JP7487601B2 - 接合体の製造方法 - Google Patents
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Landscapes
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
Description
2 高熱伝導性基板
2a 凹部
2b 接合面
3 ガラス基板
4 封着層
5 素子
6 封着材料
A1 接合面に接触する封着層の面積
A2 接合面の面積
L レーザ光
P1 第一加熱工程におけるレーザ光の第一出力
P2 第二加熱工程におけるレーザ光の第二出力
W1 封着層の幅
W 接合面の幅
Claims (9)
- 高熱伝導性基板と、ガラス基板と、前記高熱伝導性基板と前記ガラス基板とを接合する封着層と、を備える接合体を製造する方法であって、
前記高熱伝導性基板と前記ガラス基板との間に、ガラスを含む封着材料を介在させる準備工程と、前記封着材料にレーザ光を照射することにより前記封着層を形成する接合工程と、を備え、
前記接合工程は、前記レーザ光の照射により前記封着材料の軟化点未満の温度で前記封着材料を予備加熱する第一加熱工程と、前記第一加熱工程後に、前記レーザ光の照射により前記封着材料の軟化点以上の温度で前記封着材料を加熱する第二加熱工程と、を備えることを特徴とする接合体の製造方法。 - 高熱伝導性基板と、ガラス基板と、前記高熱伝導性基板と前記ガラス基板とを接合する封着層と、を備える接合体を製造する方法であって、
前記高熱伝導性基板と前記ガラス基板との間に、ガラスを含む封着材料を介在させる準備工程と、前記封着材料にレーザ光を照射することにより前記封着層を形成する接合工程と、を備え、
前記接合工程は、前記レーザ光の照射により前記封着材料が軟化流動しない温度で前記封着材料を予備加熱する第一加熱工程と、前記第一加熱工程後に、前記レーザ光の照射により前記封着材料が軟化流動する温度で前記封着材料を加熱する第二加熱工程と、を備えることを特徴とする接合体の製造方法。 - 高熱伝導性基板と、ガラス基板と、前記高熱伝導性基板と前記ガラス基板とを接合する封着層と、を備える接合体を製造する方法であって、
前記高熱伝導性基板と前記ガラス基板との間に、ガラスを含む封着材料を介在させる準備工程と、前記封着材料にレーザ光を照射することにより前記封着層を形成する接合工程と、を備え、
前記接合工程は、前記レーザ光の照射により前記封着材料を予備加熱する第一加熱工程と、前記第一加熱工程後に、前記レーザ光の照射により前記封着材料を加熱する第二加熱工程と、を備え、
前記第一加熱工程における前記レーザ光の出力が、前記第二加熱工程における前記レーザ光の出力よりも小さいことを特徴とする接合体の製造方法。 - 前記準備工程では、前記封着材料は、閉曲線状に構成されており、
前記第一加熱工程では、前記レーザ光は、前記封着材料の周方向に沿って複数回周回するように走査される請求項1から3のいずれか一項に記載の接合体の製造方法。 - 前記第二加熱工程では、前記第一加熱工程における前記レーザ光の出力よりも大きな出力の前記レーザ光を前記封着材料に照射する請求項1から4のいずれか一項に記載の接合体の製造方法。
- 前記高熱伝導性基板は、シリコン基板である請求項1から5のいずれか一項に記載の接合体の製造方法。
- 前記レーザ光は、半導体レーザである請求項1から6のいずれか一項に記載の接合体の製造方法。
- 前記接合体は、前記高熱伝導性基板と前記ガラス基板との間に素子を備える請求項1から7のいずれか一項に記載の接合体の製造方法。
- 前記準備工程の前に、前記高熱伝導性基板の表面にシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を形成する工程を有し、前記高熱伝導性基板と前記封着層の間に、前記シリコン酸化膜または前記シリコン窒化膜を介在させることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の接合体の製造方法。
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