JP7480936B2 - Rfid及びセンサ用途のためのsawタグ用複合基板 - Google Patents
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Description
ステップb)によると、トランスデューサ構造610は、層堆積ステップとパターニングステップの組合せを使用して、圧電層600上に形成される。図2からわかるように、トランスデューサ構造610は、それぞれが複数の電極手段612及び614をそれぞれ含む2つの相互嵌合櫛形電極を含む。相互嵌合櫛形電極並びにそれらのそれぞれの電極手段612及び614は、導電性金属、例えばアルミニウム、又はアルミニウム合金、又はタングステンで形成される。
Claims (16)
- 弾性波伝搬基板(202、324、424、502、604、700)と、相互嵌合櫛形電極(216、218、316、318)を含む、前記弾性波伝搬基板(202、324、424、502、604、700)上に設けられた少なくとも1つのトランスデューサ構造(204、306、308、610)と、少なくとも1つの反射手段であって、弾性波の伝搬方向に、前記少なくとも1つのトランスデューサ構造(204、306、308、610)に対して距離を置いて配置された少なくとも1つの反射器(206、208、210、308、310、312、616、618、620)を含む、少なくとも1つの反射手段と、
を備える、表面弾性波タグデバイスにおいて、
前記弾性波伝搬基板(202、324、424、502、604、700)が、ベース基板(226、504、602、704)及び圧電層(224、506、600、702)を含む複合基板(202、324、424、502、604、700)であり、前記圧電層(224、506、600、702)がタンタル酸リチウムLiTaO3又はニオブ酸リチウムLiNbO3であり、
前記圧電層(224、506、600、702)、前記ベース基板、前記少なくとも1つのトランスデューサ構造、及び前記少なくとも1つの反射手段が、せん断波が、前記圧電層(224、506、600、702)内を前記伝搬方向に伝播する支配的な波となるように配置され、
前記圧電層(224、506、600、702)は、ニオブ酸リチウムLiNbO 3 又はタンタル酸リチウムLiTaO 3 であり、
前記圧電層(224、506、600、702)がニオブ酸リチウムLiNbO 3 であるとき、前記ベース基板(226、506、600、704)に対する前記圧電層(224、506、600、702)の結晶方位が標準規格IEEE 1949 Std-176に準拠して(YXI)/θであり、θが、180°を法として0°~100°の間に含まれる前記結晶方位の角度であり、
前記圧電層(224、506、600、702)がタンタル酸リチウムLiTaO 3 であるとき、前記ベース基板(226、504、602、704)に対する前記圧電層(224、506、600、702)の結晶方位が、標準規格IEEE 1949 Std-176に準拠して(YXI)/θであり、θが、180°を法として-30°~90°の間に含まれる前記結晶方位の角度である、ことを特徴とする、表面弾性波タグデバイス。 - 前記複合基板(202、324、424、502、604、700)の前記ベース基板(226、504、602、704)がシリコン、ダイヤモンド、サファイア、炭化ケイ素、溶融石英、又は石英結晶のうちの1つである、請求項1に記載の表面弾性波タグデバイス。
- 前記ベース基板(226、504、602、704)の少なくとも1つの領域(514、636)が変形可能であり、前記ベース基板の前記少なくとも1つの領域は、前記ベース基板の薄化領域である、請求項1又は2に記載の表面弾性波タグデバイス。
- 前記反射手段の前記少なくとも1つの反射器(206、208、210、308、310、312、616、618、620)が1つ又は複数の金属ストリップ(212、320、622)を含み、前記金属ストリップ(212、320、622)が互いに接続される、又は接地されている、請求項1~3のいずれか一項に記載の表面弾性波タグデバイス。
- 2つ以上の表面弾性波タグデバイス(302、304、402、404、624、638、718)を含み、前記2つ以上の表面弾性波タグデバイスのうちの少なくとも1つが、請求項1~4のいずれか一項に記載の表面弾性波タグデバイスである、物理量決定デバイス。
- 前記2つ以上の表面弾性波タグデバイス(302、304、402、404、624、638、718)の前記トランスデューサ構造(306、406、408、610)に接続された、1つのみのタグアンテナ(322、422)をさらに備える、請求項5に記載の物理量決定デバイス。
- 前記表面弾性波タグデバイス(302、304、402、404、624、638、718)のうちの1つが表面弾性波共振器(304、404)であり、前記表面弾性波タグデバイス(302、304、402、624、638、718)のうちの少なくとも1つが請求項1~4のいずれか一項に記載の表面弾性波タグデバイスである、請求項5又は6に記載の物理量決定デバイス。
- 前記表面弾性波共振器(404)が、前記表面弾性波タグデバイス(402、404)のうちの少なくとも1つに対して、それらが2つの異なる表面弾性波伝搬方向を有するように配置されている、請求項7に記載の物理量決定デバイス。
- 前記表面弾性波共振器(404)が、その表面弾性波伝搬方向が、前記圧電層(224)の結晶軸のうちの1つに平行であり、前記表面弾性波タグデバイス(402)のうちの少なくとも1つの前記表面弾性波伝搬方向と角度ψをなすように、前記表面弾性波タグデバイス(402)のうちの前記少なくとも1つに対して配置されている、請求項7又は8に記載の物理量決定デバイス。
- 前記表面弾性波共振器(304、404)が、前記圧電層(224、506、600、702)内を伝搬する前記支配的な波としてレイリー波を使用するように構成され、前記表面弾性波タグデバイス(302、304、402、624、638、718)の少なくとも1つが、前記圧電層(224、506、600、702)内を伝搬する前記支配的な波としてせん断波を使用するように構成されている、請求項7~9のいずれか一項に記載の物理量決定デバイス。
- 温度及び/又は圧力及び/又は力を測定するように構成され、並びに/或いは識別を可能にするように構成されている、請求項5~10のいずれか一項に記載の物理量決定デバイス。
- a)ベース基板上に圧電層を設けるステップと、
b)前記圧電層上にトランスデューサ構造を設けるステップと、
を含み、
前記表面弾性波タグデバイスにおいて、せん断波が、前記圧電層内を前記伝搬方向に伝播する支配的な波となるように、前記圧電層、前記ベース基板、前記トランスデューサ構造、及び前記少なくとも1つの反射手段が設けられる、
請求項1~4のいずれか一項に記載の表面弾性波タグデバイスの製造方法。 - 前記ベース基板を薄くするステップをさらに含む、請求項12に記載の表面弾性波タグデバイスの製造方法。
- 前記ベース基板を薄くする前記ステップが、前記圧電層が取り付けられている表面の反対側の表面の一部を薄くするステップを含む、請求項13に記載の表面弾性波タグデバイスの製造方法。
- 前記ベース基板を薄くする前記ステップが、エッチング、研削、又は化学機械研磨を含む、請求項13に記載の表面弾性波タグデバイスの製造方法。
- 前記ベース基板が、半導体オンインシュレータ(SOI)基板であり、前記半導体オンインシュレータ(SOI)基板の絶縁層が前記ベース基板を薄くする前記ステップに対するエッチストップとして機能する、請求項13~15のいずれか一項に記載の表面弾性波タグデバイスの製造方法。
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