JP7470334B2 - 熱電変換材料の製造方法 - Google Patents
熱電変換材料の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7470334B2 JP7470334B2 JP2022205368A JP2022205368A JP7470334B2 JP 7470334 B2 JP7470334 B2 JP 7470334B2 JP 2022205368 A JP2022205368 A JP 2022205368A JP 2022205368 A JP2022205368 A JP 2022205368A JP 7470334 B2 JP7470334 B2 JP 7470334B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solvent
- dispersion
- poly
- thermoelectric conversion
- conversion material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 73
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 105
- -1 poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 88
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical group OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 42
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 35
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 22
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 claims description 17
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 17
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical group [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 37
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 20
- 208000021343 peeling skin syndrome 5 Diseases 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002113 octoxynol Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000008054 sulfonate salts Chemical class 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Landscapes
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
まず本発明の実施形態の熱電変換材料1を製造するために用いる分散液3を構成するポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)5(以下、「PEDOT:PSS5」と言う)と、界面活性剤11と、第1溶媒13と、第1溶媒の沸点より高い沸点の第2溶媒15とを順に説明する。
PEDOT:PSS5として、PEDOT:PSS5に第1溶媒13として水(沸点100℃)を加えたPEDOT:PSS水分散液7(Orgacon社 ICP1050)を用いた。PEDOT:PSS水分散液7の構成は、重量比でPEDOT:PSS5:第1溶媒13(水)が 1.1 : 98.9である。
界面活性剤11として、陰イオン界面活性剤または非イオン性界面活性剤が好ましい。陰イオン性界面活性剤としてはスルホン酸塩または硫酸エステル塩が特に望ましい。非イオン性界面活性剤としてはポリオキシエチレンアルキルエーテル型が特に好ましい。具体的には、スルホン酸塩の陰イオン性界面活性剤である直鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、硫酸エステル塩の陰イオン性界面活性剤であるドデシル硫酸ナトリウム、またエーテル型の非イオン性界面活性剤であるTriton Xが挙げられる。また、界面活性剤11は電気的に絶縁体である。
第1溶媒13は、PEDOT:PSS5及び界面活性剤11を溶かす溶媒である。第1溶媒13の沸点は、第2溶媒15の沸点より低い。第1溶媒13は、例えば、水(沸点100℃)、メタノール(沸点64.7℃)、エタノール(沸点78.4℃)、イソプロパノール(沸点82.4℃)である。よって、第1溶媒の沸点は、60℃以上がよい。また、代表的な第1溶媒は水である。尚、PEDOT:PSS水分散液7は、PEDOT:PSS5を第1溶媒13の水のみで溶解させている。
第1溶媒13は、PEDOT:PSS5及び界面活性剤11を溶かす溶媒である。第2溶媒15の沸点は、第1溶媒13の沸点より高い。第2溶媒15は、例えば、エチレングリコール(沸点197℃)、ジメチルスルホオキシド(沸点189℃)である。第2溶媒の沸点は、250℃以下がよい。PEDOT:PSS5の熱劣化を発生させないためには、300℃以下がよいからである。
分散液3は、PEDOT:PSS5、界面活性剤11、第1溶媒13、及び第2溶媒15を有する。ここで、分散液3は、PEDOT:PSS水分散液7に追加液10を混合して作成した。追加液10は、界面活性剤11、第1溶媒13、及び第2溶媒15を混合させている。表1にその配合を示す。また、参考に従来の分散液103(第2溶媒15を含まない)の配合を示す。
次に、熱電変換材料1は、分散液3を、基材20の上に塗布し、第1溶媒13の沸点以上、第2溶媒15の沸点プラス50℃以下の温度で、第1溶媒13および第2溶媒15を揮発させて製造する。基材20、揮発温度について説明する。基材20の形状は、平板状の基板、円筒状、球状等の形状でよい。基材20の材質としては、ガラス、合成樹脂、紙、布が挙げられる。このうち合成樹脂としてはポリエチレンテレフタレート(以下、「PET」と言う)やポリエチレンナフタレートが良い。
揮発温度の下限は、第1溶媒13の沸点以上がよい。また、第1溶媒の沸点は、60℃以上がよい。第1溶媒13の沸点以上であれば、第1溶媒13は揮発される。また、第2溶媒15の沸点以下であっても、第2溶媒15は、量的に多い第1溶媒13の揮発に伴い揮発する。まず第1溶媒13が揮発を開始し、次に第1溶媒13と第2溶媒15が同時に揮発し、第1溶媒が揮発を完了すると第2溶媒15のみが揮発する。揮発温度の上限は、第2溶媒15の沸点プラス50℃以下がよい。第2溶媒15の沸点プラス50℃以上では、PEDOT:PSS5の熱劣化が大きくなるからである。
(分散液3の製造)
本実施例において分散液3は、PEDOT:PSS5、界面活性剤11、第1溶媒13、及び第2溶媒15を有する。発明者らは、分散液3を、PEDOT:PSS水分散液7に追加液10を混合して作成した。表2に示すように、界面活性剤11、第1溶媒13、及び第2溶媒15の割合を変えて追加液10(1)から(6)を作成した。界面活性剤11としてドデシル硫酸ナトリウム、第1溶媒13として水(沸点100℃)、第2溶媒としてエチレングリコール(沸点197℃)を用いた。追加液10(1)から(6)の割合は、第1溶媒13(水)を基準1として比率で示す。尚、追加液10 (1)から(4)の界面活性剤11の濃度0.5%、追加液10 (5),(6)の界面活性剤11の濃度20%である。また、表2に従来例の追加液110として、界面活性剤11としてドデシル硫酸ナトリウム、第1溶媒13として水を用いた水溶液の割合を示す。
熱電変換材料1は、分散液3を基材20に塗布する湿式プロセスにより成膜形成する。湿式プロセスとしてはスピンコート法、ディップコート法、スプレー法、ドロップキャスト法、印刷法、インクジェット法が挙げられる。成膜後、基材20を加熱して、膜中に含まれる第1溶媒13、第2溶媒15を揮発させて除去すると共に、PEDOT:PSS5の結晶化を促進する。加熱温度は第1溶媒13の沸点以上、第2溶媒15の沸点プラス50℃以下が好ましい。加熱処理を行う雰囲気としては空気中、あるいは窒素中が好ましい。
具体的には、チタン/金の積層膜からなる電極がパターニングされたソーダライムガラスの基材20上に、分散液3(1)~(6)、分散液103(1)、(2)を滴下し、回転数1500rpmでスピンコートし、その後、試料を200℃で5分間、空気中で熱処理することにより熱電変換材料1(1)~(6)、熱電変換材料101(1)、(2)を製造した。
熱電変換材料1(1)~(6)、熱電変換材料101(1)、(2)の室温におけるゼーベック係数S、および四探針法を用いて導電率σの評価を行った。次に、ゼーベック係数S、導電率σから熱電変換材料1の性能指標であるパワーファクターPを求めた。パワーファクターPは、以下の式1により求められる。
(数1)
第2溶媒15の比率を0.91、2.7、4.53、9.97とした分散液3(1)から(4)から作成した熱電変換材料1(1)から(4)は、界面活性剤11の比率は、2.2%である。そのパワーファクターPは、順に21.5、25.0、21.7、17.8となる。熱電変換材料101(2)を1とすると、向上比は、順に1.17、1.37、1.19.0.97となる。よって、第2溶媒15の比率には上限がある。
第2溶媒15の比率を0.91、2.7とした分散液3(5)から(6)から作成した熱電変換材料1(5)から(6)は、界面活性剤11の比率は、47.6%である。そのパワーファクターPは、17.5、12.3となる。熱電変換材料101(2)を1とすると、向上比は、0.96、0.67となる。よって、界面活性剤11の比率が多いと第2溶媒15の効果はない。
PEDOT:PSS水分散液7、PEDOT:PSS水分散液7に第2溶媒であるエチレングリコールを3%の割合で混合した分散液、分散液103(1)、及び分散液3(2)の基材20に対する濡れ性を、接触角を測定することにより評価した。基材20は、基板状のホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、PETを用いた。接触角測定の結果を図2に示す。PEDOT:PSS水分散液7、およびPEDOT:PSS水分散液7にエチレングリコールを混合した分散液では、PET基板において接触角が大きくなり、濡れ性が低いことが確認された。一方で、界面活性剤を含む分散液3(2)および分散液103(1)では、すべての基板に対し接触角が小さく、高い濡れ性を持つことが確認された。よって、分散液3(2)を用いれば熱電変換材料1を薄膜化することができる。
PEDOT:PSS水分散液7および分散液3(2)をPET基板上(2cm×2cm)にスピンコートを行い、成膜性の評価を行った。スピンコートの回転数は1500rpmとした。PEDOT:PSS水分散液7では、均一な薄膜は得られなかった。一方で分散液103(2)においては、基板全面に薄膜が形成された。以上から濡れ性の高い分散液3の成膜性はPEDOT:PSS水分散液7に比べ高いことを確認した。
フレキシブル性の評価として、図3に示す通りPET基材上に形成した熱電変換材料1を折り曲げ、電気抵抗の折り曲げ角度依存性を測定した。測定結果を図4に示す。抵抗値は折り曲げ角度0度での値を1として規格化した。図4より約180度までの折り曲げ範囲に対して、抵抗値の変化が±2%以内に収まることがわかる。よって、本発明の熱電変換材料1は高いフレキシブル性を持つこと確認した。
本発明の製造方法により得られる高分子の薄膜である熱電変換材料1は、熱電変換素子に利用することができる。熱電変換材料1を用いた熱電変換素子の製造プロセスとして、2つ挙げられる。まず製造プロセス1として、電極をパターニングした基材上に熱電変換材料1をパターニング形成する手法が挙げられる。製造プロセス2としては、基材上に熱電変換材料1をパターニング形成した後、パターニングした電極を形成する方法が挙げられる。電極材料としては、金、銀、銅、チタン、アルミニウム、ニッケル、炭素を含む単層または積層した膜が挙げられる。電極のパターニング手法としては、パターンが加工された金属マスクを用いたパターニング、フォトリソグラフィー、印刷法、インクジェット法が挙げられる。熱電変換材料1のパターニング手法としては、印刷法、インクジェット法が挙げられ、また、自己組織化単分子膜を用いた分子テンプレートパターニングを施した基材上へのスピンコート、ディップコート、スプレー、ドロップキャストを行うことによっても可能である。
熱電変換材料1を用いた熱電変換素子を利用したスタンドアロン発信機50について説明する。図5に構造を示す。スタンドアロン発信機50は、熱電変換材料1を用いた熱電変換素子である発電素子51、バッテリー53、およびセンサ発信部55からなる。発電素子51はスタンドアロン発信機50を設置した箇所での温度差を利用し発電し、バッテリー53は複数の発電素子51で発電した電力を蓄える働きをする。センサ発信部55はセンサ素子と発信機からなり、センサ素子で得た電気的な情報を電磁波として発信機から送信する。センサとしては、例えば、生体センサ、温度センサ、光センサ、ガスセンサ、圧力センサ、加速度センサが挙げられる。
3 分散液
5 ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)
又はPEDOT:PSS
7 PEDOT:PSS水溶液(PEDOT:PSS:第1溶媒(水)= 1.1 : 98.9)
10 追加液
11 界面活性剤
13 第1溶媒
15 第2溶媒
20 基材
50 スタンドアロン発信機
51 熱電変換素子
53 バッテリー
55 センサ発信部
P パワーファクター(μW/mK2)
S ゼーベック係数(μV/K)
σ 導電率(S/cm)
Claims (2)
- ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)と、界面活性剤と、第1溶媒と、前記第1溶媒の沸点より高い沸点の第2溶媒と、を有する分散液を、基材上に塗布し、前記第1溶媒の沸点以上、前記第2溶媒の沸点プラス50℃以下の温度で、前記第1溶媒および前記第2溶媒を揮発させ、前記第1溶媒および前記第2溶媒を含有しない熱電変換材料の、スピンコートによる製造方法であって、
前記第1溶媒の沸点および前記第2溶媒の沸点が、60℃以上250℃以下、前記界面活性剤が陰イオン界面活性剤であり、前記基材の材質はポリエチレンテレフタレートまたはホウケイ酸ガラスであり、前記陰イオン界面活性剤としてはドデシル硫酸ナトリウムであり、前記第1溶媒としては、水、前記第2溶媒としては、エチレングリコールであり、前記ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)を基準1としたとき、前記分散液における前記水の構成比は95で前記エチレングリコールの構成比は0.91~4.53であり、前記水および前記エチレングリコールを含有しない熱電変換材料における前記ドデシル硫酸ナトリウムの構成比が0.023であり、室温におけるパワーファクター(μW/mK2)が21.5以上25.0以下であり、
前記ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)は、前記ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)水分散液に含まれ、前記ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)水分散液と、前記ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)水分散液に前記エチレングリコールを3%の割合で混合した別の分散液の、それぞれ前記ポリエチレンテレフタレート基板および前記ホウケイ酸ガラス基板に対する濡れ性を比較したとき、前記ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)水分散液の濡れ性が、前記別の分散液の濡れ性よりそれぞれ高く、
前記分散液と、前記分散液において前記ドデシル硫酸ナトリウムの構成比が0.907であって前記エチレングリコールを含まないさらに別の分散液の、それぞれ前記ポリエチレンテレフタレート基板および前記ホウケイ酸ガラス基板に対する濡れ性を比較したとき、前記分散液の濡れ性が、前記さらに別の分散液よりそれぞれ高く、前記濡れ性が高いことは、前記ポリエチレンテレフタレート基板および前記ホウケイ酸ガラス基板に対する接触角が小さいことにより確認されることを特徴とする熱電変換材料の製造方法。 - 前記ポリエチレンテレフタレート基板および前記ホウケイ酸ガラス基板に対する前記分散液の接触角の、前記さらに別の分散液の前記ポリエチレンテレフタレート基板および前記ホウケイ酸ガラス基板に対する接触角への割合が0.73~0.46であることを特徴とする請求項1に記載の熱電変換材料の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022205368A JP7470334B2 (ja) | 2017-08-23 | 2022-12-22 | 熱電変換材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017159838A JP2019040930A (ja) | 2017-08-23 | 2017-08-23 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
JP2022205368A JP7470334B2 (ja) | 2017-08-23 | 2022-12-22 | 熱電変換材料の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017159838A Division JP2019040930A (ja) | 2017-08-23 | 2017-08-23 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023052032A JP2023052032A (ja) | 2023-04-11 |
JP7470334B2 true JP7470334B2 (ja) | 2024-04-18 |
Family
ID=65726787
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017159838A Pending JP2019040930A (ja) | 2017-08-23 | 2017-08-23 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
JP2022205368A Active JP7470334B2 (ja) | 2017-08-23 | 2022-12-22 | 熱電変換材料の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017159838A Pending JP2019040930A (ja) | 2017-08-23 | 2017-08-23 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP2019040930A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113214189B (zh) * | 2021-04-12 | 2023-01-24 | 南昌航空大学 | 一种共轭小分子热电材料及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012084821A (ja) | 2010-10-13 | 2012-04-26 | Nihon Sentan Kagaku Kk | 熱電変換材料ならびに熱電変化素子 |
WO2014034258A1 (ja) | 2012-08-30 | 2014-03-06 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 熱電材料および熱電モジュール |
JP2016001711A (ja) | 2014-06-12 | 2016-01-07 | 日本電信電話株式会社 | 熱電変換材料およびその製造方法 |
WO2016142850A1 (en) | 2015-03-09 | 2016-09-15 | Fondazione Istituto Italiano Di Tecnologia | A process for preparing free-standing films of conductive polymers |
JP2016181680A (ja) | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 国立大学法人 名古屋工業大学 | 熱電変換用高分子膜、その製造方法、及び熱電変換素子 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013116939A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-13 | Tosoh Corp | ポリチオフェン誘導体複合物及びその製造方法、並びにその用途 |
JP2013168463A (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 熱電変換材料およびその製造方法 |
CN106133848B (zh) * | 2014-04-04 | 2019-07-02 | 日本制铁株式会社 | 透明电极及有机电子器件 |
-
2017
- 2017-08-23 JP JP2017159838A patent/JP2019040930A/ja active Pending
-
2022
- 2022-12-22 JP JP2022205368A patent/JP7470334B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012084821A (ja) | 2010-10-13 | 2012-04-26 | Nihon Sentan Kagaku Kk | 熱電変換材料ならびに熱電変化素子 |
WO2014034258A1 (ja) | 2012-08-30 | 2014-03-06 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 熱電材料および熱電モジュール |
JP2016001711A (ja) | 2014-06-12 | 2016-01-07 | 日本電信電話株式会社 | 熱電変換材料およびその製造方法 |
WO2016142850A1 (en) | 2015-03-09 | 2016-09-15 | Fondazione Istituto Italiano Di Tecnologia | A process for preparing free-standing films of conductive polymers |
JP2016181680A (ja) | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 国立大学法人 名古屋工業大学 | 熱電変換用高分子膜、その製造方法、及び熱電変換素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019040930A (ja) | 2019-03-14 |
JP2023052032A (ja) | 2023-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106782769B (zh) | 低粗糙度低方阻的柔性透明导电复合薄膜及其制备方法 | |
Saxena et al. | Facile optimization of thermoelectric properties in PEDOT: PSS thin films through acido-base and redox dedoping using readily available salts | |
Ouyang et al. | Imaging the phase separation between PEDOT and polyelectrolytes during processing of highly conductive PEDOT: PSS films | |
Oh et al. | Effect of PEDOT nanofibril networks on the conductivity, flexibility, and coatability of PEDOT: PSS films | |
JP5967676B2 (ja) | 熱電材料の製造方法および熱電モジュールの製造方法 | |
Jiang et al. | Improved thermoelectric performance of PEDOT: PSS films prepared by polar-solvent vapor annealing method | |
JP7470334B2 (ja) | 熱電変換材料の製造方法 | |
Paulraj et al. | Enhanced power factor of PEDOT: PSS films post-treated using a combination of ethylene glycol and metal chlorides and temperature dependence of electronic transport (325–450 K) | |
Cha et al. | Air-stable transparent silver iodide–copper iodide heterojunction diode | |
Carr et al. | Analysis of the electrical and optical properties of PEDOT: PSS/PVA blends for low-cost and high-performance organic electronic and optoelectronic devices | |
WO2017200000A1 (ja) | 固体接合型光電変換素子、及びその製造方法 | |
CN104614413A (zh) | 一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法 | |
CN104877152B (zh) | 一种制备铜基纳米氧化锌‑聚偏氟乙烯复合材料的方法 | |
CN111788704A (zh) | 热电材料及其制备方法 | |
US10811558B2 (en) | Organic-inorganic hybrid material and method for silicon surface passivation | |
Alkahlout | A comparative study of spin coated transparent conducting thin films of gallium and aluminum doped ZnO nanoparticles | |
CN116600613A (zh) | 一种钙钛矿柔性显示器件制备方法及柔性显示器件 | |
Sarkhan et al. | Enhanced electrical properties of poly (3, 4-ethylenedioxythiophene: poly (4-styrenesulfonate) using graphene oxide | |
Yin et al. | Improved thermoelectric performance of flexible film based on polypyrrole/silver nanocomposites | |
Liu et al. | KCl Treatment of CdS Electron-Transporting Layer for Improved Performance of Sb2 (S, Se) 3 Solar Cells | |
JP2016001711A (ja) | 熱電変換材料およびその製造方法 | |
Vlad et al. | Vertical single nanowire devices based on conducting polymers | |
JP2016181680A (ja) | 熱電変換用高分子膜、その製造方法、及び熱電変換素子 | |
Hong et al. | Extremely low-cost, scalable oxide semiconductors employing poly (acrylic acid)-decorated carbon nanotubes for thin-film transistor applications | |
KR102106269B1 (ko) | 유기계 열전 소자를 포함한 발전 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240312 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240328 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7470334 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |