KR101310051B1 - 금속 나노선 및 전도성 고분자를 포함하는 투명 전도막의 제조방법 - Google Patents

금속 나노선 및 전도성 고분자를 포함하는 투명 전도막의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101310051B1
KR101310051B1 KR1020110117116A KR20110117116A KR101310051B1 KR 101310051 B1 KR101310051 B1 KR 101310051B1 KR 1020110117116 A KR1020110117116 A KR 1020110117116A KR 20110117116 A KR20110117116 A KR 20110117116A KR 101310051 B1 KR101310051 B1 KR 101310051B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
coating
conductive film
transparent conductive
metal
coating solution
Prior art date
Application number
KR1020110117116A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130051778A (ko
Inventor
오영제
왕병용
Original Assignee
한국과학기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술연구원 filed Critical 한국과학기술연구원
Priority to KR1020110117116A priority Critical patent/KR101310051B1/ko
Publication of KR20130051778A publication Critical patent/KR20130051778A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101310051B1 publication Critical patent/KR101310051B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

본 발명은 금속 나노선 및 전도성 고분자를 포함하는 투명 전도막의 제조방법에 관한 것으로서, 표면에 Au, Pt, Ti, Ni, Al, W 및 Co 중에서 선택되는 어느 하나가 코팅된 금속 나노선을 제조하는 단계, 전도성 고분자와 상기 금속 나노선을 용매에 분산시켜 코팅 용액을 제조하는 단계 및 상기 코팅 용액을 기판에 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명은 저온 공정에서도 투명 전도막 형성이 가능하며 장기간 안정적으로 우수한 물성을 갖는 투명 전도막의 제조가 가능하며, 금속 나노선의 표면에 간단한 용액 공정으로 귀금속을 코팅하고 이를 기판에 코팅하여 내열 및 내습성을 향상시킬 뿐만 아니라 바인더 첨가에 따른 저항 증가 문제도 해결할 수 있다. 또한, 기판 접착성 및 적용성이 우수하여 플렉시블 기판 및 다양한 기판에 사용할 수 있어 디스플레이 및 태양전지 소자 등 다양한 분야에 활용이 가능하며, 종래 ITO를 대체할 수 있는 저가의 우수한 투명전극으로 활용이 가능하다.

Description

금속 나노선 및 전도성 고분자를 포함하는 투명 전도막의 제조방법{Fabrication method of transparent conducting film comprising metal nanowire and comductimg polymer}
본 발명은 금속 나노선 및 전도성 고분자를 포함하는 투명 전도막의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전도성 고분자와 금속 나노선을 혼합하여 코팅하거나 이중층으로 코팅하고, 금속 나노선의 표면 산화 문제를 해결하여 장기간 사용에 의한 전기적 특성 저하 현상을 개선한 투명 전도막의 제조방법에 관한 것이다.
투명전극 재료(Transparent Conducting Material: TCM)는 380-780 ㎚ 파장의 가시광선 영역에서의 높은 광 투과도(~90% 이상) 및 낮은 비저항(~2×10-4 Ω㎝) 특성을 나타내야 하고, 이러한 높은 투광율과 낮은 비저항의 특성으로 인하여 디스플레이, 디지털 TV, 차세대 이동통신 및 Solar Cell, Touch panels, OLED 등의 투명전극으로 많이 사용되고 있다.
TCM의 재료로 사용되는 대표적인 물질로는 ITO(Indium tin oxide), AZO(Aluminum-doped zinc oxide) 및 FTO(Fluorine-doped tin oxide) 등의 산화물이 주로 사용되며, 최근에는 Au, Ag, Cu, Ni 등의 금속 박막이 연구되고 있다.
현재 가장 널리 이용되고 있는 ITO 재료는 높은 전기전도도와 우수한 화학적 안정성 및 높은 광투과율 등 우수한 전기, 광학적 특성을 가지고 있으나, ITO의 주원료(90-95%)인 인듐이 고가이면서 자원 또한 한정되어 있기 때문에 이를 대체할 새로운 투명전극 재료에 대한 개발이 크게 요구되고 있다.
특히, ITO 박막은 스퍼터링(Sputtering), 전자빔층착법(E-beam evaporation) 등과 같은 물리증착방법(Physical Vapor Deposition, PVD)에 의해 주로 형성되므로 400 ℃ 이상의 높은 제조 온도 또는 열처리 공정이 요구되므로 박막의 제조 단가가 높고, 유연성이 우수한 플라스틱 기판이나 필름 위에 제조가 어렵다는 단점이 있다. 또한, 고분자 필름에 증착된 ITO막은 유연성이 좋지 않으며, 플라즈마에 노출되는 경우 쉽게 열화되어 특성이 변한다는 것도 큰 문제점 중의 하나이다.
이외에도, 투명전극 소재로 유기물인 폴리아세틸렌, 폴리파라페닐렌, 폴리피롤, 폴리아닐린 등의 물질을 이용한 전도성 고분자를 이용하고자 하는 연구가 진행되고 있다. 그러나, 대부분의 전도성 고분자는 용해도가 낮고 제조공정이 까다로울 뿐만 아니라 에너지 밴드갭도 3 eV 이하로 반도체적인 성질을 나타내고 있으며 더욱이 400 ㎚ 이상의 가시광선 영역대의 빛을 흡수하기 때문에 근본적으로 색을 띄고 있으며, 또한 대기에서의 안정성도 떨어지는 단점이 있다. 그리고, 광 투과도를 높이기 위해 박막으로 코팅할 경우 면저항이 높아져서 실제 투명전극으로 응용하기에는 높은 값의 면저항이 문제가 된다.
그러나, 이러한 여러 단점에도 불구하고 고분자 투명전극은 매우 우수한 유연성과 용액공정이 가능하기 때문에 투명전극 재료로 활용성이 매우 높은 재료이며, 이러한 이유로 전도성 고분자의 문제점을 해결하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다.
대표적인 예로서, 나노스케일의 Au, Ag 등 전기적 특성이 우수한 금속 나노 구형 분말과 전도성고분자를 혼합하여 가시광선 영역에서의 빛의 산란을 최소화하고 전도성을 향상시키는 연구가 개발되고 있다. 대한민국 특허공개 제10-2010-0101523호에서는 스퍼터링법을 이용하여 ITO 물질 대체를 위해 사용된 TiON 막 위에 Au, Ag, Cu 금속층을 이용함으로써 투광도 77% 이상, 전기저항 30-380 Ω 이하인 투명전극 제조와, 대한민국 특허공개 제10-2010-0094894호에서는 전도성 고분자인 PEDOT와 탄소나노튜브 및 이온전도체를 혼합하여 복합체 막을 형성하였으며 투광도 70-92%, 면저항 50-1000OΩ/□ 이하인 투명전극을 제조에 대해서 공지되어 있다.
하지만, 상기 투명전극들의 경우에는 투광도 및 전기적인 특성 등이 그다지 우수하지 못하다. 또한, 앞에서 설명한 투명전도막의 여러 문제점들을 해결하기 위해 Au, Ag, Cu 등의 금속을 스퍼터링법으로 얇게 박막화함으로써 전기전도성이 우수한 전극 박막을 제조하는 방법이 연구되어 왔지만, Au의 경우 우수한 내부식성과 내구성을 갖는 장점에도 불구하고 비싼 가격으로 인해 널리 상용화되지는 못하고 있다.
또한, Ag, Cu 및 Ni의 경우 장기간 방치시 산소와의 반응으로 인해 전기전도도 및 투광성이 같이 저하된다는 문제점이 있으며 이들을 투명전도막 기판 전면에 금속분말 형태로 직접 코팅할 경우에는 가격 상승의 원인이 되어 적합하지 못하다. 이러한 문제들을 해결키 위해 다양한 방법들이 시도되고 있지만 산소와의 반응으로부터 쉽게 보호가 되지 않아 실용화되지 못하고 있다. 또한, 투광도를 유지하기 위하여 금속을 박막으로 얇게 코팅할 경우 금속 필름의 표면 강도가 약하기 때문에 마찰저항이 부족하게 될 뿐만 아니라 금속 기판과 투명 고분자 필름간의 접착력이 우수하지 못하기 때문에 전극 기판의 안정성이 떨어진다는 단점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제를 해결하기 위하여 금속 나노선과 전도성 고분자의 복합체로 투명 전도막을 제조하거나 또는 산화 방지용으로 금속 나노선의 표면에 Au 등의 귀금속을 피막 코팅하여 금속 나노선의 산화 문제를 해결하고, 또한 전도성 고분자 등을 혼합하여 투광도 대비 전도도 및 내구성을 향상시키고, 금속 나노선의 함량비를 낮추어 제조공정 비용을 절감할 수 있는 투명 전도막의 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 상기의 제조방법에 따라 제조된 투명 전도막을 포함하는 디스플레이 소자 또는 에너지 소자용 전극을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 과제를 달성하기 위하여,
(a) 표면에 Au, Pt, Ti, Ni, Al, W 및 Co 중에서 선택되는 어느 하나가 코팅된 금속 나노선을 제조하는 단계;
(b) 전도성 고분자와 상기 금속 나노선을 용매에 분산시켜 코팅 용액을 제조하는 단계; 및
(c) 상기 코팅 용액을 기판에 코팅하는 단계;를 포함하고,
상기 금속 나노선은 Ag, Cu 및 Ni 중에서 선택되는 어느 하나의 금속 나노선이고, 직경은 20-100 ㎚이며, 길이는 10-100 ㎛이고,
상기 전도성 고분자는 폴리에틸렌다이옥시티오펜, 폴리아세틸렌, 폴리아닐린, 폴리피롤 및 폴리티오펜 중에서 선택되는 어느 하나이며,
상기 용매는 증류수, 에틸알콜, 메틸알콜, 아세톤, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 톨루엔 및 N-메틸-2-피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상을 혼합한 용매이고,
상기 기판은 유리 기판, 실리콘 기판 및 플라스틱 기판 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조방법을 제공한다.
또한, (e) 표면에 Au, Pt, Ti, Ni, Al, W 및 Co 중에서 선택되는 어느 하나가 코팅된 금속 나노선을 제조하는 단계;
(f) 상기 금속 나노선을 용매에 분산시킨 제1 코팅 용액과 전도성 고분자를 용매에 분산시킨 제2 코팅 용액을 각각 제조하는 단계;
(g) 상기 제1 코팅 용액을 기판에 1차 코팅한 후, 제1 코팅층 위에 상기 제2 코팅 용액으로 2차 코팅하는 단계;를 포함하고,
상기 금속 나노선은 Ag, Cu 및 Ni 중에서 선택되는 어느 하나의 금속 나노선이고, 직경은 20-100 ㎚이며, 길이는 10-100 ㎛이고,
상기 전도성 고분자는 폴리에틸렌다이옥시티오펜, 폴리아세틸렌, 폴리아닐린, 폴리피롤 및 폴리티오펜 중에서 선택되는 어느 하나이며,
상기 용매는 증류수, 에틸알콜, 메틸알콜, 아세톤, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 톨루엔 및 N-메틸-2-피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상을 혼합한 용매이고,
상기 기판은 유리 기판, 실리콘 기판 및 플라스틱 기판 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, (b) 단계의 코팅 용액, 상기 제1 코팅 용액 및 제2 코팅 용액은 각각 독립적으로 SnO2, ZnO, IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Al-doped zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), AZTO (Al-doped zinc tin oxide), GZO(Ga-doped zinc oxide), ATO(antimony doped tin oxide), ZTO(zinc tin oxide) 및 ITO(Indium tin oxide) 중에서 선택되는 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 (b) 단계에서 상기 금속 나노선은 상기 코팅 용액 총중량 기준 0.01-20 중량%일 수 있고, 상기 (f) 단계의 상기 금속 나노선은 상기 제1 코팅 용액과 제2 코팅 용액의 총중량 기준 0.01-20 중량%일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 (a) 단계 및 (e) 단계는 Au, Pt, Ti, Ni, Al, W 및 Co 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 금속염 및 안정제를 증류수에 혼합한 후, 여기에 상기 금속 나노선을 첨가하여 70-90 ℃에서 교반하여 표면에 Au, Pt, Ti, Ni, Al, W 및 Co 중에서 선택되는 어느 하나의 금속이 코팅된 금속 나노선을 제조할 수 있으며,
상기 금속염은 Au, Pt, Ti, Ni, Al, W 및 Co 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 클로라이드, 아세테이트, 나이트레이트 또는 설페이트염일 수 있고, 상기 안정제는 소듐 클로라이드, 하이드라진, 소듐 보로하이드라이드, 소듐 하이드록사이드, 소듐 포스피네이트 모노하이드레이트, 암모늄 하이드록사이드, 포타슘 브로마이드 및 세틸트리메틸암모늄브로마이드 중에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 금속염은 상기 금속 나노선 100 중량부 기준 0.01-0.5 중량부일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 (b) 단계는 50-500 W에서 1-20 분 동안 초음파 분산시켜 코팅 용액을 제조할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 (c) 단계 및 (g) 단계 이후에 각각 독립적으로 열소성 장치 또는 광소성 장치를 이용하여 후처리하여 상기 투명전도막의 전기, 광학적 특성을 향상시키는 단계를 더 포함할 수 있으며, 코팅은 딥코팅, 스프레이코팅, 롤투롤코팅, 그라비아코팅, 스핀코팅 및 바코팅 방법 중에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 코팅할 수 있다.
본 발명은 상기의 제조방법에 따라 제조된 투명 전도막을 포함하는 디스플레이 소자 또는 에너지 소자용 전극을 제공한다.
본 발명은 저온 공정에서도 투명 전도막 형성이 가능하며 장기간 안정적으로 우수한 물성을 갖는 투명 전도막의 제조가 가능하며, 금속 나노선의 표면에 간단한 용액 공정으로 귀금속을 코팅하고 이를 기판에 코팅하여 내열 및 내습성을 향상시킬 뿐만 아니라 바인더 첨가에 따른 저항 증가 문제도 해결할 수 있다. 또한, 기판 접착성 및 적용성이 우수하여 플렉시블 기판 및 다양한 기판에 사용할 수 있어 디스플레이 및 태양전지 소자 등 다양한 분야에 활용이 가능하며, 종래 ITO를 대체할 수 있는 저가의 우수한 투명전극으로 활용이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따라 제작된 투명 전도막의 모식도와 이에 사용된 금속나노선의 SEM 이미지로서, 도 1a는 투명 전도막의 모식도이고, 도 1b는 Ag 나노선, 도 1c는 Cu 나노선, 도 1d는 Ni 나노선의 SEM 이미지이다.
도 2는 실시예 1에 의해서 제조한 Ag 나노선과 PEDOT를 혼합하여 코팅한 투명 전도막 사진과 이에 대한 투광율을 나타낸 그래프로서, 도 2a는 투명 전도막 사진이고, 도 2b는 투광율 그래프이며, 도 2c는 SEM 이미지이다.
도 3은 실시예 2에 의해서 제조한 Ag 나노선 투명 전도막의 투광율 그래프이다.
도 4는 실시예 3에 의해서 제조한 Cu 나노선 투명 전도막 사진과 투광율 그래프로서, 도 4a는 투명 전도막 사진이고, 도 4b는 투광율 그래프이다.
도 5는 실시예 5에 의해서 제조한 Ag 나노선 투명 전도막의 사진과 투광율 그래프로서, 도 5a는 투명 전도막 사진이고, 도 5b는 투광율 그래프이다.
도 6은 제조예 2에 의해서 제조한 Au가 코팅된 Ag 나노선 투명 전도막의 SEM 사진, 투광율 그래프 및 시간에 따른 면저항 변화 그래프로서, 도 6a는 Au 코팅막 사진이고, 도 6b는 투광율 그래프이며, 도 6c는 시간에 따른 면저항 변화를 나타낸 그래프이다.
도 7은 실시예 6에 의해서 제조한 AZO 복합 투명 전도막의 SEM 사진 및 투광율 그래프로서, 도 7a는 SEM 이미지이고, 도 7b는 투광율 그래프이다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명은 금속 나노선과 전도성 고분자 복합체가 코팅된 투명 전도막;과 금속 나노선 코팅층 상부에 전도성 고분자가 코팅된 이중막으로 이루어진 투명 전도막;의 제조방법에 관한 것이다. 상기 금속 나노선 표면에는 시간 경과에 따른 금속 나노선 표면의 열화에 의한 특성 저하를 방지시킬 목적으로 귀금속막이 얇게 피막 코팅되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 전도성 고분자 막만을 사용한 경우보다 전기적 특성이 현저히 우수하고, 종래 금속 나노선의 산화 문제를 귀금속 코팅막 및 전도성 고분자 이중막에 의해서 해결한 것을 특징으로 한다.
Au 등의 귀금속 코팅막을 갖는 금속 나노선과 전도성 고분자 복합체를 이용한 투명 전도막을 제조하기 위해서 금속나노선 100 중량부에 Au 전구체 0.01-0.5 중량부로 첨가하는 것이 바람직하며, 전도성 고분자 복합체의 경우 전도성 고분자 용액 100 중량부에 0.01-20 중량부의 금속 나노선을 혼합한다. 두 방법에 따라 혼합된 금속 나노선 용액을 스프레이 및 롤투롤, 바 코팅 등의 공정을 통하여 투광율 85% 이상, 면저항 10-100O Ω/□를 갖는 투명 전도막을 제조한다.
하기 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 투명 전도막의 모식도와 이에 사용된 금속나노선의 SEM 이미지이다.
본 발명은 먼저, 금속 나노선 분산액에 귀금속 전구체와 안정제를 첨가하여 교반함으로써 금속 나노선 표면에 귀금속을 균일하고 얇게 피막 코팅한 금속 나노선을 제조한 후, (1) 이를 전도성 고분자에 혼합하여 전도성 고분자 복합 재료의 전기 전도성을 크게 향상 시킬수 있는 투명 전도막을 형성하는 방법과, (2) 금속 나노선 분산 용액을 기판에 1차 코팅 후 전도성 고분자 분산 용액을 2차 코팅하여 산화 방지용 막을 형성한 투명 전도막 형성방법인 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 본 발명은 종래 ITO 박막의 제조 공정에 이용되는 스퍼터링(Sputtering), 전자빔층착법(E-beam evaporation) 등과 같은 물리증착방법(Physical Vapor Deposition, PVD)에 의한 고온 공정이 요구되지 않고, 저온 공정으로 제조가 가능하고, 고가이면서 자원이 한정되어 있는 인듐 소재를 대체할 수 있어 공정 제조 단가가 감소하고, 유연성이 높은 박막의 제조가 가능한 장점이 있다.
본 발명에 사용된 금속 나노선은 직경이 100 ㎚ 이하, 길이는 10-100 ㎛ 크기일 수 있다.
상기 금속 전구체 물질은 용해가 되는 용매라면 어떠한 종류도 가능하며, 특정 전구체에 제한을 두지 않고 사용할 수 있다.
상기 안정제는 하이드라진(N2H4H2O), 소듐 보로하이드라이드(H4BNa), 소듐 클로라이드(NaCl), 소듐 하이드록사이드(NaOH), 암모늄 클로라이드(NH4OH), 포타슘 브로마이드(KBr) 등을 단독 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다.
상기 금속 나노선 분산 용액 및 전도성 고분자 분산 용액은 증류수, 에틸알콜, 메틸알콜, 아세톤, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 톨루엔 및 N-메틸-2-피롤리돈 중에서 선택되는 단독 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다.
용매에 균일한 분산을 위하여 초음파 분산을 실시할 수 있고, 금속 나노선의 용량 및 전도성 고분자의 량에 따라서 50 내지 500 W인 초음파기에서 1 내지 20 분간 균일한 분산이 이루어지도록 할 수 있다.
상기 코팅방법은, 딥코팅, 스프레이코팅, 롤투롤 코팅, 그라비아코팅, 스핀코팅 및 바코팅 중 어느 하나에 의해 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 기판은 금속 나노선 및 전도성 고분자와의 우수한 반응성을 갖는 기판으로서, 유리 기판, 실리콘 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다.
또한, 본 발명에 따라 제조된 투명 전도막은 건조 과정을 거치며, 건조 후 열 또는 광을 이용하여 열처리 과정을 거칠 수 있으며, 전도성 고분자의 온도 변화에 따른 변형이 발생하지 않도록 온도를 천천히 변화시킴이 바람직하다.
이하, 바람직한 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이에 의하여 제한되지 않고, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
<실시예>
제조예 1. 금속 나노선의 제조
(1) Ag 나노선의 제조
에틸렌글리콜(EG, Ethylene Glycol) 200 ㎖에 분자량 900,000 내지 1,500,000 사이의 폴리비닐 피롤리돈(PVP K-90) 5-8 g을 구형의 플라스크에 넣고 오일 베스 내에서 천천히 교반 시킨 뒤 170 ℃의 온도로 가열하였다. 가열 후 환원제로 세틸트리메틸암모늄브로마이드(CTBA) 또는 포타슘브로마이드(KBr) 0.01-0.2 g을 첨가한 후 40 분 동안 교반시켜 반응을 진행하였다. 상기 용액에 Ag chloride 0.5-1 g을 첨가하여 반응시킨 후 다시 Ag nitrate를 1-3 g 첨가하여 반응시킨 후 Ag 나노선을 제조하였다.
(2) Cu 나노선의 제조
에틸렌글리콜(EG, Ethylene Glycol) 200 ㎖에 분자량 900,000 내지 1,500,000 사이의 폴리비닐 피롤리돈(PVP K-90) 0.1-3.0 g을 구형의 플라스크에 넣고 오일 베스 내에서 천천히 교반시킨 후 120 ℃의 온도로 가열하였다. 가열 후 환원제로 소듐하이드록사이드(NaOH), 세틸트리메틸암모늄브로마이드(CTBA) 및 포타슘브로마이드(KBr)를 첨가 후 30 분 동안 교반시켜 반응을 진행하였다. 상기 용액에 Cu chloride 0.1-0.5 g을 첨가하여 1 시간 동안 반응시킨 후 다시 Cu nitrate 0.5-2.0 g을 첨가시킨 후 2 시간 동안 반응시켜 고직선성의 Cu 나노선을 제조하였다.
(3) Ni 나노선의 제조
에틸렌글리콜(EG, Ethylene Glycol) 200 ㎖에 분자량 1,300,000 내지 2,000,000 사이의 폴리비닐 피롤리돈(PVP)을 구형의 플라스크에 넣고 오일 베스 내에서 천천히 교반시킨 후 160 ℃의 온도로 가열하였다. 가열 후 환원제로 소듐하이드록사이드(NaOH) 또는 하이드라진(N2H4H2O) 0.5-2.0 g을 첨가 후 40 분 동안 교반시켜 반응을 진행하였다. 상기 용액에 Ni nitrate 1-2 g 첨가시킨 후 반응시켜 Ni 나노선을 제조하였다.
제조예 2. Au막으로 코팅된 금속 나노선의 제조
상기 제조예 1에서 제조된 Ag, Cu, Ni 나노선에 귀금속을 코팅하기 위해 Au chloride 0.1 g을 증류수 50 ㎖에 혼합하고 환원제로 NaOH 3 g을 첨가하여 1 시간 동안 교반한 후 80 ℃에서 제조된 Ag, Cu, Ni 나노선을 첨가하여 1 시간 동안 반응시켜 표면에 Au 막을 피막 코팅하였다.
하기 도 6a는 제조예 2의 방법에 의해 제조된 Au가 피막 코팅된 Ag 나노선의 주사전자현미경 사진이고, 하기 도 6b는 Au가 코팅된 Ag 나노선 투명 전도막의 투과율 그래프이다.
실시예 1.
투명 전도막을 형성시키기 위한 물질인 Ag, Cu, Ni 나노선에 대해서 공기와 접촉시 산화되어 전기적인 특성 및 광학적인 특성을 저하시키는 문제점들을 해결하기 위해서 전도성 고분자와 물리적으로 혼합하여 투명 전도막을 제조하였다.
먼저, 전도성 고분자 분산 용액을 제조하기 위해 사용된 폴리에틸렌다이옥시티오펜(polyethylenedioxythiophene, PEDOT) 용액에 Ag 나노선을 1 중량부의 농도로 첨가하여 분산시켰다. 이때 원활한 분산을 위하여 초음파분산기(100 W)를 이용하여 5 분 동안 분산시켰다.
분산된 코팅용 용액을 PET(polyethylene terephthalate) 기판 위에 스프레이 및 롤투롤 코팅을 이용하여 투명 전도막을 형성하였으며 건조기를 이용하여 100 ℃ 온도에서 5 분간 열처리 후 천천히 온도를 떨어뜨렸다. 그 결과 투명한 Ag 나노선-PEDOT 복합막을 얻었으며, 상기 투명 전도막의 두께는 300 ㎚ 이하이었고, 투광도는 약 85% 이상, 면저항은 50 Ω/□ 이하로 기판과의 접착성이 향상된 균질한 투명 전도막을 얻었다.
하기 도 2는 Ag 나노선과 PEDOT를 혼합하여 코팅한 투명 전도막 표면 사진과 투광율을 나타낸 그래프이다.
실시예 2.
Ag 나노선의 함량을 10 중량부로 늘려 첨가한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 투명 전도막을 제조하였다.
하기 도 3은 상기 실시예 2의 방법에 의해 제조된 Ag 나노선 투명전도막의 투과율 그래프이다. 투명 전도막의 두께는 300 ㎚ 이하이며, 투광율은 64%, 면저항은 18 Ω/□ 이하이다. Ag 나노선의 함량이 늘어날수록 투광율은 감소되었지만 전기적인 특성은 향상됨을 확인할 수 있다.
실시예 3.
Cu 나노선을 1 중량부로 전도성 고분자 용액에 첨가한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 투명 전도막을 제조하였다.
하기 도 4는 상기 실시예 3의 방법에 의해 제조된 투명 전도막 사진과 투광율 그래프이다. 전도막의 두께는 300 ㎚ 이하였으며, 투광율은 84%, 면저항 50 Ω/□ 이하이다.
실시예 4.
Ni 나노선을 1 중량부로 전도성 고분자 용액에 첨가한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 투명 전도막을 제조하였다.
실시예 4의 방법에 의해 제조된 투명 전도막 두께는 300 ㎚ 이하였으며, 투광율은 82%, 면저항 64 Ω/□ 이하이다.
실시예 5.
Ag 나노선 2 g을 에탄올 100 ㎖에 분산시켜 PET 기판에 스프레이 및 롤투롤 코팅 방법으로 Ag 나노선을 이용한 투명 전도막을 형성시킨 후 상층에 산화를 방지하기 위해 PEDOT 용액을 상기 실시예 1의 방법과 동일한 방법으로 스프레이 및 롤투롤 코팅하였다.
제조된 투명 전도막 두께는 300 ㎚ 이하였으며, 투과율은 84%, 면저항 30 Ω/□ 이하이다.
하기 도 5는 실시예 5의 방법에 의해 제조된 투명 전도막의 사진 및 투과율 그래프이다.
실시예 6.
Ag, Cu, Ni 나노선을 AZO(Al-doped ZnO)가 녹아 있는 이온 용액에 첨가한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 투명 전도막을 제조하였다.
하기 도 7은 상기 실시예 6의 방법에 의해 제조된 투명 전도막의 SEM 이미지 및 투광도 그래프이다. 투명 전도막의 두께는 300 ㎚이하였으며, 투과율은 80% 이상, 면저항 150 Ω/□ 이하이다.

Claims (20)

  1. (a) 표면에 Au, Pt, Ti, Ni, Al, W 및 Co 중에서 선택되는 어느 하나가 코팅된 금속 나노선을 제조하는 단계;
    (b) 전도성 고분자와 상기 금속 나노선을 용매에 분산시켜 코팅 용액을 제조하는 단계; 및
    (c) 상기 코팅 용액을 기판에 코팅하는 단계;를 포함하고,
    상기 금속 나노선은 Ag, Cu 및 Ni 중에서 선택되는 어느 하나의 금속 나노선이고, 직경은 20-100 ㎚이며, 길이는 10-100 ㎛이고,
    상기 전도성 고분자는 폴리에틸렌다이옥시티오펜, 폴리아세틸렌, 폴리아닐린, 폴리피롤 및 폴리티오펜 중에서 선택되는 어느 하나이며,
    상기 용매는 증류수, 에틸알콜, 메틸알콜, 아세톤, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 톨루엔 및 N-메틸-2-피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상을 혼합한 용매이고,
    상기 기판은 유리 기판, 실리콘 기판 및 플라스틱 기판 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (b) 단계의 코팅 용액은 SnO2, ZnO, IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Al-doped zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), AZTO (Al-doped zinc tin oxide), GZO(Ga-doped zinc oxide), ATO(antimony doped tin oxide), ZTO(zinc tin oxide) 및 ITO(Indium tin oxide) 중에서 선택되는 1종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서 상기 금속 나노선은 상기 코팅 용액 총중량 기준 0.01-20 중량%인 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 (a) 단계는 Au, Pt, Ti, Ni, Al, W 및 Co 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 금속염 및 안정제를 증류수에 혼합한 후, 여기에 상기 금속 나노선을 첨가하여 70-90 ℃에서 교반하여 표면에 Au, Pt, Ti, Ni, Al, W 및 Co 중에서 선택되는 어느 하나의 금속이 코팅된 금속 나노선을 제조하는 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 금속염은 Au, Pt, Ti, Ni, Al, W 및 Co 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 클로라이드, 아세테이트, 나이트레이트 또는 설페이트염이고,
    상기 안정제는 소듐 클로라이드, 하이드라진, 소듐 보로하이드라이드, 소듐 하이드록사이드, 소듐 포스피네이트 모노하이드레이트, 암모늄 하이드록사이드, 포타슘 브로마이드 및 세틸트리메틸암모늄브로마이드 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 금속염은 상기 금속 나노선 100 중량부 기준 0.01-0.5 중량부인 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 (b) 단계는 50-500 W에서 1-20분 동안 초음파 분산시켜 코팅 용액을 제조하는 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    (d) 열소성 장치 또는 광소성 장치를 이용하여 후처리하여 상기 투명전도막의 전기, 광학적 특성을 향상시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 (c) 단계는 딥코팅, 스프레이코팅, 롤투롤코팅, 그라비아코팅, 스핀코팅 및 바코팅 방법 중에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 코팅하는 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조 방법.
  10. (e) 표면에 Au, Pt, Ti, Ni, Al, W 및 Co 중에서 선택되는 어느 하나가 코팅된 금속 나노선을 제조하는 단계;
    (f) 상기 금속 나노선을 용매에 분산시킨 제1 코팅 용액과 전도성 고분자를 용매에 분산시킨 제2 코팅 용액을 각각 제조하는 단계;
    (g) 상기 제1 코팅 용액을 기판에 1차 코팅한 후, 제1 코팅층 위에 상기 제2 코팅 용액으로 2차 코팅하는 단계;를 포함하고,
    상기 금속 나노선은 Ag, Cu 및 Ni 중에서 선택되는 어느 하나의 금속 나노선이고, 직경은 20-100 ㎚이며, 길이는 10-100 ㎛이고,
    상기 전도성 고분자는 폴리에틸렌다이옥시티오펜, 폴리아세틸렌, 폴리아닐린, 폴리피롤 및 폴리티오펜 중에서 선택되는 어느 하나이며,
    상기 용매는 증류수, 에틸알콜, 메틸알콜, 아세톤, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 톨루엔 및 N-메틸-2-피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상을 혼합한 용매이고,
    상기 기판은 유리 기판, 실리콘 기판 및 플라스틱 기판 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 코팅 용액 및 제2 코팅 용액은 각각 독립적으로 SnO2, ZnO, IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Al-doped zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), AZTO (Al-doped zinc tin oxide), GZO(Ga-doped zinc oxide), ATO(antimony doped tin oxide), ZTO(zinc tin oxide) 및 ITO(Indium tin oxide) 중에서 선택되는 1종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 (f) 단계의 상기 금속 나노선은 상기 제1 코팅 용액과 제2 코팅 용액의 총중량 기준 0.01-20 중량%인 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 (e) 단계는 Au, Pt, Ti, Ni, Al, W 및 Co 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 금속염 및 안정제를 증류수에 혼합한 후, 여기에 상기 금속 나노선을 첨가하여 70-90 ℃에서 교반하여 표면에 Au, Pt, Ti, Ni, Al, W 및 Co 중에서 선택되는 어느 하나의 금속이 코팅된 금속 나노선을 제조하는 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 금속염은 Au, Pt, Ti, Ni, Al, W 및 Co 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 클로라이드, 아세테이트, 나이트레이트 또는 설페이트염이고,
    상기 안정제는 소듐 클로라이드, 하이드라진, 소듐 보로하이드라이드, 소듐 하이드록사이드, 소듐 포스피네이트 모노하이드레이트, 암모늄 하이드록사이드, 포타슘 브로마이드 및 세틸트리메틸암모늄브로마이드 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 금속염은 상기 금속 나노선 100 중량부 기준 0.01-0.5 중량부인 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 코팅 용액과 제2 코팅 용액은 각각 독립적으로 50-500 W에서 1-20분 동안 초음파 분산시켜 코팅 용액을 제조하는 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조방법.
  17. 제 10 항에 있어서,
    (h) 열소성 장치 또는 광소성 장치를 이용하여 후처리하여 상기 투명전도막의 전기, 광학적 특성을 향상시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조 방법.
  18. 제 10 항에 있어서,
    상기 (g) 단계는 딥코팅, 스프레이코팅, 롤투롤코팅, 그라비아코팅, 스핀코팅 및 바코팅 방법 중에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 코팅하는 것을 특징으로 하는 투명 전도막의 제조 방법.
  19. 제 1 항에 따라 제조된 투명 전도막을 포함하는 디스플레이 소자 또는 에너지 소자용 전극.
  20. 제 10 항에 따라 제조된 투명 전도막을 포함하는 디스플레이 소자 또는 에너지 소자용 전극.
KR1020110117116A 2011-11-10 2011-11-10 금속 나노선 및 전도성 고분자를 포함하는 투명 전도막의 제조방법 KR101310051B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110117116A KR101310051B1 (ko) 2011-11-10 2011-11-10 금속 나노선 및 전도성 고분자를 포함하는 투명 전도막의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110117116A KR101310051B1 (ko) 2011-11-10 2011-11-10 금속 나노선 및 전도성 고분자를 포함하는 투명 전도막의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130051778A KR20130051778A (ko) 2013-05-21
KR101310051B1 true KR101310051B1 (ko) 2013-09-24

Family

ID=48661651

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110117116A KR101310051B1 (ko) 2011-11-10 2011-11-10 금속 나노선 및 전도성 고분자를 포함하는 투명 전도막의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101310051B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104616833A (zh) * 2015-01-12 2015-05-13 浙江大学 大面积制备银纳米线透明电极的方法及银纳米线透明电极
KR20210064452A (ko) * 2019-11-25 2021-06-03 주식회사 포리스 일함수 제어가 가능한 도전성 박막을 제조할 수 있는 코팅제
KR20220065151A (ko) * 2020-11-12 2022-05-20 주식회사 포리스 함유금속선택에 기반한 일함수 제어가 가능한 도전성 박막을 제조할 수 있는 코팅제

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103440896B (zh) * 2013-06-05 2016-09-28 南京邮电大学 铜纳米线和聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合柔性透明电极及其制备方法
KR101484771B1 (ko) * 2013-07-31 2015-01-22 한국과학기술원 은 나노와이어를 이용한 전극소자 및 그 제조 방법
KR101509110B1 (ko) * 2013-10-25 2015-04-07 영남대학교 산학협력단 나노 와이어 형상을 가진 은 나노 입자의 제조 방법
KR101581664B1 (ko) * 2013-12-30 2015-12-31 한국세라믹기술원 금속산화물이 코팅된 금속 나노와이어를 포함하는 투명전도막의 제조방법
KR101688919B1 (ko) 2015-04-20 2016-12-22 한국과학기술원 금속 나노선 전극의 제조 방법
DE102015115004A1 (de) * 2015-09-07 2017-03-09 Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh Verfahren zur Herstellung von strukturierten Oberflächen
KR101939307B1 (ko) * 2018-04-20 2019-01-16 한국기계연구원 투명 전도성 막 코팅용 조성물, 상기 조성물로 형성된 코팅층을 포함하는 투명 전도성 막, 그 제조방법 및 상기 조성물로 형성된 코팅층을 포함하는 전자기기
WO2021073608A1 (en) * 2019-10-16 2021-04-22 The University Of Hong Kong Integration of metal nanowire network into conducting polymers

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009205924A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Kuraray Co Ltd 透明導電膜、透明導電部材、銀ナノワイヤ分散液および透明導電膜の製造方法
KR20100114399A (ko) * 2009-04-15 2010-10-25 한국과학기술연구원 메탈와이어를 이용한 전도성필름 제조방법 및 전도성필름
JP2011119142A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Konica Minolta Holdings Inc 透明導電基材の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009205924A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Kuraray Co Ltd 透明導電膜、透明導電部材、銀ナノワイヤ分散液および透明導電膜の製造方法
KR20100114399A (ko) * 2009-04-15 2010-10-25 한국과학기술연구원 메탈와이어를 이용한 전도성필름 제조방법 및 전도성필름
JP2011119142A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Konica Minolta Holdings Inc 透明導電基材の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104616833A (zh) * 2015-01-12 2015-05-13 浙江大学 大面积制备银纳米线透明电极的方法及银纳米线透明电极
CN104616833B (zh) * 2015-01-12 2017-01-04 浙江大学 大面积制备银纳米线透明电极的方法及银纳米线透明电极
KR20210064452A (ko) * 2019-11-25 2021-06-03 주식회사 포리스 일함수 제어가 가능한 도전성 박막을 제조할 수 있는 코팅제
KR102322649B1 (ko) 2019-11-25 2021-11-09 주식회사 포리스 일함수 제어가 가능한 도전성 박막을 제조할 수 있는 코팅제
KR20220065151A (ko) * 2020-11-12 2022-05-20 주식회사 포리스 함유금속선택에 기반한 일함수 제어가 가능한 도전성 박막을 제조할 수 있는 코팅제
KR102540680B1 (ko) 2020-11-12 2023-06-08 주식회사 포리스 함유금속선택에 기반한 일함수 제어가 가능한 도전성 박막을 제조할 수 있는 코팅제

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130051778A (ko) 2013-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101310051B1 (ko) 금속 나노선 및 전도성 고분자를 포함하는 투명 전도막의 제조방법
Yu et al. Recent development of carbon nanotube transparent conductive films
KR101334601B1 (ko) 고직선성의 금속 나노선, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 투명 전도막
Jin et al. Long-term stable silver nanowire transparent composite as bottom electrode for perovskite solar cells
Cheong et al. Silver nanowire network transparent electrodes with highly enhanced flexibility by welding for application in flexible organic light-emitting diodes
Chen et al. Solution-processed copper nanowire flexible transparent electrodes with PEDOT: PSS as binder, protector and oxide-layer scavenger for polymer solar cells
Zhou et al. Copper mesh templated by breath-figure polymer films as flexible transparent electrodes for organic photovoltaic devices
KR101009442B1 (ko) 전도성 구조체를 이용한 전도성필름 제조방법 및 전도성필름
Han et al. Flexible transparent electrodes for organic light-emitting diodes
Sannicolo et al. Silver nanowire back electrode stabilized with graphene oxide encapsulation for inverted semitransparent organic solar cells with longer lifetime
CN111192965B (zh) 柔性透明电极及其制备方法与由其制备的柔性太阳能电池
KR101263194B1 (ko) 금속 나노구조체와 전도성 고분자로 이루어진 복수개의 혼합 도전층을 포함하는 투명 전도성 박막 및 이의 제조방법.
CN103068573A (zh) 透明导电膜、带透明导电膜的基材及使用其的有机电致发光元件
US20140202734A1 (en) Transparent Conductive Film, Method of Manufacturing the Same, and Touch Panel Having the Same
TW200915641A (en) Process for producing electroconductive polymer electrode and dye-sensitized solar cell comprising the electroconductive polymer electrode
Jon et al. Flexible perovskite solar cells based on AgNW/ATO composite transparent electrodes
Ji et al. Ultraflexible and high-performance multilayer transparent electrode based on ZnO/Ag/CuSCN
CN111446378A (zh) 一种透明有机电致发光二极管的制作方法
Choi et al. Fabrication of transparent conductive tri-composite film for electrochromic application
Woo et al. Conducting polymer/in-situ generated platinum nanoparticle nanocomposite electrodes for low-cost dye-sensitized solar cells
Ma et al. PFSA-passivated silver nanowire transparent electrodes for highly flexible organic-light-emitting devices with improved stability
Ullah et al. Structural, optical, and electrical characterizations of silver nanowire/single-layer graphene oxide composite film
JP2007080541A (ja) 有機透明導電体、その製造方法及び電流駆動型素子
KR20140133317A (ko) 은 나노와이어 및 은 격자 복합 패턴을 포함하는 투명전극 및 이의 제조방법
CN112331739B (zh) 一种低功函导电透明复合电极、其制备和应用

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160901

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170828

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180903

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190902

Year of fee payment: 7