第1の実施形態に係る光メモリ10について、図1及び図2を参照して説明する。図1は、光メモリ10の一部を拡大した斜視図である。図2は、光メモリ10の一部を拡大した断面図であって、図1に図示したA-A線に沿った断面の断面図である。図1に示すように、光メモリ10は、支持体11と、複数のナノ粒子12とを備えている。
図1に示すように、支持体11は、2次元的に延在している層状部材である。図1においては、支持体11の一対の主面である主面111,112がxy平面と平行になるように、すなわち、主面111,112の法線方向がz軸方向と平行になるように、直交座標系を定めている。主面111は、特定の面の一例であり、主面111の面内方向は、特定の面内方向の一例である。また、z軸方向と平行な方向は、特定の面の法線方向の一例である。以下においては、特定の面の法線方向のことを厚み方向と称する。なお、支持体11の厚みは、限定されるものではなく、適宜定めることができる。
複数のナノ粒子12の各々は、光メモリ10において材料を不揮発的に記録する記録材料として機能する。各ナノ粒子12は、光の照射により結晶相と非晶質相との間で相変化する相変化材料により構成されている。本実施形態においては、各ナノ粒子12を構成する材料として、Ge2Sb2Te5を用いている。Ge2Sb2Te5は、カルコゲナイドガラスとも呼ばれるGe-Sb-Te系の化合物の一例である。以下において、Ge-Sb-Te系の化合物のことを単にGSTと記載し、Ge2Sb2Te5のことをGST225と記載する。GST225は、透光性を有する。
光メモリ10の一変形例である光メモリ10Aについて、図3を参照して説明する。図3は、光メモリ10Aの一部を拡大した断面図である。図3は、図2に示した光メモリ10のA-A断面図に対応する断面図である。なお、光メモリ10Aにおける支持体11A、主面11A1,11A2、及びナノ粒子12Aの各々は、それぞれ、光メモリ10における支持体11、主面111,112、及びナノ粒子12に対応する。
図1及び図2に示した光メモリ10、及び、図3に示した光メモリ10Aは、スパッタリングや真空蒸着などに代表される成膜技術と、フォトリソグラフィ及び電子線リソグラフィに代表される微細加工技術と、を組み合わせることによって製造することができる。また、FIB(Focused Ion Beam)などによる選択的エッチングや選択的デポジションができる各種手法や、原子1層分ずつを選択的に付加成膜できるALD(Atomic Layer Deposition)と呼ばれる技術なども好適に利用することができる。
<光回折素子の構成>
本発明の第2の実施形態に係る光回折素子1ついて、図4~図6を参照して説明する。図4は、光回折素子1の斜視図である。図5は、光回折素子1の一部(9セル分)を拡大した斜視図である。図6は、光回折素子1の一部(9セル分)を拡大した平面図であって、光回折素子1を、支持体11の主面(図1に示した主面111,112)の法線と精巧な方向(z軸方向)から平面視した場合に得られる平面図である。なお、図5及び図6においては、光回折素子1を構成する基板Sの図示を省略している。
各マイクロセルAは、セルの一例であり、透光性を有する樹脂製である。光回折素子1に信号光が入射すると、各マイクロセルAを透過した信号光が相互に干渉することによって、予め定められた光演算が行われる。光回折素子1から出力される信号光の強度分布は、その光信号の結果を表す。
ベースBは、各マイクロセルAと同じ樹脂により構成されている。ベースBの厚さは、例えば100μmであるが、これに限定されない。なお、図4においては、光回折素子1の構成を分かりやすくするために、光回折素子1においてベースBと各マイクロセルAとを分解して図示しているに過ぎない。ベースBと各マイクロセルAとは、同じ樹脂により一体化された光回折素子1として製造されるものである。したがって、図5においては、ベースBと各マイクロセルAとの間の境界を、隣接するマイクロセルA同士の境界と同様に、仮想線(2点鎖線)で図示している。
図4に示した光メモリ10は、第1の実施形態にて図1,2を参照して説明した光メモリ10と同一に構成されている。したがって、本実施形態では、光メモリ10と、光メモリ10を構成する各部材とについては、同じ符号を付記し、その説明を省略する。本実施形態において、光メモリ10は、後述する基板Sと、光回折素子1のベースBとの間に介在している。
基板Sは、透光性を有する材料により構成された板状部材である。本実施形態においては、透光性を有する材料として石英ガラスを用いている。ただし、透光性を有する材料は、石英ガラスに限定されず、適宜選択することができる。光メモリ10、ベースB、及び複数のマイクロセルAは、この順番で、基板Sの一方の主面の上に積層されている。なお、光回折素子1は、透過型の構成を採用している。ただし、本発明の一態様に係る光回折素子は、透過型に限定されず、反射型であってもよい。反射型の光回折素子においては、透光性を有する材料により構成された基板Sの代わりに、主面が鏡面からなる基板を用いることができる。また、基板Sの一対の主面のうち、光メモリ10が形成されていない側の主面に、主面が鏡面からなる基板を重ねる構成を採用してもよい。
光回折素子1においては、図1及び図2に示した光メモリ10の代わりに、図3に示した光メモリ10Aを用いることもできる。光メモリ10の代わりに光メモリ10Aを用いることによって、光回折素子1が変換したあとの空間強度分布をマルチレベルで記録することができる。
本実施形態においては、図4及び図5に示すように、1つの光回折素子1が光メモリ10を備えているものとして説明した。ただし、図7を参照して後述するように、光回折素子1と同様に構成された複数段の光回折素子(例えば光回折素子221~225)が積層されており、光メモリ10(図7においては光メモリ10B)は、最後段の光回折素子(例えば光回折素子225)の更に後段に配置されていてもよい。空間強度分布を有する信号光に対して光回折素子221~225の各々が順番に作用することによって、複数段の光回折素子は、光演算装置として機能する。この場合に、光メモリ10は、光回折素子225の後段に設けられているので、光回折素子221~225による光演算結果を記録することができる。なお、これら複数段の光回折素子は、図7に示すように透過型であってもよいし、反射型であってもよい。
<記録システムの構成>
本発明の第3の実施形態に係る記録システム20について、図7~図10を参照して説明する。図7は、記録システム20の斜視図である。図8は、記録システム20が実行する記録方法M10のフローチャートである。図9は、記録方法M10により記録された情報を例示する模式図である。図10は、記録システム20の一変形例である記録システム20Cを構成する光演算装置22~24及び光メモリ10Cの斜視図である。
ビームスプリッタ21は、入射面211及び出射面212を有するトンネル型ビームスプリッタである。なお、出射面212には、それぞれに撮影タイミングが異なる静止画像が結像される第1の領域2121、第2の領域2122、第3の領域2123、及び第4の領域2124が設けられている。
光演算装置22~25の各々は、同一に構成されている。したがって、ここでは、光演算装置22を用いて説明する。
光メモリ10Bは、図1及び図2に示した光メモリ10と同様に構成された光メモリである。光メモリ10Bは、受光面が第1~第4の領域R1~R4に分割されている。
記録システム20が実施する記録方法M10は、図8に示すように、第1の工程S11と、第2の工程S12とを含んでいる。
記録システム20は、図7に図示されていないものの、光メモリ10Bに記録された情報を読み出すために、読み出し用の光を出射する光源と、読み出し用の光を光メモリ10Bの全面に照射するように構成された光学系と、光メモリ10Bを透過したあとの光を検出する光検出部と、を備えている。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
A マイクロセル
B ベース
S 基板
10,10A,10B 光メモリ
R1~R4 第1~第4の領域
11,11A 支持体
111,11A1 主面(特定の面)
112,11A2 主面
12,12A ナノ粒子
121~125 第1~第5のナノ粒子
20 記録システム
Claims (3)
- 厚み又は屈折率が互いに独立に設定された複数のセルと、前記複数のセルに積層された光メモリと、を備えている光回折素子であって、
前記光メモリは、支持体と、光の照射により結晶相と非晶質相との間で相変化する相変化材料により構成された複数のナノ粒子であって、前記支持体により支持されている複数のナノ粒子と、を備え、
各ナノ粒子は、特定の面の面内方向および前記特定の面の法線方向の少なくとも何れかにおいて互いに離間しており、
前記特定の面に各セルの底面を投影することにより得られる領域の各々を前記光メモリの区画として、各区画には、前記複数のナノ粒子の一部である1又は複数のナノ粒子が配置されている、
ことを特徴とする光回折素子。 - 光の照射により結晶相と非晶質相との間で相変化する相変化材料により構成された複数のナノ粒子であって、特定の面内方向において互いに離間している複数のナノ粒子を備えている光メモリを用いた記録方法であって、
空間強度分布が特定の情報を表す複数の信号光であって、各々が時間差を有する複数の信号光が光メモリに入射する第1の工程と、
各信号光を書き込み用の光として、各信号光を光メモリに記録する第2の工程と、を含んでいる、
ことを特徴とする記録方法。 - 前記第2の工程において、前記各信号光を前記光メモリの異なる領域に記録する、
ことを特徴とする請求項2に記録方法。
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